<span style='color:red'>上海雷卯</span>EMC系列器件：助力航空货运无人机零部件攻克DO-160G测试
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上海雷卯EMC系列器件：助力航空货运无人机零部件攻克DO-160G测试

　　航空货运无人机的设计中，DO-160G航空机载设备环境适应性标准是确保设备可靠性与安全性的核心门槛，核心零部件需通过严格的 “电磁敏感度(EMS)” 测试 —— 这是保障无人机在高空浪涌、瞬态冲击、极端温湿度等场景下稳定工作的关键。上海雷卯EMC系列器件(浪涌抑制模块、冲击电流抑制模块、EMI滤波模块)，精准匹配 DO-160G EMS测试的章节要求与参数标准，为零部件顺利通过认证提供 “权威适配方案”。　　DO-160G标准的核心挑战与上海雷卯器件的应对策略　　DO-160G的EMS测试聚焦 “抗干扰能力”，核心关联电源瞬态、电磁敏感度、雷电感应瞬态等关键测试项，上海雷卯各模块的设计均贴合对应测试要求，满足测试要求。　　1. 浪涌电压抑制模块：覆盖浪涌与雷电防护需求　　无人机在飞行中可能遭遇两类电压冲击：一是电源切换产生的常规浪涌，二是高空雷击感应的瞬态电压，这两类场景均需满足DO-160G的测试标准。　　上海雷卯 LMVS 系列浪涌模块的双场景防护能力，直接适配需求：　　针对浪涌测试：模块可在50ms内将 80V~100V的瞬态浪涌电压钳位至 38V(应用实测数据)，低于标准规定的 “负载安全电压阈值”，避免 DC-DC 变换器、传感器被击穿;　　适配场景与参数：直流工作电压28V，覆盖1A~50A 额定电流，如LMVS2850AH1(50A，1/2 砖封装) 可满足动力系统防护，工作壳温 - 55℃~+125℃，兼容无人机高空低温与设备高温工况。　　2. 冲击电流抑制模块：攻克电源瞬态冲击难题　　DO-160G明确要求：“机载设备开机瞬态电流需低于额定电流的10倍”，而无人机开机时电容充电易产生65A冲击电流(470μF 电容场景)，远超标准限值。　　上海雷卯 LMIS/LMESW 系列模块的 “降流能力” 精准匹配该要求：　　实测数据显示，模块可将65A冲击电流降至12.67A(同电容场景)，满足DO-160G Chapter 19 电磁敏感性测试的浪涌防护要求;　　功能适配：部分型号(如LMESW-560WDC28V-N10E)支持防反接功能，符合 Chapter 19 “防误接保护” 的附加要求，同时支持远程控制开通 / 关断，适配无人机智能化控制需求;　　低损耗优势：导通阻抗低至 0.005Ω，在抑制冲击电流的同时减少功耗，符合无人机 “高能效” 设计原则。　　3. EMI 滤波模块：覆盖EMI合规，强化EMS稳定性　　EMC认证中，GJB151的CE102 测试虽聚焦 “噪声控制”，但零部件自身的高频噪声会间接影响 EMS 抗干扰能力。　　上海雷卯 LMFL 系列 EMI 滤波器可同步解决这一问题：　　性能达标：共模插入损耗最高 44dB(1MHz)、差模插入损耗峰值100dB(1MHz)，符合GJB151 CE102 Class 3 要求(150kHz~10MHz 频段传导发射 ≤66μV)。　　集成优势：部分型号(如LMFL2820X00Q)可集成冲击电流抑制功能，在满足 EMI 合规的同时，进一步强化 Chapter 19 电源瞬态防护能力，减少元件数量与兼容性风险。　　案例：某型号无人机电源系统DO-160G测试验证　　某型号无人机在搭载上海雷卯EMC LMFL2820X00Q滤波模块与LMVS4366-2809BE浪涌模块后，成功通过DO-160G测试：　　传导发射测试：噪声水平较未装模块时降低32dB，远优于标准限值。　　浪涌抗扰度测试：在±100V/50ms脉冲冲击下，负载电压波动<5%，系统无复位现象。　　高温存储测试：模块在+125℃环境下连续工作168小时，绝缘电阻保持100MΩ以上。　　结语　　随着航空货运无人机向高速化、智能化发展，DO-160G标准不仅是 “入场券”，更是飞行安全的底线。上海雷卯 EMC 系列器件的价值，不仅在于帮助零部件轻松通过测试，更在于从电磁兼容、浪涌防护、电流冲击等核心维度，为无人机的全生命周期安全保驾护航。　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2025-10-28 16:47 阅读量：260 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>：电火工品静电敏感度测试及静电防护
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上海雷卯：电火工品静电敏感度测试及静电防护

　　电火工品静电敏感度测试主要依据 GJB 736.11A-2019《火工品试验方法 第 11 部分：电火工品静电感度试验》。以下是该标准的详细要求：　　•试验原理：采用电容放电模型模拟人体静电危害，通过特定的电容器容量、放电电阻和测试电压等参数，对电火工品进行静电放电试验，观察其响应情况。　　•关键参数：模拟人体试验时，电容器容量为 500pF /2nF，放电电阻为 500Ω/5000Ω，测试电压为30kv。感度测定试验时，电容器容量和放电电阻可调，测试电压按升降法确定。　　•设备要求：静电感度仪整机电感需小于 5μH，校准周期为 12 个月，漏电压控制应≤充电电压的 5%。　　•操作流程：试样预处理需在 15-35℃环境放置≥2h，接线方式为脚 - 脚 / 脚 - 壳连接，引线长度≤200mm±20mm，采用专用绝缘棒操作，接地线截面积≥4mm²，数据记录按 GJB/Z377A 进行升降法统计。　　•安全防护：新增三级防护体系，包括人员防护(防静电服 + 绝缘鞋 + 防护眼镜组合)、设备防护(10MΩ 绝缘值 + 150kΩ 放电电阻)和环境防护(独立防爆箱 + 毒气排风装置)。　　上海雷卯静电防护方案及器件　　防护方案：　　雷卯电子采用“分类防护” 策略，从电源端到信号接口构建防护体系。例如在电源端，对于 10-30V 电源，推荐在棕线与蓝线之间并联小体积、高功率的 TVS 管 SMBJ33CA，其覆盖 10-30V 工作范围，峰值脉冲功率 400W，响应时间≤1ns。在信号输出端，可在黑线、橙线与蓝线之间各并联小体积的 ESD 二极管 SD36C，进行静电浪涌二极防护，覆盖 10-30V 电源电压，满足 IEC61000-4-2，等级 4，接触放电 30kV，空气放电 30kV。　　防护器件：　　公司提供多种类型的静电保护元件，如 ESD 静电保护元件(0201/DFN0603/TSSLP-2-4 等封装形式)、PESD 静电保护元件(0201、0402、0603 等封装形式)、TVS 瞬态电压抑制二极管(SMF Series、P4SMF Series、SMA Series 等)、TSS 半导体放电管、GDT 陶瓷气体放电管、PPTC 自恢复保险丝等。这些器件具有不同的电压、电流、功率等参数，可以根据具体的应用场景和需求进行选择。
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发布时间：2025-10-23 16:15 阅读量：267 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>高速MIPI 接口静电保护方案
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上海雷卯高速MIPI 接口静电保护方案

　　MIPI(Mobile Industry Processor Interface移动产业处理器接口)是2003年由ARM,Nokia,ST,TI等公司成立的一个联盟，MIPI 联盟定义了一套接口标准，把移动设备内部的接口如摄像头、显示屏、基带、射频接口等标准化，从而增加设计灵活性，同时降低成本、设计复杂度、功耗和EMI。MIPI接口标准在移动设备、汽车电子和物联网等领域得到广泛应用，对于实现高性能、低功耗和小型化的连接需求起到了重要作用。　　比较成熟的应用有MIPI-CSI (camera Serial interface) 接口可以连接摄像头，MIPI-DSI (display Serial interface) 接口可以连接显示屏。　　一般应用是通过 MIPI -CSI 接口摄像头输入信号，经过CPU 对数据处理，通过 MIPI-DSI 接口连接的显示屏播放显示。　　1. MIPI 差分信号摆幅多少　　MIPI接口标准通常使用低压差分信号传输，其中包括两个互补的信号线，分别是正向和负向的差分信号。这种设计有利于减少传输中的干扰和噪音，并提高抗干扰能力。　　在MIPI CSI-2和DSI中，通常采用的电平幅度是低压差分信号，主要包括以下几种：　　C-PHY：C-PHY采用较低的供电电压，通常为1.2V，其数据信号的电平幅度为0.2V到1.0V之间。　　D-PHY：D-PHY也采用较低的供电电压，通常为1.2V，其数据信号的电平幅度为0.4V到1.1V之间。　　这些低压差分信号的电平幅度设计有利于降低功耗、减小传输线路的大小和成本，并且能够满足移动设备对功耗和尺寸的严格要求。　　2. MIPI 接口数据速率　　MIPI接口的数据速率取决于具体的协议和规范，以及设备的性能和需求。以下是一些常见的MIPI接口和它们的数据速率范围：　　MIPI CSI-2(Camera Serial Interface 2)：CSI-2用于摄像头到处理器的数据传输。它支持多种数据速率，包括低速(10 Mbps至100 Mbps)、中速(100 Mbps至1 Gbps)和高速(1 Gbps以上)的模式。具体的数据速率取决于摄像头模块的要求和设备的性能。　　MIPI DSI(Display Serial Interface)：DSI用于处理器到显示屏的数据传输。它也支持多种数据速率，包括低速(10 Mbps至100 Mbps)、中速(100 Mbps至1 Gbps)和高速(1 Gbps以上)的模式。具体的数据速率取决于显示屏的分辨率、刷新率和设备的性能。　　MIPI RFFE(RF Front-End Control)：RFFE用于控制射频前端模块，通常用于移动设备的无线通信。它的数据速率通常在100 kbps至10 Mbps之间，根据具体的应用需求而定。　　3. MIPI差分数据线对　　MIPI 接口支持最多1对差分时钟配1-4对差分数据，具体差分线对多少与配备的设备有关。　　4. 上海雷卯MIPI 接口ESD保护　　在MIPI接口中，为了保护设备免受静电放电(ESD)的影响，在MIPI 接口处放置ESD保护器件是最可靠的防护，当然合理的器件布局走线和接地也是必不可少的。　　因为MIPI 接口电平在0.2-1.4V 之间，因此选择VRWM为3.3V 集成ESD 最为合理。　　接口差分数据在1-4之间，可以根据设备匹配相应数量ESD ,在此按最多4组数据为例。　　(1)高速接口保护方案　　高速一定要低容ESD 来保护　　(2)中低速接口保护方案(10M-1Gbps)　　EMC小哥ESD知识分享　　电路板布局和ESD保护器件放置　　电路板布局对于抑制 ESD、电子快速瞬变 (EFT) 和瞬变浪涌至关重要，建议遵循以下准则：　　1.将ESD放置在尽可能靠近输入端子或连接器的位置。　　2.尽可能缩短ESD器件与受保护线路之间的路径长度。　　3. 除差分及同类数据地址总线外，非同类信号线尽可能的不要并行 。　　4.避免将受保护的导体与未受保护的导体并行放置。　　5.尽量减少所有印刷电路板 (PCB) 导电回路，包括电源和接地回路。　　6.尽量减少对地瞬态回流路径的长度　　7.避免使用瞬态响应路径做公共接地点　　8.对于多层 PCB，尽可能使用接地平面，接地通孔。　　Leiditech上海雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。
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发布时间：2025-10-20 16:00 阅读量：291 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>：浅谈S-VIDEO接口静电浪涌防护
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上海雷卯：浅谈S-VIDEO接口静电浪涌防护

　　S-Video 接口曾经在一些旧款的电视机、录像机、游戏机等设备上广泛应用，用于传输视频信号。不过，随着技术的发展，S-Video 接口已经逐渐被其他更先进的接口所取代，比如 HDMI、DVI 等。　　现在S-video接口广泛应用于电视、监视器、摄像机、录像机等视频设备中，提供了比传统的复合视频接口更好的视频质量。使用S-video接口可以获得更清晰、更准确的视频图像，特别适合于要求较高的视频显示场景。　　S-Video接口因各种原因，比如人为触摸，带电插拔，天气原因等造成静电浪涌情况发生。如此接口没有做ESD/EOS防护，将会造成内部视频输出芯片损坏，设备不能正常工作。　　上海雷卯EMC小哥在电子设备静电浪涌防护方面是专家，有十年实际为客户服务经验。上海雷卯推出S-VIDEO 等视频接口ESD静电及浪涌保护。　　先来了解下此接口：S-video接口是一种视频传输标准，也称为Y/C接口。它将视频信号分成两个独立的部分：亮度(Y)和色度(C)，分开传输这两部分信号，这种分离传输的方式可以避免亮度和色度信号相互干扰，提高视频传输的质量，视频图像的清晰度和色彩准确性更高。S-video接口通常包括一个4针、7针或9针的接头，其中4针接头用于传输基本的亮度和色度信号，而7针或9针接头则可以支持更多功能，如音频传输等。4针用的最为普遍，此篇以4针为例做静电浪涌保护方案。　　方案一、分立元件 GBLC05C方案　　方案优点：此方案用ESD二极管GBLC05C完成对接口的静电浪涌保护，分立元件SOD-323封装，方便布线，电容低，IPP电流大,18A，既可以保证信号传输完整性，又可以防护一定的浪涌。并且符合IEC 61000-4-2(静电)±30kV(空气)和 ±30kV(接触)标准，具有强的抗静电能力。　　方案二、集成元件LCC05DT3 方案　　方案优点：此方案用ESD二极管LCC05DT3完成对接口的静电浪涌保护，集成元件SOT-23封装，节省空间，电容低，IPP电流大,12A，既可以保证信号传输完整性，又可以防护一定的浪涌。并且符合IEC 61000-4-2(静电)±30kV(空气)和 ±30kV(接触)标准，具有强的抗静电能力。　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。
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发布时间：2025-10-16 14:42 阅读量：270 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>：工业网口防护方案：EtherCAT 协议的静电浪涌防护设计
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上海雷卯：工业网口防护方案：EtherCAT 协议的静电浪涌防护设计

　　一、工业常用网口协议分类　　工业场景中，网口协议需兼顾“通信稳定性”“同步精度”“抗干扰能力” 三大核心需求，不同协议因设计目标差异，在防护方案选型上存在本质区别，主流分类如下：　　实时控制类协议：以 EtherCAT、Profinet IRT 为代表，核心优势是纳秒至微秒级同步精度，支持数千个从站级联，适用于汽车生产线、光伏逆变器集群等需精准协同的场景;防护需重点关注 “低寄生电容”“无额外延迟”，避免破坏同步逻辑。　　通用工业以太网协议：以 Modbus TCP、Ethernet/IP 为代表，基于传统 TCP/IP 架构改良，兼容性强但实时性较弱(毫秒级延迟)，适用于楼宇自控、普通机床监控等场景;防护侧重 “低成本”“易集成”，对容值、延迟要求相对宽松，上海雷卯电子针对此类场景也推出了高性价比防护器件组合。　　高速传输类协议：以 Glink(分高速 / 通用型)、10Gigabit Ethernet 为代表，侧重大数据量高速传输(如工业相机图像、风电设备状态监测数据);高速型需兼顾 “低延迟” 与 “高带宽”，通用型可优先平衡成本与基础防护。　　在工业分布式控制场景中，EtherCAT 协议因支持 65535 个从站、纳秒级同步精度，成为汽车生产线、光伏设备、风电变桨系统的核心通信协议;这类场景中，电机启停浪涌、粉尘静电、户外雷击感应等干扰，常导致 EtherCAT 从站断连、帧滑动延迟超标的问题 —— 其根源在于防护方案未匹配 EtherCAT 的 100Base-TX 差分信号特性与拓扑需求。本文结合雷卯 EMC 技术方案，拆解 EtherCAT 协议的专属防护逻辑。　　二、EtherCAT 防护的核心约束：标准与协议　　EtherCAT 接口需同时满足工业 EMC 强制标准与协议自身特性要求，二者共同决定防护器件选型：　　1. 静电浪涌强制标准　　静电(ESD)：需符合 IEC 61000-4-2 标准，达到Criterion A 级(无通信中断、无性能下降)，具体指标为接触放电 8kV、空气放电 15kV;　　浪涌：IEC 61000-4-5 电源端口 ±4kV(线 - 地)、信号端口 ±2kV(线 - 线)，干扰波形为 8/20μs(工业场景最常见的感性负载启停浪涌波形);　　2. 协议特性限制　　寄生电容敏感：100Base-TX 差分信号(TX+/TX-)对防护器件的单个寄生电容临界值为 5pF，容值超标会导致帧滑动处理延迟超 500ns，直接破坏从站同步精度;　　拓扑兼容性：EtherCAT冗余环网自愈时间需 < 50ms，防护电路(如 GDT、TVS 的响应时间)不能引入额外延迟(需 < 1μs);　　PHY 芯片耐受：多数 EtherCAT PHY 芯片(如 TI DP83848)耐压≤18V，防护器件钳位电压需严格控制在此阈值内，避免芯片过压损坏。　　三、EtherCAT 分场景防护方案：　　从普通到强干扰环境　　场景 1：普通工业环境　　干扰特点：粉尘静电积累(±5kV)、小型电机启停干扰(<±1kV)，无直接雷击风险;　　核心需求：平衡信号保真与成本，无需过度防护;　　雷卯适配方案：　　①信号端防护：雷采用卯二级防护设计，保证百兆网口信号完整性与高温环境下可靠工作，符合IEC 61000-4-2 4 级标准(接触放电 8kV、空气放电 15kV)。　　② 电源端防护：并联SMDJ26CA TVS 管(钳位电压 42V，适配 24V 工业电源，预留电源波动余量，如用40V DCDC 可采用雷卯3LM26CA或3LM33CA 这种回扫型的钳位电压更低的TVS二极管)，阻断电源侧浪涌串入。　　场景 2：强干扰环境(汽车焊装线、电机集群)　　干扰特点：大功率电机启停浪涌(±3kV)、车身静电(±12kV)，共模干扰耦合明显;　　核心需求：大电流泄放 + 信号保真双兼顾;　　雷卯分级防护方案：　　① 第一级：浪涌泄放：RJ45 端口串联雷卯 3R090-5S GDT(气体放电管)，击穿电压 90V，可泄放90%浪涌电流，避免大能量直接冲击 PHY 芯片;　　② 第二级：静电钳位 + 残压控制：后置GBLC03C，将残压严格控制在安全阈值内，同时保证差分信号无失真。　　EtherCAT 防护的核心是 “在 EMC 合规与信号同步精度间找平衡”—— 既要通过分级防护(GDT 泄放 + TVS 钳位)满足 IEC 61000-4 系列标准，又要严格控制防护器件的寄生电容(≤5pF / 单个)与延迟(<1μs)，避免破坏协议的纳秒级同步逻辑;上海雷卯电子的方案已通过多家工业设备厂商验证，可直接落地应用。　　在工业通信领域，不同协议的防护逻辑需紧扣其核心特性—— 除 EtherCAT 外，另一类核心协议 Glink 因分为高速与通用两大类型，防护需求差异显著(高速型侧重 “低延迟保同步精度”，通用型侧重 “低成本与兼容性”)。下一篇雷卯 EMC 小哥将聚焦这两类 Glink 协议的场景化防护方案，进一步拆解 “协议特性决定防护选型” 的核心逻辑。
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发布时间：2025-10-10 15:31 阅读量：321 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>电子：这两种TVS有啥不同？
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上海雷卯电子：这两种TVS有啥不同？

　　当我们查看TVS二极管的规格书 ,常会看到有以下两种种引脚功能标识图：　　对于初学者，看到感到疑惑，他们一样吗?他们有啥区别?为啥有的两个尖头往外 ，阳极连在一起，有的两个尖头往里，阴极连在一起?一连三问。EMC小哥根据自己经验略作分析。　　使用这两种图的规格书上都有标注 bidirectional ESD protection diode。因此可以确定这两种的功能是一样的，都是双向保护二极管。　　图1在国外品牌规格书上看到的比较多，比如Nexperia(安世)， Littelfuse(美国力特)，VISHAY(威世)等等，图2 国内品牌使用比较多，比如上海雷卯。　　我们看两种TVS二极管在电路中的应用：参看图3，图4。　　先看上图3： 静电过来后首先反向击穿通过D1连接1脚的二极管，然后再正向通过D1的下方连接2脚二极管，(减去大约0.7V )，最后导入到地。　　图4静电过来后首先正向通过D2的上方连接1脚二极管(减去大约0.7V ),然后反向击穿通过D2连接2脚的二极管，最后导入到地。所以，静电进来后两种TVS二极管都是要经过一次反向击穿和正向导通电压才导入到地，所以从电气性能上分析这两种实现的功能是一样的，从应用上是没有区别的。　　那他们本质上有区别吗?我们知道二极管是有PN结组成，如图5，电流从P极进去，N极出来，正向导通， 硅管的管压降VF为0.7V。　　对于TVS二级管，因为是反向击穿起保护作用，所以是从N极流入P极，P极到N极是正向导通。　　那么上面图1，图2两种TVS二极管功能图内部结构可以近似如下图表示：　　这就是这两种二极管内部叠层结构不同。　　因此，从电气特性角度分析，图1和图2所示均为双向TVS二极管，应用上没有区别，仅内部结构存在差异。对工程师而言，只要器件规格书中的参数相近，所实现的功能一致，二者便具备替代性。　　上海雷卯电子(Leiditech)凭借多年技术积累，其国产ESD/TVS器件可兼容替代NXP、SEMTECH、LITTELFUSE、ON、VISHAY、TI等多款国外品牌产品。公司提供包括USB接口、汽车电子、工业控制等领域的电路保护方案，并备有详细替代型号列表供参考。雷卯产品支持样品申请，助力客户实现供应链优化与国产化替代。　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2025-09-19 15:45 阅读量：427 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>：长距离POE供电模块静电浪涌防护方案
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上海雷卯：长距离POE供电模块静电浪涌防护方案

　　上海雷卯 EMC 小哥以海康威视摄像机内置 POE 供电模块(以下简称 “海康 POE 模块”)为研究对象，结合模块拆解图深入分析现有防护基础，针对性提出适配长距离场景的静电浪涌防护方案，聚焦户外安防监控、工业远程监控等场景的核心痛点，确保 POE 模块 “供电+数据传输” 双重功能稳定可靠。　　一、长距离 POE 应用场景风险与防护标准　　在户外道路沿线、园区周界及工业工厂车间、矿山井下等长距离 POE 应用中，网线易受三重威胁：一是雷雨天气引发的雷击电磁感应，浪涌能量沿网线叠加传输;二是工业设备启停产生的瞬态干扰，形成高频电压尖峰;三是超 100 米长距离网线的分布电容、电感进一步放大冲击。这些威胁轻则导致 POE 模块供电中断、数据丢包，重则击穿 DC-DC 转换器、PHY 芯片，损毁后端摄像机。　　基于此，上海雷卯明确防护需满足两大国际标准：　　IEC61000-4-2(静电放电抗扰度)：达等级 4 要求，输入端口接触放电、空气放电均达 30kV，输出端口接触放电 8kV、空气放电 15kV;　　IEC61000-4-5(浪涌抗扰度)：应对 10/700μs、40Ω、6kV、±5 次浪涌冲击，适配长距离场景的能量叠加特性;1.2/50μs 波形(适用于 100-300 米场景)的标准阻抗为 2Ω(电源端口)或 12Ω(通信端口)、±6kV、±5 次。　　二、海康 POE 模块接口分级防护方案(雷卯优化)　　通过拆解海康POE 模块可见，其防护核心集中在输入、输出两大端口，雷卯 EMC 小哥在此基础上强化 “分级拦截” 逻辑，融入雷卯自研防护器件与策略：　　01 输入端口：雷卯三级防护拦截 前端浪涌　　输入端口是浪涌侵入首要路径，采用“泄放-钳位-精准防护” 三级策略，核心器件与部署要求如下：　　第一级：大电流泄放(变压器前端)　　雷卯选用 GDT(气体放电管 3R090-5S)与 MOV(压敏电阻 14D821KJ)串联，快速泄放雷击等大能量浪涌(如 6kV 浪涌下可泄放 60% 以上能量)。　　部署注意：户外场景需确保 GDT 接地端与设备接地极路径≤5cm，减少泄放损耗。　　第二级：共模 / 差模钳位(变压器抽头处)　　搭配 MB6S 整流桥实现 POE 供电极性转换，并联 3 颗 TVS 二极管(LM1K58CC、SMBJ58CA×2 雷卯选型)，分别针对共模与差模浪涌进行钳位过电压;同时集成 Bob Smith 终端电路，兼顾浪涌防护与以太网差分信号完整性，降低信号反射损耗。　　第三级：后端精准防护(变压器后端)　　采用 4 颗雷卯GBLC03C 瞬态抑制二极管，针对 PHY 芯片等低压器件进行 3.3V 精准钳位，响应时间<1ns，弥补前两级防护疏漏，避免低压电路击穿和数据丢包。　　02 输出端口：稳定负载与尖峰吸收　　输出端口直接连接 12V 摄像机，雷卯EMC 小哥重点优化 “防倒灌 + 尖峰抑制” 能力：　　雷卯采用SS210LA 肖特基二极管(100V/2A)防倒灌，确保 12V 输出方向正确，减少长距离供电损耗，同时规避施工阶段的电路倒灌风险;　　并联SMBJ15CA型TVS 二极管，可有效钳制因负载波动(如摄像机红外灯启停瞬间)引发的电压尖峰，保护后端设备。　　三、浪涌波形适配与 PCB 布局关键要求　　01 浪涌波形与场景匹配　　雷卯 EMC 小哥指出，长距离 POE 场景需根据网线长度选择对应浪涌测试波形，避免防护错配：　　10/700μs 波形：适用于超 300 米户外对称线路，模拟长距离传输中雷击感应的叠加浪涌能量;　　1.2/50μs 波形：适用于 100-300 米户外线或工业内线，是多数 POE 设备的主流测试波形。　　02 PCB 布局：留足安全余量，避免防护失效　　PCB 布局直接影响浪涌泄放与隔离效果，需严格遵循以下要求：　　1.间距要求：外层铜迹间距≥6mm，内层≥3mm;垂直层间偏移 1mm，保留 3kV 隔离余量，防止层间击穿;　　2.铜箔与迹线：雷卯推荐采用 1oz 铜箔，迹线宽度≥0.3mm(0.13mm 细迹线易在 GR-1089-CORE 测试中熔断);GDT/MOV 接地迹线≥2mm，降低泄放阻抗;　　3.接地与屏蔽：STP 网线屏蔽层两端接地(接地电阻≤4Ω);GDT/MOV 用独立接地线(线径≥1.5mm²)，避免多器件共用接地导致浪涌串扰;　　Leiditech 雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应 ESD(如 GBLC03C)、TVS、TSS、GDT(如 3R090-5S)、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有经验丰富的研发团队，可根据不同应用场景(户外 / 室内、PoE / 非 PoE)提供个性化防护方案，为千兆设备接口安全保驾护航。
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发布时间：2025-09-12 11:54 阅读量：516 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>千兆以太网防护：三步搞定电涌威胁
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上海雷卯千兆以太网防护：三步搞定电涌威胁

　　雷电、设备插拔、环境静电、电机启动等场景中，可通过网线损坏交换机、摄像头等设备，其中ESD(静电放电，含电缆放电事件 CDE)因发生场景高频、直接作用核心元器件，需在防护设计中重点关注。本文上海雷卯 EMC 小哥围绕以太网接口核心威胁，提供三层防护方案，助力千兆设备实现 “电涌 + 静电可靠防护”。　　一、 以太网接口面临的三类威胁　　以太网接口在运行中易受多种电磁干扰影响，不同干扰的触发场景、危害形式存在差异，需针对性设防：　　1.ESD(静电放电，含 CDE 电缆放电事件)　　触发场景：日常设备插拔、人员接触、环境干燥时的静电释放，以及插拔带电网线时的 CDE，后者是静电瞬间集中释放的典型形式。　　危害特点：峰值电流可达数十安，直接作用于 PHY 芯片输入级，是导致 PHY 芯片损坏的主要诱因之一;因设备操作、环境变化均可能引发，这类干扰的发生频率显著高于其他类型。　　防护标准：依据 IEC 61000-4-2 标准，户外及工业环境设备需满足 Level 4(±15kV 空气放电、±8kV 接触放电)要求，以应对各类静电场景。　　2.浪涌(Surge)　　触发场景：主要由雷击感应或电力系统故障引发，电压可达数千伏，能量密度高但发生概率较低。　　防护标准：按 IEC 61000-4-5 标准，户外设备需抵御 4kV 电压波(1.2/50μs)、2kA 电流波(8/20μs)的冲击，避免强能量损坏接口电路。　　3. EFT(电快速瞬变脉冲群)　　触发场景：电机、继电器等设备开关动作时产生，频率范围 5kHz-100kHz，主要干扰信号传输稳定性，直接损坏设备的概率较低。　　防护标准：IEC 61000-4-4 标准规定，户外设备需按 4 级(±4kV)设防，保障信号传输不受高频脉冲干扰。　　二、雷卯核心方案：三层协同防护　　典型的以太网接口应包含隔离变压器(满足 IEEE 802.3 标准，隔离耐压1500VRMS，集成共模扼流圈)和Bob smith终端(75Ω 电阻+1000pF高压电容，降低共模辐射)，再遵循 “分级泄放能量 + 精准钳位干扰” 逻辑，构建三层防护体系：　　1. 接口层泄放：优先吸收共模大能量　　雷卯采用低电容 GDT(气体放电管，型号 3R090-5S) 作为第一级防护，重点泄放 80% 的共模电流：　　响应速度<100ns，通流能力达 5KA，可快速吸收雷击等引发的共模能量，避免后续防护组件过载，为核心芯片防护奠定基础。　　2. 变压器层衰减：降低干扰能量强度　　利用隔离变压器的隔离特性，结合 Bob-Smith 终端优化共模阻抗：　　变压器对 ESD、浪涌能量的衰减率超 60%，可将静电峰值电流从 “数十安” 降至 “数安级”，大幅减轻后续钳位环节的防护压力，同时减少干扰对信号传输的影响。　　3. 芯片层钳位：精准守护 PHY 芯片　　这是抵御 ESD 与差模浪涌的关键环节，采用雷卯GBLC03C 低电容 ESD 二极管：　　电容值<0.3pF，完全适配千兆以太网信号传输需求，避免信号衰减或误码;　　可精准钳位差模方向的 ESD(含 CDE 残余电流)与浪涌能量，将 PHY 芯片端瞬态电压控制在安全范围，满足 IEC 61000-4-2 Level 4(±30kV)、IEC 61000-4-5(4kV)等严苛标准。　　三、设计避坑指南　　接口防护失效常与设计细节偏差相关，尤其在 ESD 防护环节，上海雷卯建议需规避以下误区：　　ESD 布局误区：位置与连接方式决定防护效果　　错误做法：将 ESD 二极管置于变压器前的 RJ45 接口处，采用 “信号线对地” 连接.　　问题：变压器 1500VRMS 的隔离特性会阻碍静电共模能量泄放，还可能引发 “共模→差模” 瞬态转换，导致静电直接冲击 PHY 芯片。　　雷卯EMC小哥建议的正确策略是：将 ESD 二极管跨接在变压器 PHY 侧的差分信号对之间。　　原理：借助变压器已衰减的静电能量，配合 ESD 二极管<1ns 的快速响应，可直接抑制差模方向的 ESD 瞬态，大幅提升防护效率。　　GDT 使用误区：按需配置，避免冗余或不足　　严苛环境(户外 / 工业)：需搭配低电容 GDT(如 3R090-5S)作为第一级，但需确保与后级 GBLC03C ESD 的协同 ——GDT 泄放共模后，ESD 专注钳位差模，避免两者 “能量冲突” 影响防护效果。　　普通环境(室内办公)：无需额外添加 GDT，仅通过 “变压器衰减 + PHY 侧 ESD” 即可应对日常静电场景，盲目增加 GDT 反而可能引入信号干扰。　　防护能力误区：不可仅依赖 PHY 内置 ESD　　错误认知：认为 PHY 芯片自带 ESD 防护，无需外置组件。　　实际局限：PHY 内置 ESD 仅能应对 ±8kV 以下的轻微静电，完全无法抵御 CDE(能量超过内置防护上限)及 PoE 插拔瞬态，必须外置 GBLC03C (±30kV)等专用 ESD，才能实现可靠防护。　　工程师需通过厘清各类干扰的防护逻辑、避开设计误区，可在保障千兆以太网信号质量的同时，显著提升接口对静电与电涌的抗扰度，降低设备故障率。
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发布时间：2025-09-03 14:13 阅读量：494 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>电子：常用防反接保护电路及功耗计算
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上海雷卯电子：常用防反接保护电路及功耗计算

　　采用电池是最方便干净的电源，为电子电路提供电压。还有许多其他方法，为电子设备供电，如适配器，太阳能电池等，但最常见的直流电源是电池。通常，所有设备都带有防反接保护电路，但是如果您有任何电池供电的设备没有防反接保护，那么在更换电池时始终必须小心，否则它可能会炸毁设备。　　因此，在这种情况下，防反接保护电路将是电路的有用补充。有一些简单的方法可以保护电路免受反极性连接的影响，例如使用二极管或二极管桥，或者将P沟道MOSFET用作HIGH侧的开关。　　使用二极管的极性反接保护　　使用二极管是极性反接保护最简单、最便宜的方法，但它存在漏电问题。当输入电源电压很高时，小的压降可能没关系，特别是当电流较低时。但在低压操作系统的情况下，即使是少量的压降也是不可接受的。　　众所周知，通用二极管上的压降为0.7V，因此我们可以通过使用肖特基二极管来限制此压降，因为它的压降约为0.3V至0.4V，并且还可以承受高电流负载。选择肖特基二极管时要注意，因为许多肖特基二极管都具有高反向电流泄漏，因此请确保选择具有低反向电流(小于100uA)的二极管。　　雷卯电子有专门开发的超低Vf肖特基二极管和超低漏流的肖特基二极管，适合防反接使用。　　在4安培时，电路中肖特基二极管的功率损耗为：　　4x 0.4V= 1.6W　　在普通二极管中：　　4x 0.7 V=2.8W　　所以肖特基在电路中的节能效果明显，如果电路电流较大，也可以选用DO-277封装的肖特基二极管，比如雷卯电子SS10U60。　　整流桥堆防反接保护　　我们也可以使用全桥整流器进行防反接保护，因为它与极性无关。但是桥式整流器由四个二极管组成，因此在单二极管的上述电路中，功率浪费量将是功率浪费的两倍。　　使用P 沟道MOSFET 的防反接保护　　使用P沟道MOSFET进行反接极性保护比其他方法更可靠，因为它具有低压降和高电流能力。该电路由一个P沟道MOSFET、齐纳二极管和一个下拉电阻组成。如果电源电压低于P沟道MOSFET的栅极至源电压(Vgs)，则只需要不带二极管或电阻的MOSFET。您只需要将MOSFET的栅极端子连接到接地即可。　　现在，如果电源电压大于Vgs，则必须降低栅极端子和源极之间的电压。下面提到了制造电路硬件所需的组件。　　P 沟道场效应管 型号根据电流电压选择　　采用P沟道MOSFET的极性反接保护电路的工作原理　　现在，当您按照电路图连接电池时，具有正确的极性，它会导致晶体管打开并允许电流流过它。如果电池向后或以反极性连接，则晶体管关闭，我们的电路将受到保护。　　该保护电路比其他保护电路更有效。让我们分析一下当电池以正确的方式连接时，P沟道MOSFET将导通，因为栅极和源极之间的电压为负。查找栅极和源极之间电压的公式为：Vgs= (Vg- Vs)　　当电池连接不正确时，栅极端子的电压将为正极，我们知道P沟道MOSFET仅在栅极端子的电压为负时(此MOSFET的最低-2.0V或更低)导通。因此，每当电池以相反方向连接时，电路都将受到MOSFET的保护。　　现在，让我们来谈谈电路中的功率损耗，当晶体管导通时，漏极和源极之间的电阻几乎可以忽略不计，但为了更准确，您可以浏览P沟道MOSFET的数据表。对于LMAK30P06P 沟道MOSFET，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.020Ω(典型值)。因此，我们可以计算电路中的功率损耗。　　如下所示：功率损耗=I*I*R　　假设流经晶体管的电流为1A。所以功率损耗将是　　功率损耗=I2R= (1A)2*0.02Ω= 0.02W　　因此，功率损耗比使用单二极管的电路小约27倍。这就是为什么使用P沟道MOSFET进行防反接保护比其他方法要好得多的原因。它比二极管贵一点，但它使保护电路更安全，更高效。　　我们还在电路中使用了齐纳二极管和电阻器，以防止超过栅极到源电压。通过添加电阻和9.1V的齐纳二极管，我们可以将栅源电压箝位到最大负9.1V，因此晶体管保持安全。　　当然MOS的防反接电路也可以采用Nmos来截断电路，截断的就是负极电路，我们一般的理念还是开关正极，就像家里电灯开关一样，是装在火线上，而不是零线上。
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发布时间：2025-08-29 16:24 阅读量：551 继续阅读>>
<span style='color:red'>上海雷卯</span>：二极管半导体器件的应用和参数对比
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上海雷卯：二极管半导体器件的应用和参数对比

　　二极管种类区别　　按操作特性进行比较：　　器件结构说明对比：　　肖特基二极管由金属与半导体结结形成。在电气方面，它由多数载波进行，具有较低的电流泄漏和正向偏置电压(VF)的快速响应。肖特基二极管广泛应用于高频电路中。　　齐纳二极管由掺杂的P-N半导体结组成。有两种物理效应可以称为泽纳状态(泽纳效应和阿瓦兰奇效应)。当对P-N结施加低反向电压时，由于量子效应而传导，将发生泽纳效应。当大于 5.5 伏特电压反向施加到 PN 结时，产生电子孔对与晶格碰撞时，就会产生 Avalanche 效应。基于齐纳效应的齐纳二极管在电子电路中被广泛用作电压参考源。　　TVS二极管由专门设计的 P-N 半导体结组成，用于浪涌保护。PN 结通常涂覆，以防止在非传导状态期间过早发生电压电弧。当发生瞬态电压事件时，TVS 二极管会使用 Avalanche 效应进行夹紧瞬态电压。TVS二极管广泛应用于电信、通用电子和数字消费市场，用于闪电、ESD和其他电压瞬态保护。　　ESD代表TVS硅保护阵列。它是一系列集成的 PN 结、SSC 或其他硅保护结构，封装在多引脚结构中。ESD可用作电信、通用电子产品和数字消费市场的 ESD、闪电和 EFT 保护的集成解决方案，这些市场存在多个保护机会。例如，它可用于 HDMI、USB 和以太网端口 ESD 保护。
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发布时间：2025-08-19 16:44 阅读量：597 继续阅读>>

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