瑞萨推出首款自研RISC-V内核

Release time:2023-12-01
author:AMEYA360
source:瑞萨
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  嵌入式硬件专家瑞萨电子宣布推出首款基于免费开放的 RISC-V 指令集架构 (ISA) 的完全自主研发的处理器内核。

  众所周知,在过去,该公司已经推出了采用晶心科技RISC-V内核的产品,如32位语音控制ASSP、电机控制ASSP和64位通用微处理器“RZ/Five”,但它还没有利用通过这项技术,该公司计划提高其在 RISC-V 市场的地位。

  瑞萨电子的 Giancarlo Parodi 在谈到该技术时表示:“RISC-V ISA 在半导体行业中的日益普及是创新的福音。它为设计人员提供了前所未有的灵活性,并将缓慢而稳定地挑战和改变嵌入式系统的当前格局。”该公司最新的微控制器的背后。“过去,瑞萨电子已经采用了 RISC-V 技术,引入了基于 Andes Technology Corp 开发的 CPU 内核构建的用于语音控制和电机控制的 32 位 ASSP 器件。令人兴奋的下一步是[我们的]首款内置 -内部设计的 CPU 核心。

  虽然瑞萨电子尚未透露将使用其内部核心的部件的完整产品细节,但它已经确认了有关核心本身的一些技术细节。框图显示了单个 32 位 RISC-V 内核,具有性能提升的动态分支预测器、硬件乘法器/除法器、向量中断控制器、堆栈监视器寄存器、独立的指令和数据总线以及紧凑型 JTAG (cJTAG)/ JTAG 调试功能。它还承诺 3.27 CoreMark/MHz)的性能水平——尽管时钟速度尚不清楚。

  “该 CPU 适用于许多不同的应用环境。它可以用作主 CPU 或管理片上子系统,甚至嵌入到专门的 ASSP [特定应用标准产品] 设备中,”Parodi 声称。“显然它非常灵活。其次,在硅片面积方面,该实施非常高效,除了对成本影响较小的明显效果之外,还有助于降低待机期间的工作电流和漏电流。第三,尽管针对小型嵌入式系统,但它提供了令人惊讶的高水平计算吞吐量,甚至可以满足深度嵌入式应用日益苛刻的性能要求。”

  该核心利用免费开放的 RISC-V 指令集架构及其多个扩展:Parodi 表示,该核心实现了带有乘法 (M)、原子访问 (A)、压缩指令 (C) 的 RV32I 或 RV32E ISA ,以及位操作 (B) 扩展。Parodi 声称:“这就是 RISC-V ISA 概念的美妙之处,它是从头开始构建的,允许设计人员根据目标用例选择要包含在处理器中的元素,并最终优化由此产生的功耗、性能和芯片占用空间之间的权衡。”

  瑞萨电子表示,目前正在向“精选客户”提供带有新内核的芯片样品,首批商用芯片将于明年第一季度推出。

瑞萨推出首款自研RISC-V内核

  RISC-V 的核心:新视野

  RISC-V ISA 在半导体行业中的日益普及是创新的福音。它为设计人员提供了前所未有的灵活性,并将缓慢而稳定地挑战和改变嵌入式系统的当前格局。过去,瑞萨电子曾采用 RISC-V 技术,推出基于晶心科技开发的 CPU 内核的 32 位 ASSP 设备,用于语音控制和电机控制。

  令人兴奋的下一步是第一个内部设计的 CPU 内核的推出。CPU 的高级框图如下所示:

  但它有什么特别之处呢?首先,该CPU适用于许多不同的应用环境。它可以用作主 CPU 或管理片上子系统,甚至嵌入到专用 ASSP 设备中。显然它非常灵活。其次,该实施方案在硅面积方面非常高效,除了成本影响较小的明显效果外,还有助于降低待机期间的工作电流和漏电流。第三,尽管它针对的是小型嵌入式系统,但它提供了令人惊讶的高水平计算吞吐量,甚至可以满足深度嵌入式应用日益苛刻的性能要求。

  在此基础上,实施者可以在 RV32“I”或“E”选项之间进行选择,以优化通用寄存器的可用数量。例如,在小型子系统不需要处理复杂的堆栈和应用程序但专用于服务特定外围设备或执行内务任务的情况下。

  RISC-V ISA 还预见了几种“扩展”,它们以比使用标准强制 ISA 更好或更有效的方式实现特定功能。瑞萨电子选择整合其中的几个:

  M扩展– 加速并优化乘法(和除法)运算,利用硬件乘法器和除法器单元实现最快的指令执行;

  A扩展– 支持原子访问指令,可作为并发和独占访问管理的基础(通常在基于 RTOS 的系统中);

  C 扩展– 定义仅以 16 位编码的压缩指令,特别有趣,因为它们可以轻松地为常见和频繁指令节省内存空间,从而允许编译器在可能的情况下选择这些优化;一个简单的技巧,可以缩小代码并同时提高性能;

  B 扩展– 添加了多个位操作指令,这对于基于位域编码值管理外设寄存器、协议和数据结构的应用程序来说具有位优势,其中一组组成的通用指令的功能通常可以由单个专用指令代替;

  这就是 RISC-V ISA 概念的美妙之处,它是从头开始构建的,允许设计人员根据其目标用例选择要包含在处理器中的元素,从而优化由此产生的功耗、性能和芯片占用空间。从工程角度来看,这是一种非常优雅的方式,可以确保您只为那些您真正想要实现的事情“付出代价”。

  为了增强应用软件的鲁棒性,添加了堆栈监控寄存器。这对于检测和防止堆栈内存溢出非常有用,这是非常常见的问题,但有时很难仅通过测试覆盖率来发现。由于这些问题可能会损害系统的完整性并在运行时产生应用程序错误行为,因此这是一个非常好的功能,也是控制此类不可预见事件的基本安全网。

  即使是最简单的控制系统通常也必须管理多个决策路径来为应用程序提供服务并随时调用适当的处理例程。或者对数据缓冲区反复执行一些重复计算。因此,实现的代码将具有多个分支、循环和决策点,其中程序流程可能会根据上下文而改变。由于这种模式很常见,CPU 还具有动态分支预测单元,以使此类处理更加高效。分支预测器的作用是观察代码行为,然后动态推断在此类控制循环期间最有可能执行的下一条指令。如果我们假设它在这方面做得很好,那么在选择下一条要获取执行的指令时做出正确的猜测,它将显着提高平均代码执行吞吐量。

  下一个要提到的构建块与调试功能有关。除了标准Jtag外,CPU还支持两线紧凑型Jtag调试接口,非常适合用户应用引脚数量有限的最小微控制器封装。CPU 中还实现了多个性能监视器寄存器,从而可以轻松地对所执行代码的运行时行为进行基准测试。

  任何嵌入式系统的另一个关键因素是对事件的响应能力,在微控制器级别的深度嵌入式设备中,硬实时行为是强制要求的,这意味着应用程序有有限的时间来响应特定事件。低响应延迟可以带来许多不同的好处:允许应用程序为更多并发事件提供服务,提供合理的时间裕度以确保正确的任务处理,或者可能限制 CPU 速度以节省更多电量。

  在架构层面,瑞萨电子的实现添加了寄存器组保存功能,以改善延迟并使开发人员能够享受其优势。在中断服务的情况下,或者当嵌入式 RTOS 必须交换当前执行的线程以响应事件时,可以备份和恢复 CPU 工作寄存器并加速上下文切换,举两个几乎直接的例子。

  为了进一步帮助开发人员对应用程序进行基准测试并验证其行为,还可以使用高效且紧凑的指令跟踪单元,该单元可以进一步深入了解系统的运行时行为。

  这概述了有关 CPU 功能的详细信息,其中一些功能可以根据应用和市场要求进行选择。但是,在评估和制造基于这种新技术的实际产品时,还应该考虑什么?首先,所需的工具链可作为开发和部署解决方案所需基础设施的一部分。客户将能够受益于带有配置插件的 Renesas e 2 studio 环境或任何支持基于 RISC-V 的 MCU 的主要商业第三方 IDE。这些都可以使用了。

  其次,CPU 实现不仅仅是模拟的,其功能已经在真实的硅产品实现中进行了设计和验证。使用基于 LLVM 的开源编译器工具链时,初始基准测试显示出令人印象深刻的 3.27 CoreMark/MHz 性能,优于市场上的同类架构。一旦第一个产品于 2024 年初推出,有关这一优异成绩的更多详细信息将在EEMBC 网站上找到。正如许多人所指出的,专有商业编译器的性能一旦经过验证,预计将比初步结果更高。

  这款新 CPU 是后续步骤的基石,为现有瑞萨 MCU 产品组合创建了一个额外的补充选项。瑞萨电子已准备好为客户提供最广泛的解决方案,其中包括不断发展的创新 RISC-V 架构。

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瑞萨电子:高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益
  Gabriele Clapier,Power System Marketing Manager:"随着汽车、工业和机器人应用对效率、功率密度和可靠性的要求不断提高,功率半导体技术也取得了长足的发展。氮化镓(GaN)和低压MOSFET是推动这一发展的两项最具影响力的创新。Renesas一直处于这些进步技术的最前沿,为这些要求苛刻的行业提供量身定制的高性能解决方案。在这里,我想探讨GaN和MOSFET在这些应用中的作用、它们的优势和挑战,并探讨一些行业用例。"  GaN和Cascode D-Mode架构的优势  与传统的硅基器件相比,GaN具有许多优势,包括更高的效率、更快的开关速度和卓越的热性能。这些优势源于GaN较低的导通电阻和更少的栅极电荷,这有助于降低导通和开关损耗。GaN还允许更高的开关频率,从而实现更紧凑、更高效的电力电子设计。  GaN最有效的实现方式之一是Cascode D-Mode(耗尽模式)配置,通过常开GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT)与低压硅MOSFET配对,以创建常闭器件。  这种组合可以发挥GaN的高效率和快速开关特性,同时保持了使用传统硅栅极驱动器的易控制的特性。 Cascode方法提供更强的耐用性、高电压作以及与现有电路拓扑的兼容性,使其成为高效电源应用的首选解决方案。  主要应用–能源、电动汽车充电、电机控制和汽车  可再生能源的兴起也增加了对便携性和高效系统的需求。基于GaN的解决方案被广泛使用,因为它们支持紧凑、轻便和高效的USB-C电源系统,通过提供更快的充电和更高的能源转换率,实现便携性的设计目标。  随着电动汽车的加速采用,智能充电解决方案对于效率和监控至关重要。基于GaN和MOSFET的电力电子器件可帮助实现这关键系统的高效率、低散热和快速开关速度的目。访问这些应用页面,了解这如何有利于X-in-1集成和其他安全、高效且可扩展的电动和混合动力汽车(EV/HEV)解决方案。  现代AI驱动型电机控制解决方案利用GaN和低压 MOSFET来提高精度和效率。边缘AI在机器人和工业自动化中发挥着重要作用,可实现实时调整、预测性维护和更高能源效率。基于AI的控制算法与高性能功率器件的集成确保了卓越的电机性能,同时降低了能耗。 高压GaN技术通过降低损耗和提高功率密度,正在彻底改变功率转换,这些进步使工业和汽车应用都受益。 基于高压GaN的转换器可实现更紧凑、更轻便的设计,并具有卓越的功率转换能力。在1.2kW高压GaN逆变器解决方案中查看其实际应用。在电机驱动和机器人应用页面上查看其他高功率交流驱动器设计。  GaN FET和MOSFET通过实现最小的功率损耗、更强的安全性和稳健的性能,在汽车应用中发挥着至关重要的作用。例如,在上述EV系统中,将多种动力功能集成到单个X-in-1E-Axle解决方案中,可显著提高效率并降低系统复杂性。氮化镓技术提高了功率转换效率,减小了尺寸和重量,最终延长了行驶里程和可靠性,这是将逆变器、车载充电器(OBC)、DC/DC转换器和配电单元(PDU)组合在一起时的关键因素。  在不断增长的电动两轮车市场中,高效的48V无刷直流 (BLDC)电机控制解决方案至关重要。具有优化 FOM(品质因数,RDSon xQG)的低压MOSFET可实现更高的开关频率、更低的损耗和更好的热性能,从而可帮助实现紧凑、轻便的动力系统,延长电池寿命并改善加速性能。  总结  GaN和低压MOSFET正在彻底改变多个领域的电力电子技术,瑞萨电子通过为可再生能源、电动汽车充电、电机控制和下一代汽车架构提供高效、高性能的解决方案来推动这些创新。随着技术的不断进步,这些技术将进一步提高未来工业和汽车应用的能效、可靠性和集成度。
2025-07-24 13:33 reading:345
瑞萨电子推出面向单电机应用优化的卓越MCU,涵盖电动工具、家用电器等广泛应用场景
  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布推出基于Arm® Cortex®-M23处理器的RA2T1微控制器(MCU)产品群。该系列产品针对电机控制系统进行优化,专为风扇、电动工具、吸尘器、冰箱、打印机、吹风机等单电机应用而设计。  专为电机控制优化的功能集  全新RA2T1产品包含多项提升电机控制功能的设计,尤其适用于单电机系统。其显著特点之一是具备3通道S&H(采样保持)功能,可同时检测无刷直流(BLDC)电机的三相电流值。与顺序测量方式相比,这种方案可提高控制精度。RA2T1 MCU还提供具备互补脉宽调制(PWM)功能的定时器,可实现死区时间的自动插入和不对称PWM生成,这一针对逆变器驱动进行优化的功能,有助于控制算法的实施。  RA2T1产品集成对电机控制应用至关重要的安全功能,包括端口输出使能功能和高速比较器。当检测到过流时,二者协同工作,能够快速关闭PWM输出。关断状态可根据逆变器规格进行配置。  瑞萨在电机控制嵌入式处理领域的卓越地位  瑞萨面向电机控制提供专用MCU已有超过20年历史。公司每年向全球数千家客户出货超过2.3亿颗电机控制专用MCU。除多个RA MCU产品群外,瑞萨还在其32位RX产品家族、16位RL78 MCU和64位RZ MPU产品线中推出电机控制专用器件。  Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示:“历经多年实践验证,瑞萨电机控制解决方案已在数千个系统中赢得客户信赖。全新RA2T1 MCU凭借前沿的技术和低功耗运行特性,结合瑞萨在单电机系统领域优异的质量与安全标准,进一步巩固我们在该领域的卓越市场地位。”  RA2T1产品群MCU的关键特性  内核:64MHz Arm® Cortex®-M23  存储:64KB闪存、8KB SRAM、2KB数据闪存  模拟外设:12位ADC(带3通道采样保持)、温度传感器、内部参考电压、2通道高速比较器  系统:高、中、低速片上振荡器;时钟输出;上电复位;电压检测;数据传输、事件链接和中断控制器;低功耗模式  安全功能:PWM强制关闭、SRAM奇偶校验错误检测、ADC自诊断、时钟频率精度测量、非法内存访问检测  工作温度范围:Ta=-40°C至125°C  工作电压:1.6V至5.5V  封装:48LQFP、32-LQFP、48-QFN、32-QFN、24-QFN(4mm x 4mm)  全新RA2T1产品群MCU由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP提供所需的所有基础架构软件,包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和安全堆栈,以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件,从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成,为应用开发提供充分的灵活性。借助FSP,可轻松将现有设计迁移至其它RA系列产品。  成功产品组合  瑞萨将全新RA2T1 MCU产品群与其产品组合中的众多可兼容器件相结合,创建广泛的“成功产品组合”,包括便携式电动工具、智能BLDC吊扇、无线吸尘器、无线吹叶机。“成功产品组合”基于相互兼容且无缝协作的产品,具备经技术验证的系统架构,带来优化的低风险设计,以加快产品上市。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品,推出超过400款“成功产品组合”,使客户能够加速设计过程,更快地将产品推向市场。更多信息,请访问:renesas.com/win。  供货信息  RA2T1产品群MCU以及FSP软件现已上市。全新MCU由瑞萨的灵活电机控制开发套件和瑞萨电机工作台开发工具提供支持,前者可实现永磁同步电机(无刷直流电机)控制的便捷评估。该开发套件搭建了一个通用设计平台,支持瑞萨RA和RX产品家族中的众多电机控制MCU,从而助力跨多个平台的IP迁移。有关所有这些产品的信息可点击阅读原文获取,客户可以在瑞萨网站或通过分销商订购样品及套件。  瑞萨MCU优势  作为全球卓越的MCU产品供应商,瑞萨电子MCU近年来的平均年出货量超35亿颗,其中约50%用于汽车领域,其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合,所提供的产品具有出色的质量和效率,且性能卓越。同时,作为一家值得信赖的供应商,瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验,并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术,以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。
2025-07-10 13:42 reading:299
瑞萨电子推出全新GaN FET,增强高密度功率转换能力,适用于AI数据中心、工业及电源系统应用
  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS,适用于人工智能(AI)数据中心和服务器电源(包括新型800V高压直流架构)、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型(Gen IV Plus)产品专为多千瓦级应用设计,将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合,显著降低开关功率损耗,同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和TOLL三种封装选项,使工程师能够灵活地针对特定电源架构定制热管理和电路板设计。  这三款新型产品基于稳健可靠的SuperGaN®平台打造。该平台采用经实际应用验证的耗尽型(d-mode)常关断架构,由Transphorm公司(瑞萨已于2024年6月收购该公司)首创。与硅基、碳化硅(SiC)和其它GaN产品相比,基于低损耗耗尽型技术的产品具有更高的效率。此外,它们通过更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗和动态电阻影响,以最大限度地减少功率损耗,并具备更高的4V阈值电压——这是当前增强型(e-mode)GaN产品所无法达到的性能。  新型Gen IV Plus产品比上一代Gen IV平台的裸片小14%,基于此实现30毫欧(mΩ)的更低导通电阻(RDS(on)),较前代产品降低14%,并且在导通电阻与输出电容乘积这一性能指标(FOM)上提升20%。更小的裸片尺寸有助于降低系统成本,减少输出电容,进而提升效率和功率密度。这些优势使Gen IV Plus产品成为对成本敏感且对散热要求较高应用的理想选择,特别是在需要高性能、高效率和紧凑体积的场景中。它们与现有设计完全兼容,便于升级,同时保护已有的工程投入。  这些产品采用紧凑型TOLT、TO-247和TOLL封装,为1kW至10kW的电源系统提供广泛的封装选择,满足热性能与布局优化的要求,还可并联更高功率的电源系统。新型表面贴装封装包括底部散热路径(TOLL)和顶部散热路径(TOLT),有助于降低外壳温度,方便在需要更高导通电流时进行器件并联。此外,常用的TO-247封装为客户带来更高的热容量,以实现更高的功率。  Primit Parikh, Vice President of the GaN Business Division at Renesas表示:“Gen IV Plus GaN产品的成功发布,标志着瑞萨自去年完成对Transphorm的收购后,在GaN技术领域迈出具有里程碑意义的第一步。未来,我们将深度融合经市场场验证的SuperGaN技术与瑞萨丰富的驱动器及控制器产品阵容,致力于打造完整的电源解决方案。这些产品不仅可作为独立FET使用,更能与瑞萨控制器或驱动器产品集成到完整的系统解决方案设计中,这一创新组合将为设计者提供更高功率密度、更小体积、更高效率,且总系统成本更低的产品设计方案。”  独特的耗尽型常关断设计,实现可靠性与易集成性  与此前的耗尽型GaN产品一样,瑞萨全新GaN产品采用集成低压硅基MOSFET的独特配置,拥有无缝的常关断操作,同时充分发挥高电压GaN在低损耗和高效率开关方面的优势。由于其输入级采用硅基FET,SuperGaN FET可以使用标准现成的栅极驱动器进行驱动,而无需通常增强型GaN所需的专用驱动器。这种兼容性既简化设计流程,又降低系统开发者采用GaN技术的门槛。  为满足电动汽车(EV)、逆变器、AI数据中心服务器、可再生能源和工业功率转换等领域的高要求,基于GaN的开关产品正迅速成为下一代功率半导体的关键技术。与SiC和硅基半导体开关产品相比,它们具有更高的效率、更高的开关频率,和更小的尺寸。  瑞萨在GaN市场上独具优势,提供涵盖高功率与低功率的全面GaN FET解决方案,这与其它许多仅在低功率段取得成功的厂商形成鲜明对比。丰富的产品组合使瑞萨能够满足更广泛的应用需求和客户群体。截至目前,瑞萨已面向高、低功率应用出货超过2,000万颗GaN器件,累计现场运行时间超过300亿小时。
2025-07-04 10:41 reading:324
瑞萨电子推出搭载AI加速功能的1GHz微控制器,树立MCU性能新标杆
  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布推出针对人工智能(AI)、机器学习(ML)应用以及实时分析的RA8P1微控制器(MCU)产品群。该系列MCU通过将1GHz Arm® Cortex®-M85和250MHz Cortex-M33 CPU核心与Arm EthosTM-U55神经处理单元(NPU)相结合,从而树立MCU性能的新标杆。这一组合可实现超过7300 CoreMark的最高CPU性能和500 MHz下256 GOPS的AI性能。  专为边缘/终端AI设计  RA8P1专为边缘AI应用优化,利用Ethos-U55 NPU卸载CPU在卷积神经网络(CNN)和递归神经网络(RNN)中的计算密集型操作,实现高达256 MAC per/cycle的性能,在500MHz下可达256 GOPS。新款NPU支持大多数常用神经网络,包括DS-CNN、ResNet、Mobilenet TinyYolo等。根据所用神经网络的不同,Ethos-U55相较于单独使用的Cortex-M85处理器,可获得高达35倍的每秒推理次数。  先进技术  RA8P1 MCU采用台积电22ULL(22nm ultra-low leakage,超低漏电)工艺制造,在实现超高性能的同时保持极低的功耗。该工艺还支持在新款MCU中集成嵌入式磁性随机存取存储器(MRAM)。与闪存相比,MRAM具备更快的写入速度、更高的耐久性和更强的数据保持能力。  Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示:“高性能边缘AIoT应用的需求正呈现爆炸式增长,而RA8P1正是我们为应对这一趋势而推出的MCU产品。它不仅充分彰显了我们在技术和市场领域的深厚积累,更体现了我们与行业伙伴建立的广泛合作生态。瑞萨的客户对在多样化AI场景中部署这款全新MCU表现出了强烈意愿。”  Paul Williamson, Senior Vice President and general manager, IoT Line of Business at Arm表示:“人工智能时代的创新步伐比以往任何时候都快,新的边缘应用对设备端性能和机器学习提出了更高的要求。瑞萨RA8P1 MCU依托Arm计算平台的先进AI功能,能够满足下一代语音和视觉应用的需求,助力扩展智能、情境感知的AI体验。”  Chien-Hsin Lee, Senior Director of Specialty Technology Business Development at TSMC表示:“我们非常高兴看到瑞萨充分利用台积电22ULL嵌入式MRAM技术的性能和可靠性,为其RA8P1带来卓越的成果。随着台积电不断推进嵌入式非易失性存储器(eNVM)技术,我们期待加强与瑞萨长期合作,共同推动未来突破性产品的创新。”  丰富的外设,专为AI设计  瑞萨推出的RA8P1集成专用外设、充足的内存和高阶安全功能,以支持语音和视觉AI以及实时分析应用。对于视觉AI,该设备包含一个16位摄像头接口(CEU),支持高达500万像素的图像传感器,从而实现需要接入摄像头和算力要求苛刻的视觉AI应用。独立的MIPI CSI-2接口提供一个低引脚数接口,具有两个通道:每个通道速率最高可达720Mbps。此外,多个音频接口(包括I2S和PDM)支持麦克风输入,满足语音AI应用需求。  RA8P1集成了片上存储和可扩展的外部存储,以实现高效、低延迟的神经网络处理。该MCU内置2MB SRAM,用于存储中间变量或缓冲区。此外,该产品配备1MB片上MRAM,用于存储应用程序代码、模型权重或图形资源。对于更大规模的模型,可提供高速外部存储器接口。对于更严苛的AI应用需求,这一MCU还提供单封装内含4MB或8MB外部闪存的SIP选型。  全新RUHMI框架  与RA8P1 MCU一同推出的,还有瑞萨RUHMI(瑞萨统一异构模型集成)。作为一款面向MCU与MPU的综合性AI编译器和框架,RUHMI提供高效的AI工具,能够部署多种最新神经网络模型。它支持模型优化、量化、图编译和转换,并生成高效、适用于MCU的源代码。RUHMI原生支持TensorFlow Lite、Pytorch和ONNX等机器学习AI开发框架,还提供部署预训练神经网络所需的工具、API、代码生成器与运行时环境,包括适用于RA8P1的演示用例。此外,RUHMI与瑞萨自有的e2Studio IDE集成,可实现无缝AI开发,此集成将为MCU和MPU提供一个通用的开发平台。  高阶安全功能  RA8P1 MCU为关键应用构建前沿的安全保障。全新的瑞萨安全IP(RSIP-E50D)集成众多加密加速器,包括CHACHA20、Ed25519、最高达521位的NIST ECC曲线、增强型最高达4K的RSA、SHA2和SHA3。与Arm TrustZone协同工作,该IP可实现全面且完全集成的类似安全元件的功能。新款MCU还具备强大的硬件信任根,和通过第一阶段引导加载程序(FSBL)在不可变存储器(ROM)中实现的安全启动功能。支持实时解密(DOTF)的XSPI接口允许将加密的代码程序存储在外部闪存中,并在安全传输到MCU执行时进行实时解密。  即用型解决方案  瑞萨为RA8P1 MCU打造了一系列易用的工具及解决方案,包括灵活软件包(FSP)、评估套件和开发工具,支持FreeRTOS、Azure RTOS,以及Zephyr。瑞萨还提供多个软件示例项目和应用说明,以帮助客户加快产品上市速度。此外,众多合作伙伴解决方案也可支持RA8P1 MCU的开发,其中包括来自Nota.AI的驾驶员监控解决方案,和来自Irida Labs的交通/行人监控解决方案。其它更多解决方案,可查阅RA合作伙伴生态系统解决方案。  RA8P1 MCU的关键特性  - 处理器:1GHz Arm® Cortex®-M85、500MHz Ethos-U55、250MHz Arm Cortex-M33(可选)  - 存储:1MB/512KB片上MRAM、4MB/8MB外部闪存SIP选项、2MB完全受ECC保护的SRAM、每核心32KB I/D缓存  - 图形外设:支持最高WXGA(1280x800)分辨率的图形LCD控制器、并行RGB和MIPI-DSI显示接口、强大的2D绘图引擎、并行16位CEU和MIPI CSI-2摄像头接口、32位外部存储器总线(SDRAM和CSC)接口  - 其它外设:千兆以太网和TSN交换机、带XIP和DOTF的XSPI(八线SPI)、SPI、I2C/I3C、SDHI、USBFS/HS、CAN-FD、PDM和SSI音频接口、带S/H电路的16位ADC、DAC、比较器、温度传感器、定时器  - 安全特性:高阶RSIP-E50D加密引擎、TrustZone、不可变存储器、安全启动、防篡改、DPA/SPA攻击防护、安全调试、安全工厂编程、设备生命周期管理  - 封装:224BGA、289BGA
2025-07-04 10:33 reading:385
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