士兰微荣获“中国SiC器件IDM十强企业”奖

Release time：2024-01-11
author：AMEYA360
source：士兰微
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　　日前，由行家信息科技、行家芯网科技主办的行家说三代半年会“2023碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳国际会展中心举办。其中，士兰微电子荣获“中国SiC器件IDM十强企业”奖。

士兰微荣获“中国SiC器件IDM十强企业”奖

　　明星产品

　　SSM1R7PB12B3DTFM是士兰微电子基于自主知识产权的SiC MOS芯片技术所开发的六单元拓扑模块，是士兰微电子推出的新能源电动汽车电驱系统应用领域的主力产品之一，具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级等优势，为严苛环境条件下的逆变器运行提供更可靠的保障。该产品具有行业领先的高阻断电压、低导通电阻和高电流密度等技术指标，整体可靠性上达到国际先进水平。该产品从芯片上采用低界面态密度和高沟道迁移率的SiC/SiO2氧化工艺研发，单芯片导通电阻达到甚至优于国外同级别器件水平;封装方面攻克纳米银烧结、铜线键合技术并实现量产。

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投入达15亿，士兰微汽车半导体封装二期项目奠基
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投入达15亿，士兰微汽车半导体封装二期项目奠基

　　2025 年 7 月 23 日上午，成都士兰汽车半导体封装厂房二期项目奠基仪式在金堂县淮口镇成阿工业集中发展区隆重举行。此次奠基标志着该项目正式进入建设实施阶段，对于推动成都半导体产业发展、提升汽车半导体封装能力具有重要意义。　　成都士兰汽车半导体封装项目(二期)由杭州士兰微电子股份有限公司投资建设，项目总投资达 15 亿元。据悉，该项目将新建 7.9 万平方米的厂房及配套设施设备，并对汽车级功率模块和功率器件封装生产线进行扩建。建成后，将进一步提升成都士兰在汽车半导体封装领域的生产能力和技术水平。　　杭州士兰微电子股份有限公司相关负责人在奠基仪式上表示，士兰微一直致力于半导体产业的研发与生产，成都士兰作为公司的重要布局，在过去的发展中取得了显著成绩。此次二期项目的启动，将进一步强化公司在汽车半导体领域的竞争力，为市场提供更多高品质的产品和服务。　　获悉，随着成都士兰汽车半导体封装厂房二期项目的开工建设，成都半导体产业将迎来新的发展机遇，有望在汽车半导体封装领域取得更大突破，为我国半导体产业的发展贡献更多力量。
2025-07-28 13:09 reading：238
士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”
行业新闻

士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”

　　2025年7月11日-12日，“第五届中国集成电路设计创新大会”(ICDIA 创芯展)在苏州成功召开。大会期间，由中国集成电路设计创新联盟组织开展的“2025中国创新IC-强芯评选”颁奖典礼隆重举行。士兰微电子SiC MOSFET产品SCDP120R007NB2CPW4荣获2025中国创新IC“创新突破奖”。　　“强芯评选”旨在推动自主芯片创新应用，在全国范围内评选技术领先、竞争力强、质量可靠的创新IC 产品，为系统整机、品牌终端、 用户单位提供国产优质芯片应用选型，以此深度挖掘中国芯领先产品，共建自主产业生态。其作为一年一度的国产IC推优平台，对我国自主集成电路产业创新具有重要意义。　　SCDP120R007NB2CPW4　　士兰微电子SCDP120R007NB2CPW4 (1200V 7mΩ，TO-247Plus-4L)是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用公司碳化硅自主工艺技术，具有极低的导通电阻(RDS(on)(typ.)=5.5mΩ)、传导损耗和开关损耗，具有较高的功率密度，能提供最佳的热性能。　　士兰微“一体化”战略　　近年来，士兰微电子深入实施“一体化”战略，通过持续推出富有竞争力的产品，持续加大对大型白电、汽车、新能源、工业、通讯和算力等高门槛市场的拓展力度，公司总体营收保持了较快的增长势头。同时，公司非常重视SiC产品的开发和应用。　　在碳化硅产品方面，士兰微已搭建起包含晶圆、分立器件、模组在内的多元产品矩阵，全面覆盖汽车主驱、汽车热管理、光伏储能、充电桩、AI服务器、工业电源等应用领域，在多家头部客户实现项目批量交付。当前士兰第二代碳化硅产品已实现稳定交付，备受期待的第四代碳化硅产品也计划于今年正式推出。　　在碳化硅产能建设方面，2025年士兰厦门碳化硅8英寸生产线将实现通线并投产，这一突破将大幅提升生产效率与规模。未来，士兰微将依托技术与产能的双重升级，为客户提供更高品质，更多元化的碳化硅产品，持续为功率半导体国产化进程注入绿色动能。　　未来，士兰微电子也将以不断发展的电子信息产品市场为依托，抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇，设计与制造并举，强化投入，持续提升特色工艺集成电路产品、功率半导体、传感器的技术能力，扩大产业基础，为成为国内主要的、综合型的半导体集成电路设计与制造企业而努力。
2025-07-16 11:35 reading：408
士兰微8英寸碳化硅项目披露新进展
行业新闻

士兰微8英寸碳化硅项目披露新进展

　　6月26日，中建三局一公司承建的厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目(一期)首台设备提前搬入。该项目是2025年福建省及厦门市重点建设项目，也是厦门最大的碳化硅项目。　　项目位于福建省厦门市，总建筑面积 23.45万平方米，建成后将极大提升士兰微碳化硅芯片制造能力，助推厦门市第三代半导体产业加快发展。　　2024年5月，士兰微宣布拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.50亿元，并于2024年5月21日签署《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　当时消息显示，该项目拟建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，产能规模6万片/月。　　其中，第一期项目总投资70亿元，其中资本金42.1亿元，占约60%;银行贷款27.9亿元，占约40%。　　第二期投资50亿元，在第一期的基础上实施(第二期项目资本结构暂定其中30亿元为资本金投资，其余为银行贷款)。第二期建成后新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力，与第一期的3.5万片/月的产能合计形成6万片/月的产能。　　士兰微电子董事会秘书、副总裁陈越表示，他们总投资70亿元的一期项目，将尽最大努力争取在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成，年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
2025-07-04 16:27 reading：334
士兰微推出车规智控高精度车灯LED驱动IC-SQ9000
行业新闻

士兰微推出车规智控高精度车灯LED驱动IC-SQ9000

　　1.产品概述　　士兰微SQ9000是一款车规级LED驱动控制器，采用高精度峰值电流控制模式可支持BUCK、BUCK-BOOST、SEPIC、BOOST等拓扑结构的应用。这款控制器具备 4.5V 至 65V 的极宽输入电压范围，支持开关频率外部可设置，以及具备抖频调制技术，展现出卓越的EMI性能。此产品含有全面的保护功能，包括 LED 过流保护、输出过压保护、输出欠压保护、开关管限流保护和热关断保护，确保器件在各种情况下的安全稳定运行。此产品完全符合AEC-Q100 Grade1标准，适用于汽车LED前大灯、逃生指示应急照明以及LED通用照明等。　　2.SQ9000产品特点　　基于士兰优异DTI工艺平台自主开发设计——国产方案、自主可控　　宽输入电压范围4.5V--65V，适用于12V、24V电池系统——宽域适配、应用灵活　　宽温度范围内可实现±4%高精度LED恒流——全温稳流、精准调控　　支持模拟调光和PWM调光，可独立控制LED电流——独立控流、双模调光　　集成P沟道MOSFET驱动，对PWM调光信号实现快速响应——P管直驱、瞬态同步　　含有全面的保护功能，以及电流监测和故障状态指示——多重防护、状态反馈　　采用HTSSOP-20带底部散热封装——绿色封装、强化散热　　3.典型应用原理图　　4.整机DEMO　　5.车灯套片方案士兰其他可选产品
2025-06-10 11:02 reading：452
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