交期拉长、涨价在即，熊本地震再添变数！AMEYA360开启<span style='color:red'>罗姆</span>“预购锁定产能”专项通道
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交期拉长、涨价在即，熊本地震再添变数！AMEYA360开启罗姆“预购锁定产能”专项通道

　　据新华社消息，当地时间7月28日16时27分(北京时间15时27分)许，日本熊本县发生7.1级地震，辖区内观测到最大震度7(日本震度分级最高等级)。日本气象厅对震中附近海域沿岸发布海啸预警，预计最大浪高可达1米。随后余震不断，日本气象厅警告未来2至3天内仍可能发生同等规模强震。　　这场地震，直接震在了全球半导体供应链的关键节点上。　　01熊本——“硅岛”心脏，半导体企业密集　　熊本县所在的九州地区素有日本“硅岛”之称，半导体产值占日本全国比重超过五成。从2021年到2024年6月，九州共有100个半导体相关投资项目，熊本一县独占52个。熊本已构建起覆盖晶圆制造、设备、材料及零部件的完整产业链。　　核心企业包括：台积电熊本合资厂(JASM，月产5.5万片12英寸晶圆，主打28至12纳米车规芯片)、索尼半导体制造SCK(全球图像传感器主要基地)、瑞萨电子(车规MCU)、三菱电机(车规IGBT及8英寸SiC功率器件)以及东京电子(全球第二大前道设备商)等。　　02强震突袭，核心工厂紧急停工　　地震发生后，多家半导体巨头紧急启动应急机制：　　台积电：熊本工厂因震度达“5强”触发疏散标准，员工疏散至室外，产线停工、复产时间未知;在建第二工厂部分暂停施工。　　瑞萨电子：熊本市川尻工厂和锦町锦工厂两处工厂已暂停生产，确认天花板面板掉落、漏水等损害。　　三菱电机：功率半导体基地——车规IGBT和8英寸SiC产线——正在评估重启生产所需校准时长。　　东京电子：熊本县内两家工厂7月29日全天停工，开展系统性安全与设备检测。　　索尼：CMOS传感器工厂紧急疏散，暂未爆出结构性损坏。　　此外，堀场制作所阿苏工厂停止运转，凸版控股暂停封装工厂运营，物流方面九州新干线停运、熊本机场航班暂停——区域物流的短暂中断可能对半导体材料运输产生连锁反应。　　03交期本已拉长，地震雪上加霜　　实际上，在地震发生之前，全球半导体供应就已经持续趋紧。　　投资机构Susquehanna数据显示，6月全球半导体行业交货时间创下本轮周期以来最大单月增幅，环比增加5天至19.4周;行业定价6月出现“最大单月涨幅”，环比扩大5%。功率分立器件领域依然紧张，功率集成电路和MOSFET交期上涨超过10天。罗姆半导体(ROHM)、瑞萨电子等企业交期大幅增加。　　功率器件方面，罗姆半导体、英飞凌、安森美等自2026年3至4月已启动首轮调价，幅度在10%上下。薄膜电阻交期已拉长至26至32周。　　地震的突发，无疑是在本就紧绷的供需关系上又加了一把力。即便按行业测算检修周期为3至7天，但半导体设备对震动极度敏感，光刻机、涂胶显影设备等精密仪器在强震下极易触发自动安全联锁，即便设备未受物理损坏，纳米级的重新校准和洁净室复检也需要漫长周期。2016年熊本地震的经验是，供给缺口2到4周就会传导到整车端。　　04LED、IGBT、MOSFET——供应风险正在积聚　　综合来看，以下品类的供应风险正在快速上升：　　LED：熊本产业链中断叠加整体交期拉长，后续缺货风险显著;　　IGBT：三菱电机功率半导体基地停工评估，车规IGBT供给首当其冲;　　MOSFET：功率集成电路和MOSFET交期本已上涨超10天，地震冲击将进一步加剧供需矛盾。　　05罗姆半导体——功率器件领域的可靠之选　　在全球功率半导体供应持续趋紧的背景下，罗姆半导体(ROHM) 作为行业领军企业，值得客户重点关注和提前布局：　　产品布局全面，覆盖关键赛道。 罗姆不仅提供以Si、SiC为材料的功率元件，还将GaN元件投入量产。其“Power Eco Family”品牌概念涵盖EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™、EcoMOS™四大产品群，全面覆盖IGBT、MOSFET、SiC功率器件等当前最紧缺的品类。罗姆是业内首家量产SiC功率元器件的公司，在SiC功率器件和模块开发方面处于领先地位。此外，罗姆在电阻业务方面绑定SiC/GaN功率器件协同配套，车规级AECQ200金属板合金电阻主攻BMS、主驱电控、ADAS等关键应用。　　产能持续扩张，保障长期供应。 罗姆在九州福冈县筑后工厂扩大SiC生产，计划引入8寸晶圆产线，并投资2892亿日元在宫崎市建设第二工厂，预计2029年产能将大幅超越现有基地。同时，罗姆加强GaN功率器件供应能力，融合台积电工艺技术在集团内部建立一体化生产体系。在熊本地区(大津町)，罗姆还拥有车规封装产线。这些扩产举措为客户的长期供应提供了坚实保障。　　交期压力之下，早下单就是早锁定。 当前罗姆等功率半导体大厂的高压MOSFET、IGBT、SiC与GaN等高阶功率元件，正迎来新一轮结构性供需失衡，部分产品交期已拉长至半年甚至一年以上。罗姆已启动首轮调价。在此背景下，提前下单罗姆产品，就是提前锁定产能、锁定价格、锁定交付。
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发布时间：2026-07-30 13:02 阅读量：299 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>上半年都推出了哪些重磅新品？
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罗姆上半年都推出了哪些重磅新品？

　　当2026年的进度条过半，全球半导体产业在AI算力爆发、智能电动汽车加速渗透，以及绿色能源转型的多元需求驱动下，正经历前所未有的技术变革。作为全球知名半导体制造商，罗姆上半年持续在功率器件、电源管理、模拟芯片等核心领域精耕细作，交出了一份覆盖多元应用场景的“期中答卷”。　　功率器件　　多维发力　　罗姆持续深耕功率器件领域。2026年上半年，公司推出多款覆盖SiC、IGBT等不同技术路径的产品，围绕性能提升与产品拓展持续发力，进一步完善产品线布局。　　01　　第5代SiC MOSFET　　该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　02　　业界超低损耗650V耐压IGBT　　该产品适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品，实现了业界超低导通损耗VCE(sat)=1.55V，同时具备出色的短路耐受能力，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101。　　03　　搭载新型SiC模块的　　三相逆变器参考设计　　此参考设计可覆盖高达300kW级的输出功率范围，支持在车载设备及工业设备等广泛的应用领域中使用SiC功率模块。　　电源管理　　从车载到工业的全面覆盖　　在电源管理领域，罗姆围绕LDO稳压器、车载电源解决方案及升降压电路等方向，推出了多款产品，覆盖不同功率等级的应用需求，进一步丰富了电源管理产品线。　　01　　输出电流500mA的LDO稳压器　　面向车载设备、工业设备、通信基础设施等所用的12V/24V系统一级电源，罗姆开发出搭载自有超稳定控制技术“Nano Cap™”、输出电流500mA的LDO稳压器IC“BD9xxN5系列”(共18款产品)。可进一步助力解决电源设计中输出电容相关的课题。　　Nano电源技术是罗姆利用多年来积累的模拟技术，为了进一步实现节能和小型化而诞生出的创新型电源技术。通过从开发到生产均在集团内部完成的一贯制生产体系，得以实现的创新型电源技术“Nano”(Nano Pulse Control™、Nano Energy™、Nano Cap™)将作为满足市场需求的电源技术为社会做出贡献。　　02　　车载SoC的具有出色扩展性的　　电源解决方案　　该电源解决方案由PMIC“BD968xx-C系列”和DrMOS“BD96340MFF-C”相结合，非常适用于ADAS(高级驾驶辅助系统)、DMS(驾驶员监控系统)和感测摄像头等车载应用的SoC。　　03　　超小安装面积的　　升降压电源电路板　　此参考板旨在实现小型电池供电设备所要求的“升降压电源最小安装面积”而设计，由“BD83070GWL”与线圈、电容器等共5个元器件组成，实现了12.87mm²(3.3×3.9mm)的超小型安装面积。　　多元产品　　丰富生态支撑广泛应用　　除上述产品外，罗姆上半年在MOSFET、模拟芯片、保护器件及无线供电等领域同样有亮眼表现，持续丰富产品矩阵。　　产品参考资料　　车载48V系统MOSFET“AG16xFNxx系列”：罗姆面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。　　600V耐压表贴型超级结MOSFET：该产品不仅更小、更薄，还具备优异的散热性能，非常适合AI服务器、工业设备电源等需要节省空间和提高功率密度的应用。　　17款高性能运算放大器：该产品系列适用于对精度要求高的传感器信号处理、电流检测电路、电机驱动控制及电源监控系统等众多应用领域。　　支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管：该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。　　超小型无线供电芯片组：该产品支持近场通信技术(NFC，近距离非接触式无线通信技术)，适用于智能戒指、智能手环等小型可穿戴设备以及智能笔等小型外围设备应用。　　面向未来，罗姆将继续以前沿技术为锚，以客户需求为舵，在半导体创新的航道上稳步前行。让我们一同期待，以技术创新之“芯”，共筑产业发展新高度。
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发布时间：2026-07-09 09:27 阅读量：374 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026
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罗姆将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026

　　中国上海，2026年6月18日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将于7月1日～3日参加2026慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai 2026)。届时，罗姆将在上海新国际博览中心N4馆500号展位，集中展示其面向AI服务器、车载及工业设备等领域的多元化产品与解决方案，以及丰富的应用案例。　　当前，AI算力基础设施、新能源汽车和工业智能化正在推动电子系统向更高功率密度、更高能效和更高 可靠性方向演进。尤其是在AI服务器和数据中心领域，电源架构正面临大功率、高效率和系统级优化的多重 挑战;在汽车电子领域，智能座舱、ADAS和车载高速通信对电源管理与信号传输提出了更高要求;在工业设备领域，小型化、高效率和稳定运行同样成为电源系统升级的重要方向。　　面对这些产业趋势，罗姆依托功率半导体和模拟半导体领域的技术积累，不仅提供丰富的硅功率元器 件，还持续推进SiC、GaN等宽禁带半导体产品布局，为AI服务器、汽车电子和工业设备等应用提供高效率、 高可靠性的产品支持。　　在本次electronica Shanghai 2026上，罗姆将设立AI服务器、车载、工业设备及应用案例四大展区，通过展示以下产品和解决方案，全方位呈现在半导体领域的综合技术实力。AI服务器：面向下一代数据中心电源架构提供高效支持　　下一代AI服务器的配置　　涵盖Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN及模块产品在高压直流(HVDC)与50V电源机架中的应用。　　适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET　　采用8mm×8mm小型封装，兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，可满足AI服务器电源热插拔电路对可　　靠性和低损耗的要求，并已被全球知名云平台企业认证为推荐器件。　　第5代SiC MOSFET　　采用优化的器件结构与制造工艺，在高温(Tj=175℃)下，导通电阻比第4代降低约30%，适用于xEV2 / 2　　牵引逆变器及AI服务器电源等大功率应用，计划2026年7月起提供样品。　　具备业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT　　实现业界超低开关损耗和10µsec超高短路耐受能力，助力车载电动压缩机和工业设备逆变器等应用提升效率与可靠性。车载应用：助力智能座舱与ADAS系统发展　　面向SoC的PMIC　　罗姆与芯驰联合开发的车载SoC“X9SP”参考设计。该参考设计配备罗姆的PMIC，符合ISO 26262及　　ASIL-B功能安全等级，可为中高端智能座舱系统提供稳定、高效的电源管理支持。　　用于汽车多屏显示器的SerDes IC　　支持成对双向高速长距离通信，适用于车载信息娱乐系统和ADAS的高速通信需求。　　搭载SiC模块的三相逆变器参考设计　　覆盖5kW～100kW输出功率，提供完整设计数据，可大幅缩减实际设备评估周期。工业设备：以GaN与AC/DC转换器推动高效电源升级　　650V 耐压GaN HEMT　　罗姆的EcoGaN™系列产品——650V耐压GaN HEMT，已被应用于AI服务器电源等领域，推动工业设 备更广泛领域的电源小型化和效率提升。　　AC/DC用PWM方式DC/DC转换器　　面向各类带AC输入接口的工业设备提供可靠的电源解决方案，支持绝缘/非绝缘设计，可帮助客户轻松实现低功耗、高效率、低EMI的电源设计。　　此外，罗姆还将设立应用案例展区，集中展示先进产品在实际场景中的应用成果，通过系统化的方案演示，让观众更直观地了解罗姆技术从器件到系统的落地价值。　　【展会信息】　　时 间 ：2026年7月1日(周三)～3日(周五)09:00～17:00 (3日观众开放时间截止到16：00)　　会 场 ：上海新国际博览中心N4馆　　展位号： N4馆500号　　地 址 ：上海市浦东新区龙阳路2345号　　<关于electronica Shanghai 2026(慕尼黑上海电子展)>　　慕尼黑上海电子展是电子行业重要盛会。走过了20个年头，展会已成为带领未来电子科技的创新平台。慕尼黑上海电子展将呈现更为丰富的展示形式和多样化的行业主题，引入更多垂直领域的应用技术解决方案，聚焦新能源汽车、智能汽车、绿色能源、智能工厂、物联网+、智能可穿戴、工业互联网、无线通信、数据中心、智能家居等行业热点。同时也为观众与展商提供了技术交流的专业平台，共同见证全球电子产业发展趋势。
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发布时间：2026-06-18 14:38 阅读量：652 继续阅读>>
方案速览 | <span style='color:red'>罗姆</span>助力多个应用场景性能升级
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方案速览 | 罗姆助力多个应用场景性能升级

　　随着汽车领域车载系统的迭代升级以及工业设备中机器人技术等对感测精度的要求不断提升，市场对能够精确处理微小电压信号的运算放大器需求正快速增长，这就要求运算放大器具备输入失调电压、噪声、压摆率等主要特性的均衡表现。同时在边缘计算领域，各类设备对基于AI技术的状态监控和劣化预测功能的需求不断增长。另外在电机驱动应用中，三相电机驱动器长期面临“抑制功耗”与“降低噪声”此消彼长的权衡难题。　　针对这些需求，罗姆不断推出相应产品及解决方案，为不同场景应用提供支持。本文为各位工程师整理了罗姆近期推出的相关产品，方便您查看。　　1.高性能运算放大器　　罗姆的TLRx728系列与BD728x系列共17款高性能CMOS运算放大器。该产品系列适用于车载设备、工业设备及消费电子设备等众多领域。出色地兼顾了低输入失调电压、低噪声及高压摆率，通过丰富的产品阵容可为用户提供便捷的选型体验。另外，该产品支持轨到轨输入输出，能够充分利用电源电压范围，因此可确保更宽的动态范围。　　当这些经过精密放大的高质量模拟信号被采集后，下一个关键问题是如何在本地对其进行实时分析与决策，尤其是在网络受限或需要低延迟响应的场景中。这正是边缘AI技术发挥核心价值的地方。　　2.完全独立型AI解决方案“Solist-AI™”　　该方案主要由配备罗姆自有AI处理专用硬件加速器“AxlCORE-ODL”的Solist-AI™微控制器，以及支持系统引入的专用实用软件构成，具有“独立AI工作”、“设备端学习和增量训练”以及“同时执行AI以外的处理”的特点。　　当边缘AI做出决策后，需要驱动执行模块来响应。在各类执行机构中，电机是最常见且能耗最高的部件之一。接下来要考虑的是，如何让电机在响应指令的同时，兼顾高效与低噪，成为整个链路中不可忽视的关键环节。　　3.三相无刷直流电机驱动器IC　　适用于中等耐压系统(12V～48V系统)的三相无刷直流电机驱动器IC“BD67871MWV-Z”。该产品采用罗姆自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”，能够高速感测来自FET的电压信息，并实时进行栅极控制。　　采用这种控制方式，不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量，同时还抑制了振铃的产生，实现了低EMI特性。经实际电机验证，与罗姆以往的恒流驱动产品相比，该产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外，该产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形式(UQFN28)和引脚排列，有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。
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发布时间：2026-06-11 10:13 阅读量：592 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~
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罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~

　　中国上海，2026年6月2日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将参展2026年PCIM欧洲展览会暨研讨会(PCIM Expo & Conference 2026)。该展会是全球电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会，将于2026年6月9日至11日在德国纽伦堡举办。　　今年，罗姆诚邀各位来宾莅临9号展厅的318号展位——与去年位于同一展厅，但位置不同。今年的展台设计焕然一新，展现出罗姆作为先进功率半导体供应商持续精进的发展态势。　　在2026年的PCIM欧洲展览会上，罗姆将展示其前沿功率半导体技术如何助力汽车、工业及基础设施应用提高效率、实现系统小型化并降低能量损耗。　　展位概览●　汽车电气化解决方案　　展示内容涵盖牵引逆变器、车载充电器、电池断路装置、电动汽车热管理系统以及面向下一代汽车的嵌入式技术。　　●　面向工业应用的高效电源技术　　展示适用于可再生能源系统、AI服务器、数据中心及工业电源领域的SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)解决方案。　　●　面向广泛应用的功率模块和元器件组合　　展示通过全球合作开发出的功率模块、分立器件及功率转换拓扑结构。　　更多信息请访问：www.rohm.com/pcim
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发布时间：2026-06-03 10:41 阅读量：925 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

　　中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。　　随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。　　此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。　　另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。　　下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。　　罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。　　<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能，以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接：　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET使用时的应用优势　　・白皮书：ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案　　・访谈文章：数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
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发布时间：2026-05-28 09:23 阅读量：813 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>课堂 | 阻抗测量：方式选择和精度提升要点
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罗姆课堂 | 阻抗测量：方式选择和精度提升要点

　　在电路设计中，阻抗测量之所以非常重要，是因为它能够准确掌握交流信号下的复阻抗特性(Impedance: Z)。例如，在数GHz频段下，若天线阻抗发生偏移，将导致通信质量显著下降，并造成非预期的噪声和损耗。在实际应用场景中，虽然需要借助LCR测试仪、阻抗分析仪、VNA(矢量网络分析仪)等测量仪器进行准确测量，但若对测量和分析流程的理解不够充分，则难以发挥预期性能。本指南将从阻抗测量的方式选择和使用方法到精度提升方法，介绍高效率的阻抗测量。　　01 阻抗测量的原因和意义　　在电路性能未达设计预期时，准确识别元器件的实际特性对于锁定原因而言非常重要。仅依据规格书参数进行设计，会忽略频率特性和温度变化等因素导致的波动，从而引发非预期工作。这就要求通过阻抗测量来量化波动因素，从而提高设计精度。　　实测值与规格值存在差异的原因：寄生分量和频率特性　　产品规格书中列出的数值，通常是在1kHz和120Hz等标准测试条件下测得的值。若实际应用设备的工作频段、信号电平、直流偏置、温度及安装条件与其存在差异，实测结果将系统性偏离理想模型。要想预见差异并进行调整，需以理想元件的特性为出发点，了解现实中元器件的寄生分量和频率响应特性，下面以三种元件为例进行说明。　　影响测量结果的因素　　本节将重点关注元件固有的因素(电容和电感的频率、直流偏置、交流电平、温度)，并梳理导致测量结果变化的主要因素。有关因夹具和测量相关因素(校准、布线、周围环境)导致的误差，请参阅“测量步骤和测量环境”章节。　　02 阻抗测量的步骤和解读方法　　要想进行准确的元器件评估和电路性能预测，就需要掌握测量步骤和数据解读方法。如果测量值的判定标准模糊不清，就无法获得预期的性能。下面通过典型的电子元器件测量实例，详细介绍技术和数据的解读方法。　　自谐振的发现方法和解读　　在自谐振频率下，容抗与感抗相等，相位跨越0°。阻抗模值|Z|根据元件取极值：电容器为极小值，电感器为极大值。在实际应用中，通常通过频率扫描来确认|Z|的极值(极小值/极大值)与相位0°在同一频率处重合，并将该频率定义为“SRF”。电容器超过SRF后会呈现感性，而电感器超过SRF后则会呈现容性。　　测量前的校准步骤：开路、短路、负载补偿以及夹具管理　　通过矢量网络分析仪等进行单端口(1-port)校准时，需使用开路(Open)、短路(Short)、负载(Load)三种标准件，并将它们分别定义为理想元件叠加实际寄生分量后的模型。
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发布时间：2026-05-21 09:19 阅读量：721 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>丨方案介绍 智驾升级，看<span style='color:red'>罗姆</span>如何筑牢ADAS感知系统基石
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罗姆丨方案介绍 智驾升级，看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石

　　2026年，L4级自动驾驶正加速在限定场景(如自动驾驶出租车、无人配送)落地，产业处于从L2普及向L3/L4探索。在这一进程中，ADAS(高级驾驶辅助系统)作为智驾功能的核心载体，其性能影响整车安全上限。ADAS的完整工作流程始于环境感知——由摄像头、雷达、激光雷达等构成的感知网络，为后续决策与控制提供基础数据。感知的精度与可靠性，直接影响系统能否正确应对复杂路况。　　罗姆围绕ADAS环境感知环节，提供从电路保护、电源管理、信号传输到核心光源等多类产品，覆盖车载摄像头与激光雷达等多个模块，您可点击查看罗姆ADAS解决方案。　　车载摄像头　　随着ADAS等级提升，单车摄像头数量不断增加，部分车型已搭载10个以上。摄像头模块面临小型化、低功耗、高画质和高可靠性等多方面要求。罗姆围绕这些需求，从基础的电路保护到核心的电源管理与信号传输，提供保护二极管、电源管理IC(PMIC)、串行/解串器(SerDes IC)等产品。　　保护二极管- ESD(静电放电)保护二极管　　采用DFN1006-2W封装的两款产品符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求，还适用于采用SerDes IC通信的ADAS、AD(自动驾驶)摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。　　- 创新型保护用肖特基势垒二极管　　RBE01VYM6AFH在低VF(正向电压)和低IR(反向电流)这对此消彼长的特性之间实现了高维度平衡，可为ADAS摄像头等配备了像素日益提高的各种图像传感器的应用，提供高可靠性的保护解决方案。　　PMIC BD868xxMUF-C系列符合ISO 26262及其ASIL-B标准的PMIC BD868xxMUF-C系列，适用于ADAS等产品中应用日益广泛的车载摄像头模块。该系列特点如下：　　· 内置3个DC-DC系统和1个LDO系统　　· 3.5mm见方的业界超小封装，可减少安装面积　　· 内置异常状态通知机构(可以检测到电压异常等状况并通过I2C来反馈)　　· 支持各制造商的CMOS图像传感器　　SerDes IC BU18xMxx-C用来传输影像的SerDes IC BU18xMxx-C可以根据分辨率优化传输速率，因此与普通产品相比，功耗可降低27%。此外，通过传输速率优化功能和展频功能，还可将EMI峰值l降低20dB左右。不仅如此，该IC还具有冻结检测功能，可以检测图像的冻结状态，从而还可提高整个ADAS系统的可靠性。　　激光雷达(LiDAR)　　LiDAR是实现L2+级以上自动驾驶的核心测距与空间识别传感器，罗姆可提供光源器件和电源管理产品。　　高输出功率半导体激光二极管RLD8BQAB3是面向LiDAR等距离测量和空间识别应用开发而成的超小型表面贴装型125W高输出功率8通道阵列激光二极管。支持1～8通道激光二极管单独发光和总输出光功率达1kW的超高输出8通道同时发光，客户可根据应用需求选择合适的照射方法。　　LDO稳压器 IC BUxxJA3DG-C系列面向汽车ADAS中性能日益提升的小型车载应用(如传感器和雷达等)，其特点如下：　　· 以小型封装实现300mA的输出电流：采用SSOP5封装(2.9mmX2.8mm)，将输出电流从以往的200mA提高到300mA　　· 从下限1.7V起即可工作(BU12JA3DG-CA)：支持在1.8V的电源系统中使用，可实现更低损耗和更低发热量(而且噪声更低)　　· 低输出噪声特性：与普通的低噪声型LDO相比，输出噪声减少约40%，仅为55uVrms(BU33JA3DG-C时)　　迈向高阶自动驾驶，环境感知始终是不可动摇的技术底座。罗姆凭借PMIC、SerDes IC、激光二极管、保护二极管等器件，配合ComfySIL™功能安全方案，为车载摄像头和激光雷达提供关键支撑。未来，罗姆将持续深耕汽车电子，以更高效、可靠的元器件方案，助力智能驾驶走向更安全、更便捷的水平。
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发布时间：2026-05-14 09:55 阅读量：860 继续阅读>>
技术解码 | <span style='color:red'>罗姆</span>助力AI服务器能效提升
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技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升

　　数字化转型(DX)和AI的迅猛发展，为社会带来了巨大的便利，而支撑其运行的数据中心耗电量却持续攀升。　　为了助力解决这一社会课题，罗姆已将融合多年来积累的“功率电子”和“模拟”技术优势，更大程度地提高服务器能效当作使命。其中，服务器总功耗中占比较大的“电源”的效率提升，以及通过“电机”驱动的冷却系统的进一步节能，是实现无碳社会的重要课题。　　从业界先进的SiC(碳化硅)功率元器件，到可实现高精度控制的模拟IC以及各种分立器件，罗姆集这些产品的开发、生产制造、销售于一体，为客户提供前瞻性的解决方案。　　罗姆的半导体技术可高水平兼顾客户服务器系统的“节能”和“小型化”需求，同时还有助于提高其可靠性。罗姆将与客户携手共创可持续发展的数字社会。　　AI服务器主板(Server Board)　　随着生成式AI的普及和数字化转型的加速，现代服务器面临着前所未有的算力需求，以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标(PUE)，从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型，以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。　　罗姆利用多年积累的高效电源IC技术，结合包括GaN(氮化镓)器件在内的高性能MOSFET，为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术，大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度，助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。　　电源供应单元(PSU)　　罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路，可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群，助力应用产品大幅提升效率。另外，针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途，可提供80V耐压等高性能LV MOS产品群，可将导通损耗降至超低水平。当然，罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)产品群。　　在这些种类繁多的产品群基础上，罗姆还可提供系统层面的综合解决方案，其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC。这正是罗姆的优势所在。本页面将介绍罗姆支撑未来AI数据中心的最新科技和解决方案。　　备用电池单元(BBU)　　在BBU(备用电池单元，用来在电源异常时保护数据)设计中，能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态(SoH)的电池电量监控IC(电量计IC)等产品，助力BBU的小型化和可靠性提升。　　此外，在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中，能够承受大电流负载的宽SOA(安全工作区)范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器，对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET，可满足其严苛要求，并可提高系统的可靠性和稳健性。　　罗姆不仅提供这类元器件级解决方案，还针对多样化的电源架构，提供满足从传统的12V/50V级电源，到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC(高压直流供电)机架应用需求的丰富产品群。
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发布时间：2026-04-15 13:05 阅读量：1049 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>热插拔控制器（HSC）解决方案，满足 AI 服务器多样化需求！
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罗姆热插拔控制器（HSC）解决方案，满足 AI 服务器多样化需求！

　　在上一篇中，我们详细解读了罗姆适配 800VDC 20～33kW 级电源单元的全套解决方案，而 AI 服务器的高效、稳定运行，除了核心电源单元，热插拔控制器(HSC) 也是供电系统中保障设备可靠性的关键部件。针对 AI 服务器高功率升级下对 HSC 的新需求，罗姆打造了专属的热插拔控制器用全套产品，包含核心 MOSFET、配套电阻及控制器 IC，精准匹配高电流、宽安全工作区的应用场景，以下为核心产品详情。　　服务器热插拔控制器与罗姆产品　　热插拔控制器是 AI 服务器供电系统的关键保护部件，核心作用为：在电源导通状态下插拔供电模块时，有效防止浪涌电流瞬间施加在元器件上，避免器件因电流冲击损坏，从而提升整个供电系统的运行可靠性。　　罗姆可为服务器热插拔控制器提供全环节产品配套，覆盖浪涌电流抑制、电流检测、控制驱动等核心环节，完美适配服务器 48V 输入供电架构。　　针对 AI 服务器HSC对宽 SOA 范围、低导通电阻、高耐压、小型化的核心需求，罗姆专门发售 HSC 用 Nch MOSFET 新品RY7P250BM与RS7P200BM，同时配套 PMR 系列电流检测通用型电阻器，及开发中的 BD12780MUV-LB 12V 热插拔控制器 IC，形成完整的 HSC 产品解决方案。　　“RY7P250BM”和“RS7P200BM”产品简介　　特点　　⚫ 100V耐压的功率MOSFET ，非常适用于48V热插拔电路　　⚫ 标准8080尺寸封装　　⚫ 同时实现业界超宽SOA范围和超低导通电阻(RDS(on))　　⚫ 被美国云平台企业认证为推荐器件 ⚫ 小一号的5060尺寸封装　　⚫ 同时实现业界超宽SOA范围和超低导通电阻(RDS(on))　　※截至2025年11月27日 ROHM使用8080封装尺寸100V耐压功率MOSFET调查的数据　　两款 Nch MOSFET 可通过热插拔控制器平缓导通，以特定脉宽向电路施加电压和电流，有效抑制浪涌电流的产生;同时搭配罗姆的电流检测电阻与控制器 IC，实现电流的精准监测与器件的智能控制，全方位保障 AI 服务器热插拔过程的安全性与稳定性。　　总结　　罗姆拥有SiC、GaN、Si及LSI业务 是为数不多的半导体制造商之一， 通过与全球头部企业建立的合作伙伴关系，致力于为AI服务器市场贡献力量。　　罗姆可以提供的产品不仅包括以高功率 效率和高功率密度助力降低功耗的SiC、 GaN产品，还包括适用于HSC的Si MOSFET、隔离型栅极驱动器和电源IC 等外围元器件，可满足最新AI服务器的多样化需求。罗姆的功率元器件×模拟技术助力满足AI服务器的高电压趋势与节能化需求，为实现应用AI技术的丰富多彩的未来社会贡献力量!
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发布时间：2026-03-26 14:12 阅读量：1012 继续阅读>>

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