9月19日，许久未谈尖端制造的英特尔今天在北京举办了一个关于“英特尔精尖制造日”的活动。在本次活动中，英特尔全球首次公布10纳米工艺制程并现场展出了10nm技术的硅晶圆。预计英特尔的10纳米工艺将会整整领先竞争对手一代。

摩尔定律不会失效

近几年，“摩尔定律失效”是近两年来业界讨论的热门话题。随着制程工艺在物理层面越来越接近极限，摩尔定律所诠释的“当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍”的规律逐渐被打破，使得人们对摩尔定律在未来所产生的指导意义产生强烈怀疑。

英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith坦言，随着工艺的发展，制程节点之间的时间已经延长，这是整个行业都面临的问题。据了解，实现全新的制程节点变得愈加困难，成本也更加昂贵。仅仅是把设备安装到已有晶圆厂中，就要花费70亿美元，越来越少的公司可以承担得起推进摩尔定律的成本。

但这并不意味着摩尔定律已经失效。Stacy Smith在会上表示:“每一个节点晶体管数量会增加一倍，14nm和10nm都做到了，而且晶体管成本下降幅度前所未有，这表示摩尔定律仍然有效。”Stacy Smith解释道，“创新技术，可以保证摩尔定律长期有效。”

10nm工艺直接PK友商，刀刀见红

今年6月份，高通总裁里克·阿伯利在台湾表示过往被称为处理器龙头的Intel在10nm制程技术明显落后情况, 似乎也显示传统PC市场确实面临改革。高通曾表示骁龙835处理器采用的是三星10nm芯片制造技术，这意味着其移动芯片超过了个人计算机处理器。

面对业界的质疑，英特尔霸气回应，对于竞争对手三星、台积电等公司，英特尔的技术上仍然具有领先性。

第一， 英特尔的14nm工艺可媲美对手的10nm工艺。Stacy Smith今天提到了制程节点命名的混乱，他认为制程技术应该以实践进行度量。；“我们在14nm上采用了超微缩技术，让英特尔能够加速推进晶体管密度的提升，借助节点内优化，产品功能每年都可以实现增强。与竞争对手相比，14nm领先3年。可以看到友商晶体管密度并没有提升，友商10nm节点晶体管密度只相当于我们14nm的晶体管密度。”Stacy Smith认为。

第二，英特尔在会上高调推出了10nm工艺，Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10纳米晶圆，它拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度，领先其他“10纳米”整整一代，以时间来算，则领先3年时间。

英特尔在会场上放出了10纳米技术与竞争对手的数据对比情况，英特尔称在栅极间距、最小金属间距间技术指标上都处于领先地位。

英特尔10 纳米工艺使用了超微缩技术 （hyper scaling），充分运用了多图案成形设计 （multi-patterning schemes），可以助力英特尔延续摩尔定律的经济效益，从而推出体积更小、成本更低的晶体管。

在工艺方面，英特尔10纳米制程的最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米，且最小金属间距从52纳米缩小至36纳米。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，是之前英特尔14纳米制程的2.7倍，大约是业界其他“10纳米”制程的2倍。

相比之前的14纳米制程，英特尔10纳米制程提升高达25%的性能和降低45%的功耗。相比业界其他所谓的“10 纳米”，英特尔10纳米制程也有显着的领先性能。全新增强版的10 纳米制程——10++，则可将性能再提升15%或将功耗再降低30%。

开放最强工艺，英特尔进入中国代工市场

除了10nm工艺，英特尔公司技术与制造事业部副总裁、晶圆代工业务联席总经理Zane Ball在大会上分享了英特尔在代工业务方面的战略。

Zane Ball指出，英特尔正大规模进入代工市场，包括为移动和物联网设备的设计公司提供代工。英特尔元晶代工业务重点关注两大细分市场：网络基础设施、移动和互联设备，可以输出22纳米、14纳米、10纳米和22FFL等技术。除此之外，英特尔还可以提供联合优化设计套件、硅晶验证的IP和创新的封装测试能力等。

英特尔特别关注中国代工市场的机会。Zane Ball表示，在全球半导体市场上，来自中国的消费达到了58.5%，但中国无圆晶厂全球占比为25%，中国半导体领域拥有巨大的机会。除了自己人Altera和展讯（Intel是股东）之外，英特尔将通过代工业务加深与中国伙伴的合作，接受22nm FL/14nm FinFET/10nm FinFET等代工合同，助力中国技术生态系统蓬勃发展。

不过，Intel和三星一样，代工的问题主要是“树敌”过多。因为他们是为数不多既懂设计又有工厂（Fab）的公司，不像台积电那样人畜无害，也不像高通、AMD、华为等只做设计。