联电控告美光侵权官司胜诉,美光中国市场恐面临严重冲击-Ameya360 electronic components purchasing network

联电控告美光侵权官司胜诉,美光中国市场恐面临严重冲击

Release time：2018-07-04

author：

source：科技新报

reading：1718

针对 2018 年 1 月，晶圆代工大厂联电分别向中国福州市中级人民法院递状，对美光半导体（西安）、美光半导体销售（上海）、厦门市思明区信通源计算机经营部、厦门安泰胜电子科技等公司提起 3 起诉讼，请求赔偿金额总计人民币 2.7 亿元，并请求法院判令相关被告停止制造、加工、进口、销售、准许销售被诉侵权产品之行为，且并销毁全部库存及相关模具与工具一事，3 日下午判决结果出炉，福州市中级人民法院判决联电获得胜诉。

联电控告美光侵权官司胜诉,美光中国市场恐面临严重冲击

对此，3 日晚间联电发出重大讯息说明指出，在收受中国福州市中级人民法院于 2018 年 7 月 3 日，就关于美光半导体（西安）有限责任公司、美光半导体销售（上海）有限公司等先行停止侵犯涉案专利权（专利号：ZL03100966.2）做出（2018）闽 01 民初 137 号之二《民事裁定书》（以下简称裁定书）。其主要主要判决内容如下：

美光半导体（西安）有限责任公司立即停止制造、销售、进口铂胜运动 Ballistix 铂胜台式内存 DDR4 2400 8G 两条装（实物商品型号：Crucial 英睿达内存条 BALLISTIX 16GB KIT 2-8GB DDR4-2400 UDIMM 1.2V）及 BX 芯片等 12 项产品。

美光半导体销售（上海）有限公司立即停止销售、进口 Crucial 英睿达 DDR4 24008G 笔电内存条及 C9BGM 芯片等 17 项产品，以及厦门市思明区信通源计算机经营部立即停止销售、许诺销售 Crucial 英睿达 DDR4-2400 8G 笔电内存条及 C9BGM 芯片等。

联电补充表示，「因发现有美光公司在中国地区销售之产品，确实侵害本公司于中国地区获准之专利权，于是在中国地区进行专利侵权诉讼，并依中国专利法之规定申请先行停止侵犯涉案专利权。」

而根据中国的法律，申请先行停止侵犯涉案专利权，必须符合以下几个标准；一是申请人有稳定、有效的专利权，二是被申请人的行为经初步判断可以认定为侵权行为，三是侵权行为如不实时制止，将会造成申请人难以弥补的损害。联电此次申请先行停止侵犯涉案专利权，既经获准。可见美光半导体（西安）有限责任公司、美光半导体销售（上海）有限公司等之侵权行为，中国法院已初步判断认定属实。

联电指出，「本公司长期投入大量资源及人力，研发半导体制造技术，其成果可用于逻辑芯片或存储器芯片（DRAM），历年来已在各国提出申请，获得多项专利。美光公司侵害本公司专利权，已使其对外宣称本公司无存储器芯片之相关技术，而须窃取其营业祕密的指控，不攻自破。」

联电是在 2018 年 1 月份，针对美光的多项存储器产品与七彩虹一项的显卡储存芯片，涉嫌侵害该公司在中国专利，向中国福州市中级人民法院递状，对美光等公司提出 3 件诉讼案，除请求法院判令被诉侵权产品销毁之外，并请求美光赔偿人民币 2.7 亿元。如今，判决联电胜诉，这样的结果在此中美贸易大战将一触即发的当下，会不会成为未来相关判决的判例，或者是成为中国后续用来对美国政府施压的手段，都有待后续进一步观察。但不论如何，一旦美光的产品被禁止在中国市场销售，对美光的营收势必造成重大冲击。

（"Note: The information presented in this article is gathered from the internet and is provided as a reference for educational purposes. It does not signify the endorsement or standpoint of our website. If you find any content that violates copyright or intellectual property rights, please inform us for prompt removal."）

行业新闻

初学者必看:存储器基础知识汇总

　　RAM　　Random-Access-Memory,随机存储存储器，可读可写，分为SRAM和DRAM，即静态随机存储器和动态随机存储器，理解上静动态主要体现是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否则数据将丢失;SRAM的效率较好，而成本较高，通常将SRAM作为cache使用。　　PSRAM　　Pseudo static random access memory，伪SRAM伪随机存储器，内部和DRAM相似，接口和SRAM相似，具有自刷新功能，不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。　　单\双端口RAM　　单端口RAM同一时刻，只能满足读或写某一动作，而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写控制等，可以同时进行两个操作，当然为避免冲突，存在一定的仲裁控制，成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口，单一个端口只读，另一个端口只能写。　　ROM　　Read-Only-Memory,只读存储器，通常使用时一次写好，使用时只能进行读操作，而不能进行写操作。　　CACHE　　高速缓冲存储器，由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢，增加的一级缓冲存储空间，当需要处理器需要访问内存某一块区域时，先缓存cache中，处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。　　TCM　　Tightly-Coupled-Memory 紧密耦合(链接)的存储器，是指和处理器链接紧密,基本可以看做和CACHE同一等级连接的存储空间(印象中ARM结构上和L2 CACHE同一层次)，其存储空间的内容不会像CACHE处理一样经常替换。　　EEPROM　　Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器，掉电非易失的存储芯片，在特殊高电压模式下可以插写，普通模式下只读ROM。　　FLASH　　闪存，和EEPROM一样可擦除可重写，差别EEPROM总是按字节操作，FLASH可以按照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash，Nor-flash可以按照字节读取，而NandFlash只能按块读取，两者同样可以按照字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线，成本比Nand-Flash高，而其可擦写次数低于NAND FLASH,一般嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。　　对于FLASH的读取总线可以有I2C、SPI串行型，也可以采用并行Parallel;同样Flash可以和处理器集成在一起或是通过总线外部访问。　　eMMC　　embedded multi media card，集成了NAND FLASH和控制部分的集成电路，提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的使用接口。　　硬盘　　传统硬盘采用磁材料作为存储介质，固态硬盘使用FLASH，访问速度性能较好。

2024-03-20 11:23 reading：1080

model	brand	Quote
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

model

brand

Quote

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

Texas Instruments

onsemi

ROHM Semiconductor

model	brand	To snap up
BP3621	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
TPS63050YFFR	Texas Instruments
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

model

brand

To snap up

BP3621

ROHM Semiconductor

BU33JA2MNVX-CTL

ROHM Semiconductor

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

TPS63050YFFR

Texas Instruments

ESR03EZPJ151