美光递交证据反击禁令,声称联电的专利无效

Release time：2018-07-09
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针对联电与晋华提起的专利侵权案所发布的临时禁令，美光已经递交证据至中国国家知识产权局专利复审委员会，并表示受影响的产品约占美光年度营收逾1%.

美光递交证据反击禁令,声称联电的专利无效

美光5日晚间发布声明，中国2家子公司已收到福州中级人民法院针对联电与晋华提起的专利侵权案所发布的临时禁令，美光表示，对裁决结果感到失望，并坚信联电与晋华的专利无效，且美光的产品并不侵害专利。至于受影响的产品约占美光年度营收逾1%，将使美光第4季度营收减少约1%，但仍会与原先预订目标相同。

受影响的产品约占美光年度营收逾 1%

7月3日，福州市中级人民法院裁定美光半导体销售（上海）有限公司立即停止销售、进口十余款Crucial英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片，并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息。同时裁定美光半导体（西安）有限责任公司立即停止制造、销售、进口数款内存条产品。福州中院裁定的“临时禁令”，在该案最终判决生效之前，均具有法律效力，且在裁定书送达后立即执行。

美光指出，该临时禁令要求美光的中国子公司停止销售或进口 Crucial 英睿达品牌的 DRAM 模组与 SSD 等产品，受影响的产品约占美光年度营收逾 1%，将使美光第4季度营收减少约1%。不过，美光预期，第4季度营收仍会落在原先预订的80亿美元至84亿美元目标间。

美光资深副总裁兼总法律顾问Joel Poppen表示，对福州中级人民法院的裁决感到失望，坚信联电与晋华的专利无效，而美光的产品并不侵害专利，且该法院在还未给予美光辩护机会前，就发布这项临时裁决，判决结果并非经过适当的法律程序所裁定。美光表示，会依循法院判决结果，同时也要求福州中级人民法院重新考虑是否维持原判决。

Joel Poppen表示，美光已长期深耕中国业务发展，包括在西安拥有一座重要的组装和测试生产设施，并与许多中国客户拥有着深厚的关系。美光将继续积极为这些毫无根据的专利侵权指控辩护，同时继续与客户和合作伙伴密切合作。

美光已递交证据至中国国家知识产权局

美光先前曾在台湾控告3名员工窃取机密技术投靠联电，并于2017年底在美国加州控告联电侵害营业秘密。美光表示，联电与中国福建晋华集成电路此次在中国提起的专利侵权诉讼，是为了报复美光先前分别在台湾与美国分别提起的刑事与民事诉讼，目前在美国的诉讼仍在进行中。

按照流程，如美光不服裁定，可在收到裁定书十日内，向福州中院提起复议一次。复议期间不停止裁定执行。这意味着至少在现阶段，美光将无法在华销售相关侵权产品。

美光表示，联电欠缺先进DRAM与NAND Flash技术，美光也并未使用联电声称的自家专利，联电及福建晋华扭曲解释专利内容，并诬指美光侵权，美光已经递交证据至中国国家知识产权局专利复审委员会，证明其中技术早已有其他公司在非中国地区申请，借此证明联电声称的专利无效。

美光在声明中表示，中国政府经常表示，外国公司的权利在中国受到公平和平等的保护，而福州中院发布的这项临时禁令与这项政策不一致。过去一年来，美光成长快速，2年来股价飙涨近300%，但上个月以来却成了市场抛售和贸易战紧张局势下的受害者，跌幅约14%。

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美光正式送样业界高容量SOCAMM2模组，满足AI数据中心对低功耗DRAM的需求
行业新闻

美光正式送样业界高容量SOCAMM2模组，满足AI数据中心对低功耗DRAM的需求

　　2025年10月23日，爱达荷州博伊西市——在当今时代，人工智能(AI)实现了前所未有的创新和发展，整个数据中心生态系统正在向更节能的基础设施转型，以支持可持续增长。随着内存在AI系统中逐渐发挥越来越重要的作用，低功耗内存解决方案已成为这一转型的核心。美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码：MU)近日宣布其192GB SOCAMM2(small outline compression attached memory modules，小型压缩附加内存模块)已正式送样，以积极拓展低功耗内存在AI数据中心的广泛应用。2025年3月，美光发布了业界首款LPDRAM SOCAMM，而新一代SOCAMM2则在此基础上实现了功能的进一步拓展，在相同的规格尺寸中实现50%的容量提升，增加的容量可以将实时推理工作负载中首个token生成时间(TTFT)显著缩短80%以上1。192GB SOCAMM2采用美光领先的1-gamma DRAM制程技术，能效提高20%以上2，有助于实现大型数据中心集群的电源设计优化。这一能效提升在全机架AI安装中尤为显著，可配置超过50TB的CPU附加低功耗DRAM主存储3。SOCAMM2的模块化设计提升了可维护性，并为未来的容量扩展奠定了基础。　　基于与NVIDIA的五年合作，美光率先将低功耗服务器内存引入数据中心使用。SOCAMM2为AI系统的主存储带来了LPDDR5X超低功耗和高带宽的内在优势。SOCAMM2的设计旨在满足大规模AI平台不断扩展的需求，提供AI工作负载所需的高数据吞吐量，同时实现新的能效水平，并为AI训练和推理系统设定新标准。这些优势的结合将使SOCAMM2成为未来几年业界领先AI平台的关键内存解决方案。　　美光资深副总裁暨云端内存事业部总经理Raj Narasimhan表示：“随着AI工作负载变得更加复杂而严苛，数据中心服务器必须提升效率，为每瓦特的功率提供更多tokens。凭借在低功耗DRAM领域公认的领先地位，美光能确保我们的SOCAMM2模块提供所需的数据吞吐量、能效、容量和数据中心级别的品质，这些对于驱动下一代AI数据中心服务器至关重要。”　　通过专门的设计功能和增强测试，美光SOCAMM2产品从最初为手机设计的低功耗DRAM升级为数据中心级解决方案。多年来，美光在高质量数据中心DDR内存方面的丰富经验，使SOCAMM2具备满足数据中心高标准应用所需的质量与可靠性。　　与同等能效的RDIMM相比，SOCAMM2模块的能效提高了三分之二以上4，同时将其性能封装到三分之一大小的模块中5，不仅优化了数据中心占地面积，还最大限度地提高了容量和带宽。SOCAMM的模块化设计和创新的堆叠技术提高了可维护性，并有助于液冷服务器的设计。　　美光一直是JEDEC SOCAMM2规范制定的积极参与者，并与行业合作伙伴密切合作，共同推动标准演进，加快AI数据中心的低功耗应用，以助力整个行业的能效提升。目前，SOCAMM2样品已送样客户，单一模组容量高达192GB，速率达9.6 Gbps，后续量产作业将配合客户的产品推出日程规划。　　1经美光内部测试验证的性能提升：使用LMCache GH200 NVL2平台(288GB HBM3E+1TB LPDDR5x)上的Llama 3 70B模型进行推断，OSL=128。　　2 与美光的上一代LPDDR5X相比。　　3 基于已公布的NVL144机架系统容量数据。　　4 与两个128GB、128位总线宽度的DDR5 RDIMM模组相比，基于一个128GB、128位总线宽度的SOCAMM2模组的功耗(瓦特)计算。　　5 计算将SOCAMM2的面积(14 x 90mm)与标准服务器RDIMM进行对比。
2025-10-29 15:04 reading：314
传美光科技将退出中国数据中心服务器芯片业务！
行业新闻

传美光科技将退出中国数据中心服务器芯片业务！

　　当地时间10月17日，路透社援引两名知情人士消息报道称，美国存储芯片巨头美光科技计划退出其在中国的数据中心服务器芯片业务。　　知情人士称，美光计划停止向中国数据中心供应服务器芯片，但将继续向两家在中国境外拥有重要数据中心业务的中国客户供货。知情人士还称，美光在上一财年来自中国大陆的收入约为34亿美元，占其全球总收入的12%。未来，美光仍将继续向中国市场的汽车和智能手机领域客户销售芯片。　　据了解，2023年用于计算的数据中心在中国的投资额激增九倍，达到247亿元人民币。而这一空白为中国本土存储行业企业带来了利好，在这期间，以长江存储、长鑫存储为代表的企业抓住机会积极扩张。　　据美光科技此前公布的财务数据，在截至8月28日的2025财年第四季度，美光科技营收113.2亿美元，同比增长46%，上年同期为1.18美元。2025财年全年，美光科技营收达到373.78亿美元。其中，用于AI数据处理的HBM是美光利润最高的产品之一。包括为数据中心客户提供HBM在内，美光专注为超大规模云计算客户服务的云存储业务(CMBU)营收45.43亿美元，同比增长213.5%。　　另一方面，知情人士还提到，美光在中国的数据中心团队雇员超过300人。但目前尚不清楚此次业务调整将影响到多少岗位。　　值得注意的是，《南华早报》在不久之前的8月份曾爆料称，美光科技启动了在华新一轮裁员，主要涉及移动NAND产品有关部门。此前，因移动NAND产品长期处于市场疲软状态，财务表现持续不佳，美光已宣布在全球范围内停止移动 NAND产品的开发。随后，该公司针对其中国大陆业务部门进行了裁员，涉及研发、测试及支持等岗位。一名不愿具名的员工当时透露称，该次裁员涉及了超过300个职位。　　此外，美光并非首家调整在华业务的跨国科技公司。今年以来，已有IBM、微软、亚马逊等多家知名科技公司对其在华业务进行了调整。
2025-10-21 15:08 reading：352
美光将涨价20%-30%，并暂停报价！
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美光将涨价20%-30%，并暂停报价！

　　近日，美光科技向渠道商发出通知，宣布其存储产品价格将上涨20%-30%。从9月12日起，所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价，协议客户价格全部取消，暂停报价一周。据供应链消息称，美光高层看到客户预测需求有重大供应短缺，因此紧急暂停所有产品报价，以重新调整后续价格。　　此前，闪迪已宣布将存储产品价格上调10%以上，拉开存储芯片行业新一轮涨价序幕。市场分析显示，云服务供应商在2025财年资本支出提高180亿美元，直接推高了AI领域对存储芯片的需求。花旗分析师预计，美光将在9月23日发布的2025财年第四季度财报中给出远超市场预期的业绩指引。分析师认为，DRAM和NAND的销量与价格均将走高，存储行业的持续回升主要由产能受限和超出预期的需求推动。　　分析师指出，多家超大规模云厂商对NAND企业级固态硬盘的大额追加订单，正将NAND供给从消费市场转向企业市场。根据TrendForce的数据，2025年第二季度，NAND Flash晶圆和客户端SSD价格均出现上涨趋势，晶圆价格环比增长10%至15%，客户端SSD价格上涨3%至8%。CFM闪存市场指出，DRAM价格指数半年内上涨约72%，NAND涨价情绪高涨，预计四季度企业级存储价格将上涨。　　美光决定未来将停止包括UFS 5.0在内的移动NAND产品开发，逐渐退出移动NAND市场，为国产厂商等带来发展机遇。　　此次涨价和暂停报价的主要原因是供应短缺，源于原厂将传统DRAM产能转向高利润产品，并停产DDR4、LPDDR4X等旧制程，导致供需失衡。同时，服务器市场备货需求升温及北美市场HDD供应紧缺，推高了企业级NAND需求。　　此事件可能推动存储芯片行业进入新一轮涨价周期。对美光科技而言，预计将提升其业绩表现，分析师已上调目标价。对行业，产能受限和需求回升将持续推动价格上涨。对投资者，市场看好存储芯片前景。此外，美光退出移动NAND市场为国产厂商提供了发展机会。
2025-09-16 13:57 reading：536
美光科技为Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI创新动能
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美光科技为Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI创新动能

　　美光科技于2025年5月27日宣布，Motorola最新功能强大的翻盖手机Motorola Razr 60 Ultra采用美光高性能、高能效的LPDDR5X内存以及先进的UFS 4.0解决方案。　　该款智能手机搭载Motorola基于大型语言模型的AI功能Moto AI，美光的LPDDR5X和UFS解决方案为其提供了所需的容量、能效、速率和性能。　　美光企业副总裁暨手机和客户端业务部门总经理Mark Montierth表示：“美光LPDDR5X内存和UFS 4.0存储解决方案专为Motorola Razr 60 Ultra等下一代AI设备量身打造。我们与Motorola合作，为其最新款智能手机赋能，充分展现了高性能、低功耗的内存和存储创新对于释放端侧AI全部潜力的关键作用。”　　为何存储和内存重要?　　随着智能手机AI功能的日益强大，越来越多的数据处理作业已从依赖云计算，逐渐转为直接在端侧设备执行。若要在端侧提供完整的AI体验，就需要性能更强的内存和存储，以容纳大型语言模型和不断增长的数据量。　　在美光内存和存储解决方案的助力下，Motorola Razr 60 Ultra让用户能够探索Moto AI的完整功能，享受快速、流畅的智能体验和精准的反馈。用户可以使用Moto AI提问，以专业级精准度增强照片效果，将文本转化为独特的艺术创作、虚拟人像和贴纸，聆听为每个时刻精选的音乐，并通过简洁、个性化的通知摘要了解当天的重要资讯。　　Motorola产品研发副总裁Leo Liu表示：“Motorola Razr 60 Ultra重新定义了可折叠智能手机的AI性能，让用户能够借助直观的AI功能释放创造力、掌控生活节奏，并清晰、轻松地记录生活中的美好瞬间。为了将手机个性化智能体验呈现在用户指尖，小巧的机身内需配备兼具卓越性能与能效的内存。我们与美光科技的长期合作，确保了我们能够采用针对移动端优化的解决方案，进而在我们迄今为止最强大的折叠屏手机上实现流畅的AI体验。”　　美光基于第二代 1ß(1-beta)节点的LPDDR5X内存，传输速率高达每秒9.6 Gbps ，较上一代产品，速率提升了10%。1 这一卓越性能使用户能够轻松地在应用程序间切换，并更高效地进行多任务处理，同时提供移动AI功能所需的高速数据处理能力。美光的LPDDR5X内存能够节省高达25%的功耗，2 为高能耗的AI应用提供支持，并延长续航——这是Motorola Razr 60 Ultra的一大亮点，续航超过36小时。　　在存储方面，尽管这款手机采用了紧凑的可折叠外形设计，但美光UFS 4.0解决方案为照片、电影、歌曲、应用程序和游戏提供了充足的存储空间。大容量存储功能让旗舰智能手机能够直接在设备上存储由AI分析和生成的大型数据集，无需依赖云端——从而使用户既能享受到个性化AI助手带来的便利，又能保障个人数据的安全和隐私。　　1 相较于上一代1-beta LPDDR5的8.533 Gbps的传输速率　　2 相较于上一代1-beta LPDDR5
2025-05-28 09:36 reading：658
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