东芝半导体收购战争加剧,SK海力士组财团

Release time：2017-06-15
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source：驱动中国
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群雄逐鹿下，东芝半导体业务到底花落谁家？已经成为了全世界瞩目的焦点。只能说历时半年多的辛苦斡旋，诸如SK海力士、西部数据、富士康等竞购方着实有点疲惫。

 

东芝半导体收购战争加剧,SK海力士组财团

 

但值得安慰的是，这宗史上颇具争议的交易案，到了明日也就是6月15日，终于要见分晓了。这就好比马拉松比赛，之前所做的一切努力都只是开胃小菜，而最后阶段能否成功冲刺保持领先地位或是成功逆袭，才是取得最后胜利的关键所在。

参与的竞购者中，SK海力士无疑是最拼命一个。如今又有新消息传出，据国外媒体报道，日本政府正组建一个由日本、韩国、美国三方组成的财团，试图在最后一刻对东芝旗下的半导体业务发出最后的收购报价，其中韩国巨头SK海力士也加入了该财团。

据知情人士透露，日本经济产业省(METI)牵头成立了一个竞购团队，目前的成员包括日本政策投资银行(DBJ)、日本产业革新机构(INCJ)、美国私募股权公司贝恩资本(Bain Capital)、韩国SK海力士以及三菱日联金融集团旗下的三菱东京日联银行等，他们将一起竞购东芝半导体业务。

与此同时，该知情人士还透露，该财团提出的报价将超过东芝设定的2万亿日圆(180亿美元)底价，甚至可能超过美国芯片制造商博通提出的200亿美元报价。只能说，“卖相很好”的东芝半导体业务，着实引发了一场海啸，让人为之“魂牵梦绕”，不惜组成竞购联盟，只为能分得一杯羹。

事实上，早在今年1月份，东芝决定拆分半导体业务的消息一出，就立即引发了轰动。甚至有业内人士指出，卖掉半导体业务，就等于卖掉了东芝的未来。也正是因为东芝半导体业务的举足轻重，使得这一事件的进展颇有些缓慢，原本定在5月份就决定的市场，一拖再拖。

但话说回来了，即便是东芝染上了拖延癌，其半导体业务的出售也是势在必行，毕竟相比于不可预知的未来，如何活下去对东芝来说才是最重要的。

这也不禁让人好奇，“断臂求生”的东芝到底看上了哪位幸运儿，会是SK海力士吗？还是志在必得富士康？亦或是“搞事不止”的西部数据？相信这一切的谜团，也只能等到明日见分晓！

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东芝推出应用于工业设备的具备增强安全功能的SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器
行业新闻

东芝推出应用于工业设备的具备增强安全功能的SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器

　　东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布，最新推出一款可用于驱动碳化硅(SiC)MOSFET的栅极驱动光电耦合器——“TLP5814H”，具备+6.8 A/–4.8 A的输出电流，采用小型SO8L封装并提供有源米勒钳位功能。　　在逆变器等串联使用MOSFET或IGBT的电路中，当下桥臂[2]关闭时，米勒电流[1]可能会产生栅极电压，进而导致上桥臂和下桥臂[3]出现短路等故障。常见的保护措施有，在栅极关闭时，对栅极施加负电压。　　对于部分SiC MOSFET而言，具有比硅(Si)MOSFET更高的电压、更低的导通电阻以及更快的开关特性，但栅极和源极之间可能无法施加足够的负电压。在这种情况下，有源米勒钳位电路的应用使米勒电流从栅极流向地，无需施加负电压即可防止短路。然而由于部分削减成本的设计，导致其在IGBT关断时减少用于栅极的负电压。而且在这种情况下，内建有源米勒钳位的栅极驱动器是可以考虑的选项。　　TLP5814H内建有源米勒钳位电路，因此无需为负电压和外部有源米勒钳位电路提供额外的电源。这不仅为系统提供安全功能，而且还可通过减少外部电路来助力实现系统的最小化。有源米勒钳位电路的导通电阻典型值为0.69 Ω，峰值钳位灌电流额定值为6.8 A，因此非常适合作为SiC MOSFET的栅极驱动器，SiC MOSFET对栅极电压变化非常敏感。　　TLP5814H通过增强输入端红外发射二极管的光输出并优化光电检测器件(光电二极管阵列)的设计实现了–40 °C至125 °C的额定工作温度，从而可提高光耦合效率。因此，面对严格热管理的工业设备，比如光伏(PV)逆变器和不间断电源(UPS)等是十分适合的。此外，其传输延迟时间和传输延迟偏差也规定在工作温度额定值范围内。其5.85 mm×10 mm×2.1 mm(典型值)的小型SO8L封装有助于提高系统电路板的部件布局灵活性。此外，它还支持8.0 mm的最小爬电距离，进而可将其用于需要高绝缘性能的应用。　　未来东芝将继续开发光电耦合器产品，助力增强工业设备的安全功能。　　应用　　工业设备　　● 光伏逆变器、UPS、工业逆变器以及AC伺服驱动等　　　　● 内建有源米勒钳位功能　　● 额定峰值输出电流：IOP=+6.8 A/–4.8 A　　● 高工作温度额定值：Topr(最大值)=125 °C　　主要规格　　(除非另有说明，否则Ta=-40°C至125°C)　　注：　　[1] 米勒电流：当高dv/dt电压应用于MOSFET的漏极和栅极之间的电容或IGBT的集电极和栅极之间的电容时，产生的电流。　　[2] 下桥臂是从使用电源器件的电路的负载中吸收电流的部件，例如串联至电源负极(或接地)的逆变器，而上桥臂则是从电源为负载提供电流的部件。　　[3] 上桥臂和下桥臂短路：由于噪声引起的故障或开关过程中米勒电流引起的故障，上下电源器件同时接通的现象。
2025-03-14 10:55 reading：387
东芝功率半导体后道生产新厂房竣工
行业新闻

东芝功率半导体后道生产新厂房竣工

　　日本川崎——东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)近日在其位于日本西部兵库县姬路半导体工厂的车载功率半导体后道生产新厂房举办了竣工庆祝仪式。新厂房的产能将比2022财年的水平增加一倍以上，并将于2025财年上半年开始全面生产。　　新厂房旨在通过采用RFID[1]标签提高工作效率，并提高库存管理的准确性来推动智能工厂计划。该设施将100%由可再生能源供电，包括根据购电协议在建筑物屋顶上安装太阳能电池板等。　　功率器件是提高各种电气和电子设备能源效率的重要元件，在电力供应和能耗控制方面发挥着至关重要的作用。汽车的持续电气化和工业设备对更高效率的要求预计将推动市场对功率半导体的长期需求。东芝将通过对前道和后道生产设施的投资来应对这一挑战，并将通过稳定供应高效、高可靠性产品来满足市场增长。　　新生产设施将使姬路工厂的车载功率半导体生产能力较2022财年增加一倍以上，为推进碳中和作贡献。　　       新生产厂房概况　　建筑面积：4,760.31 m2　　总建筑面积：9,388.65 m2　　结构：钢架结构，地上2层　　竣工时间：2025年3月　　用途：功率半导体制造(后道工艺)　　姬路工厂 - 半导体工厂概况　　地点：日本兵库县揖保郡太子町鵤-300　　占地面积：246,800.08 m2　　总经理：Kyozo Takeo　　员工：约1,400人(截至2025年1月)　　主要产品：分立半导体(功率器件、小信号器件)　　[1]射频识别(RFID)是指利用小型IC芯片和天线记录信息的自动识别技术。
2025-03-14 09:31 reading：313
东芝推出面向车载直流有刷电机的栅极驱动IC，助力缩小设备尺寸
行业新闻

东芝推出面向车载直流有刷电机的栅极驱动IC，助力缩小设备尺寸

　　东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，量产面向车载直流有刷电机应用的栅极驱动IC[1]——“TB9103FTG”，其典型应用包括用于电动后门和电动滑门的闩锁电机[2]和锁定电机[3]，以及电动车窗和电动座椅的驱动电机等。　　汽车部件现已基本实现电气化，电机的需求以及在汽车中集成的电机数量都在增加。随着电动机中使用的驱动IC数量的增加，人们更倾向采用高集成度和小型化的系统解决方案。此外，有些电机应用不需要控制转速，只需具有简单功能和性能的驱动IC。　　TB9103FTG可为无需控制速度的直流有刷电机提供优化的栅极驱动IC功能和性能，为实现更紧凑设计开辟了道路。它具有内置的电荷泵电路[4]，可确保为驱动电机外部MOSFET供电所需的电压。此外，它还具有栅极监控功能，可通过为高低侧外部MOSFET自动控制栅极信号输出时序，防止生成直通电流。与此同时，该IC还内置睡眠功能，可在待机时降低功耗。　　这款全新IC既可用作单通道H桥，也可用作双通道半桥。除了作为电机驱动IC外，它还能与外部MOSFET结合，替代机械式继电器以及其它机械开关，有助于实现更安静的运行以及更高的设备可靠性。　　TB9103FTG采用4.0 mm×4.0 mm(典型值)VQFN24封装，有助于缩小设备尺寸。　　东芝网站上现已发布“使用TB9103FTG的车载直流有刷电机控制电路”的参考设计。　　未来东芝将继续扩大其车载电机驱动IC的产品线，为车载设备的电气化和安全性提高做出贡献。　　应用：　　车载设备　　用于电动后门及电动滑门使用的闩锁电机和锁定电机的驱动器;用于车窗和电动座椅等的电机的驱动器　　特性：　　精简的功能和性能有助于小型化　　小型封装　　低待机功耗(内置睡眠功能)　　可用作单通道H桥或双通道半桥的栅极驱动IC　　符合AEC-Q100(Grade 1)标准　　主要规格：　　注：　　[1] 栅极驱动IC：驱动MOSFET的驱动IC。　　[2] 闩锁电机：系统中用于保持车门关闭的电机。　　[3] 锁定电机：系统中与钥匙配合工作，为车门上锁和开锁，以防出现犯罪行为而使用的电机。　　[4] 电荷泵电路：使用电容器和开关升压的电路。
2025-03-14 09:11 reading：270
东芝12寸晶圆工厂竣工！
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东芝12寸晶圆工厂竣工！

　　5月26日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)近日在其位于日本石川县的主要分立半导体生产基地—加贺东芝电子株式会社(Kaga Toshiba Electronics Corporation)举行仪式，庆祝新的300mm功率半导体晶圆制造工厂和办公楼竣工。　　建设的完成是东芝多年投资计划第一阶段的一个重要里程碑。东芝目前将进行设备安装，争取在2024财年下半年开始量产。　　一旦一期工程全面投产，东芝功率半导体(主要是MOSFET和IGBT)的产能将是2021财年制定投资计划时的2.5倍。关于二期建设和开始运营的决定将反映市场趋势。　　新的制造大楼遵循东芝的业务连续性计划(BCP)，并将为东芝的业务连续性计划(BCP)做出重大贡献：它具有吸收地震冲击的隔震结构和冗余电源。　　来自可再生能源和建筑物屋顶太阳能电池板的能源(现场PPA模式)将使该设施能够通过可再生能源满足100%的电力需求。　　人工智能(AI)的使用将提高产品质量和生产效率。东芝还将获得日本经济产业省的拨款，以补贴其部分制造设备的投资。　　功率半导体在电力供应和控制中发挥着至关重要的作用，是电气设备提高能源效率的重要器件。随着汽车的持续电气化和工业机械的自动化，需求将持续强劲增长。　　东芝于2022财年下半年在加贺东芝电子现有工厂开始在一条新的300毫米晶圆生产线上开始功率半导体生产。展望未来，该公司将通过新工厂扩大产能，进一步为碳中和做出贡献。
2024-05-27 15:22 reading：844
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