英飞凌推出全新单级反激式控制器

Release time：2022-10-11
author：Ameya360
source：网络
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　　英飞凌推出了适用于反激式拓扑结构的ICC80QSG单级脉冲宽度调制（PWM）控制器，进一步扩展了英飞凌旗下AC-DC控制器IC的产品阵容。

英飞凌推出全新单级反激式控制器

　　采用电池供电的电器是业界增长最快的细分市场之一，此类应用需要节能、稳健和高性价比的电池充电方案。为了满足这一需求，英飞凌科技股份公司推出了适用于反激式拓扑结构的ICC80QSG单级脉冲宽度调制（PWM）控制器，进一步扩展了英飞凌旗下AC-DC控制器IC的产品阵容。

       该IC专为电池充电应用量身定制，与CoolMOS P7超级结（SJ）MOSFET配合使用，实现输出功率高达130 W的、可扩展的功率设计。这款产品还适用于适配器、打印机、个人电脑、电视、显示器、机顶盒、音频放大器等应用。

　　ICC80QSG电池充电IC支持准谐振模式多谷底开关（QRMn）。除了准谐振模式（QRM），还能防止进入连续导通模式（CCM）和在中轻负载下实现谷值开关的断续导通模式（DCM）。产品通过将ICC80QSG与CoolMOS? P7 MOSFET器件配合使用，可以提高能效和降低电磁干扰（EMI）。

       并且，由于该反激式设计需要的散热片和线圈较少，还节省了BOM成本。此外，集成了用于在轻负载条件下突发模式，有助于在待机模式下实现极低的功耗。ICC80QSG可在突发模式下降低栅极驱动芯片的输出电压，能够满足轻载或无载条件下极低的待机损耗要求，从而在整个工作范围发挥出色的待机性能。

　　ICC80QSG采用次级侧调节（SSR）控制方式，这是电流控制型电池充电的理想方案。为了获得更高的设计灵活性，它提供了在给定的最大工作频率下对应于谷底开关位置的可调的导通时间对照表，和用于限制输入功率和电流使之可在低压线路条件下安全运行的可调的最大导通时间。该IC凭借外部可调滞回过压保护和欠压保护，为初级MOSFET提供了保护。使其在输入欠压条件下即便使用较少的散热器也不会过热。凭借全方位的保护功能，ICC80QSG可为许多应用实现简单、安全和强大的AC-DC电池充电器设计。

　　采用PG-DSO-8封装的ICC80QSG电池充电IC现已开始供货。


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英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
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英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

　　英飞凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚，还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构，用于直接液体冷却(FF1MR12MM1HW_B11)。目标应用为储能系统，通用电机驱动器，不间断电源(UPS)，电动汽车充电等。　　产品型号　　■ FF1MR12MM1H_B11　　PressFIT引脚　　■ FF1MR12MM1HP_B11　　PressFIT引脚，预涂TIM导热材料　　■ FF1MR12MM1HW_B11　　Wave直接水冷　　产品特点　　开关损耗低　　卓越的栅极氧化物可靠性　　更高的栅极阈值电压　　更高的功率输出　　坚固耐用的集成体二极管　　高宇宙射线稳健性　　高速开关模块　　Tvj(op)=175°C过载　　PressFIT引脚　　螺母功率端子　　集成NTC温度传感器　　隔离基板　　应用价值　　开关频率高　　减少体积和尺寸　　降低系统成本　　热效率高　　竞争优势　　高开关频率(>7kHz)　　针对高速电机进行了优化　　应用领域　　商用车辆、工程车辆和农用车辆(CAV)　　储能系统　　通用电机驱动器-变频和变压　　暖通空调　　电机控制　　不间断电源(UPS)　　电动汽车充电
2025-06-16 11:55 reading：435
英飞凌：用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板
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英飞凌：用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板

　　英飞凌评估板是用于评估采用1ED3890MC12M栅极驱动器的FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC™ SiC MOSFET模块。用户可以通过双脉冲测试来评估器件性能。目标应用为电动汽车充电，ESS PFC，直流-直流变换器和太阳能等。　　这是一个用于测试半桥配置的2kV CoolSiC™ EasyDUAL™ 2B MOSFET的双脉冲测试评估板。它可以可靠、快速的使用1ED3890MC12M EiceDRIVER™驱动2kV SiC半桥电路。　　产品型号：　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HS　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HR　　所用器件：　　■ FF6MR20W2M1H_B70 6mΩ 2kV M1H SiC MOSFET　　■ 1ED3890MC12M 2300V单通道高度灵活的隔离栅极驱动器，可通过I2C配置DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障　　产品特点　　用于评估Easy 2B FF6MR20W2M1H_70 2千伏SiC MOSFET半桥模块，采用CoolSiC™沟槽栅SiC MOSFET技术　　驱动IC 1ED3890MC12M带I2C总线，用于参数调整　　用于双脉冲测试的大容量直流母线电容器　　有两种版本，可选择使用Rogowski线圈或同轴分流器进行电流测量　　应用价值　　132 µF板载大容量薄膜电容　　压接式FF6MR20W2M1H模块　　负栅极驱动电压可以调整　　框图　　应用领域　　电动汽车充电　　ESS PFC　　直流-直流变换器　　太阳能应用
2025-06-16 11:51 reading：421
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2025-05-19 10:48 reading：570
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2025-05-19 09:50 reading：622
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