英飞凌推出全新单级反激式控制器
英飞凌推出了适用于反激式拓扑结构的ICC80QSG单级脉冲宽度调制（PWM）控制器，进一步扩展了英飞凌旗下AC-DC控制器IC的产品阵容。
采用电池供电的电器是业界增长最快的细分市场之一，此类应用需要节能、稳健和高性价比的电池充电方案。为了满足这一需求，英飞凌科技股份公司推出了适用于反激式拓扑结构的ICC80QSG单级脉冲宽度调制（PWM）控制器，进一步扩展了英飞凌旗下AC-DC控制器IC的产品阵容。
该IC专为电池充电应用量身定制，与CoolMOS P7超级结（SJ）MOSFET配合使用，实现输出功率高达130 W的、可扩展的功率设计。这款产品还适用于适配器、打印机、个人电脑、电视、显示器、机顶盒、音频放大器等应用。
ICC80QSG电池充电IC支持准谐振模式多谷底开关（QRMn）。除了准谐振模式（QRM），还能防止进入连续导通模式（CCM）和在中轻负载下实现谷值开关的断续导通模式（DCM）。产品通过将ICC80QSG与CoolMOS? P7 MOSFET器件配合使用，可以提高能效和降低电磁干扰（EMI）。
并且，由于该反激式设计需要的散热片和线圈较少，还节省了BOM成本。此外，集成了用于在轻负载条件下突发模式，有助于在待机模式下实现极低的功耗。ICC80QSG可在突发模式下降低栅极驱动芯片的输出电压，能够满足轻载或无载条件下极低的待机损耗要求，从而在整个工作范围发挥出色的待机性能。
ICC80QSG采用次级侧调节（SSR）控制方式，这是电流控制型电池充电的理想方案。为了获得更高的设计灵活性，它提供了在给定的最大工作频率下对应于谷底开关位置的可调的导通时间对照表，和用于限制输入功率和电流使之可在低压线路条件下安全运行的可调的最大导通时间。该IC凭借外部可调滞回过压保护和欠压保护，为初级MOSFET提供了保护。使其在输入欠压条件下即便使用较少的散热器也不会过热。凭借全方位的保护功能，ICC80QSG可为许多应用实现简单、安全和强大的AC-DC电池充电器设计。
采用PG-DSO-8封装的ICC80QSG电池充电IC现已开始供货。
在线留言询价
- 一周热料
- 紧缺物料秒杀
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| MC33074DR2G | onsemi |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码，即可关注
请输入下方图片中的验证码：