罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

Release time:2022-10-14
author:Ameya360
source:网络
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    全球能源短缺和大气污染问题日益严峻,汽车产业绿色低碳发展已成为降低全社会碳排放、增强国家竞争力的有效手段。作为领先的功率半导体厂商之一,罗姆一直致力于技术创新,研发各种高效、高品质的功率器件,为大功率智能充电站提供安全可靠的解决方案,在支持绿色出行的同时助力全面低碳社会的可持续发展。

    缩短充电时间的高输出挑战

    对电动汽车车主来说,缩短充电时间是非常重要的诉求,而大功率充电是其中关键的支撑技术。提升续航距离需要増加电池容量,为缩短充电时间,需要高输出能力的充电桩,如360kW的充电桩要搭载9个40kW的电源模块。在电路拓扑方面,单向充电桩使用三相Vienna整流LLC电路。基于纯电动车对电网、家庭供电的需求,双向充电桩也趋于使用三相B6-PFC+双有源桥电路。

    无论哪一种充电桩,客户都在一如既往地重视高品质的同时,随着输出功率的提高而追求高效化和热管理。对此,罗姆以功率器件为中心提供各种解决方案,满足各种客户需求。根据使用器件的不同,罗姆提供两类充电桩解决方案。一是碳化硅器件解决方案,适用于追求高效、小型化的大功率充电桩。二是硅器件解决方案,包括相对于碳化硅器件来说性价比较好的超级结MOS和IGBT。

    ·针对单向充电桩:面向大功率Vienna PFC+LLC电路拓扑的方案

    Vienna整流+LLC构成了充电桩的基本电路。如果考虑设备成本,罗姆推荐使用硅器件、FRD(快恢复二极管)方案;如果需要高功率密度和高效率,则推荐使用碳化硅 MOS/SBD方案。

罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

    PFC部分更适合使用碳化硅器件,理由有二:其一,高温时导通电阻增加较少,能实现高效率,同时可抑制发热,使用更小的散热板;其二,碳化硅器件的恢复损耗非常小,开关损耗较小,能够提高工作频率,有助于输入线圈的小型化。作为硅器件解决方案,也可以使用具有高速开关的罗姆SJ-MOSFET“R65xKN系列”以及IGBT“RGW系列”。

罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

    其次,对于LLC部分,罗姆通过高耐压1200V 碳化硅MOS来削减部件个数。通过将1200V 碳化硅MOS应用于LLC部分,可以将Stack型的LLC电路变更为下述Single型。具备高耐压、高速开关特点的碳化硅器件给Single LLC带来以下优点:

  • 减少功率器件数量,节省空间,简化电路,降低故障率;

  • 减少控制元件数量,简化驱动电路,减少MCU使用数、减少端口数。

    罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

  • 针对双向充电桩:面向三相B6-PFC电路拓扑的解决方案

    罗姆针对双向充电桩的三相B6-PFC拓扑的方案使用1200V 碳化硅MOS,它具有以下优点:

  • 受高温影响小

  • 高速恢复性能有助于可实现输入线圈、绝缘变压器的小型化

  • 抑制偏共振时的破坏风险

    20kW以下使用1200V开关元器件,例如高效率的碳化硅MOSFET “SCT3xxxKx(1200V/17-95A)”或标准IGBT “RGSxxTSX2”。在20kW以上的应用中,可以选择全碳化硅功率模块“BSMxxxD1xPxCxxx/Exxx/Gxxx(1200-1700V/80-600A/Half-Bridge)BSMxxxD1xPxCxxx/Exxx/Gxxx(1200-1700V/80-600A/Half-Bridge)”,实现双有源桥谐振变换器(绝缘双向DC-DC)。

罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

  • 针对充电桩二次电源系统的解决方案

    针对充电桩系统中的二次部分(控制器,驱动部分),罗姆也有非常多的产品可供选择,其中在电源方面,有电源树形式的提案,从HV-DCDC到DCDC或LDO。

罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

    罗姆推出了高耐压、大电流、内置MOSFET的降压型DC/DC转换器IC“BD9G500EFJ-LA”,既可实现小型高效,又确保即使受到雷电等突发性浪涌电压也不会损坏;同时以大电流支持更多的功能。

    新产品是非隔离型DC/DC转换器IC,采用BiCDMOS高耐压工艺,可提供先进工业设备所需的电源功能。适用于48V电源系统,具有超高的80V耐压,安全工作范围更宽,与同等输出电流的普通产品相比,耐压提高了约20%。其足够的余量可以应对突发性浪涌电压,有助于提高应用的可靠性。

    此外,还实现了耐压60V以上DC/DC转换器IC中超高的5A最大输出电流,有助于实现更多功能的小型化充电桩。另外,内置低损耗MOSFET可在2A至5A宽输出电流范围内实现高达85%的功率转换效率,更加节能。

罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

    助客户研发一臂之力

    在客户开发流程的各个阶段,罗姆提供全方位的应用支持,包括器件选型、电路设计、电路验证,到基板设计和实机验证。罗姆还特别针对客户在产品设计中比较花费工夫的3项技术提供重点支持:

    ·热设计支持

    通过包括印刷板在内的热模拟,可以在PCB发板之前验证热设计。如果发生热问题,可以通过实测和模拟提出改进建议。

    ·EMC(噪音)设计支持

    在构想、设计、试制阶段,由支持过众多客户、有丰富经验的工程师进行分析,支持客户解决EMC问题。

    ·仿真技术支持

    客户可以利用罗姆官网上的仿真工具ROHM Solution Simulator简单轻松地进行电路仿真和系统验证。在接近实际环境的解决方案电路中,同时验证碳化硅功率元器件和驱动IC,从而显著缩短应用开发周期。

    绿色,“充”向未来

    作为全球功率半导体特别是碳化硅技术创新的领导者之一,罗姆持续提供安全可靠的功率半导体解决方案,来满足各种场景电动汽车充电需求。未来,罗姆将积极推动技术创新,为构建绿色、智能、安全的充电生态提供更多安全可靠的充电解决方案,助力全面低碳社会的可持续发展。

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罗姆将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026
  中国上海,2026年6月18日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,将于7月1日~3日参加2026慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai 2026)。届时,罗姆将在上海新国际博览中心N4馆500号展位,集中展示其面向AI服务器、车载及工业设备等领域的多元化产品与解决方案,以及丰富的应用案例。  当前,AI算力基础设施、新能源汽车和工业智能化正在推动电子系统向更高功率密度、更高能效和更高 可靠性方向演进。尤其是在AI服务器和数据中心领域,电源架构正面临大功率、高效率和系统级优化的多重 挑战;在汽车电子领域,智能座舱、ADAS和车载高速通信对电源管理与信号传输提出了更高要求;在工业设备领域,小型化、高效率和稳定运行同样成为电源系统升级的重要方向。  面对这些产业趋势,罗姆依托功率半导体和模拟半导体领域的技术积累,不仅提供丰富的硅功率元器 件,还持续推进SiC、GaN等宽禁带半导体产品布局,为AI服务器、汽车电子和工业设备等应用提供高效率、 高可靠性的产品支持。  在本次electronica Shanghai 2026上,罗姆将设立AI服务器、车载、工业设备及应用案例四大展区,通过展示以下产品和解决方案,全方位呈现在半导体领域的综合技术实力。AI服务器:面向下一代数据中心电源架构提供高效支持  下一代AI服务器的配置  涵盖Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN及模块产品在高压直流(HVDC)与50V电源机架中的应用。  适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET  采用8mm×8mm小型封装,兼具更宽SOA范围和更低导通电阻,可满足AI服务器电源热插拔电路对可  靠性和低损耗的要求,并已被全球知名云平台企业认证为推荐器件。  第5代SiC MOSFET  采用优化的器件结构与制造工艺,在高温(Tj=175℃)下,导通电阻比第4代降低约30%,适用于xEV2 / 2  牵引逆变器及AI服务器电源等大功率应用,计划2026年7月起提供样品。  具备业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT  实现业界超低开关损耗和10µsec超高短路耐受能力,助力车载电动压缩机和工业设备逆变器等应用提升效率与可靠性。车载应用:助力智能座舱与ADAS系统发展  面向SoC的PMIC  罗姆与芯驰联合开发的车载SoC“X9SP”参考设计。该参考设计配备罗姆的PMIC,符合ISO 26262及  ASIL-B功能安全等级,可为中高端智能座舱系统提供稳定、高效的电源管理支持。  用于汽车多屏显示器的SerDes IC  支持成对双向高速长距离通信,适用于车载信息娱乐系统和ADAS的高速通信需求。  搭载SiC模块的三相逆变器参考设计  覆盖5kW~100kW输出功率,提供完整设计数据,可大幅缩减实际设备评估周期。工业设备:以GaN与AC/DC转换器推动高效电源升级  650V 耐压GaN HEMT  罗姆的EcoGaN™系列产品——650V耐压GaN HEMT,已被应用于AI服务器电源等领域,推动工业设 备更广泛领域的电源小型化和效率提升。  AC/DC用PWM方式DC/DC转换器  面向各类带AC输入接口的工业设备提供可靠的电源解决方案,支持绝缘/非绝缘设计,可帮助客户轻松实现低功耗、高效率、低EMI的电源设计。  此外,罗姆还将设立应用案例展区,集中展示先进产品在实际场景中的应用成果,通过系统化的方案演示,让观众更直观地了解罗姆技术从器件到系统的落地价值。  【展会信息】  时 间 :2026年7月1日(周三)~3日(周五)09:00~17:00 (3日观众开放时间截止到16:00)  会 场 :上海新国际博览中心N4馆  展位号: N4馆500号  地 址 :上海市浦东新区龙阳路2345号  <关于electronica Shanghai 2026(慕尼黑上海电子展)>  慕尼黑上海电子展是电子行业重要盛会。走过了20个年头,展会已成为带领未来电子科技的创新平台。慕尼黑上海电子展将呈现更为丰富的展示形式和多样化的行业主题,引入更多垂直领域的应用技术解决方案,聚焦新能源汽车、智能汽车、绿色能源、智能工厂、物联网+、智能可穿戴、工业互联网、无线通信、数据中心、智能家居等行业热点。同时也为观众与展商提供了技术交流的专业平台,共同见证全球电子产业发展趋势。
2026-06-18 14:38 reading:336
方案速览 | 罗姆助力多个应用场景性能升级
  随着汽车领域车载系统的迭代升级以及工业设备中机器人技术等对感测精度的要求不断提升,市场对能够精确处理微小电压信号的运算放大器需求正快速增长,这就要求运算放大器具备输入失调电压、噪声、压摆率等主要特性的均衡表现。同时在边缘计算领域,各类设备对基于AI技术的状态监控和劣化预测功能的需求不断增长。另外在电机驱动应用中,三相电机驱动器长期面临“抑制功耗”与“降低噪声”此消彼长的权衡难题。  针对这些需求,罗姆不断推出相应产品及解决方案,为不同场景应用提供支持。本文为各位工程师整理了罗姆近期推出的相关产品,方便您查看。  1.高性能运算放大器  罗姆的TLRx728系列与BD728x系列共17款高性能CMOS运算放大器。该产品系列适用于车载设备、工业设备及消费电子设备等众多领域。出色地兼顾了低输入失调电压、低噪声及高压摆率,通过丰富的产品阵容可为用户提供便捷的选型体验。另外,该产品支持轨到轨输入输出,能够充分利用电源电压范围,因此可确保更宽的动态范围。  当这些经过精密放大的高质量模拟信号被采集后,下一个关键问题是如何在本地对其进行实时分析与决策,尤其是在网络受限或需要低延迟响应的场景中。这正是边缘AI技术发挥核心价值的地方。  2.完全独立型AI解决方案“Solist-AI™”  该方案主要由配备罗姆自有AI处理专用硬件加速器“AxlCORE-ODL”的Solist-AI™微控制器,以及支持系统引入的专用实用软件构成,具有“独立AI工作”、“设备端学习和增量训练”以及“同时执行AI以外的处理”的特点。  当边缘AI做出决策后,需要驱动执行模块来响应。在各类执行机构中,电机是最常见且能耗最高的部件之一。接下来要考虑的是,如何让电机在响应指令的同时,兼顾高效与低噪,成为整个链路中不可忽视的关键环节。  3.三相无刷直流电机驱动器IC  适用于中等耐压系统(12V~48V系统)的三相无刷直流电机驱动器IC“BD67871MWV-Z”。该产品采用罗姆自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”,能够高速感测来自FET的电压信息,并实时进行栅极控制。  采用这种控制方式,不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量,同时还抑制了振铃的产生,实现了低EMI特性。经实际电机验证,与罗姆以往的恒流驱动产品相比,该产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外,该产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形式(UQFN28)和引脚排列,有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。
2026-06-11 10:13 reading:360
罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~
2026-06-03 10:41 reading:600
罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
  中国上海,2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及,AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进,在这种背景下,罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。  随着生成式AI的普及,GPU的性能不断提升,数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题,相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中,为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据,以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。  此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”,配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性,具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能,即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。  另外,在下一代800VDC供电架构中,由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V,因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。  下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统,要能够在发生异常时,以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求,兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件,作为电力控制核心的关键器件备受期待。  罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展,不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时,通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案,为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。  <关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系,目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。  EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  <相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能,以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接:  ・应用笔记:第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点  ・应用笔记:第4代SiC MOSFET使用时的应用优势  ・白皮书:ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案  ・访谈文章:数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
2026-05-28 09:23 reading:501
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