兆易创新荣获全球电子成就奖之“年度存储器产品”和“年度微控制器/接口”奖项-Ameya360 electronic components purchasing network

兆易创新荣获全球电子成就奖之“年度存储器产品”和“年度微控制器/接口”奖项

Release time：2022-12-01

author：Ameya360

source：网络

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　　中国北京（2022年11月11日）— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）宣布，在由电子行业资深媒体ASPENCORE举办的“全球双峰会暨全球电子成就奖”颁奖典礼上，旗下GD5F1GM7系列1Gb SPI NAND Flash荣获“年度存储器产品”奖；GD32F470系列MCU荣获“年度微控制器/接口”奖。

　　“全球电子成就奖”旨在聚焦领先科技，推动全球范围内的电子产业技术革新。此番一举斩获两项产品类大奖，既是业内对兆易创新卓越研发能力的充分表彰，更是行业对公司产品技术在创新性、实用性方面的双重认可。

　　GD5F1GM7 1Gb SPI NAND Flash作为兆易创新的重磅产品之一，它采用24nm工艺制程，可以达到5万次擦写和10年的数据保持时间，并且内置了8bit ECC算法用于监测和纠正数据错误，进一步提高了产品的可靠性。该系列包含3.3V和1.8V两种电压器件，支持高速133MHz/104MHz时钟频率，支持DTR，并提供更小尺寸的WSON8 6x5mm封装，为物联网、网通、安防、穿戴类设备及其他消费类产品提供大容量且兼具成本优势的解决方案。

兆易创新荣获全球电子成就奖之“年度存储器产品”和“年度微控制器/接口”奖项

　　GD32F470系列MCU是GD32产品家族的旗舰系列，其基于Arm Cortex-M4内核，主频高达240MHz，可支持算法复杂度更高的嵌入式应用，并具备更快速的实时处理能力。在设计方面，GD32F470配备了512KB到3072KB片上Flash，256KB到768KB的SRAM，具备业界领先的大容量存储优势。在制造工艺方面，此MCU采用40nm工艺制程，可以降低动态和静态功耗，从而有效延长电池供电系统的使用时间。另外，GD32F470系列继承了GD32F4系列丰富的通信接口和增强型安全功能，与现有GD32F4系列产品完全兼容，支持开发者在现有设计上实现无缝切换，能够轻松推动高端应用转换和研发升级。面向用户差异化的开发需求，GD32F470系列可广泛应用于云服务器、工业控制、电机变频、图形显示、安防监控、传感器网络、无人机、机器人、物联网等创新领域。

兆易创新荣获全球电子成就奖之“年度存储器产品”和“年度微控制器/接口”奖项

　　创新是企业的立足之本，更是推动公司向前发展的第一动力。兆易创新已连续多年荣登“全球电子成就奖”榜单，产品的新颖性、卓越性与和突破性有目共睹。未来，公司还将延续这一理念，持续不断的为客户提供高质量的产品和服务。

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初学者必看:存储器基础知识汇总

　　RAM　　Random-Access-Memory,随机存储存储器，可读可写，分为SRAM和DRAM，即静态随机存储器和动态随机存储器，理解上静动态主要体现是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否则数据将丢失;SRAM的效率较好，而成本较高，通常将SRAM作为cache使用。　　PSRAM　　Pseudo static random access memory，伪SRAM伪随机存储器，内部和DRAM相似，接口和SRAM相似，具有自刷新功能，不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。　　单\双端口RAM　　单端口RAM同一时刻，只能满足读或写某一动作，而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写控制等，可以同时进行两个操作，当然为避免冲突，存在一定的仲裁控制，成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口，单一个端口只读，另一个端口只能写。　　ROM　　Read-Only-Memory,只读存储器，通常使用时一次写好，使用时只能进行读操作，而不能进行写操作。　　CACHE　　高速缓冲存储器，由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢，增加的一级缓冲存储空间，当需要处理器需要访问内存某一块区域时，先缓存cache中，处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。　　TCM　　Tightly-Coupled-Memory 紧密耦合(链接)的存储器，是指和处理器链接紧密,基本可以看做和CACHE同一等级连接的存储空间(印象中ARM结构上和L2 CACHE同一层次)，其存储空间的内容不会像CACHE处理一样经常替换。　　EEPROM　　Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器，掉电非易失的存储芯片，在特殊高电压模式下可以插写，普通模式下只读ROM。　　FLASH　　闪存，和EEPROM一样可擦除可重写，差别EEPROM总是按字节操作，FLASH可以按照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash，Nor-flash可以按照字节读取，而NandFlash只能按块读取，两者同样可以按照字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线，成本比Nand-Flash高，而其可擦写次数低于NAND FLASH,一般嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。　　对于FLASH的读取总线可以有I2C、SPI串行型，也可以采用并行Parallel;同样Flash可以和处理器集成在一起或是通过总线外部访问。　　eMMC　　embedded multi media card，集成了NAND FLASH和控制部分的集成电路，提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的使用接口。　　硬盘　　传统硬盘采用磁材料作为存储介质，固态硬盘使用FLASH，访问速度性能较好。

2024-03-20 11:23 reading：904

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