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意法半导体推出创新的、带有可改变存储配置存储器的车规微<span style='color:red'>控制器</span>解决方案，确保满足下一代汽车的未来需求

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意法半导体推出创新的、带有可改变存储配置存储器的车规微控制器解决方案，确保满足下一代汽车的未来需求

　　◆ 新推出的Stellar微控制器内置了xMemory技术，它为正在发展的软件定义汽车以及不断进化的电动汽车架构提供了一个更为简单且具有更强可扩展性的计算平台。　　◆ 可改变存储配置让汽车厂商能够不断开发创新应用，包括更多需要大容量内存的人工智能应用。　　◆ xMemory基于意法半导体专有相变存储器(PCM)技术，2025年底投产。　　意法半导体(简称ST)推出内置xMemory的Stellar车规级微控制器。xMemory是Stellar系列汽车微控制器内置的新一代可改变存储配置的存储器，可彻底改变开发软件定义汽车(SDV)和升级电动汽车平台的艰难过程。　　不同于因需要不同存储容量而使用多个不同芯片从而引发不同芯片相关的开发和测试成本，内置xMemory的Stellar微控制器是当前市场首款可改变存储配置的创新产品，为客户提供了高能效和高性价比的解决方案。采用从一开始就简化的方法，汽车制造商能够使他们的汽车设计更具前瞻性。这种方法不仅在开发周期的后期为创新提供了更大的空间，还有助于降低开发成本，并通过简化供应链流程来加快产品的上市时间。Stellar P6 MCU是首款采用xMemory的Stellar微控制器，主要用于电动汽车的电驱系统新趋势和架构，计划将于2025年底投产。　　意法半导体产品部副总裁兼通用和汽车微控制器部门总经理Luca Rodeschini表示：“ST为汽车市场开发出了存储单元很小的终极存储器技术，可满足汽车应用对更大内存的无尽需求。内置xMemory的Stellar将为汽车制造商简化未来汽车架构，优化成本效益，并大大缩短产品开发时间。这种创新解决方案让相同的硬件提供原有的基础设施和功能，并为持续不断的产品创新预留充足的内存空间，让汽车制造商安心地推出数字化和电动化创新技术，保持市场领先地位，延长汽车的生命周期。”　　博世副总裁Axel Aue表示：“通过嵌入相变存储器(PCM)技术，Stellar提供了一种稳健、灵活的存储器概念，可用于开发高性能、适应性强的汽车微控制器。相较于其他存储器技术，例如，RRAM和MRAM，PCM技术的应用优势更强。”　　Moor Insights&Strategy首席分析师Anshel Sag表示：“通过选择Stellar xMemory这样的可扩展MCU，工程师不必为支持新的软件功能，花费昂贵的成本重新设计硬件。无论是在开发早期还是发布后的OTA更新过程中，随着软件代码量不断增加，同一平台可以现场升级，从而显著缩短了产品上市时间和维护成本。像Stellar这样采用xMemory的解决方案还能简化物流流程，提高物料清单效率。”　　工作原理　　汽车制造商需要无缝集成软硬件，最大限度地提高软硬件跨平台二次使用率，延长汽车生命周期，并增强数字化功能。随着汽车行业不断推出新功能、新法规和对内存容量需求很大的人工智能和机器学习应用，以及无线(OTA)更新功能，软件变得日益复杂，内存容量成为汽车发展的瓶颈。为解决这一挑战，意法半导体的xMemory存储技术可以在开发阶段或车辆使用过程中扩大内存容量，让汽车应用程序更新升级不再受内存空间的限制。　　在软件定义汽车生命周期开始阶段选择正确的MCU，可确保微控制器能够为未来的软件开发提供充足的存储空间。选择存储容量过高的芯片会增加成本，而选择存储容量过低的芯片则可能需要后期寻找存储空间更大的MCU，并重新测试，从而增加了开发复杂性、成本和时间。内置xMemory的Stellar MCUs的价格具有竞争力，可以节省更多成本，简化OEM供应链，并延长产品寿命，最大限度扩大跨项目二次使用率，缩短检测时间，从而加快产品上市。　　PCM相变存储器和Stellar技术说明：　　ST一直处于汽车MCU从闪存向嵌入式非易失性存储器(eNVM)技术过渡的前沿，推出了首个车规28nm eNVM技术，同时这也是xMemory的核心技术。与RRAM、MRAM、闪存等NVM技术相比，ST的嵌入式相变存储器(ePCM)在能效、性能、面积(PPA)指标上表现更好。　　PCM拥有业界最小的eNVM存储单元，18nm和28nm PCM的存储密度是其他技术的两倍。　　即将推出的基于Arm®处理器的Stellar P和G两大系列MCU将集成新一代PCM技术。Stellar产品家族是为汽车应用专门设计，可简化车辆电气架构，提高能效、灵活性和安全性。产品组合包括用于中央域控制器、域控制器和车身控制的Stellar Integration MCU(Stellar P和Stellar G系列)，它们整合了多个独立通信和控制ECU功能，还有一个针对电动汽车电驱模块电源转换器控制优化的Stellar Electrification MCU(Stellar E系列)。

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发布时间：2025-05-09 13:35 阅读量：320 继续阅读>>

上海贝岭70V 5mΩ SGT MOSFET BLP05N07 赋能新国标电动自行车<span style='color:red'>控制器</span>

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上海贝岭70V 5mΩ SGT MOSFET BLP05N07 赋能新国标电动自行车控制器

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发布时间：2025-05-09 10:07 阅读量：484 继续阅读>>

海凌科：WiFi 远程开关<span style='color:red'>控制器</span>RW01全新升级支持私有云控制

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海凌科：WiFi 远程开关控制器RW01全新升级支持私有云控制

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发布时间：2025-04-09 09:17 阅读量：352 继续阅读>>

从GaN 到 SiC, 茂睿芯<span style='color:red'>控制器</span>释放宽禁带半导体潜能

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从GaN 到 SiC, 茂睿芯控制器释放宽禁带半导体潜能

　　2025年3月28日，茂睿芯受邀参加充电头网在前海国际会议中心举办的2025(春季)亚洲充电展。茂睿芯华南区应用经理梁潮裕先生参加了同期举办的2025亚洲充电大会，并在现场带来了主题为《666：从GaN到SiC, 茂睿芯控制器释放宽禁带半导体潜能》的演讲。演讲主题中的3个6为茂睿芯即将推出的3款以6结尾新品：MK2706、MK2606S和MK1206H，此次演讲重点介绍了这3款产品的特点、优势以及实际测试效果。　　MK2706是一款集成700V/170mΩ的氮化镓功率管AC/DC产品，采用了全新GaNControlTM技术，能做到Current Sense 无采样电阻损耗，采用小环路+miller钳位的方式达成安全驱动，以及主动SR短路保护提高可靠性，并且能省去4颗个1206采样电阻，低压90V转换效率能提升0.3~0.4%，真正为客户做到省钱、省损耗、省心!　　MK2606S是截至目前为止，国内首发推出的小6pin直驱SiC的QR反激控制器，SiC本身具备高可靠性、高功率密度、高效率和耐高温的特点，MK2606能省去额外的SiC驱动器和驱动电路，具备全程QR/DCM以进一步提升转换效率、管脚抗扰加强能适用工业恶劣场景等产品优势。　　MK1206H是茂睿芯针对PD应用低电压做的一款5.1A大电流SR同步整流芯片，支持65W PD应用，助力多口充市场，可放置在输出正端或负端，支持CCM/DCM/QR、<500kHz频率、低至 3V 输出电压(自供电)，MK1206H能做到10ns极低关断延迟和4A关断电流，使得Vds应力尖峰电压能做得更低，同时具备25ns快速开通延迟进一步提升系统转换效率，适用于USB-PD快充、适配器及多口插排等应用场景。　　自2017年成立之初以来，茂睿芯始终坚持自主研发和创新驱动的开发理念，持续聚焦PD快充、工业电源等场景，打造了系列一站式解决方案的高性能模拟芯片产品，目前产品已覆盖消费电子、工业与算力及汽车电子等应用场景。

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茂睿芯

发布时间：2025-04-03 17:35 阅读量：469 继续阅读>>

极海半导体：极海G32R501总线型高压伺服<span style='color:red'>控制器</span>参考方案

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极海半导体：极海G32R501总线型高压伺服控制器参考方案

　　高压伺服控制器是一种高精度电子装置，用来控制高压伺服电机的位置、速度和力矩，可确保工业机器人、数控机床、喷绘写真、激光切割以及自动化生产线等设备实现高精度运动定位控制。其通过提供高效性能、快速响应、优化能量转换效率，保障伺服系统稳定可靠运行，有助于推动智能制造和工业4.0的转型与升级。　　随着工业自动化的持续发展以及技术创新和行业应用的不断拓展，高压伺服控制器的市场前景广阔。未来几年，高压伺服控制器将继续沿着高效化、智能化、数字化方向演进，成为推动工业自动化智能转型的重要力量，展现出强劲的增长潜力和市场活力。　　极海400W EtherCAT总线型高压伺服控制器参考方案，主控芯片采用全新发布的G32R501高性能实时控制MCU，具备灵敏感知、高效运算、精准控制等特性;整体方案采用双核并行处理架构设计和开放式伺服全功能设计，同时支持上位机ModBus协议和EtherCAT总线协议，提供配套的上位机参数调试工具，可灵活配置400余项伺服参数，有效满足各类定制化工业应用场景需求。　　400W EtherCAT总线型高压伺服控制器参考方案介绍　　■ 输入电源范围：单相AC 200V~240V, -10%~+10%, 50/60Hz;　　■ 额定输出电流：3.0Arms，最大电流输出：9.0Arms;　　■ 速度范围：±7000rpm，支持弱磁算法;　　■ 转速精度：额定转速下可达1‰左右;　　■ 支持三环闭环控制和电机参数静态辨识，电机参数通过总线获取，PID参数与电机参数相关联，可适配不同电机;　　■ 支持多种编码器协议，支持协议握手，可兼容不同波特率编码器;　　■ 支持EC总线功能，可通过主站进行位置控制;　　■ 多种控制模式：外部脉冲位置控制、JOG控制、全闭环位置控制、速度控制、力矩控制;　　■ 丰富报警代码：过压/欠压/过流/过载/过热/过速、主电源输入缺相、再生制动状态异常、位置偏差/制动率过大、编码器反馈错误、行程超限、EEPROM 错误等。　　G32R501实时控制MCU特点　　■ 单芯片方案，基于Cortex-M52双核架构，主频250MHz，通过CPU0处理位置环、速度环、I/O状态、以及协议处理;通过CPU1处理位置通信、电流环以及PWM输出;　　■ 通过3路PWM模块产生3组互补PWM信号输出，实现高精度电机矢量控制;　　■ 4个Σ-Δ滤波器模块(SDF)，通过2路SDF采样两路相电流信号数字量，提升电流信号的精确度、响应效率以及信噪比;　　■ 2个UART，1路实现总线编码器通讯，并预留兼容脉冲型编码器的设计;1路支持与上位机的数据交互;　　■ 2个SPI，1路与EtherCAT从站芯片高效通信，实现EtherCAT总线控制;1路实现按键面板显示;　　■ 1个I2C，实现外部EEPROM通讯，存储伺服关键参数;　　■ 丰富输入输出端口，满足多种控制信号输入或状态输出，提升方案的多场景适用性。　　极海G32R501 400W EtherCAT总线型高压伺服控制器量产级参考方案，涵盖完整的软硬件设计，可提供全功能软件固件和极海自研的伺服控制上位机PC调试工具，支持参数设置、JOG调试、故障排查、波形分析等功能;方案配有详细使用指南，方便工程师快速进行上手使用、性能评估以及二次开发。

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发布时间：2025-03-04 14:49 阅读量：459 继续阅读>>

荣湃推出理想二极管<span style='color:red'>控制器</span>Pai8150x系列

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荣湃推出理想二极管控制器Pai8150x系列

　　荣湃半导体发布全新Pai8150x系列理想二极管控制器，该系列控制器凭借卓越的性能和创新设计，在降低系统功耗、提升效率方面表现优异。Pai8150x系列结合外部NMOS器件，不仅能够显著降低传统PN结二极管或肖特基二极管的正向压降和功率损耗，还能提供出色电池反向保护和反向电流阻断功能，对电池管理应用提供了强有力的支持。　　电池反向保护和反向电流阻断　　汽车供电系统设计时，低压电池包直供的模块或者子系统的输入侧，需要器件提供电池反向保护、多数还需要提供反向电流阻断功能。反向保护与反向电流阻断是两个概念，常见以PMOS实现防反(图1)，其无法阻止电流从输出侧回流到输入侧。在冗余安全供电(ORing)应用中，反向电流阻断是必备功能。　　实现防反与反向电流阻断的简单方法是电源输入端串接肖特基二极管。图2展示以二极管实现冗余供电。当VIN1异常跌落，VIN2会接管供电，D1导通，D2截至，反之亦然，电源切换过程中，无VIN1与VIN2之间的电流路径。常用的工业系统、电信服务器、存储和基础设施设备均需实现冗余供电。在小功率场景中，二极管简单成本低，但随功率增大，二极管压降会导致严重的功率损失。　　荣湃理想二极管Pai8150x系列　　荣湃新推出的理想二极管控制器，Pai8150x系列，其控制外部NMOS模拟二极管行为，正向导通时，打开NMOS沟道，降低正向导通压降，同时检测输入输出电压，当存在反向电流时，关闭NMOS沟道，实现反向电流截止和电池反向保护功能，其成品面积小，能够有效节省空间。Pai8150x系列引脚配置如图3。引脚功能描述如表1。　　Pai8150C典型应用框图如图4, EN为使能引脚, SW用于电池电压监控, 当EN=High, SW=ANODE, 当EN=Low, SW浮空, 降低采样功耗。Pai8150x内部集成电荷泵, 当VBAT>VOUT+50mV, GATE拉高, 驱动外部NMOS全导通。当VOUT-11mV>VBAT, GATE OFF, NMOS关断。以上两种状态以外, GATE处于闭环调节状态(Regulation Conduction Mode), 在不同负载条件下,环路目标为VBAT-VOUT=20mV。工作状态参考图5。Regulation状态作用在于, 即使微弱反向电流, 环路也会使GATE电压降低, 最终实现反向电流截止。　　Pai8150x系列的关键参数，均达到国际领先水平。　　Pai8150x关键参数　　理想二极管控制器Pai8150x系列产品可广泛应用于汽车电子和工业控制等领域。在汽车电子方面，该系列控制器可用于ADAS域控以及Camera，Cockpit，USB，TCU等模块，在工业控制领域，该系列产品同样适用于医疗成像，基站等多种场景。

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荣湃

发布时间：2025-03-03 15:03 阅读量：586 继续阅读>>

极海半导体：极海G32R501总线型高压伺服<span style='color:red'>控制器</span>参考方案，加速工业自动化系统转型升级

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极海半导体：极海G32R501总线型高压伺服控制器参考方案，加速工业自动化系统转型升级

　　高压伺服控制器是一种高精度电子装置，用来控制高压伺服电机的位置、速度和力矩，可确保工业机器人、数控机床、喷绘写真、激光切割以及自动化生产线等设备实现高精度运动定位控制。其通过提供高效性能、快速响应、优化能量转换效率，保障伺服系统稳定可靠运行，有助于推动智能制造和工业4.0的转型与升级。　　随着工业自动化的持续发展以及技术创新和行业应用的不断拓展，高压伺服控制器的市场前景广阔。未来几年，高压伺服控制器将继续沿着高效化、智能化、数字化方向演进，成为推动工业自动化智能转型的重要力量，展现出强劲的增长潜力和市场活力。　　极海半导体的极海400W EtherCAT总线型高压伺服控制器参考方案，主控芯片采用全新发布的G32R501高性能实时控制MCU，具备灵敏感知、高效运算、精准控制等特性;整体方案采用双核并行处理架构设计和开放式伺服全功能设计，同时支持上位机ModBus协议和EtherCAT总线协议，提供配套的上位机参数调试工具，可灵活配置400余项伺服参数，有效满足各类定制化工业应用场景需求。　　400W EtherCAT总线型高压伺服控制器参考方案介绍　　■ 输入电源范围：单相AC 200V~240V, -10%~+10%, 50/60Hz;　　■ 额定输出电流：3.0Arms，最大电流输出：9.0Arms;　　■ 速度范围：±7000rpm，支持弱磁算法;　　■ 转速精度：额定转速下可达1‰左右;　　■ 支持三环闭环控制和电机参数静态辨识，电机参数通过总线获取，PID参数与电机参数相关联，可适配不同电机;　　■ 支持多种编码器协议，支持协议握手，可兼容不同波特率编码器;　　■ 支持EC总线功能，可通过主站进行位置控制;　　■ 多种控制模式：外部脉冲位置控制、JOG控制、全闭环位置控制、速度控制、力矩控制;　　■ 丰富报警代码：过压/欠压/过流/过载/过热/过速、主电源输入缺相、再生制动状态异常、位置偏差/制动率过大、编码器反馈错误、行程超限、EEPROM 错误等。　　G32R501实时控制MCU特点　　■ 单芯片方案，基于Cortex-M52双核架构，主频250MHz，通过CPU0处理位置环、速度环、I/O状态、以及协议处理;通过CPU1处理位置通信、电流环以及PWM输出;　　■ 通过3路PWM模块产生3组互补PWM信号输出，实现高精度电机矢量控制;　　■ 4个Σ-Δ滤波器模块(SDF)，通过2路SDF采样两路相电流信号数字量，提升电流信号的精确度、响应效率以及信噪比;　　■ 2个UART，1路实现总线编码器通讯，并预留兼容脉冲型编码器的设计;1路支持与上位机的数据交互;　　■ 2个SPI，1路与EtherCAT从站芯片高效通信，实现EtherCAT总线控制;1路实现按键面板显示;　　■ 1个I2C，实现外部EEPROM通讯，存储伺服关键参数;　　■ 丰富输入输出端口，满足多种控制信号输入或状态输出，提升方案的多场景适用性。　　软硬件介绍　　G32R501 400W EtherCAT总线型高压伺服控制器参考方案，由功率板、控制板、按键显示板组成。　　采用三环级联模式的软件设计：　　■ 位置环：给定来自外部脉冲、总线、I/O控制;位置反馈来自外部总线编码器;　　■ 速度环：给定来自位置环的输出，也接受来自外部模拟量或多段速的给定，一般速度环带宽不超过 400Hz;速度反馈来自编码器位置解算;　　■ 电流环：给定来自速度环的输出，电流反馈由SDF模块采样获得，执行周期选为62.5μs。　　G32R501 400W EtherCAT总线型高压伺服控制器量产级参考方案，采用双核并行处理设计架构，其中CPU0中断处理时间低至13.6μs，CPU1中断处理时间低至8.6μs，可支持客户实现更高性能、更丰富功能的产品设计。　　极海G32R501 400W EtherCAT总线型高压伺服控制器量产级参考方案，涵盖完整的软硬件设计，可提供全功能软件固件和极海自研的伺服控制上位机PC调试工具，支持参数设置、JOG调试、故障排查、波形分析等功能;方案配有详细使用指南，方便工程师快速进行上手使用、性能评估以及二次开发。　　极海始终秉承创新为魂、技术为本的发展理念，专注于为工业控制领域提供领先的量产级参考方案和全面且高效的技术支持，旨在为广大工程师和研发团队提供强大的创新动力。在工业自动化浪潮中，极海将矢志不渝地推动技术创新与突破，愿携手业界同仁共同谱写智能制造新篇章。

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发布时间：2025-02-27 15:38 阅读量：412 继续阅读>>

永铭电子：突破人形机器人<span style='color:red'>控制器</span>性能瓶颈：高效稳定的电容器解决方案

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永铭电子：突破人形机器人控制器性能瓶颈：高效稳定的电容器解决方案

　　在人形机器人的精密世界中，每一个微小的部件都承担着重要的角色。控制器，作为机器人的“大脑”，其稳定性和可靠性对于整个系统的性能至关重要。控制器不仅需要处理复杂的算法和信号，还要精确地指挥机器人的运动和操作，包括但不限于路径规划、速度控制、精确定位等。而控制器中的微小元器件，是保障人形机器人控制器稳定性和可靠性的关键组件。　　高分子固态铝电解电容器解决方案　　01、超低ESR　　人形机器人控制器在运行过程中会面临高速、复杂动作的电流波动，尤其是在执行高频率、高负载的运动时，控制器需要及时响应这些电流波动，确保电源供应的稳定性。传统电容在面对这种波动时，可能因高ESR而导致能量损耗，影响系统性能。高分子固态铝电解电容器的超低ESR特性能够显著减少能量损耗，使电容快速稳定地响应电流变化，提供稳定的电源供应，确保机器人控制系统始终维持最佳性能。　　02、高容许纹波电流　　人形机器人在执行各种动作时，尤其是在快速启动、停止或者转向时，控制器会经历瞬时高电流波动。传统电容可能因为无法承受过大的电流而发生损坏，导致系统故障。高分子固态铝电解电容器具备高容许波电流的优势，帮助机器人控制器在复杂动态环境下保持稳定的电源供应，可以在电流波动较大的情况下，快速响应并稳定供应电力，避免电容过载导致的损坏。　　03、小体积大容量　　机器人控制器通常需要在有限的空间内装载高容量电容，以提供足够的电能支持。高分子固态铝电解电容器以小体积、大容量为特点极大地优化了机器人控制器的设计空间，为紧凑型机器人提供了足够的电能支持，同时避免了体积和重量上的负担。　　04、选型推荐　　液态贴片型铝电解电容器解决方案　　01小体积大容量　　人形机器人对空间和重量的要求日益严格。液态贴片型铝电解电容器的小型化特点，有效减少了电源模块的尺寸和重量。优化机器人整体设计的同时，还减轻了机器人本身的负担。在快速启动或负载变化时，液态贴片型铝电解电容器的高容量化特点，能够提供充足的电流储备，避免因电源不足导致的控制系统响应延迟或失效，从而提高机器人的控制精度和运行稳定性。　　02低阻抗　　液态贴片型铝电解电容器能够有效减少电源电路中的能量损耗，保证电能高效传输。这优化了电源系统的响应速度，增强了控制器的实时性和稳定性，尤其在负载波动较大的情况下，能更好地应对复杂的控制需求。　　03耐大纹波电流　　人形机器人在高速运动和精确控制时，控制器的电源常常会遇到大电流纹波。液态贴片型铝电解电容器能够承受大幅度的电流波动，有效避免由于电流波动带来的不稳定性，确保控制器电源在高负载下仍能稳定运行，从而优化机器人系统的稳定性和可靠性。　　04超长寿命　　液态贴片型铝电解电容器以其超长寿命，为机器人控制器提供了持久的可靠性。在105℃高温环境下，寿命可达10000小时，这意味着在各种严苛的工作条件下，电容器都能保持稳定的表现，减少了维护成本和更换频率。　　总结　　在人形机器人控制器的精密系统中，电容器的选择直接关系到机器人性能的稳定性和可靠性。永铭液态贴片型铝电解电容器&高分子固态铝电解电容器以其独特的优势，成为解决机器人控制系统面临挑战的关键组件。无论是在空间紧凑的设计中提供高容量电力，还是在负载波动较大的情况下确保电源的稳定，亦或是在高频复杂动作中保证快速响应，这些电容器都能满足机器人控制器对电源稳定性、可靠性和高效能量传输的严格要求。

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永铭电子

发布时间：2025-02-27 13:41 阅读量：381 继续阅读>>

意法半导体推出可配置的车规微<span style='color:red'>控制器</span>电源管理IC

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意法半导体推出可配置的车规微控制器电源管理IC

　　适合整车通用和功能性安全应用　　意法半导体推出了一款灵活的车规电源管理芯片，新产品适用于Stellar车规微控制器等高集成度处理器，用户可以按照系统要求设置上电顺序，优调输出电压和电流值。新产品SPSB100可用于整车电气系统、区域控制单元(ZCU)、车辆控制平台(VCP)、车身控制(BCM)和网关模块。　　SPSB100配备三个开关式降压功率转换器和两个线性稳压器(LDO)，为系统微控制器提供所需的电压轨，还可以为外部外设负载和传感器供电。此外，新产品还有两个唤醒输入和高级故障安全功能。内部升压控制器可在冷启动脉冲、启/停操作和电池低电等电压瞬变情况下稳定电源电压。　　SPSB100的三个降压功率转换器都有过流检测和限流安全保护功能，内部软启动功能可预防过大的浪涌电流，其中有两个转换器可在3.3V、5V或6.5V的可选输出电压时提供高达3A的输出电流，第三个转换器可在3.3V、1.25V、1.2V、1.1V或0.98V时提供高达6A的电流。在两个LDO稳压器中，一个是5V固定输出电压，最大输出电流120mA，电压精度2%。第二个可以设置成跟随降压转换器的3.3V或5V电压。新产品还内置一个高边驱动器，提供开路负载和过流诊断功能。　　在其他功能中，内部非易失性存储器(NVM)用于存储输出电压值和上电顺序参数;SPI端口是代码烧录接口，支持控制和诊断功能，让设计人员能够将其用于需要不同电源轨和外设的多种电气平台。SPSB100具有深度睡眠模式，静态电流低于40µA。还有故障通信专用中断引脚、复位微控制器引脚、过热警告保护功能。对于必须达到ISO 26262规定的汽车安全完整性等级(ASIL)要求的功能安全应用，意法半导体均会提供相关的技术文档。　　新推出的PMIC芯片出厂配置默认会有两种，并能在后续进行全方位的配置：直接为微控制器核心供电的SPSB100B，驱动微控制器内部开关式电源的SPSB100P。

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意法半导体

发布时间：2025-02-21 16:12 阅读量：483 继续阅读>>

永铭电子：解锁无人机飞行<span style='color:red'>控制器</span>稳定的密码，高性能电容器方案是关键！

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永铭电子：解锁无人机飞行控制器稳定的密码，高性能电容器方案是关键！

　　随着无人机技术的迅猛发展，无人机已成为多个行业的重要工具，尤其在智能化和自动化的推动下，无人机将更加深入各行各业。飞行控制器作为无人机的“大脑”，它实时监控并调整无人机的飞行状态，确保飞行路径的准确性和安全性。　　飞行控制器内部的电容器不仅仅是基础元件，它的性能和质量直接影响无人机的飞行稳定性和安全性，成为实现高效控制的关键部件。　　在无人机飞行过程中，飞行控制器会经历各种动态变化，这些变化往往会导致电流和电压的波动。为了确保飞行控制器能够稳定运行，避免电流纹波对系统产生干扰，叠层高分子固态铝电解电容器在控制器中起到了关键的滤波作用，确保飞行控制器在高性能要求下能够稳定、高效运行。　　01超薄小型化：极小的体积优势使得叠层高分子固态铝电解电容器能够在飞行控制器中占据更少的空间，有助于降低飞行控制器的整体重量，提升无人机的飞行效率和续航能力。　　02低阻抗：在飞行控制器的电源系统中快速响应电流的需求，尤其在高频、高速的控制信号下，低阻抗可以显著降低能量损耗，确保系统电压的稳定性和供电的高效性。　　03高容量密度：在飞行控制器中，电容器需要快速释放大量能量以应对高负载，尤其在急速转弯或加速时。叠层高分子固态铝电解电容器的高容量密度帮助稳定电源波动，防止电力不足导致飞行不稳或失控。　　04耐大纹波电流：飞行控制器在复杂任务中常遇到电流波动和纹波，叠层高分子固态电容具有优异的纹波电流承受能力，能有效抑制电流波动，快速吸收和释放电流，防止纹波电流对飞行器的控制系统产生干扰，保证飞行过程中的信号准确性。　　选型推荐　　贴片型超级电容器　　无人机飞行控制器中的RTC时钟芯片可提供精准的时间基准，贴片型超级电容器作为RTC芯片的备用电源，在飞行控制器电源短暂中断或电压波动的情况下，快速充电和释放电能，继续为RTC时钟芯片提供稳定的电源，助力飞控记录飞行时间、控制任务执行时间节点等，确保飞行任务按计划精准执行，其应用优势如下：　　01耐宽温：贴片型超级电容器满足260°C回流焊条件，具有宽温范围耐受性，能在高海拔和极端气候条件下稳定工作。即使在温度快速变化或低温环境中，也能确保电容器可靠性，避免电源波动导致RTC芯片错误或数据失真。　　选型推荐　　高分子固态铝电解电容器在无人机飞行控制器中的应用优势主要体现在其小型化、高容量、高效能、低阻抗和大纹波电流承受能力等特点，保障飞行器在各种环境下的电源稳定性与可靠性。　　01高容量密度：在飞行控制器中，尤其是在高负载或快速动态控制时，高分子固态铝电解电容器能够有效提供高效能储能与快速释放，减少空间占用，降低系统体积和重量。　　02低阻抗：飞行控制器在工作过程中会频繁地切换操作模式，需要对输入电流进行平滑与滤波，以应对各类传感器和驱动系统对电流波动的敏感性。高分子固态铝电解电容器的低阻抗确保高频应用下电流高效传输，平滑电流波动，保障系统稳定。　　03耐大纹波电流：飞行控制器的电源系统会遇到不同频率和幅度的纹波电流，高分子固态铝电解电容器具备耐大纹波电流承受能力，能够在电流波动较大的情况下提供稳定的电流输出，避免电源系统因纹波电流过大而出现不稳定或故障。　　选型推荐　　随着无人机应用领域的不断扩展，对飞行控制器的要求也将越来越高。上海永铭将持续创新和优化各类高性能电容器，助力无人机飞行控制器性能更高效、更可靠、更稳定。

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发布时间：2025-02-12 13:35 阅读量：498 继续阅读>>

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CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
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