Ameya代理罗姆:可更大程度地提高电源IC响应性能的创新型电源技术

Release time:2023-01-12
author:Ameya360
source:网络
reading:2479

  罗姆发布了一项新型电源技术“QuiCur”,Ameya360将进行报导:利用该技术,可提高包括DC-DC转换器IC在内的各种电源IC的负载响应特性。QuiCur是根据实现了高速负载响应的ROHM自有电路“Quick Current”而命名的商标。电源电路需要具备出色的响应性能和稳定工作性能,并且为了根据输入和输出条件进行优化,还需要投入大量的工时进行相应的设计和评估。这些需求也可以说是对电源IC的基本要求,ROHM为了满足这些需求,确立了能够更大限度地追求电源IC响应性能的新技术“QuiCur”,利用该技术,可以大大减少电源电路的设计工时。

  目前,ROHM正在推动将采用“QuiCur”技术的电源IC投入市场,计划于2022年4月开始提供DC-DC转换器IC样品,于2022年7月开始提供线性稳压器样品。

Ameya代理罗姆:可更大程度地提高电源IC响应性能的创新型电源技术

Ameya代理罗姆:可更大程度地提高电源IC响应性能的创新型电源技术

  一、什么是高速负载响应技术“QuiCur”

  电源IC通过始终监测输出电压并与IC内部的基准电压比较来微调输出电压的反馈回路来让输出稳定。如果这种反馈回路的响应速度更快,就可以在短时间内收敛随着负载电流的瞬态波动而出现的输出电压波动,并使其恢复到稳定状态。然而,随着负载响应速度变得更快,反馈回路的工作就会变得不稳定,从而导致输出振荡等问题。此外,由于响应特性会随着输出电容器容量而变化,因此要想实现理想的响应性能并不是一件容易的事。

  电源电路的反馈回路的响应特性基本上取决于所用电源IC的性能,ROHM通过将此次开发的高速负载响应技术QuiCur融入电源IC,直到反馈回路不稳定区域之前,都可以实现高速响应性能。

  另外,还可以将电源IC所需的输出电容器容量降至更低,从而能够减少元器件数量和电路板安装面积。不仅如此,还可以对输出电压波动与输出电容器容量之间的关系进行线性调整(常数为负比关系),即使因电源规格的变更而导致输出电容器容量增加的情况下,也可以轻松实现预期的稳定运行。

  因此,将QuiCur技术融入到电源IC中,可以减少元器件数量并轻松实现稳定的高速响应性能,从而可以大大减少电源电路的设计工时。

  二、高速负载响应技术“QuiCur”可为客户带来的好处

  能够更大程度地提高电源电路反馈回路负载响应速度的QuiCur技术具有以下优势:

  1、可减少输出电容器数量和电路板安装面积

  QuiCur能够更大程度地提高负载响应速度,因此可以减少电源IC所需的输出电容器容量,从而可以减少元器件数量和电路板安装面积。下图是ROHM以往产品与采用QuiCur技术的DC-DC转换器之间的比较。从图中可以看出,获得近似负载响应特性所需的输出电容器容量即便多算也不到以往产品的一半(在下面的比较中仅为1/4)。

  2、即使电源规格变更也可轻松实现预期的稳定运行

  增加输出电容器容量可以稳定输出电压,但是会降低瞬态响应特性(到开始反应所需的时间)。使用QuiCur技术,即使输出电容器容量增加,也不会改变瞬态响应性能,因此可以对输出电容器容量和输出电压波动进行线性调整(常数为负比关系)。下图是输出电容器容量加倍的例子,图中显示过零频率(与响应特性有关的参数之一)不变,输出电压波动减半。因此,更容易满足削减电路板面积和改善响应特性等需求。


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罗姆面向下一代800 VDC架构发布电源解决方案白皮书
  ~为实现千兆瓦级AI基础设施的800 VDC构想提供支持~  2025年10月28日,全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,作为半导体行业引领创新的主要企业,发布基于下一代800 VDC架构的AI数据中心用的先进电源解决方案白皮书。  本白皮书作为2025年6月发布的“罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案”合作新闻中的组成部分,详细阐述了罗姆为AI基础设施中的800 VDC供电系统提供强力支持的理想电源解决方案。  800 VDC架构是高效且可扩展性强的供电系统,因其可助力实现千兆瓦级AI工厂而有望为未来数据中心设计带来革命性转变。  罗姆不仅提供硅(Si)功率元器件,还提供包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等在内的丰富的功率元器件产品群,而且是世界上少数拥有模拟IC(控制IC和电源IC,可以更大程度地激发出这些功率元器件的性能)技术开发能力的企业之一。  本白皮书不仅介绍了罗姆引以为傲的丰富的功率元器件和模拟IC技术,还介绍了热设计等各种仿真、电路板设计以及实际应用案例等综合电源解决方案。  <白皮书点击这里>  <本白皮书的要点>  在AI数据中心,每个机架的功耗激增,导致以往48V/12V的直流供电方式已接近极限。  向800 VDC架构转型,将会显著提升数据中心的效率、功率密度及可持续发展能力。  在800 VDC架构下,以往在服务器机架内进行的从交流电向直流电的转换(PSU),将改为在独立的电源机架内进行。  对于800 VDC架构而言,SiC和GaN器件不可或缺。电源机架部分的AC/DC转换单元因移至IT机架外部,使得可实现更高效率的拓扑变得尤为重要。另一方面,IT机架部分的DC/DC转换单元,为提高其 GPU集成度而采用可实现高功率密度的结构也非常重要。  在各转换单元(如从交流电向800V直流电的转换,或IT机架部分从800V直流电的降压)中,可支持 800 VDC架构的拓扑通过采用罗姆推荐的SiC和GaN器件,可实现更高效率、更低噪声及外围元器件小型化,进而使功率密度得以大幅提升。  罗姆的EcoSiC™系列产品以业界超低导通电阻著称,其产品阵容中包括适用于AI服务器的顶部散热型模块等产品,非常有助于提升功率密度。另外,罗姆的EcoGaN™系列通过融合超高速脉冲控制技术 "Nano Pulse Control™"、以及可更大程度地激发GaN性能的模拟IC技术,实现了稳定的高频控制和栅极驱动,并已在市场上获得高度好评。  向800V VDC架构的转型意义重大,需要全行业的协同合作。罗姆作为实现下一代AI工厂的重要合作伙伴,不仅持续与NVIDIA等业界领导者保持紧密协作,还将与数据中心运营商及电源制造商开展深度合作。例如,罗姆于2022年就已经与台达电子达成“电源系统用功率元器件战略合作伙伴关系”。罗姆将通过提供自身擅长的SiC和GaN等宽禁带半导体的先进技术,为构建可持续且高能效的数字化社会贡献力量。  关于EcoSiC™         EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外, ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系,已经确立了SiC领域先进企业的地位。  ・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  关于EcoGaN™         EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。  ・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  关于EcoMOS™         EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌,非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富,已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求,通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。  ・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
2025-10-28 15:07 reading:354
罗姆与英飞凌携手推进 SiC 功率器件封装兼容性,为客户带来更高灵活度
  2025 年 9 月 25 日全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布, 与英飞凌科技股份公司(总部位于德国诺伊比贝格,以下简称“英飞凌”)就建立 SiC 功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及 AI 数据中心等领域的 SiC 功率器件封装展开合作,推动彼此成为 SiC 功率器件特定封装的第二供应商。未来,用户可同时从罗姆与英飞凌采购兼容封装的产品,既能灵活满足客户的各类应用需求,亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升用户在设计与采购环节的便利性。  英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 表示:“我们很高兴能够通过与罗姆的合作进一步加速碳化硅功率器件的普及。此次合作将为客户在设计和采购流程中提供更丰富的选择与更大的灵活性,同时还有助于开发出能够推动低碳进程的高能效应用方案。”  罗姆董事兼常务执行官功率器件事业部负责人 伊野和英 表示:“罗姆的使命是为客户提供最佳解决方案。与英飞凌的合作将有助于拓展我们的解决方案组合,同时也是实现这一目标的重要一步。我们期待通过此次合作,能够在推进协同创新的同时降低复杂性,进一步提升客户满意度,共同开拓功率电子行业的未来。”英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer(左)罗姆董事兼常务执行官 伊野和英(右)  作为此次合作的一部分,罗姆将采用英飞凌创新的 SiC 顶部散热平台(包括TOLT、D-DPAK、Q- DPAK、Q-DPAK Dual 和 H-DPAK 封装)。该平台将所有封装统一为 2.3mm 的标准化高度,不仅简化设计流程、降低散热系统成本,更能有效利用基板空间,功率密度提升幅度最高可达两倍。  同时,英飞凌将采用罗姆的半桥结构 SiC 模块“DOT-247”,并开发兼容封装。这将使英飞凌新发布的 Double TO-247 IGBT 产品组合新增 SiC 半桥解决方案。罗姆先进的 DOT-247 封装相比传统分立  器件封装,可实现更高功率密度与设计自由度。其采用将两个 TO-247 封装连接的独特结构,较 TO- 247 封装降低约 15%的热阻和 50%的电感。凭借这些特性,该封装的功率密度达到 TO-247 封装的 2.3倍。  罗姆与英飞凌计划今后将不仅在硅基封装,还将在 SiC、GaN 等各类封装领域进一步扩大合作。此举也将进一步深化双方的合作关系,为用户提供更广泛的解决方案与采购选择。  SiC 功率器件通过更高效的电力转换,不仅增强了高功率应用的性能表现,在严苛环境下展现出卓越的可靠性与坚固性,同时还使更加小型化的设计成为可能。借助罗姆与英飞凌的 SiC 功率器件,用户可为电动汽车充电、可再生能源系统、AI 数据中心等应用开发高能效解决方案,实现更高功率密度。  关于罗姆  罗姆是成立于 1958 年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络,为汽车和工业 设备市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的 IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域,罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动 IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。进一步了解详情,欢迎访问罗姆官方网站:https://www.rohm.com.cn/  关于英飞凌  英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约 58,060 名员工(截至 2024 年 9 月底),在 2024 财年(截至 9 月 30 日)的营收约为 150 亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的 OTCQX 国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。
2025-09-26 09:43 reading:388
罗姆将携众多先进解决方案和技术亮相2025 PCIM Asia Shanghai
  2025年9月11日,全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布将于9月24日~26日参加上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会(以下简称PCIM Asia Shanghai)。届时,罗姆将展示其在工业设备和汽车领域中卓越的SiC和GaN产品和技术。同时,罗姆还将在现场举办技术研讨会,分享其最新的电力电子解决方案。  罗姆凭借其业界先进的碳化硅为核心的功率元器件技术,以及充分发挥其性能的控制IC和模块技术。在提供电源解决方案的同时,为工业设备和汽车领域的节能化、小型化做出贡献。在本次PCIM Asia Shanghai展会上,针对日新月异的中国市场需求,罗姆将重点展示以下产品和解决方案:  车载应用  新型二合一SiC塑封型模块TRCDRIVE pack™:内置第4代SiC MOSFET,实现业界超高功率密度,专为电动汽车牵引逆变器设计;  四合一以及六合一结构的SiC塑封模块:采用“HSDIP20”封装,适用于xEV车载OBC的PFC和LLC转换器等应用,提供紧凑和成本优化的驱动解决方案;  面向工业设备和车载应用的新型SiC塑封模块;  TO247分立式SiC MOSFET:通过实用的三相逆变器板展示,用于牵引系统。  工业应用  从45W到5.5kW的全系列GaN参考设计,包括紧凑型交流适配器、Totem Pole PFC设计和服务器电源;  内置罗姆新型2kV SiC MOSFET的赛米控丹佛斯模块SEMITRANS® 20,应用于SMA Solar Technology AG太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”。  Power Eco Family  Power Eco Family是将罗姆的主要功率器件系列结合在一起的品牌概念,涵盖EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™、EcoMOS™四大产品群。通过助力应用产品的节能和小型化,为减少全球的耗电量和产品用材量贡献力量,并通过与所有利益相关者共同扩大“Power Eco Family”,为创建应用生态系统做出贡献。在本次展会上,每个产品群都将通过现场演示、采用案例和展台上提供的实践评估工具来展示。Power Eco Family产品群在不同功率容量×工作频率范围的分布图*EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™、EcoMOS™ 以及 TRCDRIVE pack™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。* SEMITRANS® 是赛米控丹佛斯 Elektronik GmbH 的商标或注册商标。  展会信息  时间:2025年9月24日(周三)~26日(周五),09:30~17:00(仅26日16:00结束)  会场:上海新国际博览中心N4-N5馆  展位号:N5馆C36  地址:上海市浦东新区龙阳路2345号  更多信息,请访问:https://www.rohm.com.cn/pcim  罗姆技术研讨会  时间:2025年9月24日(周三)13:30~16:10(13点开始签到)  地点:N5馆2楼 M51会议室  报名:扫描下方二维码即可报名  罗姆展位直播间  展会期间,罗姆将同步举办展位直播,为未能到场的朋友们带来方便的看展通道。现场资深工程师将为您详细讲解参展产品,更有精美礼品等您领取。扫描下方二维码报名直播,干货礼品享不停!  直播时间:2025年9月25日 10:00  <关于PCIM Asia Shanghai(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会)>  作为全球电力电子顶尖展会PCIM Europe的姐妹展,PCIM Asia Shanghai是一场在亚洲领先的电力电子国际展览会及研讨会。其作为一个涵盖组件、驱动控制、散热管理及终端智能系统的全方位展示平台,向业界人士呈现一条完整的产业价值链。
2025-09-12 11:21 reading:496
云逛展,赢好礼!2025 PCIM Asia Shanghai罗姆展位直播预约开启
  全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布将于9月24日~26日参加上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会(以下简称PCIM Asia Shanghai)。届时,罗姆将展示其在工业设备和汽车领域中卓越的SiC和GaN产品和技术。同时,罗姆还将在现场举办技术研讨会,分享其最新的电力电子解决方案。  罗姆凭借其业界先进的碳化硅为核心的功率元器件技术,以及充分发挥其性能的控制IC和模块技术。在提供电源解决方案的同时,为工业设备和汽车领域的节能化、小型化做出贡献。在本次PCIM Asia Shanghai展会上,针对日新月异的中国市场需求,罗姆将重点展示以下产品和解决方案:  车载应用  新型二合一SiC塑封型模块TRCDRIVE pack™:内置第4代SiC MOSFET,实现业界超高功率密度,专为电动汽车牵引逆变器设计;  四合一以及六合一结构的SiC塑封模块:采用“HSDIP20”封装,适用于xEV车载OBC的PFC和LLC转换器等应用,提供紧凑和成本优化的驱动解决方案;  面向工业设备和车载应用的新型SiC塑封模块;  TO247分立式SiC MOSFET:通过实用的三相逆变器板展示,用于牵引系统。  工业应用  从45W到5.5kW的全系列GaN参考设计,包括紧凑型交流适配器、Totem Pole PFC设计和服务器电源;  内置罗姆新型2kV SiC MOSFET的赛米控丹佛斯模块SEMITRANS® 20,应用于SMA Solar Technology AG太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”。  Power Eco Family  Power Eco Family是将罗姆的主要功率器件系列结合在一起的品牌概念,涵盖EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™、EcoMOS™四大产品群。通过助力应用产品的节能和小型化,为减少全球的耗电量和产品用材量贡献力量,并通过与所有利益相关者共同扩大“Power Eco Family”,为创建应用生态系统做出贡献。在本次展会上,每个产品群都将通过现场演示、采用案例和展台上提供的实践评估工具来展示。Power Eco Family产品群在不同功率容量×工作频率范围的分布图  *EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™、EcoMOS™ 以及 TRCDRIVE pack™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  * SEMITRANS® 是赛米控丹佛斯 Elektronik GmbH 的商标或注册商标。  展会信息  时间:2025年9月24日(周三)~26日(周五),09:30~17:00(仅26日16:00结束)  会场:上海新国际博览中心N4-N5馆  展位号:N5馆C36  地址:上海市浦东新区龙阳路2345号  更多信息,请访问:https://www.rohm.com.cn/pcim  罗姆技术研讨会  时间:2025年9月24日(周三)13:30~16:10(13点开始签到)  地点:N5馆2楼 M51会议室  参与方式:扫描下方二维码即可报名  罗姆展位直播间  展会期间,罗姆将同步举办展位直播,为未能到场的朋友们带来方便的看展通道。现场资深工程师将为您详细讲解参展产品,更有精美礼品等您领取。扫描下方二维码报名直播,干货礼品享不停!  直播时间:2025年9月25日 10:00
2025-09-10 14:41 reading:438
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