士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力

Release time：2023-09-07
author：AMEYA360
source：士兰微
reading：3242

　　随着人们对环保意识的提高和汽车驾驶体验感的不断追求，新能源汽车的市场需求逐渐增大，已然成为汽车发展的大趋势，但是新能源汽车充电时间长、续航里程短等问题仍然是汽车厂商和车主们的痛点。因此，需要更好的汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力

　　针对这一需求，士兰微电子近期推出了一款高性能的汽车驱动模块——600A/1200V IGBT模块(B3模块), 它能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力，为用户带来更高的效率和更好的体验。

　　该模块产品阻断电压可以达到1200V，可以满足800V平台新能源汽车快速充电的需求，在5C倍率的充电速度下，可以实现5min充电0-80%。同时，该模块峰值工况下支持850V电压，输出电流350-400Arms，输出动能强，汽车加速快，这对于追求速度与激情的消费者来说是极其重要的。

　　士兰微电子基于自主研发的精细沟槽 FS-V 技术开发的这款六单元拓扑模块，可以为车辆提供高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级特性，从而为严苛的环境条件下的逆变器运行提供更可靠的保障。

　　与传统的驱动模块相比，士兰600A/1200V IGBT模块的电流密度更高，可以将更多的功率输出到驱动轴，提高车辆的加速性能和行驶距离。此外，该模块还具有高短路能力和高阻断电压等级，可以保护逆变器免受突发电流和电压的损害，从而延长逆变器的寿命。

　　该模块IGBT芯片采用士兰最新一代的场截止5代(Field-Stop V)技术和最先进的精细沟槽技术，较之前常规IGBT工艺具有更窄的台面宽度，用于降低饱和压降，提高器件的功率密度，缩小芯片的尺寸;且硅厚度只有110um，可以使得器件-40度下耐压大于1200V，大大降低了器件的饱和压降和关断损耗;其低 VCE(sat)特性使该模块具备正温度系数，具有较低的静态损耗，以及低开关损耗，可以增大模块的输出能力，提高整个电控系统的效率;采用导热性优良的DBC，进一步降低模块热阻，提高输出能力。

　　产品验证数据显示，该模块的规格和同封装下的输出能力已经超过了同类竞品，达到了世界一流水平。这也意味着，士兰600A/1200V IGBT模块是一款创新产品，它可以为混动和纯电动汽车等应用带来更高的燃油效率和更快的充电速度，进而改善车辆的性能和驾驶体验。

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力

　　二十多年来，士兰微电子坚持走“设计制造一体化”道路，打通了“芯片设计、芯片制造、芯片封装”全产业链，实现了“从5吋到12吋”的跨越，为汽车客户与零部件供应商提供一站式的服务。

　　士兰微电子应用于汽车电子的产品不仅涵盖了主驱、车载充电机、车身电子、底盘电子和智能座舱等功率器件，还包括驱动IC、电源IC、电机IC和MCU等系列产品，可以为客户提供更可靠、更具性价比、更高性能的产品和解决方案。在稳产保供的大方针下，全力以赴促进客户和行业的共同发展。

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力

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士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案亮相2026 Open AI Infra Summit
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士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案亮相2026 Open AI Infra Summit

　　4月10日，2026 Open AI Infra Summit在北京举行。大会群英荟萃，来自行业的院士专家、领军企业共聚一堂，聚焦MW级算力系统以及GW级数据中心的核心热点议题，分享交流宝贵经验，共商算力集群部署的关键瓶颈，为AI算力发展贡献一份力量。　　士兰微受邀出席本次峰会，士兰微电子系统应用专家胡豆豆发表以《算力引擎·功率领航 | 士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案》为题的讲演，向与会的专家学者、友商、用户们分享了士兰微AI数据中心供电的全链路功率半导体解决方案。　　针对当前50Vdc母线的AI数据中心的供电架构，士兰微提出了高度匹配的立体化产品矩阵：在前段高压的HVDC部分，士兰微提供业界领先的1200V、650V SiC MOSFET，助力高压高效转换;在PSU部分，士兰微针对5.5kW功率段推出的整套方案包含650V SiC MOSFET(料号为SCDP65R040NB2LB)、600V DPMOS(料号为SVSP60R022LBS5)、80V LVMOS(料号为SVGP081R8NL5-3HF)，该方案表现亮眼，已助力服务器电源客户实现97.5%效率，在LV IBC、VRM和热插拔等应用，士兰微推出各电压等级的低压MOSFET、宽SOA MOSFET、多相控制器、DrMOS、POL、eFuse方案。　　而随着AI数据中心供电向800Vdc母线演进，针对SST应用、HV IBC应用，士兰微的配套功率器件方案包含2300V、1200V SiC MOSFET、各电压等级的低压MOSFET。以上覆盖各应用场景的功率器件解决方案构成了“从电网到核心”的完整方案链条，保障数据中心能源供应的高效稳定。　　展望未来，AI日新月异，算力浪潮奔腾不息，士兰微将持续深耕数据中心供电领域，迭代推出更高性能的半导体集成电路产品与解决方案，与行业伙伴携手，共同为下一代算力基础设施提供强劲、高效、可靠的“芯”脏动力。
2026-04-30 11:01 reading：438
士兰微5.5kW PSU方案助力算力供电升级
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士兰微5.5kW PSU方案助力算力供电升级

　　当前算力数据中心正朝着800V直流母线架构加速演进，士兰微电子凭借在半导体各细分领域的深厚积累，构建了“从电网到核心”的全链路供电解决方案，可为算力数据中心供电系统提供士兰“功率器件+电源管理IC”整体解决方案，包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS、eFuse、Multiphase Controller、DrMOS、POL 等产品，全面覆盖算力电源SST、HVDC、PSU、BBU、IBC、Hot-Swap、BoardPower、Accelerator Card等应用，为高性能计算应用的发展注入强劲动力。本篇将介绍士兰微电子在5.5kW PSU上的成套应用方案。　　方案介绍　　下图为由“图腾柱PFC+LLC”组成的5.5kW PSU。　　在图腾柱 PFC、连续导通模式的高频高效拓扑中，快管承担高频硬开关动作，开关损耗决定了整机效率、温升与功率密度，需要选用低 Eon、Eoff 且栅电荷 Qg 优异的 SiC MOSFET。士兰微650V电压平台系列的SiC MOSFET产品(料号为SCDP65R040NB2LB)满足上述应用场景的需求，可显著降低高频工况下的能量损耗，提升系统整体转换效率，同时减少散热压力，支持更高频率、更高功率密度的电源设计，满足数据中心、服务器电源等场景对高效、高可靠供电的严苛需求。　　PFC慢管工作在工频整流状态，导通损耗与直接决定整机效率、温升与运行可靠性。选用士兰微的低导通电阻 Rds (on)、正向压降优异，同时兼顾浪涌电流能力的超结 MOSFET(料号为SVSP60R022LBS5)，在工频导通期间的损耗有效降低，提升系统效率与热稳定性。　　在 LLC的SR位置，中重载情况下软关断，轻载情况下硬关断。士兰微的自研低压MOSFET(料号为SVGP081R8NL5-3HF)具有导通电阻 Rds (on)低、栅电荷 Qg 小、反向恢复特性优异的特点，能帮助客户提升半载和满载效率，优化轻载时EMC表现。　　士兰微SiC MOS、超结MOS以及低压MOSFET方案已助力头部客户在5.5kW PSU 产品上实现功率转换效率达到97.5%。今后，士兰微电子将继续深耕算力数据中心供电领域，迭代推出更多先进产品，助力各电源客户实现更高的效率目标。
2026-04-30 10:13 reading：389
士兰微电子通过TISAX®最高等级AL3认证，信息安全能力获国际汽车行业认可
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士兰微电子通过TISAX®最高等级AL3认证，信息安全能力获国际汽车行业认可

　　2026年3月11日，士兰微电子正式通过TISAX®(可信信息安全评估交换)最高评估等级——AL3认证(信息安全&原型保护)。这一重要成果标志着公司在信息安全管理体系建设方面已达到国际汽车行业的严苛标准，为加速融入全球汽车供应链、深化与主流车企的合作奠定了坚实基础。　　TISAX认证介绍　　TISAX®是由德国汽车工业协会(VDA)与欧洲网络交换协会(ENX)联合推动的汽车行业信息安全评估与互认机制。该机制以ISO/IEC 27001为基础，结合汽车产业的实际需求，覆盖从产品研发、生产制造到销售服务全链条的信息安全控制要求。　　为顺利通过AL3级别认证，士兰微电子自2025年初启动专项推进工作，组建跨部门协同团队，系统梳理并优化信息安全管理流程。公司围绕数据全生命周期保护，构建了覆盖物理环境、网络通信、应用系统、人员权限等层面的纵深防护体系，强化了核心研发数据的保密性与完整性，完善了隐私信息处理机制，并建立起常态化的风险评估与应急响应机制，推动信息安全管理向标准化、规范化和精细化迈进。　　未来，士兰微电子将持续对标国际先进标准，深化信息安全管理体系建设，以更高水平的安全能力支撑公司全球化战略，助力实现高质量发展。
2026-03-13 15:39 reading：553
士兰微新一代灌封功率模块——MiniPack系列&SPD模块系列，为汽车电驱注入长效稳定动力
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士兰微新一代灌封功率模块——MiniPack系列&SPD模块系列，为汽车电驱注入长效稳定动力

　　士兰微新一代自主研发、具备自有知识产权的灌封解决方案，依托结构优化、材料升级与芯片迭代深度耦合设计，打造高功率密度、低杂感、高可靠车规级功率模块，全面适配纯电、混动等多平台电驱需求。以先进封装技术提升系统稳定性与散热性能，助力汽车电驱高效化、集成化升级，为新能源汽车产业提供国产化核心支撑。　　产品介绍　　Silan全新推出的自主研发、具备自有知识产权的灌封系列模块，相较于传统方案实现全方位升级。产品在功率密度、电流输出能力、电热耦合性能、系统集成度与长期可靠性上大幅突破，同时深度优化单体成本与整体系统设计成本，以更高效、更可靠、更具性价比的一体化方案，为新能源汽车电驱系统带来核心性能与价值双提升。　　MiniPACK系列(BA2/BA3)发电&中小功率驱动应用　　SPD系列 (BB1)适配中大功率应用　　竞争优势　　1、更高功率密度　　Silan新一代灌封模块对底板和外壳装配结构进行优化，相比miniHPD模块Y方向尺寸减小15mm，X方向尺寸减小57mm，体积可降低约50%，功率密度提高。　　2、优异电性能　　Silan通过功率端子优化，采用DC+/DC-/DC+三端子设计，显著降低功率回路寄生电感。　　3、更低开关损耗和导通压降　　Silan灌封模块搭载士兰FS5++芯片技术，具有更低开关损耗和导通压降，同样出流能力下芯片尺寸更小。　　在新能源汽车电控功率模块领域，士兰微电子深度洞察客户需求与行业发展趋势，创新打造PIM灌封模块全新平台化产品。产品凭借领先的功率密度与能效表现，持续突破系统性能边界，为新能源汽车电控系统高效、稳定运行提供核心支撑。
2026-03-02 15:42 reading：695
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