士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块,提升充电速度与行驶动力

Release time:2023-09-07
author:AMEYA360
source:士兰微
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  随着人们对环保意识的提高和汽车驾驶体验感的不断追求,新能源汽车的市场需求逐渐增大,已然成为汽车发展的大趋势,但是新能源汽车充电时间长、续航里程短等问题仍然是汽车厂商和车主们的痛点。因此,需要更好的汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块,提升充电速度与行驶动力

  针对这一需求,士兰微电子近期推出了一款高性能的汽车驱动模块——600A/1200V IGBT模块(B3模块), 它能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力,为用户带来更高的效率和更好的体验。

  该模块产品阻断电压可以达到1200V,可以满足800V平台新能源汽车快速充电的需求,在5C倍率的充电速度下,可以实现5min充电0-80%。同时,该模块峰值工况下支持850V电压,输出电流350-400Arms,输出动能强,汽车加速快,这对于追求速度与激情的消费者来说是极其重要的。

  士兰微电子基于自主研发的精细沟槽 FS-V 技术开发的这款六单元拓扑模块,可以为车辆提供高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级特性,从而为严苛的环境条件下的逆变器运行提供更可靠的保障。

  与传统的驱动模块相比,士兰600A/1200V IGBT模块的电流密度更高,可以将更多的功率输出到驱动轴,提高车辆的加速性能和行驶距离。此外,该模块还具有高短路能力和高阻断电压等级,可以保护逆变器免受突发电流和电压的损害,从而延长逆变器的寿命。

  该模块IGBT芯片采用士兰最新一代的场截止5代(Field-Stop V)技术和最先进的精细沟槽技术,较之前常规IGBT工艺具有更窄的台面宽度,用于降低饱和压降,提高器件的功率密度,缩小芯片的尺寸;且硅厚度只有110um,可以使得器件-40度下耐压大于1200V,大大降低了器件的饱和压降和关断损耗;其低 VCE(sat)特性使该模块具备正温度系数,具有较低的静态损耗,以及低开关损耗,可以增大模块的输出能力,提高整个电控系统的效率;采用导热性优良的DBC,进一步降低模块热阻,提高输出能力。

  产品验证数据显示,该模块的规格和同封装下的输出能力已经超过了同类竞品,达到了世界一流水平。这也意味着,士兰600A/1200V IGBT模块是一款创新产品,它可以为混动和纯电动汽车等应用带来更高的燃油效率和更快的充电速度,进而改善车辆的性能和驾驶体验。

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块,提升充电速度与行驶动力

  二十多年来,士兰微电子坚持走“设计制造一体化”道路,打通了“芯片设计、芯片制造、芯片封装”全产业链,实现了“从5吋到12吋”的跨越,为汽车客户与零部件供应商提供一站式的服务。

  士兰微电子应用于汽车电子的产品不仅涵盖了主驱、车载充电机、车身电子、底盘电子和智能座舱等功率器件,还包括驱动IC、电源IC、电机IC和MCU等系列产品,可以为客户提供更可靠、更具性价比、更高性能的产品和解决方案。在稳产保供的大方针下,全力以赴促进客户和行业的共同发展。

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块,提升充电速度与行驶动力

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200亿!士兰微拟投在厦门建设12英寸芯片生产线
  10月18日,厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府、杭州士兰微电子股份有限公司在厦门签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》,计划投资200亿元在厦门市海沧区投资建设一条对标国际领先水平、以IDM模式运营、拥有完全自主知识产权的12英寸高端模拟集成电路芯片生产线。10月19日晚间,士兰微正式发布公告,详细介绍了该项投资合作。  士兰集华为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体。士兰集华成立于2025年6月,目前尚未产生营业收入。  项目规划总投资200亿元  公告显示,为加快完善士兰微在半导体产业链的布局,公司与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府于10月18日在厦门市签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》。同时,为落实前述《战略合作协议》,公司、公司全资子公司厦门士兰微与厦门半导体、新翼科技于同日签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目之投资合作协议》。  依据上述协议,士兰集华作为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体,建设一条12英寸集成电路芯片制造生产线,产品定位为高端模拟集成电路芯片。该项目规划总投资200亿元,规划产能4.5万片/月,分两期实施。  一期项目投资100亿元(其中:资本金60.1亿元、占60.1%,银行贷款39.9亿元、占39.9%)建设主体厂房、配套库房、110KV变电站、动力站、废水站、大宗气站等公用辅助设施以及部分工艺设备购置,建成后形成月产能2万片;二期项目规划投资100亿元,建成后新增月产能2.5万片,达产后两期将合计实现月产能4.5万片(年产54万片)。  士兰集华一期项目资本金为60.1亿元,本次拟新增的注册资本为51亿元,由士兰微及厦门士兰微与厦门半导体、新翼科技以货币方式共同认缴,其中:公司和厦门士兰微合计认缴15亿元,厦门半导体认缴15亿元,新翼科技认缴21亿元。本次出资无溢价。本次增资完成后,士兰集华的注册资本将由0.1亿元增加至51.1亿元。一期项目资本金中剩余的9亿元由后续共同引进的相关其他投资方认缴出资。  二期项目规划投资100亿元,在一期项目的基础上实施(暂定其中60.1亿元为资本金投资,其余39.9亿元为银行贷款),具体方案需各方在完成相关审批流程后,另行签署投资协议等相关文件。  士兰集华目前注册资本为1000万元,全部由士兰微以货币方式出资。士兰集华目前处于项目前期筹备阶段,尚未产生营业收入。  上半年业绩同比扭亏  士兰微2025年半年报显示,公司专注于硅半导体、化合物半导体产品的设计与制造,向客户提供高质量的硅基集成电路、分立器件和化合物半导体器件产品。  2025年上半年,公司实现营业收入63.36亿元,同比增长20.14%;实现净利润2.65亿元,同比扭亏为盈。  对于下半年市场情况,士兰微在最新披露的投资者关系记录表中表示,下半年特别是第四季度是汽车市场的旺季,也是白电市场的旺季,公司会处在产销紧平衡的状态。其他消费、工业板块预估维持上半年状态。
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士兰微电子车载线性稳压器解决方案 为汽车电子提供稳定可靠的电源保障
  SQ78/78M/317系列  在汽车电子系统日益复杂的今天,稳定的电源是保证汽车ECU、传感器、信息娱乐系统等关键部件正常运行的基础。士兰微电子近期推出了一系列通过AEC-Q100认证的车规级线性稳压器,为各类汽车应用提供高效、可靠、高性价比的电源管理解决方案。  PART 01 产品概述  士兰微电子SQ78/78M/317系列线性稳压器芯片专为应对苛刻的汽车电子环境而设计。产品可以直接连接汽车电池,具备40V的宽输入电压范围,支持瞬态电压高达42V,可以满足汽车冷启动及启停工况下正常工作。  该系列产品提供5V、12V、15V、18V等多种固定输出电压版本,满足不同用电芯片的需求;同时提供输出电压可调(1.25V至37V)型号,为定制化设计提供高度灵活性。系列中不同型号可提供500mA或1A的持续输出电流,并全面集成了过流保护、输出短路保护及过温保护功能,构筑起坚固的安全防线,极大提升了系统的可靠性与使用寿命。  器件支持-40℃至125℃的宽工作温度范围,符合汽车级应用标准,并提供SOT-223、TO-252等多种封装形式,满足不同设计需求。  PART 02 封装支持  PART 03 产品特性  AEC-Q100车规级认证  工作温度范围:-40℃~125℃  最大输入电压:40V  输出电压范围:  ①固定输出:5V、12V、15V、18V  ②可调输出:1.25V~37V  输出电流范围:  ①SQ78系列:1A  ②SQ317、SQ78M系列:500mA  集成过流保护,输出短路保护,过温保护功能  PART 04 典型应用场景  本系列线性稳压器芯片广泛应用于需要高质量、高可靠性电源的汽车电子领域,是主驱、辅驱系统、电池管理系统(BMS)、车载充电机(OBC)、助力转向(EPS)、车身域系统的理想选择。  PART 05 产品选型  士兰微电子SQ78/78M/317系列线性稳压器以车规级的标准、稳健的性能和丰富的产品组合,为汽车电子系统提供了高效、安全、可靠的电源解决方案。无论是在复杂的电磁环境中,还是在极端的温度条件下,该系列产品都能保障供电的持续稳定,助力提升整车电气系统的安全性与可靠性。
2025-08-26 10:50 reading:552
投入达15亿,士兰微汽车半导体封装二期项目奠基
士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”
  2025年7月11日-12日,“第五届中国集成电路设计创新大会”(ICDIA 创芯展)在苏州成功召开。大会期间,由中国集成电路设计创新联盟组织开展的“2025中国创新IC-强芯评选”颁奖典礼隆重举行。士兰微电子SiC MOSFET产品SCDP120R007NB2CPW4荣获2025中国创新IC“创新突破奖”。  “强芯评选”旨在推动自主芯片创新应用,在全国范围内评选技术领先、竞争力强、质量可靠的创新IC 产品,为系统整机、品牌终端、 用户单位提供国产优质芯片应用选型,以此深度挖掘中国芯领先产品,共建自主产业生态。其作为一年一度的国产IC推优平台,对我国自主集成电路产业创新具有重要意义。  SCDP120R007NB2CPW4  士兰微电子SCDP120R007NB2CPW4 (1200V 7mΩ,TO-247Plus-4L)是一款N沟道增强型高压功率MOSFET,采用公司碳化硅自主工艺技术,具有极低的导通电阻(RDS(on)(typ.)=5.5mΩ)、传导损耗和开关损耗,具有较高的功率密度,能提供最佳的热性能。  士兰微“一体化”战略  近年来,士兰微电子深入实施“一体化”战略,通过持续推出富有竞争力的产品,持续加大对大型白电、汽车、新能源、工业、通讯和算力等高门槛市场的拓展力度,公司总体营收保持了较快的增长势头。同时,公司非常重视SiC产品的开发和应用。  在碳化硅产品方面,士兰微已搭建起包含晶圆、分立器件、模组在内的多元产品矩阵,全面覆盖汽车主驱、汽车热管理、光伏储能、充电桩、AI服务器、工业电源等应用领域,在多家头部客户实现项目批量交付。当前士兰第二代碳化硅产品已实现稳定交付,备受期待的第四代碳化硅产品也计划于今年正式推出。  在碳化硅产能建设方面,2025年士兰厦门碳化硅8英寸生产线将实现通线并投产,这一突破将大幅提升生产效率与规模。未来,士兰微将依托技术与产能的双重升级,为客户提供更高品质,更多元化的碳化硅产品,持续为功率半导体国产化进程注入绿色动能。  未来,士兰微电子也将以不断发展的电子信息产品市场为依托,抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇,设计与制造并举,强化投入,持续提升特色工艺集成电路产品、功率半导体、传感器的技术能力,扩大产业基础,为成为国内主要的、综合型的半导体集成电路设计与制造企业而努力。
2025-07-16 11:35 reading:1164
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