佰维基于LPDDR5的uMCP赋能智能手机高效运行
佰维基于LPDDR5的uMCP产品集成了LPDDR5和UFS3.1存储芯片，顺序读写速度分别高达2100MB/s、1800MB/s，频率高达6400Mbps，容量高达8GB+256GB，芯片尺寸小至11.5mm×13.0mm×1.0mm，相较于UFS3.1和LPDDR5分离的方案可节约55%主板空间，助力智能手机系统更灵活设计。
读速高达2100MB/s、频率高达6400Mbps、LPDDR5功耗降低30%，赋能手机高效运行、持久续航
相比公司基于LPDDR4X的uMCP产品，佰维基于LPDDR5的uMCP产品依托自研固件算法及Write booster、SLC Cache、HID、Deep Sleep等固件功能加持，读速提升100%至2100MB/s。同时，佰维基于LPDDR5的uMCP产品支持多Bank Group模式、采用WCK信号设计等，数据传输速率从4266Mbps提升50%至6400Mbps，且基于动态电压调节 (DVFS)功能，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V，功耗降低30%。凭借优异的性能，佰维基于LPDDR5的uMCP产品可从容处理海量数据，高效支持智能手机多任务处理、高清视频解码、游戏加载、大文件拷贝等应用。
容量高达8GB+256GB，海量数据轻松存储
在实际生活中，手机长久使用后会出现卡顿现象，尤其是在拍摄高清照片和打开大型视频文件时，卡顿现象愈发严重，需要配置更大的手机存储空间。佰维基于LPDDR5的uMCP产品可提供高达8GB+256GB容量(未来将推出12GB+512GB)，轻松存储并处理AIoT、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用产生的海量数据。此外，该产品提供更大的SLC缓存空间，减少因长时间写入缓存不足，导致手机卡顿。
节约55%主板空间，助力手机提升电池容量、系统更灵活设计
依托公司多层叠Die、超薄Die等先进封装工艺，佰维uMCP通过将LPDDR5和UFS3.1二合一多芯片堆叠封装，可节约55%主板空间，助力简化手机主板的电路设计，为提高电池容量、主板其他零部件布局腾出空间，实现手机更灵活的系统设计，同时也有利于终端厂商优化BOM清单，缩短出货周期。
随着短视频繁盛、更大手游推出以及4K/8K等超高清视频普及，带动手机存储朝着更高性能、更大容量、更低功耗等方向不断演进。依托研发封测一体化优势，佰维将紧随存储器大容量、大带宽、低延时、低功耗等升级方向，在智能手机、智能穿戴、平板等应用领域持续创新，推出更具竞争优势的存储解决方案，赋能智能终端设备高效稳定运行。
佰维除了推出基于LPDDR5/LPDDR4X的uMCP以及提供eMCP等集成式存储方案外，亦可提供eMMC5.1、UFS2.2/3.1、LPDDR4x/5等分离式存储方案，充分满足智能终端设备的存储需求。
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