太阳诱电:扩充多层型金属功率电感器的产品阵容

发布时间:2023-10-16 09:45
作者:AMEYA360
来源:网络
阅读量:2949

  -与本公司以往产品相比体积减少约3 成,有助于智能手机的电源电路小型化-

太阳诱电:扩充多层型金属功率电感器的产品阵容

  太阳诱电株式会社开始了多层型金属功率电感器 MCOIL LSCN 系列“LSCND1412HKTR24ME” (1.4x1.2x0.8mm,高度为最大值)等 2 个尺寸 3 个产品的量产。

  这些商品是用于智能手机和可穿戴终端等的电源电路用扼流线圈的功率电感器。“LSCND1412HKTR24ME”与本公司以往产品“LSCNE2012HKTR24MD”(2.0x1.25x0.8mm)相比,体积减小了约 3 成,直流饱和电流值为 6.5A(以往产品为 6.0A),提高了约 8%。这将有助于推进“高功能化和多功能化日益发展的智能手机和可穿戴终端”的电源电路的小型化和高性能化。

  这些商品自 2023 年 7 月起,开始在本公司的子公司和歌山太阳诱电(和歌山县日高郡印南町)批量生产。

  为了提高不断增大的数据处理能力,智能手机在实现处理器高性能化的同时,也在不断地实现大画面化和相机多眼化等高功能化。随着处理器的高性能化,负载电流也在逐年增加。另外,随着高功能化,相机相关电路和电池体积也在不断扩大,因此为了在机身内部的有限空间中装载部件,要求电源电路的小型化。在这样的电源电路中,需要具有能够支持大电流化的小型、薄型的功率电感器。

  因此,太阳诱电使用具有高直流饱和特性的金属磁性材料,扩充了具有小型化、薄型化优势的多层型金属功率电感器 MCOIL?LSCN 系列的产品阵容。此次,与本公司以往产品“LSCNE2012HKTR24MD”相比体积减少约3成且直流饱和电流值为6.5A(以往产品为6.0A),提高约8%的“LSCND1412HKTR24ME”,以及形状几乎相同且直流饱和电流值为 7.0A(以往产品为 6.0A),提高约 17%的“LSCND2012HKTR24MF” 等 3 个产品实现了商品化。

  为满足市场需求,本公司将以高功能、高可靠性、更小、更薄等方式加快扩充产品阵容。

  ■用途

  用于智能手机和可穿戴终端等的电源电路的扼流线圈

  ■规格

太阳诱电:扩充多层型金属功率电感器的产品阵容

  *1 额定电流(Idc1)是负载直流电流时的电感变化率在 30%以内的电流值(at 20℃)

  *2 额定电流(Idc2)是负载直流电流时的自发热引起的温度上升在 40℃以下的电流值(at 20℃)

  *3 额定电流值是 Idc1(max)或 Idc2(max)中较低一方的直流电流值


(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
太阳诱电将参与电源网(亚洲)工程师技术高峰论坛演讲
数据中心48V供电线路,电容器如何选型?太阳诱电HVX-J/HVX-K系列解析
太阳诱电丨光模块电感选型:小型化与高频抗扰如何兼得?
方寸之间,万千之变——太阳诱电嵌入式元器件为下一代处理器供电破局
  随着AI服务器功耗密度持续提升,处理器供电系统需要在有限空间内应对更大的电流需求。如何让末级电压调节器(VR)更靠近处理器,并降低供电路径中的损耗,成为电源设计的重要课题。围绕这一需求,太阳诱电提出将多层陶瓷电容器(MLCC)与功率电感器嵌入基板的技术方案,为供电系统的小型化与高密度集成提供更多设计选择。本文重点介绍其中的功率电感技术及相关性能指标。  PART.01  满足小型化与高密度贴装的嵌入式方案  芯片周边的空间就那么大,却要同时容纳更大容量和更优异的ESL/ESR性能;供电电路还要继续往处理器身边挪,可用的贴装位置只会越来越紧张。太阳诱电的办法是把两类元器件一起埋进基板:xPU与PMIC位于封装基板之上,电容器与电感器直接嵌入基板甚至主板,表层面积因此可以留给其他功能器件。  两类元器件同源配套,有助于简化选型与供应环节。这也是整体方案与单点替换的重要区别:电容器用于稳定电压,电感器则需满足更高的电流承载要求,例如在0.4mm²的面积内实现25A/mm²的电流密度。  PART.02  支撑大电流与低损耗的电感技术  设备做得越紧凑,单位体积里要承载的电流就越大,而近芯这一段走线的电阻、以及元件自身的直流电阻,恰恰是效率最容易流失的地方。在大电流供电条件下,导电损耗随电流的平方增加。因此,缩短供电路径、降低线路电阻及电感器的直流电阻,是降低供电损耗的重要方向。  太阳诱电的功率电感器正是冲着这个位置来的:做得低矮,才放得进薄型布局;覆盖到较高频段,才跟得上高频供电的节奏;扛得住大电流,才顶得住末级供电的峰值;至于电感阵列、互耦二合一这类结构,则让供电拓扑在选型时更自由。  PART.03  LSCN系列:0.8mΩ是怎么做出来的  LSCN系列把力气花在末级供电这一段。高填充密度材料有助于在较薄厚度下兼顾较大电流承载能力。对比表中,顶底式方案的直流电阻为0.8mΩ,有助于降低近处理器供电线路的损耗。同时,该方案可在有限空间内提高磁性材料的填充密度,兼顾薄型化与低损耗。  LSCN系列与传统型功率电感器的对比  横向看,顶底式在同样0.4mm²的面积上把直流电阻做到0.8mΩ、电流密度做到25A/mm²,比传统型方案低了十几倍;归一化之后的电感直流电阻比也高出四倍多——同样一份损耗,能换来更多电感量。薄、低损耗与大电流不必三选一,这正是它能被放进基板内层的原因。  PART.04  从“贴上去”到“埋进去”  供电距离被重新定义  这几条线索其实指向同一件事:让供电电路真正靠近处理器。空间不够,就把两类元器件一起埋进基板内层,用垂直方向的空间换回水平方向的布放余量;电流上不去,就用更低的直流电阻和更强的电流承载能力顶上去;埋进去之后怕不可靠,就先在材料上留足余量——高填充密度的磁性材料,让薄型布局在长期运行里也扛得住。  落到手上的好处有三样:回路更短,布放更自由,长期运行更稳——太阳诱电把多层陶瓷电容器与功率电感器这两类嵌入式元器件一起备齐,电容与电感的需求可以一次覆盖:一个擅长小尺寸大容量,一个擅长低损耗与大电流。当处理器的功耗上限还在上探,把元件送进基板内层,就是电源设计能给出的最近答案。
2026-10-19 13:30 阅读量:311
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
型号 品牌 抢购
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BP3621 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码