纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

Release time:2023-10-31
author:AMEYA360
source:纳芯微
reading:2554

  相比光耦,数字隔离器如今越来越流行,那么你真的会选数字隔离器吗?由于数字隔离器和光耦的功能基本相同,因此很多参数和光耦类似。但还有很多不一样之处,今天我们就结合Datasheet,来讲一讲数字隔离器的选型。

  从看Datasheet到提出问题

  既然谈到选型,就离不开Datasheet。Datasheet是芯片的说明书,每个产品的说明书都是循序渐进的,从概述到详细参数再到注意事项,Datasheet亦如此,它也有着固有格式,包括产品介绍、关键参数、通过的安规认证(隔离器关系到安全问题必须要有这项)、应用领域、器件基本信息(封装、尺寸)以及产品框图。

  那么,我们也应该循序渐进地逐步确定需求并缩小选型范围。

  拿到Datasheet第一步,就是先看第一页概述,这是对产品的总结,一般包括了参数和介绍等,让我们在短时间内得以迅速了解芯片的性能指标。选型和原型验证往往是系统设计时最花时间的,因此详细阅读并了解非常有助于我们前期筛选。

  然后,从应用角度出发,清晰了解应用具体需求及演进路线,一般Datasheet中都会具体列出适合的应用,比如汽车、光伏、电机、工业自动化等等。

  通过上述介绍,我们已经基本了解产品大致情况,对于应用而言,还需要有一些更为详细的参考,这就是我们接下来要聊的,数字隔离器都要看哪些参数?

  细数藏在参数里的门道

  对于数字隔离器来说,哪些参数值得关注?为了避免纸上谈兵,我们请教了纳芯微产品线总监叶健,深耕隔离器领域多年的他,完整见证了从光耦到数字隔离器的替代过程,提供了很多知识总结。他以纳芯微的NSI82xx-Q1SWWR系列高可靠性多通道超宽体数字隔离器为例,具体解读了数字隔离器的Datasheet。

  虽然Datasheet上存在隔离电压、CMTI、封装、速度、功耗、ESD等大量参数,让人眼花缭乱,但叶健也总结了应当重点观察的参数项。叶健结合纳芯微的产品列出了以下七个主要参数,不分先后。

纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

  首先是隔离电压。隔离产品是一个安规器件,因此一定是围绕着安全进行选型,其中最主要的就是隔离电压的能力。比如纳芯微通过基本隔离、增强隔离等多种产品,覆盖了不同耐压范围,以满足客户不同的系统需求选型。

  其二是ESD。它是隔离芯片高可靠性的重要保证,对绝大多数芯片而言,ESD都是必须的,但也分强弱,而隔离芯片由于所处高压环境中,在系统中通常是处于高低压的接口处,因此ESD同样极为重要。纳芯微实现了8kV的HBM耐压能力,属于芯片级HBM ESD中最高等级。

  第三是CMTI。它是隔离产品另外一个重要指标,用以衡量芯片的抗瞬态干扰能力,也就是芯片在系统应用中的鲁棒性表现。CMTI具体是是指短时间电压上升或下降到可以破坏驱动器输出状态的值,瞬态干扰是由开关节点上的高 DV/DT 引起的,如果CMTI能力不够,可能会导致输出错误,甚至出现电路短路,影响系统安全。纳芯微隔离器的CMTI主要为±200kV/μs,部分型号甚至可达到±250kV/μs。

  第四是封装。这里的封装不止体现在尺寸上,而是与耐压或安规爬电间距等指标相关,也会根据客户的要求或系统要求提供不同芯片选型,但最终目标一定会是在更小尺寸、更高集成度情况下,同时能够满足安规要求。比如纳芯微就提供了包括SOP、SOW、SOWW等不同封装种类,满足不同安规要求,这点之后会细说。

  五是传输速率和延迟。它是数字隔离器高性能的体现,最高可以支持数百Mbps甚至达到Gbps的传输速率。不同通信标准和接口对于数据传输率要求不同,需要仔细审阅。但叶健也强调,无论是1Mbps还是150Mbps,对成本影响并不大,也正因此纳芯微的产品并没有根据传输速率设置更多的产品类别,而是基本都是一步到位做到了150Mbps,可以满足绝大部分应用需求。另外除了传输速率,在Datasheet中也会有时序相关的各类详细参数,这也是系统设计时需要考虑的。

  六是功耗。不过叶健表示,数字隔离器相对光耦而言,功耗已经实现极大降低,因此对于功耗的诉求相对不大,但Datasheet中还是会详细列出各种状况下的功耗指标。

  七是工作温度。工作温度与应用场景强相关,比如车规产品分了Grade 0到Grade 3四个等级,对应不同的温度要求,Grade 0需要覆盖的温度范围是-40℃~150℃,工规则根据不同的应用场景对温度有不同的要求,通常最高要求是-40℃~125℃等,这些都在Datasheet中有详细说明。

  封装的学问

  叶健强调,仅对隔离器而言,封装的影响很大,主要原因是封装的大小直接影响器件的耐压能力,因此这也是需要特别注意的地方。谁都愿意将产品小型化,但更高规格的隔离电压需要更宽的封装。也正因此,纳芯微推出包括普通、宽体以及超宽体的封装,超宽体封装的优势主要体现在两个指标上,一个是15mm爬电距离,另一个是8 kVrms的隔离耐压,增强型隔离器可以提供与两个串联的基本隔离器相当的绝缘水平,这可以满足一些特殊的应用需求,比如光伏逆变器等等。

纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

  纳芯微不同种封装方式及详细指标都在Datasheet中列出

  简而言之,更大封装将允许更高的隔离电压规格。如果您可以选择更小的封装来满足系统的监管要求,那么更小的封装当然有助于节省板空间和成本。此外,您还需要考虑通信接口需要多少个隔离通道,因为通道数越高,封装类型就越重要。

  电气间隙(Clearance)和爬电距离(Creepage)是两个不同指标,电气间隙是两个导电零部件之间或导电零部件与设备界面之间测得的最短空间距离,爬电距离则是指沿绝缘表面测得的两个导电零部件之间或导电零部件与设备界面之间的最短距离。

  电气间隙和爬电距离受环境污染等级、海拔、CTI等影响,尤其是光伏、风电等野外恶劣环境下持续工作场景中,海拔和污染的影响很高。如何尽可能满足电气间隙和爬电距离的要求同时还能减少整体尺寸?纳芯微产品的CTI达到了600V,可以使得系统对爬电距离的要求降到最低,从而减少系统尺寸。

  安全标准至关重要

  光是满足参数标准,并不意味着选型结束,隔离器还要关注安全认证指标,作为安全相关产品,认证往往都会放在最醒目位置,比如纳芯微Datasheet第一页中就给出了其满足的安规认证标准,包括UL1577、CQC、CSA、VDE等不同认证体系。认证标准之所以重要,是因为制造商在选择带有认证标志的产品后,就可以很容易拿到系统的安规证书,使得产品放心地在全球范围内的使用和销售。

  UL1577标准是数字隔离器的关键元件级认证要求,适用于光隔离器、磁隔离器以及电容隔离器。为通过该标准的认证,器件必须承受隔离电压Viso(由制造商规定,通常为2.5kVrms或5kVrms)达1分钟。该规范还规定隔离器需要采用120%隔离电压进行100%生产测试,持续时间为1秒钟。

  另外,数字隔离器还需要参考CQC、CSA、VDE等地区性认证标准。

  安规认证背后,是严格的测试流程。需要经过包括老化测试,耐高压测试,抽样测试,宽温测试,寿命测试等各类测试,尤其是寿命测试,甚至需要半年以上才算一次完整的测试周期。

  通过机构认证并不意味结束,在产品量产时,还需要对每颗芯片进行测试。比如,纳芯微的每颗隔离器在出厂时都通过了高压测试,并且每季度还要进行批次性抽样测试。以完整的测试流程确保了隔离器件的安全可靠。

  写在最后

  Datasheet后半部分基本就是芯片的具体引脚布局图,特性指标,细节介绍,详细实测结果,应用指南,封装尺寸图,认证指南等等,为工程师在不同阶段的系统设计提供参考。

  由于隔离器件并不属于主芯片,因此使用过程中需要特别注意的事项不多,如果是主处理器等产品,Datasheet可能会有数百页之多。但隔离牵扯到至关重要的安全,因此还是需要工程师仔细完整的阅读所有相关信息。

  从分析纳芯微的Datasheet中,我们不光了解到数字隔离器的关键参数在选型中的作用,也包括安全标准介绍等基础知识,更是明显看到纳芯微乃至国产器件的进步,这一方面来自纳芯微对于研发的不断投入,也得益于其一直凭借贴近应用、贴近市场的方法论进行产品开发。

  总而言之,想要用好一款产品或技术,首先需要的是了解他,而了解的最好方式就是阅读Datasheet。

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纳芯微推出NSI1611系列隔离电压采样芯片
  纳芯微今日宣布正式推出全新一代隔离电压采样芯片NSI1611系列。作为纳芯微经典产品NSI1311系列的全面升级,NSI1611系列基于其领先的电容隔离技术,在性能与适配性上实现双重突破。  其核心创新在于支持0~4V宽压输入的同时,能够保持1Gohm的高阻输入,可显著提升电压采样的精度与抗干扰能力;同时部分料号亦兼容传统0~2V输入,为客户提供更灵活的器件选择。  NSI1611系列包含差分输出的NSI1611D和单端输出的NSI1611S。其中,差分输出均为固定增益,单端输出则提供固定增益和可调比例增益两类选项,进一步满足不同系统架构与设计需求。  在新能源汽车与工业自动化领域,对高压系统采样提出了“高精度、高灵活度”的严苛要求,隔离电压采样芯片的性能迭代与场景适配能力已成为行业竞争关键。全新NSI1611系列通过创新的宽压+高阻输入与灵活输出配置两大特点,能够同时支持新项目设计与存量平台升级,为新能源汽车主驱逆变器、车载充电机(OBC)等汽车应用,以及伺服、变频器、电机驱动等工业应用带来更优的器件选择。  创新宽压+高阻输入  精度抗扰双重提升  以新能源汽车主驱系统为例,随着其母线电压进一步提升至800V,以及SiC/GaN器件的应用,控制系统对电压采样的精度及抗干扰能力有了更高的要求。  市面上多数隔离电压采样芯片的输入范围为0~2V,而NSI1611创新性地在保持1Gohm高阻输入的同时,将其拓展至0~4V,突破前代及行业同类产品的输入范围限制,带来精度和抗干扰的双重升级,在适配更高母线电压的同时,降低了设计复杂度和开发周期。  抗干扰能力增强:NSI1611采用宽压输入时,参考地的噪声对输入信号的干扰比例直接减半。结合NSI1611内部的电路优化,其芯片EOS能力大幅提升,且EMI可通过CISPR 25 Class 5等级测试,CMTI高达150kV/μs。在新能源汽车主驱、工业变频器等高开关频率的复杂电磁环境中,宽压输入能够保证采样信号更纯净,大大提升了系统运行的稳定性,降低终端应用的失效风险。  采样精度再升级:0~4V的宽压输入范围可扩大分压比,结合优化的信号调理设计,在保持高阻输入的同时显著降低输入误差,让测量数据更接近真实电压值,为系统的精准控制提供可靠数据;在采样误差测试中,相比前代产品NSI1311系列,NSI1611系列凭借更宽的输入范围在系统的低压区域取得了较大的精度优势,在满量程800V母线电压系统中,当输入电压100V时,NSI1611的采样误差相比NSI1311降低超30%,误差低于1.2%。  NSI1611和NSI1311的采样误差随输入电压变化曲线  单端/差分输出灵活选择  简化设计更高效  凭借深刻的系统级理解,NSI1611系列基于前代产品的应用痛点,全新加入单端输出版本,并且提供“固定增益/比例增益”双版本选择,适配多元化的系统配置需求,可帮助客户简化选型和设计:  简化设计、降低BOM成本:NSI1611的单端输出信号可直接接入MCU的ADC接口,彻底省去了传统差分输出方案所必需的后级运放及调理电路,不仅直接降低了BOM成本,还简化了PCB布局与器件选型复杂度,为紧凑型和高功率密度应用提供了更优的解决方案。  增益自适应适配多元需求:比例增益版本(NSI1611S33/NSI1611S50)可通过REFIN引脚进行配置,使输出增益匹配后端ADC的满量程输入范围,最大化利用ADC的动态范围,提升了整体信号链的有效位数与采样精度,进一步满足多元化的高精度测量需求。  同时,NSI1611系列亦保留差分输出版本NSI1611D02,与纳芯微NSI1311完全引脚兼容,客户无需修改PCB即可实现无缝升级或跨品牌替换,显著降低迁移成本。  多项参数优化  性能全面升级  随着系统功率密度的提升,对器件耐压能力、采样精度、EMI性能等提出了更高的要求。NSI1611针对相关关键参数进行了优化,在全面升级器件可靠性和性能的同时,亦优化了器件成本,为客户提供“性能-成本-可靠性”兼得的选择。  车规级可靠性保障:NSI1611系列的车规版本满足AEC-Q100 Grade 1要求,工作温度覆盖-40℃~125℃,隔离耐压高达5700Vrms,最大浪涌隔离耐压Viosm达10kV,适配汽车高温高压严苛环境,可在极端场景下确保隔离的可靠性。  精度参数全面进阶:NSI1611系列的输入偏置电压Vos(Offset Voltage)指标优化至±0.8mV,相较于前代NSI1311同规格产品的±1.5mV,精度表现实现巨大提升;此外,增益温漂(Gain Drift)从前代的45ppm/℃优化至40ppm/℃,全温区精度稳定性进一步提升;非线性误差、温漂(Offset Drift)维持在行业优异水平,有效加快了系统开发的标定流程;同时,NSI1611系列的采样带宽达到330kHz,适配SiC和GaN等新一代高频开关器件控制,满足高动态响应需求。  功耗优化更节能:相比前代产品,NSI1611系列功耗表现进一步优化,助力终端产品降低能耗。对比前代,NSI1611的Idd1由11.4mA降低至7.2mA,Idd2由6.3mA降低至4.7mA(均为典型值Typ.),NSI1611系列的整体综合功耗下降约33%,可助力客户打造更节能的汽车电子系统,提高新能源汽车的续航里程。  EMI表现更优异:NSI1611基于时钟信号隔离通道复用技术,大幅优化了EMI表现。在200MHz到1000MHz频段的EMI测试中,NSI1611的辐射发射(RE)指标在水平方向和垂直方向均保持10dB以上裕度(3dB~6dB裕度即可满足工程需求),可轻松通过CISPR 25 Class 5认证。面对汽车主驱、OBC等复杂电磁环境,可以减小对系统其他部件的电磁干扰,有效减少系统电磁兼容整改工作量,加快产品上市进度。  封装和选型  NSI1611系列选型表  丰富的“隔离+”产品  满足多元化应用需求  凭借在隔离技术方面的积累和领先优势,纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列 “隔离+”产品。纳芯微正以全生态“隔离+”产品矩阵,为高压系统筑造安全可靠的防线:  “+”代表增强安全:纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级,为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。  “+”代表全产品生态:纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心,拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合,为客户提供隔离器件的一站式解决方案。  “+”代表深度赋能应用:纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统,以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求,实现系统级安全、可靠与高效。
2025-12-17 16:06 reading:303
纳芯微“隔离+”再获权威认可|两款车规芯片斩获中国汽车芯片创新成果奖
纳芯微成功登陆港交所!
  2025年12月8日,国内模拟芯片设计企业苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称“纳芯微”)正式在香港联合交易所主板挂牌上市,成功构建“A+H”双资本平台,标志着公司全球化战略迈入全新阶段。  此次上市,纳芯微全球共发售1906.84万股H股,发行价最终确定为116.00港元/股,市值187.45亿港元。按此计算,公司通过本次上市预计募集资金净额约为20.96亿港元。  本次IPO的亮点之一是引入了阵容强大的基石投资者。比亚迪、小米集团等7家知名产业及投资机构共同认购了总额约10.89亿港元的股份,占本次发售股份总数的近一半。  尤其值得注意的是,基石投资者之一的“元禾纳芯”其最终出资方包含国家集成电路产业投资基金三期,这使得纳芯微成为模拟芯片领域首家获得“大基金三期”基石投资的企业。  纳芯微成立于2013年,采用fabless模式运营,专注于芯片研发和设计,同时将晶圆制造外包予外部晶圆厂以及大部分封装测试外包予第三方封装测试服务供应商。集团围绕汽车电子、泛能源及消费电子等应用领域,提供丰富、高性能、高可靠性的产品及解决方案。根据弗若斯特沙利文的资料,以2024年模拟芯片收入计,纳芯微在中国模拟芯片市场的所有模拟芯片公司中位列第14名(占市场份额0.9%)以及在中国模拟芯片公司中位列第五名。  作为中国少数在传感器、信号链、电源管理三大核心领域均实现深度布局的企业,纳芯微凭借体系化技术平台与产品矩阵,在汽车电子、泛能源、智能终端等关键赛道建立领先优势,从“中国模拟芯片标杆”加速迈向“全球优选供应商”。  纳芯微创始人、董事长、CEO 王升杨表示,港股上市不仅是一次业务发展的里程碑,更是公司全球叙事的起点。公司将以此次上市为锚,持续加大底层技术投入、扩展产品组合、完善海外销售与市场体系,并推动全球化运营能力跃升,为客户与合作伙伴提供长期价值。
2025-12-08 15:59 reading:336
纳芯微 | SPI 隔离通信实战避坑:数字隔离器输出并联电平异常的原因与解决方案
  在工业系统 SPI 一主多从通信架构中,为节省 IO 资源,数字隔离器输出通道并联复用是常见设计,但实际应用中极易出现电平无法正常拉高 / 拉低的异常问题,严重影响通信稳定性。本文先梳理工业系统主流通信方式及 SPI 隔离的应用场景,深入剖析数字隔离器输出并联导致电平异常的核心原因,再针对性给出两种经实测验证的解决方案(CS 反向使能电路、二极管反向阻断配合软件配置),并明确实施过程中的关键注意事项,为工程师解决同类 SPI 隔离通信问题提供直接参考。  01 工业系统常见通信方式  通信接口是硬件系统中实现数据交换的核心模块,常分为内部通信接口(板级通信)、外部通信接口(对外通信),如图1,不同接口在速率、距离、复杂度等方面各有特点,是纳芯微产品主要的应用场景之一。图1 板级通信和对外通信  板级通信  板级通信为设备内部组件间的通信,通常具备速度快、距离短的特性,通常具备速度快、距离短的特性,常见有UART、I2C、SPI、单总线等。具体参数如表1所示:表1 板级通信具体参数  对外通信  对外通信为设备级信号传输,用于实现设备间的数据交互,多采用差分传输方式,具备传输距离远的优势,常见类型包括 RS-232、RS-485、CAN 等,具体参数如下表所示:  表2 对外通信具体参数  02 隔离SPI机会点  SPI全称为Serial Peripheral Interface(串行外设接口),由摩托罗拉公司开发的一种同步、全双工、主从式串行通讯总线,可以实现一主多从的通讯连接。  在硬件连接方式上,SPI常用4线制(SCK、MOSI、MISO、CS/SS),各信号线的传输方向及功能描述如下表3所示:表3 SPI各信号线的传输方向及功能  SPI一主多从的通讯拓扑,MOSI、MISO、SCK常采用复用接口,节省IO资源,通过独立的CS/SS实现从机选择。如图2所示。图2 SPI 一主多从基础拓扑  在工业系统中,MCU高压域与低压域之间需要做通讯隔离,纳芯微隔离器NSI8241W(3正1反)适用于SPI信号隔离。对于一主一从的隔离方式,4通道刚好一对一匹配(3正向通道对应SCK、MOSI、CS/SS,1反向通道对应MISO)。对于一主多从的拓扑架构,同样会复用通道节省IO资源,如图3示例。图3 带数字隔离器的SPI主多从拓扑  03 数字隔离器输出并联问题及解决方案  数字隔离器隔离SPI复用通道实际测试时,会发现复用MISO会出现电平异常,当一路输入高,一路输入低的情况下,MISO不能完全被拉高或者拉低。如图4,两颗8241 Out口复用,输入分别给高、低时,MISO波形。图4 Vdd1=Vdd2=5.25V,IND1高,IND2低 黄色OutD1=蓝色OutD2≈2.5V  数字隔离器Out内部为推挽输出:输入为高时,推挽上管导通,输出高电平;输入为低时,推挽下管导通,输出低电平。当输入一高一低时,就会形成分压回路,造成MISO电平异常,如图5,这显然与SPI中规定MISO复用冲突(当SS拉低使能时,从机输出配置为推挽输出,当SS拉高时,从机输出需配置为高阻态,防止多个输出导致电平冲突)。图5 数字隔离器内部分压回路  查阅NSI8241真值表(如图6所示),当EN拉低时,数字隔离器可以输出高组态,能够满足SPI复用要求。因此我们给出以下电路调整方案,来实现数字隔离器输出口并联复用需求。图6 NSI241真值表  方案1  CS 处增加反向电路,同步使能数字隔离器  在CS处增加反向电路(NPN、PNP、反相器等,需考虑Vce压降)同步使能数字隔离器。CS拉高禁用时,数字隔离器EN拉低禁用,Out复用输出高。  方案2  二极管反向阻断 + 软件配置,实现并联复用  通过二极管进行反向阻断,配合软件配置合理实现数字隔离器输出并联复用。  但需要注意的是:  (1)需添加上下拉电阻,明确默认电平,同时满足信号上升沿、下降沿的时间要求;  (2)需考虑二极管压降对电平幅值的影响,避免因压降导致通信误判;  (3)当一路输出通道由高电平切换至低电平时,受寄生参数影响,可能会短暂通过二极管抽取另一通道电流,需重视由此产生的电压尖峰问题。  结论与建议  在工业 SPI 一主多从隔离通信场景中,数字隔离器输出通道并联复用是节省 IO 资源的常用方案,但因隔离器内部推挽输出结构,直接并联易导致电平异常。本文通过分析异常产生的核心原因,提供了两种经实测验证的解决方案(CS 反向使能电路、二极管反向阻断 + 软件配置),同时明确了实施过程中的关键注意事项。工程师在实际设计中可根据项目需求选择合适方案,规避电平异常问题,保障 SPI 通信的稳定性。  高可靠性四通道数字隔离器NSI824x已通过 UL1577 安全认证,支持3kVrms-8kVrms 多档绝缘电压,同时在低功耗下提供高电磁抗扰度和低辐射。数据速率高达 150Mbps,共模瞬态抗扰度 250kV/μs。支持数字通道方向及输入失电默认输出电平配置,宽电源电压可直接适配多数数字接口,简化电平转换;高系统级 EMC 性能进一步提升使用可靠性与稳定性。
2025-12-05 11:20 reading:329
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