纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

Release time:2023-10-31
author:AMEYA360
source:纳芯微
reading:3375

  相比光耦,数字隔离器如今越来越流行,那么你真的会选数字隔离器吗?由于数字隔离器和光耦的功能基本相同,因此很多参数和光耦类似。但还有很多不一样之处,今天我们就结合Datasheet,来讲一讲数字隔离器的选型。

  从看Datasheet到提出问题

  既然谈到选型,就离不开Datasheet。Datasheet是芯片的说明书,每个产品的说明书都是循序渐进的,从概述到详细参数再到注意事项,Datasheet亦如此,它也有着固有格式,包括产品介绍、关键参数、通过的安规认证(隔离器关系到安全问题必须要有这项)、应用领域、器件基本信息(封装、尺寸)以及产品框图。

  那么,我们也应该循序渐进地逐步确定需求并缩小选型范围。

  拿到Datasheet第一步,就是先看第一页概述,这是对产品的总结,一般包括了参数和介绍等,让我们在短时间内得以迅速了解芯片的性能指标。选型和原型验证往往是系统设计时最花时间的,因此详细阅读并了解非常有助于我们前期筛选。

  然后,从应用角度出发,清晰了解应用具体需求及演进路线,一般Datasheet中都会具体列出适合的应用,比如汽车、光伏、电机、工业自动化等等。

  通过上述介绍,我们已经基本了解产品大致情况,对于应用而言,还需要有一些更为详细的参考,这就是我们接下来要聊的,数字隔离器都要看哪些参数?

  细数藏在参数里的门道

  对于数字隔离器来说,哪些参数值得关注?为了避免纸上谈兵,我们请教了纳芯微产品线总监叶健,深耕隔离器领域多年的他,完整见证了从光耦到数字隔离器的替代过程,提供了很多知识总结。他以纳芯微的NSI82xx-Q1SWWR系列高可靠性多通道超宽体数字隔离器为例,具体解读了数字隔离器的Datasheet。

  虽然Datasheet上存在隔离电压、CMTI、封装、速度、功耗、ESD等大量参数,让人眼花缭乱,但叶健也总结了应当重点观察的参数项。叶健结合纳芯微的产品列出了以下七个主要参数,不分先后。

纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

  首先是隔离电压。隔离产品是一个安规器件,因此一定是围绕着安全进行选型,其中最主要的就是隔离电压的能力。比如纳芯微通过基本隔离、增强隔离等多种产品,覆盖了不同耐压范围,以满足客户不同的系统需求选型。

  其二是ESD。它是隔离芯片高可靠性的重要保证,对绝大多数芯片而言,ESD都是必须的,但也分强弱,而隔离芯片由于所处高压环境中,在系统中通常是处于高低压的接口处,因此ESD同样极为重要。纳芯微实现了8kV的HBM耐压能力,属于芯片级HBM ESD中最高等级。

  第三是CMTI。它是隔离产品另外一个重要指标,用以衡量芯片的抗瞬态干扰能力,也就是芯片在系统应用中的鲁棒性表现。CMTI具体是是指短时间电压上升或下降到可以破坏驱动器输出状态的值,瞬态干扰是由开关节点上的高 DV/DT 引起的,如果CMTI能力不够,可能会导致输出错误,甚至出现电路短路,影响系统安全。纳芯微隔离器的CMTI主要为±200kV/μs,部分型号甚至可达到±250kV/μs。

  第四是封装。这里的封装不止体现在尺寸上,而是与耐压或安规爬电间距等指标相关,也会根据客户的要求或系统要求提供不同芯片选型,但最终目标一定会是在更小尺寸、更高集成度情况下,同时能够满足安规要求。比如纳芯微就提供了包括SOP、SOW、SOWW等不同封装种类,满足不同安规要求,这点之后会细说。

  五是传输速率和延迟。它是数字隔离器高性能的体现,最高可以支持数百Mbps甚至达到Gbps的传输速率。不同通信标准和接口对于数据传输率要求不同,需要仔细审阅。但叶健也强调,无论是1Mbps还是150Mbps,对成本影响并不大,也正因此纳芯微的产品并没有根据传输速率设置更多的产品类别,而是基本都是一步到位做到了150Mbps,可以满足绝大部分应用需求。另外除了传输速率,在Datasheet中也会有时序相关的各类详细参数,这也是系统设计时需要考虑的。

  六是功耗。不过叶健表示,数字隔离器相对光耦而言,功耗已经实现极大降低,因此对于功耗的诉求相对不大,但Datasheet中还是会详细列出各种状况下的功耗指标。

  七是工作温度。工作温度与应用场景强相关,比如车规产品分了Grade 0到Grade 3四个等级,对应不同的温度要求,Grade 0需要覆盖的温度范围是-40℃~150℃,工规则根据不同的应用场景对温度有不同的要求,通常最高要求是-40℃~125℃等,这些都在Datasheet中有详细说明。

  封装的学问

  叶健强调,仅对隔离器而言,封装的影响很大,主要原因是封装的大小直接影响器件的耐压能力,因此这也是需要特别注意的地方。谁都愿意将产品小型化,但更高规格的隔离电压需要更宽的封装。也正因此,纳芯微推出包括普通、宽体以及超宽体的封装,超宽体封装的优势主要体现在两个指标上,一个是15mm爬电距离,另一个是8 kVrms的隔离耐压,增强型隔离器可以提供与两个串联的基本隔离器相当的绝缘水平,这可以满足一些特殊的应用需求,比如光伏逆变器等等。

纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

  纳芯微不同种封装方式及详细指标都在Datasheet中列出

  简而言之,更大封装将允许更高的隔离电压规格。如果您可以选择更小的封装来满足系统的监管要求,那么更小的封装当然有助于节省板空间和成本。此外,您还需要考虑通信接口需要多少个隔离通道,因为通道数越高,封装类型就越重要。

  电气间隙(Clearance)和爬电距离(Creepage)是两个不同指标,电气间隙是两个导电零部件之间或导电零部件与设备界面之间测得的最短空间距离,爬电距离则是指沿绝缘表面测得的两个导电零部件之间或导电零部件与设备界面之间的最短距离。

  电气间隙和爬电距离受环境污染等级、海拔、CTI等影响,尤其是光伏、风电等野外恶劣环境下持续工作场景中,海拔和污染的影响很高。如何尽可能满足电气间隙和爬电距离的要求同时还能减少整体尺寸?纳芯微产品的CTI达到了600V,可以使得系统对爬电距离的要求降到最低,从而减少系统尺寸。

  安全标准至关重要

  光是满足参数标准,并不意味着选型结束,隔离器还要关注安全认证指标,作为安全相关产品,认证往往都会放在最醒目位置,比如纳芯微Datasheet第一页中就给出了其满足的安规认证标准,包括UL1577、CQC、CSA、VDE等不同认证体系。认证标准之所以重要,是因为制造商在选择带有认证标志的产品后,就可以很容易拿到系统的安规证书,使得产品放心地在全球范围内的使用和销售。

  UL1577标准是数字隔离器的关键元件级认证要求,适用于光隔离器、磁隔离器以及电容隔离器。为通过该标准的认证,器件必须承受隔离电压Viso(由制造商规定,通常为2.5kVrms或5kVrms)达1分钟。该规范还规定隔离器需要采用120%隔离电压进行100%生产测试,持续时间为1秒钟。

  另外,数字隔离器还需要参考CQC、CSA、VDE等地区性认证标准。

  安规认证背后,是严格的测试流程。需要经过包括老化测试,耐高压测试,抽样测试,宽温测试,寿命测试等各类测试,尤其是寿命测试,甚至需要半年以上才算一次完整的测试周期。

  通过机构认证并不意味结束,在产品量产时,还需要对每颗芯片进行测试。比如,纳芯微的每颗隔离器在出厂时都通过了高压测试,并且每季度还要进行批次性抽样测试。以完整的测试流程确保了隔离器件的安全可靠。

  写在最后

  Datasheet后半部分基本就是芯片的具体引脚布局图,特性指标,细节介绍,详细实测结果,应用指南,封装尺寸图,认证指南等等,为工程师在不同阶段的系统设计提供参考。

  由于隔离器件并不属于主芯片,因此使用过程中需要特别注意的事项不多,如果是主处理器等产品,Datasheet可能会有数百页之多。但隔离牵扯到至关重要的安全,因此还是需要工程师仔细完整的阅读所有相关信息。

  从分析纳芯微的Datasheet中,我们不光了解到数字隔离器的关键参数在选型中的作用,也包括安全标准介绍等基础知识,更是明显看到纳芯微乃至国产器件的进步,这一方面来自纳芯微对于研发的不断投入,也得益于其一直凭借贴近应用、贴近市场的方法论进行产品开发。

  总而言之,想要用好一款产品或技术,首先需要的是了解他,而了解的最好方式就是阅读Datasheet。

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高性价比:纳芯微推出面向RS485通信隔离的三通道数字隔离器SP301H/L系列
  纳芯微宣布推出基于其自研的第三代电容隔离技术的三通道数字隔离器——SP301H/L系列。作为面向RS485通信隔离应用打造的新一代产品,SP301H/L在传输速率、功耗表现、抗干扰能力及封装尺寸等方面实现全面升级。  相比前代SP301A及NIRS31系列产品,SP301H/L支持最高8Mbps通信速率,采用低静态功耗设计,并进一步优化电磁抗扰性能;小巧紧凑的SSOW10密脚宽体封装,在提升集成度的同时有效节省PCB空间,为客户提供兼具高性能、高可靠性与高性价比的隔离解决方案。  RS485通信因其传输距离远、抗干扰能力强、多节点组网灵活等优势,被广泛应用于电力终端设备、工业自动化控制、新能源储能系统等场景。在这些应用中,隔离器件是保障通信稳定性和系统安全性的关键环节。传统的RS485通信隔离中,三路光耦的隔离方案存在器件数量多、速率受限、易老化漂移及占板面积大等问题,难以满足高速通信、长寿命和小型化需求。随着系统性能要求不断提升,数字隔离正成为RS485通信隔离方案的重要发展方向。  高性价比:  单芯片替代三路光耦,简化设计降本增效  传统隔离RS485通信方案通常需要3颗光耦隔离器及多颗外围阻容器件,不仅BOM复杂、采购管理成本较高,还占用大量PCB空间。  SP301H/L通过单芯片集成三路隔离通道,可直接替代分立光耦及外围器件,在显著简化BOM清单的同时,减少器件数量与布线复杂度,提升整体方案集成度。  此外,SP301H/L采用紧凑型SSOW10密脚宽体封装,相比传统光耦方案可节省超过60%的PCB占板面积,进一步释放板级空间资源。  三路光耦隔离方案和SP301H/L的尺寸对比  性能方面,SP301H/L数据通道支持最高8Mbps通信速率,使能控制通道支持最高1Mbps,有效突破传统光耦方案的带宽瓶颈,满足智能电表、工业现场总线等应用对高速通信和低时延传输的需求;方案适配方面,SP301H使能引脚默认高电平,SP301L使能引脚默认低电平,可灵活满足不同软件方案中MCU的使能逻辑需求。  同时,芯片采用低静态功耗设计,适用于电池供电及现场仪表等对功耗敏感的应用场景,并且支持-40℃~125℃的环境工作温度,充分满足工业应用需求。凭借高集成度、小尺寸封装、优异的性能及精简的外围设计,SP301H/L能够更好地满足智能电表等设备对小型化、轻量化和高可靠性的设计需求,实现光耦方案的无缝升级替换。  高可靠性:  抗扰能力全方位提升,保障通信稳定运行  以智能电表应用为例,其通常部署于复杂电磁环境中,通信链路需要承受电网浪涌、开关噪声及长距离布线带来的各类干扰挑战。  SP301H/L通过优化隔离架构与抗扰设计,有效提升RS485通信链路的电磁抗扰(EMS)能力,降低通信误码率和掉线风险,保障电表数据传输的稳定性与可靠性。相较于前代SP301A及NIRS31系列,SP301H/L在电磁抗扰方面表现更为出色:  EOS性能提升约10%,Latch up电压达到10V以上,显著增强器件对电源过应力的耐受能力,有效避免因电源异常波动导致的损坏,延长系统运行寿命。  电源噪声抗扰性优异:在MHz级高频和大电压幅值的系统噪声干扰下,芯片仍能保持正常输出且无误码,进一步提升系统在复杂电磁环境下的可靠性。  共模瞬态抗扰度(CMTI)典型值高达200kV/μs,能够有效抵抗共模瞬态干扰,确保信号传输的准确性与稳定性。  此外,SP301H/L系列基于纳芯微领先的第三代电容隔离技术打造,具备卓越的隔离耐压能力:可达5kVrms(1分钟),并能够承受超过10kV的浪涌电压,满足增强绝缘要求。SP301H/L系列现已量产,可登录纳芯微官网进行样品申请。  丰富的“隔离+”产品  引领隔离芯片标杆  凭借在隔离技术方面的积累和领先优势,纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品,以全生态“隔离+”产品矩阵,为高压系统筑造安全可靠的防线:  “+”代表增强安全:纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级,为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。  “+”代表全产品生态:纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心,拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合,为客户提供隔离器件的一站式解决方案。  “+”代表深度赋能应用:纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统,以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求,实现系统级安全、可靠与高效。  截至2025年,纳芯微隔离相关芯片已累计出货超27亿颗,作为全球领先的隔离芯片供应商,纳芯微致力于通过全面的“隔离+”产品布局,以核心技术IP和全产品生态,引领隔离芯片标杆,为全球客户提供一站式的隔离芯片解决方案。
2026-06-18 10:04 reading:305
第九届纳芯微技术大会圆满落幕,创新回响持续激荡!
  近日,第九届纳芯微技术大会 (NOVOSENSE Technology Conference,简称 NTC) 在上海举办。作为纳芯微一年一度的重要技术交流活动,本届大会吸引近 700 位研发与技术人员参与,共征集技术投稿 155 篇,规模创历届新高。  自 2018 年首届举办以来,NTC 历经九届沉淀。从最初的小型交流活动,逐步发展成为覆盖芯片设计、工艺开发、工程制造、系统架构、应用创新等多个技术领域的重要技术平台,也成为纳芯微工程师文化的重要载体之一。  今年 NTC 继续以“Innovation · Share · Lead” (创新、分享、引领)为使命,通过技术分享及研讨、Demo Show、特邀报告及 AI 创新赛事等多种形式,鼓励工程师分享经验、交流思想、探索前沿技术方向,持续营造开放创新的技术氛围。  01  创新驱动成长:  市场驱动迈向技术与市场双轮驱动  大会开幕式上,纳芯微 CTO 盛云表示,随着智能化、低碳化的持续演进,以及 AI 算力基础设施和机器人等新兴应用的快速发展,模拟与混合信号芯片产业正迎来新一轮创新机遇。客户对于差异化解决方案的需求不断提升,也对芯片企业的技术创新能力提出更高要求。  他指出:“纳芯微需要通过技术和产品创新持续提升产品竞争力和客户价值。从主要依靠市场驱动,逐步走向技术与市场双轮驱动,既要坚持以客户为中心,也要重视以技术为中心。”  盛云认为,无论是产品定义、工艺开发、电路设计还是工程实现,模拟芯片领域仍然存在广阔的创新空间。持续创新不仅是企业发展的重要动力,也是构建长期竞争力的重要基础。  02  专家引领创新,  持续夯实技术能力建设  近年来,纳芯微深耕技术能力建设,不断完善创新平台与人才发展机制,推动核心技术能力长期积累与传承。  目前,公司已建立覆盖多个专业领域的专家体系,并完成技术专家评审与认定,进一步畅通专业人才发展通道。大会期间还举行了第二届专家委员会成员聘任仪式。盛云表示:“专家不仅是技术体系的支柱,也是知识传承和人才培养的重要力量。”他同时透露,未来纳芯微将持续完善技术创新机制,将创新能力建设进一步融入产品定义、技术预研及研发流程管理中,为工程师创造更加开放高效的创新环境。  03  AI 创新实践首次亮相 NTC  与往届相比,AI 成为本届 NTC 最受关注的新议题。随着大模型和 AI Agent 技术快速发展,人工智能正在从辅助工具逐步走向复杂任务执行和自主协同的新阶段。面对这一趋势,纳芯微首次将 AGI 二次开发大赛纳入 NTC 整体议程,旨在推动 AI 技术与实际业务场景深度融合。  本次大赛自 4 月启动以来,吸引了来自多个技术领域和业务团队的踊跃参与。参赛项目聚焦研发、工程和业务运营等实际场景,围绕效率提升、流程优化、知识沉淀与智能辅助等方向展开探索,充分展现了工程师将前沿 AI 技术转化为实际生产力的创新能力。  盛云在致辞中表示:“对于公司和工程师个人而言,最好的选择是积极拥抱变化。”他希望通过 AI 大赛激发全员探索热情,为未来 AI 能力建设和业务应用落地奠定基础。  04  Demo Show:  从创意灵感走向应用落地  除了精彩纷呈的理论分享,纳芯微 Demo Show 为各类创新灵感提供落地实践载体。从最初的创意萌芽、严苛的初审入围,到精细的实物制作,再到 NTC 现场的惊艳亮相——生动展现了工程师们对前沿技术的实践转化。  05  让热爱同行,  共享荣耀时刻  两天精彩的技术研讨与成果展示后,本届大会特别举办了“芯光无界”工程师晚宴。在晚宴现场,大会表彰了在技术创新、Demo Show 及专家评选中表现突出的团队与个人,并特设拍照打卡区定格一个个值得纪念的瞬间。来自不同领域的工程师们因技术相聚、因创新共鸣,在交流与分享中碰撞灵感,也让属于纳芯微的工程师文化更加深入人心。  历届 NTC 见证着纳芯微技术底蕴的延续与沉淀,也记录着工程师们对创新与卓越的不懈追求。正如盛云在大会总结中所说:“以卓越之心,铸创新之芯,乘 AI 之势,聚专家之力。”  面向未来,纳芯微将继续坚持技术创新,拥抱 AI 带来的变革,与更多工程师共同探索技术边界,为客户创造更大价值。
2026-06-17 09:29 reading:251
纳芯微推出通过IBEE/FTZ-Zwickau EMC认证最高Class III等级、全国产化的CAN收发器
  纳芯微宣布推出全国产化供应链的汽车级CAN收发器芯片NCA1043D-Q1,新器件凭借业内领先的抗干扰特性,在欧洲权威测试机构IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证中,实现无特殊条件备注、全测试项通过最高Class III等级。  NCA1043D-Q1同时满足大众集团VW80121-3,2023-12标准,纳芯微现可提供相关测试报告,支持汽车制造商简化系统认证流程,加速产品上市。  CAN收发器是整车系统通信链路上的核心器件,通信过程中任何EMC问题带来的扰动都可能演变为整车系统的功能异常,因此车厂和Tier 1通常将CAN收发器视为EMC设计和验证的重点器件之一。尤其在800V高压平台、SiC功率器件和复合材料电池包逐渐普及后,CAN收发器的EMC性能已经成为影响整车开发周期和系统可靠性的重要因素。  纳芯微NCA1043D-Q1全部通过四项测试  全面通过最高Class III等级测试  简化系统设计  IBEE/FTZ-Zwickau认证根据IEC 62228-3标准进行,测试项包括:发射射频干扰(Emission RF Disturbances), 抗射频干扰(Immunity RF Disturbances),瞬变免疫力(Immunity Transients)和抗静电(Immunity ESD),纳芯微NCA1043D-Q1在测试中表现优异,各种条件下均能通过器件最高Class III等级,以优异的EMC性能助力用户简化系统设计,加速产品开发和上市。  NCA1043D-Q1的相关测试项全部通过最高Class III等级  支持振铃抑制功能  满足复杂拓扑和提速需求  NCA1043D-Q1采用纳芯微自研的振铃抑制专利,允许工程师在多节点、复杂拓扑情况下有效减少总线中的信号反射,降低振铃现象发生的概率,同时维持系统级≤5Mbps的通信传输速率,使得用户可以在部分应用场景中采用性价比更高的CAN FD而非CAN SIC芯片,在保障车载通信质量的同时,降低物料成本。  全国产供应链加持  提升交付效率与供应韧性  NCA1043D-Q1在芯片设计、晶圆制造、封装测试等关键环节均实现国产化布局,构建了自主可控的全国产供应链体系。在保障供应安全与稳定供货能力的同时,依托本土产业链协同优势,有效缩短交付周期、提升响应速度,并降低综合供应链成本,为客户提供更具确定性和竞争力的供应保障。  封装和选型  NCA1043D-Q1将于近期量产,提供SOP14和DFN14两种封装,支持低至1.8V的VIO和睡眠模式唤醒;NCA1043D-Q1满足AEC-Q100,Grade 1要求,支持-40°C~125°C的宽工作温度范围。可通过纳芯微官网进行样片申请。  平台化接口IP  赋能全面产品布局  纳芯微在通信接口领域布局已久,通过平台化IP和自研专利的协同,实现了快速的产品迭代,并且在CAN/LIN/RS485/I2C/I3C/SerDes接口等方面完成了全面的产品布局。技术层面,纳芯微在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破,达到业内领先的水平。  以EMC为例,纳芯微全面通过IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证的器件还包括CAN FD收发器NCA1044-Q1,NCA1057-Q1,NCA1145B-Q1以及CAN SIC收发器NCA1462-Q1;其中NCA1044-Q1和NCA1462-Q1亦通过日本VeLIO认证,相关器件均已量产,欢迎垂询。
2026-06-10 10:19 reading:384
纳芯微丨低资源占用、快速切换:单 Bank Flash MCU 在线升级方案解析
  随着智能产品进入规模化应用,现场固件更新能力已成为产品持续迭代的重要支撑。对于 MCU 系统而言,固件升级不仅要完成新版本程序写入,还需尽量降低升级过程对设备运行状态和用户使用体验的影响。  针对单 Bank Flash MCU 平台,本文提出一种不断电固件升级方案,通过软件架构设计实现安全、快速、用户低感知的现场固件更新,为单 Bank Flash MCU 提供在线升级能力。  01 方案背景  目前,MCU 常见固件升级方式包括 IAP(In Application Programming)、ISP(In System Programming)、双 Bank 升级、OTF(On The Fly)、LFU(Live Firmware Update)以及 LiveUpdate 等。其中,不断电升级通常要求系统在升级过程中保持业务运行,不依赖设备重启,并实现新旧固件的平稳切换。  现阶段,OTF 和 LFU 是较为常见的不断电升级方案,但通常依赖 MCU 具备双 Bank 架构的 Flash 存储器。而在实际应用中,单 Bank Flash MCU 仍然占据较大存量。由于单 Bank Flash 不具备动态 Bank 切换能力,如何在不依赖双 Bank Flash 架构的前提下,实现无停机、无复位、业务连续的现场固件升级,成为单 Bank Flash MCU 在线升级设计中的关键问题。  02 系统架构与核心技术点  由于单 Bank 架构的 Flash 不具备动态切换 Bank 或启动时自动切换 Bank 的功能,因此需增加 Bootload 程序,负责系统引导、启动选择及运行环境构建。Bootload 支持烧录 App 固件、读取 App 信息区、并为 App 区配置运行环境。  这种架构可支持多个 App 区,每个 App 区均设有独立的信息区。信息区用于存储对应固件分区的关键参数,包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度(Length)以及中断初始化程序等必要信息。  整体方案的组成框架如图 1.1 所示。需要实现的关键技术包括:  ① APP 区信息的保存与动态分析;  ② 切换 APP 区时的定点切换;  ③ 在主循环内更新主循环本身。  图 1.1 单 Bank 不断电升级方案框架  03 固件分区与信息提取  Bootload 与 App 区在运行过程中需动态读取固件信息,以便为后续执行的目标代码构建运行环境。需特别说明的是,Bootload 跳转至 App 区的机制与 App 区之间的跳转机制并不相同。在本文提供的方案中,Bootload 跳转至 App 区采用传统的 IAP 跳转方式;而 App 区之间的跳转则基于固定代码区的锁定机制,以确保跳转过程的安全性。  Flash 存储器需要通过 FMC 模块与 CPU 进行通信,Flash 在执行擦除操作时需耗费一定时间,若在此期间 CPU 发起对 Flash 的读取请求,将会因为等待 FMC 完成擦除而导致阻塞。  这引入了第一个需要解决的问题—— App 区内擦除 Flash 阻塞。为避免该问题,在擦除 Flash 时应避免 CPU 同时读取 Flash,相关操作需置于 SRAM 或 ITCM 中执行。  为简化实现流程,本方案将 App 区固定运行于 SRAM 中。Bootload 在启动阶段将 App 代码从 Flash 手动拷贝至 SRAM,从而有效避免擦写冲突,确保升级过程的稳定与可靠。  App 区的分区功能使用的是 Sct 分散加载脚本功能,如程序清单 1.1 所示。  程序清单 1.1 App 区的 Sct 文件  以 App0 为例,其分区信息与作用描述如表 1.1 所示。  表 1.1 App 区的分区功能描述  固件信息区 FIRM_DROM 用于存储程序清单 1.1 中各个分区的关键参数,包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度,以及用户自定义和其他辅助信息。这些信息通过编译器自动生成的全局环境变量进行记录,具体声明方式如程序清单 1.2 所示。  程序清单1.2 分区信息保存方法  清楚如何将 Load 地址拷贝到 Image 、和复制长度,即可动态搭建不同固件的运行环境。  04 固定代码区  堆栈污染防护机制  在 C 程序运行过程中,堆(Heap)用于程序源动态申请和释放临时变量,而栈(Stack)则用于在子函数调用或中断触发时保存临时变量、返回地址等上下文信息,通过“进栈-出栈”机制实现函数调用链的正确返回与运行环境恢复。  基于上述机制,引入本方案需解决第二个关键问题——App区相互跳转前后,堆栈中保存的返回地址与新固件无法对接,即“堆栈污染”问题。由于 App0 与 App1 区的代码随用户程序迭代而不断变化,若直接跳转极易因堆栈不一致导致系统异常。为此,方案引入固定代码区以保障跳转过程的稳定性。  固定代码区本质上位于 main() 函数内的主循环(如 while(1) )中。该循环具备一个重要特性:所有子函数执行完毕后均会返回至主循环入口,中断服务程序执行完毕后也同样返回到此位置。根据堆栈行为特点,当程序运行于主循环内部时,堆栈中不会保留函数调用信息,此时堆栈处于“最干净”状态,从而有效避免了跳转过程中的堆栈污染问题。  要做到这点,需要将 main() 放到 FIXCODE 区域内,然后 main 内部的初始化和主循环内统一调用子函数,增减的代码都在子函数内处理,让切换 App 区执行代码不发生偏移。如程序清单 1.3 所示。  程序清单 1.3  05 运行时固定代码区更新策略  FIXCODE 本身是 main() 和主循环,里面同样包含用户层的应用代码,所以更新固件这部分也同样需要更新到最新版本。本方案需要解决第三个关键问题——程序运行期间不能被擦除,否则会导致指令读成乱码,所以在更新固定代码区的操作要放在非固定代码区,且保证执行完后能回到正确的堆栈点。  图1.2 更新固定代码区  06 中断向量表与函数分区更新实现  中断处理包括中断向量表处理和中断函数处理。中断函数通过声明中断服务函数以及其调用的子函数分配到 RW_APP0_ITCM 区,这样就可以通过分区更新功能统一更新。本方案需要重点处理中断向量表。  中断向量表涉及的方面包含以下几处地方:  ① Sct 文件内声明的 RESET 区域,如程序清单 1.1 所示;  ② SDK 包内默认的中断向量表地址,包括 Flash 中断向量表和 VT_DTCM 的中断向量表;  ③ 在切换新固件的中断部分,准备好内存空间,最后修改 VTOR;  在第二点中,SDK 内对中断向量表的操作如程序清单 1.4 所示。  程序清单 1.4 SDK 包中断表处理  代码路径:interrupt.c  VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 是指固件的头部装载地址,需要留意的是,这个表里还包含了默认处理函数句柄以及 Reset 等前面不可屏蔽的处理函数。  SDK内默认将 VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 设置为 0x08000000,对每个 APP 区必须在 interrupt.h 内改为对应地址。  程序清单 1.3 内的函数实现的主要目的,是将存放在 DTCM 空间内的 vectorTableDTCM 表重初始化。  在 App 区内的操作流程如图 1.3 所示。可看到板级初始化做的是 App 本身所占用的中断表地址,而切换则是搭建新固件的中断表地址。  07 变量偏移防护与共享内存设计  由于业务逻辑要持续运行,所以对于关键的状态变量、计数变量等需要做特殊处理。这里就提出第四个问题——由于编译器为节省空间,会将变量紧密排序,从而导致全局变量在切换到新固件时产生不可预计的偏移。简单而言就是将这类需要继承的变量,存放在 ShareMemory 空间内,并以绝对地址的形式固定下来。这种方案相较于其他依赖编译器的固定方式最直接快速。
2026-06-04 10:23 reading:492
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