士兰微49.6亿定增完成，大基金二期12.4亿元认购

Release time：2023-11-24
author：AMEYA360
source：士兰微
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　　11月22日，半导体IDM公司士兰微发布向特定对象发行股票发行情况报告书，公司完成发行2.48亿股公司股份，发行价为20元/股，募集资金总额49.60亿元，募集资金净额约49.13亿元。

士兰微49.6亿定增完成，大基金二期12.4亿元认购

　　士兰微是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一。

　　士兰微目前的产品和研发投入主要集中在以下五个领域，分别为功率半导体和半导体化合物器件、功率驱动与控制系统、MEMS传感器、ASIC产品、光电产品。

　　士兰微本次定增募集资金将用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目(一期)和补充流动资金。

　　士兰微表示，本次募投项目的实施，有助于公司进一步提升汽车级功率模块等新兴产品的产能规模和销售占比，推进产品结构升级转型;有助于公司形成功率半导体领域的先发优势、规模优势和成本优势，从而增强客户服务能力和市场竞争力，持续巩固公司的国内半导体 IDM 龙头企业优势地位;有助于公司提高行业话语权和国际影响力，助力公司打造具有国际一流竞争力的综合性的半导体产品供应商的战略发展目标。

　　此次成功认购士兰微股份的投资者既有国家级基金，也有多家头部公募基金与知名外资机构，其中包括国家大基金二期、北京首钢产业转型基金、财通基金、诺德基金、天安人寿保险、中国人寿资管、摩根士丹利、UBS AG等14名对象获配，限售期均为6个月。

　　值得一提的是，国家大基金二期认购的股数也是此次投资者中最多的，认购股票达6197.50万股，拟认购金额为12.4亿元，占到士兰微本次总募资的25%。

　　今年5月22日，士兰微公告称，公司与国家大基金二期将共同出资21亿元认缴成都士兰半导体制造有限公司新增注册资本，其中国家大基金二期以自有资金出资10亿元。

　　8月29日，士兰微公告称，为加快“SiC功率器件生产线建设项目”的推进，拟与国家大基金二期、厦门海创发展基金共同出资12亿元，认缴厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(以下简称“士兰明镓”)新增注册资本。

　　天眼查显示，11月7日，士兰明镓发生工商变更，注册资本由约12.7亿元增至约24.6亿元，国家大基金二期完成入股，士兰微获得士兰明镓控制权，持股比例将从原来的34.72%增至48.16%，大基金二期将持有士兰明镓14.11%股权。而士兰明镓是士兰微本次定增募资投入的“SiC功率器件生产线建设项目”的建设主体。

　　士兰微在此前的业绩说明会上表示，在SiC产器件和模块方面，汽车主驱PIM模块、OBC单管等已经上车，客户包括吉利、零跑、威迈斯等，更多客户在导入验证中。SiC芯片方面，士兰明镓的 6吋SiC芯片产能将在年底达到6000片/月，较当前3000片/月翻一番。并称，SiC产能在抓紧进行，客户端导入也同步展开，但达到盈利规模的满产需要一定时间。

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士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”
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士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”

　　2025年7月11日-12日，“第五届中国集成电路设计创新大会”(ICDIA 创芯展)在苏州成功召开。大会期间，由中国集成电路设计创新联盟组织开展的“2025中国创新IC-强芯评选”颁奖典礼隆重举行。士兰微电子SiC MOSFET产品SCDP120R007NB2CPW4荣获2025中国创新IC“创新突破奖”。　　“强芯评选”旨在推动自主芯片创新应用，在全国范围内评选技术领先、竞争力强、质量可靠的创新IC 产品，为系统整机、品牌终端、 用户单位提供国产优质芯片应用选型，以此深度挖掘中国芯领先产品，共建自主产业生态。其作为一年一度的国产IC推优平台，对我国自主集成电路产业创新具有重要意义。　　SCDP120R007NB2CPW4　　士兰微电子SCDP120R007NB2CPW4 (1200V 7mΩ，TO-247Plus-4L)是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用公司碳化硅自主工艺技术，具有极低的导通电阻(RDS(on)(typ.)=5.5mΩ)、传导损耗和开关损耗，具有较高的功率密度，能提供最佳的热性能。　　士兰微“一体化”战略　　近年来，士兰微电子深入实施“一体化”战略，通过持续推出富有竞争力的产品，持续加大对大型白电、汽车、新能源、工业、通讯和算力等高门槛市场的拓展力度，公司总体营收保持了较快的增长势头。同时，公司非常重视SiC产品的开发和应用。　　在碳化硅产品方面，士兰微已搭建起包含晶圆、分立器件、模组在内的多元产品矩阵，全面覆盖汽车主驱、汽车热管理、光伏储能、充电桩、AI服务器、工业电源等应用领域，在多家头部客户实现项目批量交付。当前士兰第二代碳化硅产品已实现稳定交付，备受期待的第四代碳化硅产品也计划于今年正式推出。　　在碳化硅产能建设方面，2025年士兰厦门碳化硅8英寸生产线将实现通线并投产，这一突破将大幅提升生产效率与规模。未来，士兰微将依托技术与产能的双重升级，为客户提供更高品质，更多元化的碳化硅产品，持续为功率半导体国产化进程注入绿色动能。　　未来，士兰微电子也将以不断发展的电子信息产品市场为依托，抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇，设计与制造并举，强化投入，持续提升特色工艺集成电路产品、功率半导体、传感器的技术能力，扩大产业基础，为成为国内主要的、综合型的半导体集成电路设计与制造企业而努力。
2025-07-16 11:35 reading：370
士兰微8英寸碳化硅项目披露新进展
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士兰微8英寸碳化硅项目披露新进展

　　6月26日，中建三局一公司承建的厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目(一期)首台设备提前搬入。该项目是2025年福建省及厦门市重点建设项目，也是厦门最大的碳化硅项目。　　项目位于福建省厦门市，总建筑面积 23.45万平方米，建成后将极大提升士兰微碳化硅芯片制造能力，助推厦门市第三代半导体产业加快发展。　　2024年5月，士兰微宣布拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.50亿元，并于2024年5月21日签署《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　当时消息显示，该项目拟建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，产能规模6万片/月。　　其中，第一期项目总投资70亿元，其中资本金42.1亿元，占约60%;银行贷款27.9亿元，占约40%。　　第二期投资50亿元，在第一期的基础上实施(第二期项目资本结构暂定其中30亿元为资本金投资，其余为银行贷款)。第二期建成后新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力，与第一期的3.5万片/月的产能合计形成6万片/月的产能。　　士兰微电子董事会秘书、副总裁陈越表示，他们总投资70亿元的一期项目，将尽最大努力争取在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成，年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
2025-07-04 16:27 reading：322
士兰微推出车规智控高精度车灯LED驱动IC-SQ9000
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士兰微推出车规智控高精度车灯LED驱动IC-SQ9000

　　1.产品概述　　士兰微SQ9000是一款车规级LED驱动控制器，采用高精度峰值电流控制模式可支持BUCK、BUCK-BOOST、SEPIC、BOOST等拓扑结构的应用。这款控制器具备 4.5V 至 65V 的极宽输入电压范围，支持开关频率外部可设置，以及具备抖频调制技术，展现出卓越的EMI性能。此产品含有全面的保护功能，包括 LED 过流保护、输出过压保护、输出欠压保护、开关管限流保护和热关断保护，确保器件在各种情况下的安全稳定运行。此产品完全符合AEC-Q100 Grade1标准，适用于汽车LED前大灯、逃生指示应急照明以及LED通用照明等。　　2.SQ9000产品特点　　基于士兰优异DTI工艺平台自主开发设计——国产方案、自主可控　　宽输入电压范围4.5V--65V，适用于12V、24V电池系统——宽域适配、应用灵活　　宽温度范围内可实现±4%高精度LED恒流——全温稳流、精准调控　　支持模拟调光和PWM调光，可独立控制LED电流——独立控流、双模调光　　集成P沟道MOSFET驱动，对PWM调光信号实现快速响应——P管直驱、瞬态同步　　含有全面的保护功能，以及电流监测和故障状态指示——多重防护、状态反馈　　采用HTSSOP-20带底部散热封装——绿色封装、强化散热　　3.典型应用原理图　　4.整机DEMO　　5.车灯套片方案士兰其他可选产品
2025-06-10 11:02 reading：432
士兰微：车规级SQ9702/3T H桥驱动器：智能栅极驱动，助力高效电机系统
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士兰微：车规级SQ9702/3T H桥驱动器：智能栅极驱动，助力高效电机系统

　　SQ9702/3T是一款单通道 H 桥栅极驱动器，驱动四个外部 NMOS，用于驱动双向刷式直流电机。　　SQ9702/3T具备三种类型控制接口，PH/EN、独立半桥以及PWM。其内部电流采样放大器提供可调的电流控制。其集成的电荷泵可提供 100%占空比支持，而且可用于驱动外部防反电路。　　独立半桥模式支持半桥共享，能够顺序控制多个直流电机，以达到最大的成本效益。SQ9702/3T具备通过固定关断时间的PWM电流斩波来调节绕组电流的功能。　　SQ9702/3T采用了智能栅极驱动技术，无需外部栅极驱动器件(包括电阻和稳压管)，同时可为外部 MOS 提供保护。SQ9703T 的死区时间可进行配置，SQ9702T具有固定的死区时间，其用于避免出现共通击穿问题。SQ9702/3T可通过配置压摆率为降低 EMI 带来便利，还可防止发生任何栅极短路问题。此外，SQ9702/3T提供主动和被动下拉功能，可防止任何 dv/dt引起的栅极误导通。　　特点　　AEC-Q100，Grade 1：-40°C ~125°C　　单通道 H 桥栅极驱动，支持 100%PWM 占空比　　工作电压范围：5.5V~45V　　三种控制接口选择：PH/EN、独立半桥以及 PWM　　SQ9703T具有用于配置的串行接口(SPI)　　智能栅极驱动，压摆率可调　　支持 1.8V、3.3V 和 5V 的逻辑输入　　集成 1 路电流采样放大器，SQ9703T的放大器增益可调　　集成 PWM 电流调节功能　　低功耗睡眠模式　　封装：QFN-32-5x5x0.85-0.5　　内部保护功能　　▫ 欠压锁定：电源欠压(UVLO)、电荷泵欠压(CPUV)▫ 过流保护(OCP)▫ 栅极驱动器故障(GDF)▫ 热关断(TSD)▫ 故障输出指示(nFAULT)▫ SQ9703T具有过温警告(OTW)▫ SQ9703T具有看门狗故障输出(nWDFLT)　　SQ9703T原理图　　整机DEMO
2025-06-10 09:12 reading：420
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