纳芯微正式成为AEC汽车电子委员会成员

Release time：2024-01-19
author：AMEYA360
source：纳芯微
reading：1981

　　近期，纳芯微宣布正式加入AEC (Automotive Electronics Council)汽车电子委员会，成为AEC组件技术委员会(Component Technical Committee)成员。

纳芯微正式成为AEC汽车电子委员会成员

　　AEC最初于1990年代由克莱斯勒、福特和通用汽车共同创建，其目标在于建立车辆及其部件的通用资质和质量标准体系，例如其制定的AEC-Q100标准，现已成为业内权威的汽车芯片测试标准。如今，AEC已经发展成为包括数十家汽车行业OEM和零部件供应商在内的权威行业组织。由AEC主管的组件技术委员会专注于制定可靠、高质量的汽车电子组件标准，为推动整个行业的持续发展树立标杆。

　　当前，全球汽车行业进入电动化、智能化加速发展阶段，带动汽车芯片需求快速增长。汽车芯片种类繁多且复杂，而汽车应用的严苛环境对元器件本身的可靠性、安全性均具有更高要求，因此其技术门槛更高，研发周期更长，相应认证标准也更为严格。

　　自2016年推出首款汽车芯片以来，纳芯微始终秉持可靠、可信赖的质量方针，在汽车芯片的设计、验证、量产等全流程均执行了AEC标准。凭借前瞻的产品布局、稳健的质量表现和可靠的交付记录，纳芯微在汽车电子领域的深耕获得了业界广泛认可：2021年获得TÜV莱茵ISO 26262功能安全管理体系最高等级ASIL-D认证，2023年获得权威认证测试机构VDE颁发的优秀质量奖。

　　此外，纳芯微在汽车电子领域的产品布局也不断完善，仅在2023年就先后推出多款车规级芯片，包括用于汽车电子执行器的马达驱动SoC-NSUC1610，采用MEMS工艺的压差传感器NSPGM2系列，霍尔开关/锁存器NSM101x系列，霍尔电流传感器NSM2019，可编程步进电机驱动器NSD8381-Q1以及多通道半桥栅极驱动NSD360x-Q1等，可广泛用于汽车车身控制、新能源车热管理、OBC/DCDC等应用场景。2023年前三季度，纳芯微汽车电子业务在公司营收中的占比提升至28%。

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纳芯微重磅推出车规级SBC NSR926X，助力智能汽车电子架构升级！
行业新闻

纳芯微重磅推出车规级SBC NSR926X，助力智能汽车电子架构升级！

　　汽车电子电气架构正加速从分布式向域控制中央集中式方向发展，系统设计面临以下关键挑战：　　• 系统集成度：功能数量持续增加，需通过高集成方案降低外围器件数量，优化PCB空间布局;　　• 功耗管理：低功耗待机、快速唤醒与多模式能耗控制需求提升，设计平衡难度加大;　　• 总线系统设计：CAN FD、LIN等多总线架构广泛应用，需兼顾高速传输、低干扰性能与网络唤醒机制，保障通信可靠性与整车功耗水平。　　纳芯微全新推出的NSR926X系列车规级SBC系统基础芯片，集成了三路低压差稳压器(LDO)、四路高边驱动(HSS)、LIN收发器及带部分网络(Partial Networking, PN)功能的高速CAN收发器，采用多合一平台级设计，全面满足智能汽车控制模块对供电、通信与驱动等功能的集成化需求，助力下一代汽车电子架构高效升级!　　封装与选型　　NSR926X采用7mm × 7mm QFN48封装，带Wettable Flank结构，支持AOI检测，符合AEC-Q100 Grade 1车规认证，可广泛应用于车身控制模块(BCM)、尾门控制单元、转向系统模块、挡位选择模块等车载电子系统。　　NSR926X系列产品选型表　　产品亮点　　集成三路LDO输出，满足多电压域供电需求　　◆ LDO1：主稳压输出，提供5V/250mA (NSR926X) 或3.3V/250mA(NSR926XV33)，适用于MCU供电;　　◆ LDO2：辅助稳压输出，5V/100mA，具备板外使用保护功能;　　◆ LDO3：可配置电压输出，支持5V或3.3V(NSR926X)、3.3V或1.8V(NSR926XV33) 选择，配合外部PNP晶体管可用于板外供电或与LDO1负载共享。　　集成四路高边驱动，满足多样化负载控制需求　　◆ HS1、HS2：3Ω导通阻抗，适配中等功率负载;　　◆ HS3、HS4：6Ω导通阻抗，适用于轻载控制;　　四路HS针对带大电容启动的应用场景进行了设计优化，兼顾启动性能与短路保护需求。　　支持CAN FD与LIN通信，适配复杂车载网络架构　　◆ CAN收发器：支持最高5 Mbit/s FD通信，兼容CAN 部分网络(Partial Networking, PN)功能与CAN FD容错模式，符合ISO 11898-2:2016与SAE J2284标准;　　◆ LIN收发器：支持LIN 2.2协议，兼容ISO 17987-4与SAE J2602标准;　　集成7种状态机模式，适配各种应用场景　　◆ 初始化模式 - Init Mode;　　◆ 正常工作模式 - Normal Mode;　　◆ 低功耗模式 - Stop/Sleep Mode;　　◆ 故障保护模式 - Restart/Fail-safe Mode;　　◆ 用户调试模式 - Test Mode　　集成完善的智能唤醒与系统监控/故障诊断功能　　◆ WK端口支持电压检测及远程唤醒功能，具备高压测量功能，通过WK1与WK2可实现高压检测与备用测量模式切换;　　◆ 16位SPI接口，支持灵活配置与系统状态监控;　　◆ 故障输出/通用IO：3路Fail输出，支持故障状态显示，FO2/FO3可配置为通用IO或唤醒源;　　◆ 集成Fail-safe安全机制、看门狗定时器(窗口模式与超时模式)、中断与复位输出功能　　依托高集成、高可靠、低功耗、可扩展等优势，纳芯微NSR926X系列SBC为下一代智能汽车电子系统提供稳定、灵活、可靠的一站式电源与通信支持平台!
2025-07-28 14:06 reading：298
纳芯微参与车规传感器标准制定，推动汽车电子行业发展
行业新闻

纳芯微参与车规传感器标准制定，推动汽车电子行业发展

　　在汽车电子技术加速发展的背景下，产业标准体系建设已成为行业高质量发展的关键之一。作为国内领先的汽车模拟芯片和传感器芯片企业，纳芯微不仅在产品创新和市场拓展方面不断发力，还积极参与行业标准的制定，推动技术规范化进程。　　近期，由纳芯微参与编制的《汽车用霍尔式传感器性能试验方法》团体标准，已正式获得中国检验检测学会批准发布。该标准对霍尔式传感器的一般试验、外观检查、工作温度范围、电气特性等性能测试方法进行了系统规定，为相关产品的开发、验证和质量评估提供了统一的技术依据。　　纳芯微在技术创新、市场拓展及产业链协同持续突破。其产品广泛应用于新能源汽车三电系统，并加速渗透至智能化和安全领域。自2016年发布首款汽车芯片，截止2024年，纳芯微汽车芯片累计出货量已达6.68亿颗，2024年汽车业务营收占比36.88%。　　在磁传感器领域，纳芯微不断丰富产品体系并布局全面，2024年顺利完成对麦歌恩的战略收购与整合，进一步拓展技术与产品矩阵，提升市场竞争力，巩固行业领先地位。　　磁电流传感器(例如：NSM201x系列和NSM203x系列)可用于汽车电池管理系统的电流监测;　　磁开关传感器(例如：MT72xx系列和MT73xx系列)可用于车门、尾门、座椅卡扣等部件的测与控制;　　磁角度传感器(例如：MT6511)可实现精准的角度位置感知，提升电控系统的稳定性;　　磁阻编码器(例如：MT6835 和 MT6826S)以高精度和快速响应为优势，广泛应用于工业自动化和运动控制等领域;　　速度传感器(例如：NSM41xx系列)采用AMR技术，可用于汽车ABS系统中的车轮速度检测，助力制动控制系统实现精准响应与安全提升。
2025-07-23 10:43 reading：371
纳芯微化繁为简, 适配复杂磁场环境，MT73xx 3D双路输出霍尔锁存器赋能车规电机精准控制
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纳芯微化繁为简, 适配复杂磁场环境，MT73xx 3D双路输出霍尔锁存器赋能车规电机精准控制

　　纳芯微基于3D霍尔原理设计的双路输出霍尔锁存器MT73xx系列，支持SS(速度与速度)或SD(速度与方向)双路输出，符合车规Grade 0标准，可广泛应用于车窗、尾门、天窗等电机控制系统，助力提升速度与位置检测的精度与稳定性，优化整车舒适性体验。　　在电机控制系统中，速度与方向信号的精准检测直接影响系统响应速度与运行稳定性。传统方案通常依赖两颗霍尔锁存器组合，对磁环安装精度要求较高，容易引发信号相位偏差、同步性差、结构复杂等问题。　　MT73xx系列产品集成3D霍尔感应结构，具备天然正交输出特性，能够同时输出双路相位差90°的速度信号(SS输出)或速度与方向信号(SD输出)，广泛适用于 “速度-方向”检测场景。这种设计降低了对磁环磁极位置安装精度的依赖，有效规避双路信号相位偏差，简化系统结构，提高整机稳定性，为运动控制检测提供更灵活可靠的解决方案。　　VHS技术加持，适配多元磁环结构　　为了实现高精度的3D感应效果，MT73xx系列采用纳芯微自研VHS(Vertical Hall Sensor)技术，通过XY、YZ、XZ不同轴向感应组合，任意两轴便可天然正交输出，提升信号同步性。　　此外，MT73xx系列可很好的兼容磁环结构，无论是轴向、径向或异形磁铁结构，均能保持优良的占空比表现，便于用户根据磁环特性与安装环境灵活调整设计，进一步降低开发难度与调试成本。　　双路输出优化系统集成　　在系统集成方面，MT73xx的双路输出特性可替代传统单路或双霍尔方案，直接输出SS(速度与速度)或SD(速度与方向)信号至ECU，减少外围冗余位置传感器需求。　　这一设计不仅节省PCB空间、简化结构设计，还提升了方案集成度，为客户在电机控制、智能座舱等领域的创新应用提供更大自由度。
2025-07-23 10:41 reading：340
助力半桥器件开关安全提速，纳芯微推出车规级带米勒钳位功能的隔离半桥驱动NSI6602MxEx系列
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助力半桥器件开关安全提速，纳芯微推出车规级带米勒钳位功能的隔离半桥驱动NSI6602MxEx系列

　　纳芯微正式推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602MxEx系列，该系列在纳芯微明星产品NSI6602基础上，集成了米勒钳位功能，同时兼具高隔离电压、低延时、死区可配、欠压阈值可选等特点，适用于驱动SiC、IGBT等器件，可广泛应用于新能源汽车OBC、DC/DC、主动悬架等场景。NSI6602MxEx与NSI6602功能框图对比　　5A米勒钳位功能，助力半桥电路安全可靠　　在实际应用中，OBC/DCDC、工业电源、电机驱动等桥式电路的功率器件容易发生串扰行为，尤其伴随着第三代功率器件如SiC和GaN的应用，门极阈值电压以及最大耐受负压双双减小，使得抑制寄生导通的电压裕量在不断减小。在使用传统半桥驱动芯片时，为了避免因米勒效应引发的桥臂直通，通常需要调整驱动电路。　　然而，在很多情况下，即使精心调整了驱动参数、正负供电电压，以及优化PCB栅极寄生参数，也难以同时将正负串扰控制在安全余量以内。这不仅限制了碳化硅等器件性能的发挥，也可能带来潜在的安全隐患。开关过程中米勒效应原理　　纳芯微推出NSI6602MxEx系列，为两路半桥驱动电路集成5A能力的米勒钳位功能，能够为米勒电流提供最小阻抗释放路径，有效抑制串扰电压的抬升。NSI6602MxEx在NSI6602基础上全副武装，为SiC等器件的安全应用保驾护航。　　NSI6602MxEx米勒钳位方案应用分享　　在使用SiC功率器件时，由于其高dv/dt特性，门极常常遭遇正负串扰电压(Vswing)幅度超出门极开启阈值(Vgsth)及负向耐压极限(Vgs_min)的情况。这种串扰容易导致误导通或器件损伤，是高性能驱动设计的一大挑战。常规驱动方案　　如上图常规解决 SiC 器件门极串扰方案所示，这些传统手段虽然“理论可行”，但在高频高压的SiC应用中仍难以同时达到低损耗与安全余量的双重目标。　　下图展示了某款SiC器件分别搭配NSI6602MxEx和传统无米勒钳位驱动芯片的对比测试结果。在相同驱动参数与layout条件下，NSI6602MxEx能显著抑制正负Vswing，搭配适当负压关断后，可将门极串扰压制至安全范围以内。不同器件的串扰摆幅Vswing对比波形不同方案效果对比　　更进一步，对于部分 Ciss/Crss 优化良好的器件，NSI6602MxEx 甚至无需负压，也能实现串扰可控，极大降低系统设计复杂度。　　±10A输出电流，助力外围电路精简设计　　NSI6602MxEx提供超强驱动能力，最大可输出10A的拉灌电流，支持轨到轨输出。无论是直接驱动更大栅极电荷(Qg)的功率管，还是在多管并联的应用中，与传统方案相比，NSI6602MxEx无需额外添加缓冲器，即可实现高效驱动，有效简化外围电路设计。此外，32V最大工作电压，极限35V的最大耐压，可以应对更高的EOS冲击，搭配精简的驱动外围设计，大幅提高了整个电路系统的可靠性。　　可编程死区及多档欠压阈值，助力设计灵活配置　　NSI6602MxEx支持通过DT引脚进行死区配置，通过调整下拉电阻可以灵活配置不同死区时间，此外还可以将DT引脚直接接到原边VCC用来两路驱动并行输出;搭配DIS/EN两种可选的使能逻辑，为终端应用提供丰富的控制逻辑;另外，副边电源欠压UVLO设有8V，12V，17V三种选择，适配于IGBT和SiC应用中多种电源设计场景的欠压保护。　　NSI6602MxEx产品特性：　　5700VRMS隔离耐压，可驱动高压SiC和IGBT　　高CMTI：150 kV/μs　　输入侧电源电压：3V ~ 18V　　驱动侧电源电压：高达 32V　　轨到轨输出　　峰值拉灌电流：±10A　　峰值米勒钳位电流：5A　　驱动电源欠压：8V/12V/17V三档可选　　可编程死区时间　　可选的正反逻辑使能配置　　典型传播延时：80ns　　工作环境温度：-40℃ ~ 125℃　　符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准　　符合 RoHS 标准的封装类型：SOW18，爬电距离 >8mm　　产品选型与封装　　NSI6602MxEx系列提供六种型号可选，具备丰富的使能逻辑配置和驱动电源欠压值规格，灵活适配多种应用场景。
2025-07-11 09:57 reading：412
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