纳芯微数字隔离器和“隔离+”系列,为安全可靠的工控系统而来

Release time:2024-06-12
author:AMEYA360
source:纳芯微
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  工业控制是现代工业不可或缺的重要部分,涉及自动化、智能化、数字化等多个方面。随着全球经济发展和科技进步,工业控制市场也在不断扩大。市场调研机构预计,2023年全球规模超过8000亿元,预计到2029年将超过万亿元,未来六年CAGR约为3%。

  作为布局“全信号链”产品线的领先模拟及混合信号公司,纳芯微的数字隔离器和“隔离+”系列产品(隔离采样、隔离接口、隔离电源)已经过市场的充分检验和客户验证,完善的解决方案已广泛应用于工业变送器、变频器、PLC、伺服等工控应用。

  工业控制的关键需求

  工业控制领域对技术设备和系统的要求日益严格,特别是在可靠性及稳定性、小型化和智能化方面。

  在可靠性及稳定性方面,工业控制设备需要能够长时间稳定运行,具备高度容错能力,能够适应各种振动、冲击、温度变化等恶劣环境条件。为了提高可靠性和稳定性,需要优化系统设计,采用高品质的元器件和材料,采取行之有效的散热和防护措施。纳芯微的产品具有很高的可靠性和稳定性,针对中大功率系统的带保护功能的产品可以更好地满足系统高可靠性要求。

  在小型化方面,设备不仅要占用空间小,便于安装和维护,还需要降低生产成本和能源消耗。为了实现小型化,可以采用先进的制造工艺和材料以及集成化、模块化的设计方法;还可以通过优化电路设计和软件算法来减少设备的体积和重量。纳芯微提供有针对性的小型化解决方案,例如,将多路隔离通道集成在一颗芯片中,以及将隔离电源、数字隔离器、接口高度集成的三合一产品。

  在智能化方面,工控系统对芯片提出了更高的要求,需要模拟芯片的采样精度更高,速度更快,能够实现更快的控制。另外,智能化升级对高速数据传输的需求更高,对高速接口的需求明显增加。纳芯微针对行业多种场景,包括工业仪表、DCS、PLC、变速器、变频器、伺服机器人等提供非常完善的模拟芯片解决方案。

  全面布局的隔离器及“隔离+”产品

  纳芯微是隔离产品市场的领头羊,市场份额在国内名列前茅。在光耦、磁耦和容耦技术路线中,纳芯微选择了容耦,主要是利用其二氧化硅隔离层的成本优势和传输速度比较快的特点实现快速高频调制,同时保证较高的集成度和较宽的温度范围。

纳芯微数字隔离器和“隔离+”系列,为安全可靠的工控系统而来

  纳芯微电子隔离技术简介

  在可靠性参数方面,纳芯微基于容耦的隔离产品隔离的耐压能力在12kVrms以上;CMTI(共模瞬态抗扰度)高达200kV/μs,适用于母线电压很高、开关频率也很高SiC MOSFET;纳芯微的隔离产品具有很高的EMC浪涌冲击抗扰度和双边ESD性能,其延迟为纳秒级,工作温度范围较宽,可满足绝大多数工控场景要求。在隔离层寿命方面,纳芯微隔离产品的TDDB(经时介电层击穿)预测大于40年。基于上述特点,纳芯微的容隔产品更有助于从技术层面加强工控系统的高可靠性和高安全性。

  差异化的隔离产品布局

  借助隔离方面的专利技术和领先优势,以及对客户系统的深刻理解,纳芯微正积极布局差异化的隔离产品,在各类细分领域中为客户的系统创新赋能。例如在光伏行业等高电压工作场景中,由于安规要求非常严格,需要超宽体封装的数字隔离器。纳芯微推出的超宽体封装数字隔离器NSI82xx系列可以在提供15mm长爬电距离的同时实现优异的EMC性能,非常适用于对爬电距离有较高要求的高压系统,可兼容替代其他一些厂商的高精度、高速、双向数字隔离器。

纳芯微数字隔离器和“隔离+”系列,为安全可靠的工控系统而来

  隔离数字输入概览

  在一些PLC等小型化的场景中,纳芯微推出了基于电容隔离技术的数字输入隔离器NSI860x,包括四通道的NSI8604和八通道的NSI8608,具有高集成度和高稳定性的特点。它将数字输入/输出融为一体,可接收-60V至60V数字输入信号;兼容光耦的电流输入形式,不需要现场侧电源供电,并可提供隔离的数字输出。

  此外,针对现在许多系统中仍在使用很多小光耦的情况,纳芯微提供的NSI721x/722x系列隔离器可以对高速光耦进行快速原位替代,这些器件具有CMTI大于100kV/μs、绝缘材料CTI水平大于600V、温度范围更宽的优势,能够优化成本、可靠性和速率,提升系统整体性能。其封装包括SO-5、SOWW8、SOP8等常见封装类型,支持4mm、8mm、15mm爬电距离。

  “隔离+”系列产品

  纳芯微在致力于为客户提供卓越性能的隔离产品的同时,还不断拓宽产品线,推出了丰富多样的“隔离+”系列产品,以满足不同工业应用场景下的多元化需求。

  这些“隔离+”系列产品不仅继承了纳芯微隔离产品的核心优势,如高可靠性、高稳定性等,还在此基础上融入了更多创新功能和特性。通过精心设计和优化,成功地将信号调理、转换、放大等功能与隔离技术相结合,从而为客户提供更加全面、高效的解决方案。

纳芯微数字隔离器和“隔离+”系列,为安全可靠的工控系统而来

  纳芯微隔离与接口产品概况

  集成电源和接口的隔离产品

  通常,系统中的隔离器需要单独配置一个供电电源,这导致了成本和PCB面积方面的问题。纳芯微的三合一(隔离电源+数字隔离器+RS485/CAN)芯片NSIP83086和NSIP1042可以完美解决以上问题,帮助客户实现系统小型化。和分立方案相比,最多可以减少70%的布板尺寸。NSIP83086支持全双工16Mbps通信速率和8mm爬电距离,能够满足工业自动化系统、隔离RS485通信等应用的系统小型化需求。

纳芯微数字隔离器和“隔离+”系列,为安全可靠的工控系统而来

  隔离采样

  在隔离采样方面,纳芯微提供用于过流、过压、过温保护的隔离式比较器NSI22C1x系列,在提升系统可靠性的同时支持更高功率密度的系统设计,简化外围电路,相比传统分立方案可将系统保护电路尺寸缩小60%。

  该系列产品旨在帮助客户提高系统可靠性,应对传统工业电机驱动的短路故障,包括上下桥臂误导通、相间短路故障和接地短路故障。传统的保护方案成本较高,如栅极驱动DESAT保护;而DC-过流保护方案简单,但无法检测接地短路故障;DC+过流保护母线电压很高,对隔离和共模抗扰的要求很高,难以选择合适的芯片。使用纳芯微的NSI22C1x系列隔离式比较器,就可以利用低延时、高集成度、高精度、高CMTI的特性规避上述方案的弊端。

纳芯微数字隔离器和“隔离+”系列,为安全可靠的工控系统而来

  该系列包括用于过压、过温保护的隔离式单端比较器NSI22C11,以及用于过流保护的隔离式窗口比较器NSI22C12,可以提升系统可靠性的前提下,支持更高功率密度的系统设计,同时简化外围电路;相比传统分立方案,可将系统保护电路尺寸缩小60%。这些产品广泛用于工业电机驱动、光伏逆变器、不间断电源、车载充电机等的过压、过温和过流保护。

  NSI1312x系列是低成本、高性能兼备的隔离式电压采样放大器,支持正负电压输入和高阻抗输入、差分或单端模拟输出,线性输入电压范围为±1.2V。其中NSI1312S支持单端输出,不用差分入、差分出,加一颗运放,即可将差分转单端接到MCU上,省下一颗物料。NSI1312x系列的低失调和增益漂移可确保整个温度范围内的精度,低成本封装可满足客户的爬电需求,广泛应用于汽车、工业、大功率电源中的交流和直流电压检测。

  基于系统打造丰富的产品

  针对工业控制应用,除了上面提到的隔离和接口产品,纳芯微还提供传感器、隔离式栅极驱动、电压基准、通用运放、高低边开关等等一系列产品,广泛用于现场仪表、PLC、DCS、工业电机驱动、工业机器人等应用。

纳芯微数字隔离器和“隔离+”系列,为安全可靠的工控系统而来

  纳芯微工业控制解决方案总览

  在工业控制领域,全面且深入的系统理解是取得成功的基石。纳芯微不断深入研究各类工业控制系统的架构、工作原理和应用场景,努力把握其内在规律和用户的核心需求;凭借丰富的产品布局为客户提供多样化、高性能的解决方案,满足其不同场景的实际需求。

  作为本土企业,纳芯微具备灵活响应和本地化支持的优势,能够快速捕捉市场动态和客户需求变化,及时调整策略,并为客户提供定制化服务。纳芯微的专业技术支持团队能够为客户提供及时、有效的技术支持和解决方案,确保其系统的稳定运行和持续优化。

  纳芯微坚信,协同创新是推动工业控制领域发展的关键动力。纳芯微愿与客户携手共进,共同面对系统设计的挑战,通过深度合作和创新思维,不断突破技术瓶颈,实现系统的优化和升级,共享市场机遇,实现共赢发展。

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纳芯微推出NSI1611系列隔离电压采样芯片
  纳芯微今日宣布正式推出全新一代隔离电压采样芯片NSI1611系列。作为纳芯微经典产品NSI1311系列的全面升级,NSI1611系列基于其领先的电容隔离技术,在性能与适配性上实现双重突破。  其核心创新在于支持0~4V宽压输入的同时,能够保持1Gohm的高阻输入,可显著提升电压采样的精度与抗干扰能力;同时部分料号亦兼容传统0~2V输入,为客户提供更灵活的器件选择。  NSI1611系列包含差分输出的NSI1611D和单端输出的NSI1611S。其中,差分输出均为固定增益,单端输出则提供固定增益和可调比例增益两类选项,进一步满足不同系统架构与设计需求。  在新能源汽车与工业自动化领域,对高压系统采样提出了“高精度、高灵活度”的严苛要求,隔离电压采样芯片的性能迭代与场景适配能力已成为行业竞争关键。全新NSI1611系列通过创新的宽压+高阻输入与灵活输出配置两大特点,能够同时支持新项目设计与存量平台升级,为新能源汽车主驱逆变器、车载充电机(OBC)等汽车应用,以及伺服、变频器、电机驱动等工业应用带来更优的器件选择。  创新宽压+高阻输入  精度抗扰双重提升  以新能源汽车主驱系统为例,随着其母线电压进一步提升至800V,以及SiC/GaN器件的应用,控制系统对电压采样的精度及抗干扰能力有了更高的要求。  市面上多数隔离电压采样芯片的输入范围为0~2V,而NSI1611创新性地在保持1Gohm高阻输入的同时,将其拓展至0~4V,突破前代及行业同类产品的输入范围限制,带来精度和抗干扰的双重升级,在适配更高母线电压的同时,降低了设计复杂度和开发周期。  抗干扰能力增强:NSI1611采用宽压输入时,参考地的噪声对输入信号的干扰比例直接减半。结合NSI1611内部的电路优化,其芯片EOS能力大幅提升,且EMI可通过CISPR 25 Class 5等级测试,CMTI高达150kV/μs。在新能源汽车主驱、工业变频器等高开关频率的复杂电磁环境中,宽压输入能够保证采样信号更纯净,大大提升了系统运行的稳定性,降低终端应用的失效风险。  采样精度再升级:0~4V的宽压输入范围可扩大分压比,结合优化的信号调理设计,在保持高阻输入的同时显著降低输入误差,让测量数据更接近真实电压值,为系统的精准控制提供可靠数据;在采样误差测试中,相比前代产品NSI1311系列,NSI1611系列凭借更宽的输入范围在系统的低压区域取得了较大的精度优势,在满量程800V母线电压系统中,当输入电压100V时,NSI1611的采样误差相比NSI1311降低超30%,误差低于1.2%。  NSI1611和NSI1311的采样误差随输入电压变化曲线  单端/差分输出灵活选择  简化设计更高效  凭借深刻的系统级理解,NSI1611系列基于前代产品的应用痛点,全新加入单端输出版本,并且提供“固定增益/比例增益”双版本选择,适配多元化的系统配置需求,可帮助客户简化选型和设计:  简化设计、降低BOM成本:NSI1611的单端输出信号可直接接入MCU的ADC接口,彻底省去了传统差分输出方案所必需的后级运放及调理电路,不仅直接降低了BOM成本,还简化了PCB布局与器件选型复杂度,为紧凑型和高功率密度应用提供了更优的解决方案。  增益自适应适配多元需求:比例增益版本(NSI1611S33/NSI1611S50)可通过REFIN引脚进行配置,使输出增益匹配后端ADC的满量程输入范围,最大化利用ADC的动态范围,提升了整体信号链的有效位数与采样精度,进一步满足多元化的高精度测量需求。  同时,NSI1611系列亦保留差分输出版本NSI1611D02,与纳芯微NSI1311完全引脚兼容,客户无需修改PCB即可实现无缝升级或跨品牌替换,显著降低迁移成本。  多项参数优化  性能全面升级  随着系统功率密度的提升,对器件耐压能力、采样精度、EMI性能等提出了更高的要求。NSI1611针对相关关键参数进行了优化,在全面升级器件可靠性和性能的同时,亦优化了器件成本,为客户提供“性能-成本-可靠性”兼得的选择。  车规级可靠性保障:NSI1611系列的车规版本满足AEC-Q100 Grade 1要求,工作温度覆盖-40℃~125℃,隔离耐压高达5700Vrms,最大浪涌隔离耐压Viosm达10kV,适配汽车高温高压严苛环境,可在极端场景下确保隔离的可靠性。  精度参数全面进阶:NSI1611系列的输入偏置电压Vos(Offset Voltage)指标优化至±0.8mV,相较于前代NSI1311同规格产品的±1.5mV,精度表现实现巨大提升;此外,增益温漂(Gain Drift)从前代的45ppm/℃优化至40ppm/℃,全温区精度稳定性进一步提升;非线性误差、温漂(Offset Drift)维持在行业优异水平,有效加快了系统开发的标定流程;同时,NSI1611系列的采样带宽达到330kHz,适配SiC和GaN等新一代高频开关器件控制,满足高动态响应需求。  功耗优化更节能:相比前代产品,NSI1611系列功耗表现进一步优化,助力终端产品降低能耗。对比前代,NSI1611的Idd1由11.4mA降低至7.2mA,Idd2由6.3mA降低至4.7mA(均为典型值Typ.),NSI1611系列的整体综合功耗下降约33%,可助力客户打造更节能的汽车电子系统,提高新能源汽车的续航里程。  EMI表现更优异:NSI1611基于时钟信号隔离通道复用技术,大幅优化了EMI表现。在200MHz到1000MHz频段的EMI测试中,NSI1611的辐射发射(RE)指标在水平方向和垂直方向均保持10dB以上裕度(3dB~6dB裕度即可满足工程需求),可轻松通过CISPR 25 Class 5认证。面对汽车主驱、OBC等复杂电磁环境,可以减小对系统其他部件的电磁干扰,有效减少系统电磁兼容整改工作量,加快产品上市进度。  封装和选型  NSI1611系列选型表  丰富的“隔离+”产品  满足多元化应用需求  凭借在隔离技术方面的积累和领先优势,纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列 “隔离+”产品。纳芯微正以全生态“隔离+”产品矩阵,为高压系统筑造安全可靠的防线:  “+”代表增强安全:纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级,为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。  “+”代表全产品生态:纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心,拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合,为客户提供隔离器件的一站式解决方案。  “+”代表深度赋能应用:纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统,以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求,实现系统级安全、可靠与高效。
2025-12-17 16:06 reading:314
纳芯微“隔离+”再获权威认可|两款车规芯片斩获中国汽车芯片创新成果奖
纳芯微成功登陆港交所!
  2025年12月8日,国内模拟芯片设计企业苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称“纳芯微”)正式在香港联合交易所主板挂牌上市,成功构建“A+H”双资本平台,标志着公司全球化战略迈入全新阶段。  此次上市,纳芯微全球共发售1906.84万股H股,发行价最终确定为116.00港元/股,市值187.45亿港元。按此计算,公司通过本次上市预计募集资金净额约为20.96亿港元。  本次IPO的亮点之一是引入了阵容强大的基石投资者。比亚迪、小米集团等7家知名产业及投资机构共同认购了总额约10.89亿港元的股份,占本次发售股份总数的近一半。  尤其值得注意的是,基石投资者之一的“元禾纳芯”其最终出资方包含国家集成电路产业投资基金三期,这使得纳芯微成为模拟芯片领域首家获得“大基金三期”基石投资的企业。  纳芯微成立于2013年,采用fabless模式运营,专注于芯片研发和设计,同时将晶圆制造外包予外部晶圆厂以及大部分封装测试外包予第三方封装测试服务供应商。集团围绕汽车电子、泛能源及消费电子等应用领域,提供丰富、高性能、高可靠性的产品及解决方案。根据弗若斯特沙利文的资料,以2024年模拟芯片收入计,纳芯微在中国模拟芯片市场的所有模拟芯片公司中位列第14名(占市场份额0.9%)以及在中国模拟芯片公司中位列第五名。  作为中国少数在传感器、信号链、电源管理三大核心领域均实现深度布局的企业,纳芯微凭借体系化技术平台与产品矩阵,在汽车电子、泛能源、智能终端等关键赛道建立领先优势,从“中国模拟芯片标杆”加速迈向“全球优选供应商”。  纳芯微创始人、董事长、CEO 王升杨表示,港股上市不仅是一次业务发展的里程碑,更是公司全球叙事的起点。公司将以此次上市为锚,持续加大底层技术投入、扩展产品组合、完善海外销售与市场体系,并推动全球化运营能力跃升,为客户与合作伙伴提供长期价值。
2025-12-08 15:59 reading:341
纳芯微 | SPI 隔离通信实战避坑:数字隔离器输出并联电平异常的原因与解决方案
  在工业系统 SPI 一主多从通信架构中,为节省 IO 资源,数字隔离器输出通道并联复用是常见设计,但实际应用中极易出现电平无法正常拉高 / 拉低的异常问题,严重影响通信稳定性。本文先梳理工业系统主流通信方式及 SPI 隔离的应用场景,深入剖析数字隔离器输出并联导致电平异常的核心原因,再针对性给出两种经实测验证的解决方案(CS 反向使能电路、二极管反向阻断配合软件配置),并明确实施过程中的关键注意事项,为工程师解决同类 SPI 隔离通信问题提供直接参考。  01 工业系统常见通信方式  通信接口是硬件系统中实现数据交换的核心模块,常分为内部通信接口(板级通信)、外部通信接口(对外通信),如图1,不同接口在速率、距离、复杂度等方面各有特点,是纳芯微产品主要的应用场景之一。图1 板级通信和对外通信  板级通信  板级通信为设备内部组件间的通信,通常具备速度快、距离短的特性,通常具备速度快、距离短的特性,常见有UART、I2C、SPI、单总线等。具体参数如表1所示:表1 板级通信具体参数  对外通信  对外通信为设备级信号传输,用于实现设备间的数据交互,多采用差分传输方式,具备传输距离远的优势,常见类型包括 RS-232、RS-485、CAN 等,具体参数如下表所示:  表2 对外通信具体参数  02 隔离SPI机会点  SPI全称为Serial Peripheral Interface(串行外设接口),由摩托罗拉公司开发的一种同步、全双工、主从式串行通讯总线,可以实现一主多从的通讯连接。  在硬件连接方式上,SPI常用4线制(SCK、MOSI、MISO、CS/SS),各信号线的传输方向及功能描述如下表3所示:表3 SPI各信号线的传输方向及功能  SPI一主多从的通讯拓扑,MOSI、MISO、SCK常采用复用接口,节省IO资源,通过独立的CS/SS实现从机选择。如图2所示。图2 SPI 一主多从基础拓扑  在工业系统中,MCU高压域与低压域之间需要做通讯隔离,纳芯微隔离器NSI8241W(3正1反)适用于SPI信号隔离。对于一主一从的隔离方式,4通道刚好一对一匹配(3正向通道对应SCK、MOSI、CS/SS,1反向通道对应MISO)。对于一主多从的拓扑架构,同样会复用通道节省IO资源,如图3示例。图3 带数字隔离器的SPI主多从拓扑  03 数字隔离器输出并联问题及解决方案  数字隔离器隔离SPI复用通道实际测试时,会发现复用MISO会出现电平异常,当一路输入高,一路输入低的情况下,MISO不能完全被拉高或者拉低。如图4,两颗8241 Out口复用,输入分别给高、低时,MISO波形。图4 Vdd1=Vdd2=5.25V,IND1高,IND2低 黄色OutD1=蓝色OutD2≈2.5V  数字隔离器Out内部为推挽输出:输入为高时,推挽上管导通,输出高电平;输入为低时,推挽下管导通,输出低电平。当输入一高一低时,就会形成分压回路,造成MISO电平异常,如图5,这显然与SPI中规定MISO复用冲突(当SS拉低使能时,从机输出配置为推挽输出,当SS拉高时,从机输出需配置为高阻态,防止多个输出导致电平冲突)。图5 数字隔离器内部分压回路  查阅NSI8241真值表(如图6所示),当EN拉低时,数字隔离器可以输出高组态,能够满足SPI复用要求。因此我们给出以下电路调整方案,来实现数字隔离器输出口并联复用需求。图6 NSI241真值表  方案1  CS 处增加反向电路,同步使能数字隔离器  在CS处增加反向电路(NPN、PNP、反相器等,需考虑Vce压降)同步使能数字隔离器。CS拉高禁用时,数字隔离器EN拉低禁用,Out复用输出高。  方案2  二极管反向阻断 + 软件配置,实现并联复用  通过二极管进行反向阻断,配合软件配置合理实现数字隔离器输出并联复用。  但需要注意的是:  (1)需添加上下拉电阻,明确默认电平,同时满足信号上升沿、下降沿的时间要求;  (2)需考虑二极管压降对电平幅值的影响,避免因压降导致通信误判;  (3)当一路输出通道由高电平切换至低电平时,受寄生参数影响,可能会短暂通过二极管抽取另一通道电流,需重视由此产生的电压尖峰问题。  结论与建议  在工业 SPI 一主多从隔离通信场景中,数字隔离器输出通道并联复用是节省 IO 资源的常用方案,但因隔离器内部推挽输出结构,直接并联易导致电平异常。本文通过分析异常产生的核心原因,提供了两种经实测验证的解决方案(CS 反向使能电路、二极管反向阻断 + 软件配置),同时明确了实施过程中的关键注意事项。工程师在实际设计中可根据项目需求选择合适方案,规避电平异常问题,保障 SPI 通信的稳定性。  高可靠性四通道数字隔离器NSI824x已通过 UL1577 安全认证,支持3kVrms-8kVrms 多档绝缘电压,同时在低功耗下提供高电磁抗扰度和低辐射。数据速率高达 150Mbps,共模瞬态抗扰度 250kV/μs。支持数字通道方向及输入失电默认输出电平配置,宽电源电压可直接适配多数数字接口,简化电平转换;高系统级 EMC 性能进一步提升使用可靠性与稳定性。
2025-12-05 11:20 reading:332
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