纳芯微电子GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力应对激光雷达应用挑战

Release time:2024-07-01
author:AMEYA360
source:纳芯微
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  自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向,而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。纳芯微的单通道高速栅极驱动芯片NSD2017,专为激光雷达发射器中驱动GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)而设计,助力应对激光雷达应用中的各项挑战。

  一、激光雷达系统结构介绍

  自动驾驶中使用的激光雷达通常采用DToF(Direct Time-of-Flight)测距方式,即通过直接测量激光的飞行时间来进行距离测量和地图成像。下图为DToF激光雷达系统的典型结构,其中信号处理单元通过记录激光发射器发出光脉冲的时刻,以及激光接收器收到光脉冲的时刻,根据时间间隔和光速即可计算出目标距离。

纳芯微电子GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力应对激光雷达应用挑战

  DToF激光雷达典型系统

  激光雷达为了实现高分辨率与宽检测范围,需要极窄的激光脉冲宽度、极快的激光脉冲频率和极高的激光脉冲功率,这对激光发射器中功率开关器件的性能提出了更高的要求。相比传统的Si MOSFET,GaN HEMT具有更优越的开关特性,非常适合DToF激光雷达应用。GaN HEMT的性能表现依赖于高速、高驱动能力和高可靠性的GaN栅极驱动芯片,NSD2017凭借其优异的产品特性,充分发挥了GaN HEMT在激光雷达中的优势。

  二、NSD2017产品特性

  推荐工作电压:4.75V~5.25V

  峰值拉灌电流:7A/5A

  最小输入脉宽: 1.25ns

  传输延时: 2.6ns

  脉宽畸变: 300ps

  上升时间@220pF负载: 650ps

  下降时间@220pF负载: 850ps

  封装:DFN6(2mm*2mm),WLCSP(1.2mm*0.8mm)

  满足AEC-Q100车规认证

  同相和反相输入引脚可用于产生极窄脉宽

  具备UVLO、OTSD保护

纳芯微电子GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力应对激光雷达应用挑战

  NSD2017典型应用框图

  三、NSD2017关键性能应对激光雷达应用挑战

  1)大电流驱动能力,支持激光雷达远距离探测

  激光雷达的远距离探测能力使自动驾驶车辆能够提前发现障碍物并及时避让,从而提升自动驾驶速度上限。为实现更远的探测距离,通常需要在保证不损伤人眼的前提下,采用更大功率的激光发射器,这就需要更大电流的GaN HEMT以及驱动能力更高的驱动芯片。纳芯微的NSD2017具备7A峰值拉电流和5A灌电流能力,可用于驱动大电流GaN HEMT,从而产生高峰值激光功率,实现远距离探测。

  2)极窄输入脉宽,满足激光雷达高测距精度要求

  DToF激光雷达通过测量脉冲激光发射和接收的时间间隔来实现测距,但是如果来自两个相邻目标的反射光脉冲发生重叠,系统将无法分辨出这两个相邻目标的距离信息。为了满足厘米级别的距离分辨率的要求,激光雷达需要极窄的光脉冲宽度,通常低至几纳秒,并且具有快速的上升沿和下降沿。NSD2017的最小输入脉宽典型值仅为1.25ns,且开启和关断路径具有优异的延迟匹配,输入到输出的脉冲宽度失真低至300ps。此外在220nF负载下,NSD2017的上升时间典型值为650ps,下降时间典型值为850ps,也有利于产生更窄的脉冲激光。

纳芯微电子GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力应对激光雷达应用挑战

  3)小封装和高频开关,优化激光雷达分辨率与点频性能

  激光雷达的角分辨率表示扫描过程中相邻两个激光点之间的角度差,点频则表示在三维视场内每秒发出的激光点数。一般来说,激光雷达的角分辨率越小,相邻点云之间越密集,往往点频越高,激光雷达的感知能力也就越强。为实现更高的角分辨率和点频,激光雷达需要布置更多的激光发射器,因而对驱动芯片的封装尺寸提出了更高的要求。NSD2017车规级芯片不但提供DFN (2mm*2mm) 封装,还可以提供更小尺寸的WLCSP (1.2mm*0.8mm) 封装。NSD2017支持最高60MHz开关频率,传输延时典型值低至2.6ns,确保了系统控制环路具有足够快的响应时间,也有利于提高激光雷达点频性能。

纳芯微电子GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力应对激光雷达应用挑战

  4)强抗干扰能力,保证激光雷达的安全可靠

  在激光发射器中,为了快速开关GaN HEMT,栅极驱动芯片外部的栅极串联电阻通常设置为零;栅极驱动芯片的峰值拉电流和灌电流,会通过芯片的封装寄生电感和PCB寄生电感,引起芯片内部的VDD和GND产生较大的抖动,从而可能导致驱动电路工作异常。NSD2017通过优化封装寄生电感,并且在芯片内部集成去耦电容,有效地滤除驱动电路抽载产生的高压毛刺,从而提升了抗噪声能力。此外,NSD2017具备过温保护和欠压保护功能,保证激光雷达安全可靠地工作。

  四、总结

  GaN HEMT栅极驱动芯片NSD2017具备高开关频率、低传输延时、极窄脉宽、低失真、强驱动能力和抗干扰等特性,采用小尺寸车规级封装,能够助力应对激光雷达各项应用挑战,提升感知能力,确保其安全可靠运行。

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2025-07-11 09:57 reading:401
纳芯微推出车规级自动双向型电平转换器NCAS0104和NCAB0104,高ESD防护与宽电压适配破解系统互联挑战
  纳芯微今日宣布推出车规级四位自动双向型电平转换器NCAS0104和NCAB0104。新推出的电平转换器具备高达15kV的ESD性能,支持更宽的端口输入电压(端口A:1.1~3.6V;端口B:1.65~5.5V)。可广泛适用于汽车信息娱乐系统、高级辅助驾驶系统、以及AI服务器等相关应用中,是系统间跨电压域互联互通的关键元件。  全新发布的NCAS0104和NCAB0104均为弱缓冲型电平转换器,其中,NCAS0104内部集成了N沟道传输FET、10kΩ上拉电阻和上升沿速率加速电路,适用于驱动高阻抗负载,支持推挽和开漏的应用场合;NCAB0104内部集成了上升沿/下降沿速率加速电路和4kΩ缓冲电路,适合轻负载的推挽应用。  ESD性能高达15kV  全面护航系统可靠性  NCAS0104和NCAB0104通过优化的电路设计实现了超高的ESD性能,高压侧的端口B通过了15kV的人体模型(HBM)测试 (JESD 22标准)和系统级ESD测试(IEC 61000-4-2标准),显著优于市场同类产品,为汽车电子等系统在复杂电磁环境下的稳定运行提供坚实保障。  更宽的端口输入电压  支持灵活的器件选型  NCAS0104和NCAB0104的端口A支持1.1~3.6V输入,端口B支持1.65~5.5V输入。更宽的端口输入电压,使得工程师能够在系统设计中不更换电平转换的情况下,更加灵活地选择外围器件,通过归一化的方案,显著降低系统设计难度,加速产品上市。  封装和选型  NCAS0104和NCAB0104满足AEC-Q100要求,工作温度为-40~125℃。NCAS0104提供TSSOP14和VQFN14封装,NCAB0104提供UQFN12封装。  TSSOP14  VQFN14  UQFN12  NCAS0104和NCAB0104将于2025年8月陆续量产。可联系纳芯微销售团队(sales@novosns.com)咨询产品详情或进行样片申请。  一站式电平转换解决方案  纳芯微可提供多种类型的电平转换器,包括:固定方向型、方向控制型、自动双向型,可满足客户在不同应用场合下的设计需求:  固定方向型电平转换器对器件输入端的输入信号执行单向电平转换,然后提供到器件输出端。纳芯微固定方向型电平转换器产品包括:NCA8244、NCA8244L、NCA8541,均为单电源供电。  方向控制型电平转换器配备一个或多个方向控制引脚,允许系统工程师灵活配置输入/输出方向,甚至实现单设备上的双向同时转换,提供更高的设计灵活性。纳芯微方向控制型电平转换器产品包括:NCA8T245、NCA8245、NCA8245L、NCA84245。  自动双向型电平转换器可自动感知通信方向并采取相应动作。如果处理器GPIO需要信号双向传输,自动方向型电平转换器可以提供更加稳健的解决方案。自动双向型电平转换器不需要使用方向控制信号,每个通道都支持数据的独立传输或接收,消除了对处理器GPIO控制DIR输入的需求,从而简化了软件驱动程序的开发。纳芯微已有的自动双向型电平转换器现包括:NCA9306、NCAS0104、NCAB0104。  纳芯微自动双向型电平转换器选型表
2025-07-02 09:26 reading:376
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