揭秘纳芯微磁传感器出货超亿颗的秘密!

发布时间:2024-07-24 11:29
作者:AMEYA360
来源:网络
阅读量:2243

  磁传感器是传感器中重要的品类,是电流传感、接近传感、线性位置检测、转动速率检测、旋转位置检测等传感器主要实现方式之一,在汽车、工业、能源和消费电子等领域有着广泛的应用。根据贝哲斯咨询的统计数据,2022年全球磁传感器市场规模为224.25亿元(人民币),预计到2028年将达到463.32亿元,2023-2028期间的年均复合增长率(CAGR)高达12.83%。

       过往,人们提到磁传感器,主要讨论的都是几家国际厂商。随着终端市场对磁传感器需求爆发,国产磁传感器厂商紧抓这波机遇,目前已经初见规模。根据纳芯微最新发布的2023年业绩报告,其传感器产品营收实现逆势增长,2023年实现营业收入16575.26万元,同比增长49.18%。纳芯微磁传感器技术市场经理谢奔在和记者交流时表示,“当前纳芯微磁传感器产品出货量已经超过1亿颗,汽车和工业等领域的一些头部厂商都已经是我们的客户。”

       出货超1亿颗是一个门槛,也是一个契机,那么纳芯微是如何完成这一成绩的?有哪些引领市场的核心技术?在这篇文章中将给出答案。

  磁传感器技术、产品和市场概述

  磁传感器基于电磁感应原理,对位置、速度、电流等变量进行检测。如果按照技术原理来分,磁传感器主要分为霍尔(Hall)传感器和磁阻传感器两大类,其中磁阻传感器又可以继续细分为AMR(各向异性磁阻)、GMR(巨磁阻)、TMR(隧道磁阻)三大类。

       霍尔传感器利用霍尔效应对磁场进行检测,是目前磁传感器中最大的门类。主要原因在于,霍尔传感器发展历史悠久、技术成熟,且可以用硅基工艺制造。谢奔从产品设计的角度谈道:“在磁传感器领域,霍尔传感器出现时间最早,在产品设计方面就会有两大明显的优势:其一是应用于霍尔传感器的成熟IP比较多;其二是硅基工艺让霍尔传感器更加有益于产品集成。”按照Yole的统计数据,以出货量口径计算,霍尔传感器在磁传感器中占比高达69%,AMR、GMR、TMR传感器占比则分别是13%、5%和13%。

       从技术发展来看,霍尔传感器之后,依次出现的技术是AMR、GMR、TMR。作为最新的技术,TMR在低功耗和高精度方面,有着天然的优势。正如上述数据所示,目前磁传感器发展正处于高速增长期。作为一个大的传感器类别,磁传感器能够长久存在且不断进行技术迭代,背后的支撑力是庞大的市场需求。磁传感器具有精度高、响应速度快、灵敏度高,且具有无接触、无摩擦、无振动等优点,广泛用于汽车、工业、消费电子、医疗器械、计算机等领域,主要的产品形态包括磁位置传感器、磁速度传感器、磁开关、磁电流传感器、电子罗盘和锁存器等,市占比分别为38.2%、20%、16.8%、16.2%、8.5%和0.3%。

  纳芯微四大磁传感器产品矩阵

  作为现代传感器产业的一个主要分支,磁传感器不仅产品类别丰富,且应用广泛。谢奔指出,纳芯微公司的使命是“‘感知’‘驱动’未来,共建绿色、智能、互联互通的‘芯’世界”。因而,磁传感器是纳芯微重要的产品布局。目前,纳芯微在磁传感器方面共有四大产品矩阵:

  ·电流传感器,包含集成式电流传感器、线性电流传感器,其中线性电流传感器又可分为有磁芯和无磁芯的方案。

  ·位置传感器,包含角度传感器、磁开关,其中磁开关又包含了车规霍尔开关/锁存器、工规霍尔开关、工规TMR开关/锁存器。

  ·速度传感器,主要是ABS轮速传感器。

  ·磁传感器调理芯片,用于xMR或GaAs霍尔传感器的信号调理。

揭秘纳芯微磁传感器出货超亿颗的秘密!

  对照上面的市占比信息,可见纳芯微的磁传感器类别是非常全面的,技术上主要倾向于布局成熟的霍尔传感器,以及TMR磁阻效应传感器。记者对比纳芯微和多家厂商的磁传感器产品后发现,无论是基于怎样的技术原理,纳芯微磁传感器在精度和灵敏度方面都有一定的优势,谢奔称,这是因为纳芯微对此专门做了技术增强,尤其是针对霍尔传感器。

       他介绍说,霍尔传感器作为一个历史悠久的磁传感器类别,和其他后面出现的技术(指AMR、GMR、TMR)相比,在精度和灵敏度等方面会有劣势。纳芯微深知这一点,基于多年的传感器调理芯片设计经验,以及在产品开发与应用过程中积累的大量客户需求与应用经验,针对性地设计了一阶+二阶温度补偿电路,保证了霍尔传感器在温度范围内的输出稳定性。

揭秘纳芯微磁传感器出货超亿颗的秘密!

       为了让霍尔传感器也能够拥有较高的精度,纳芯微开发了霍尔板堆叠、旋转电流驱动等技术。一般而言,霍尔传感器相比xMR传感器会有更高的噪声,为了实现产品的低噪声,纳芯微在产品内部进行霍尔板堆叠,虽然产品内部看起来还是一个霍尔点,不过这个点内会包含6个、8个,甚至更多的霍尔板,进而让产品有更加优质的噪声表现。

揭秘纳芯微磁传感器出货超亿颗的秘密!

       产品有了更高的信噪比,就会更加容易实现高精度。同时,纳芯微还在霍尔传感器内部加入了旋转电流驱动等专利技术,有两象限旋转或者四象限旋转等多种方式,从而降低了霍尔传感器的零漂,这也能进一步提升产品精度。

       谢奔指出,“为了提升霍尔传感器的特征性能,在纳芯微内部,上述这样的技术创新非常多。”他以纳芯微霍尔效应角度传感器举例,该产品一个突出的优势是能够在更宽的温度和磁场变化范围内保持高精度。这主要得益于差分检测与Cordic算法。相关器件采用四盘霍尔差分检测,针对差分后的正余弦信号,又设计了自动增益调整模块,可以将动态变化的原始模拟信号灵活地调整到14bit ADC的70%或80%量程。再加上Cordic算法,纳芯微霍尔效应角度传感器便具有了抵抗外界杂散磁场干扰的能力,不受环境温度变化的影响,器件内的动态角度补偿、滤波器等则进一步提升了测量精度。

       记者在和谢奔的沟通中能够明显感觉到,在纳芯微每一款霍尔传感器背后,都会有一个技术创新的故事。通过这些技术创新,纳芯微的霍尔传感器具备了线性区间大,抗干扰能力强,等优点,且产品精度处于行业领先地位,也进一步提升了产品的性价比。和霍尔传感器一样,纳芯微在TMR传感器方面同样进行了大量的技术创新,以进一步发挥TMR在低功耗和高精度方面的技术优势。

       除了产品性能方面的优势之外,谢奔表示,无论是当下,还是未来的产品规划,汽车都是纳芯微磁传感器重点关注的方向。为了让产品能够满足汽车应用中复杂、严苛的环境挑战,“高品质”是纳芯微磁传感器的另一张名片。高品质体现在很多方面,包括性能冗余、应力补偿和高可靠性。

       首先看性能冗余,谢奔以纳芯微集成式电流传感器举例,产品提供隔离电压功能。其中,SOW-16封装的集成式电流传感器的基本绝缘工作电压是1550Vpk/1097Vrms,是UL62368法规基于其爬电距离8.0mm所允许的工作电压。不过,该产品内部的绝缘物质的绝缘能力远不止于此。在绝缘油中,其最大浪涌隔离耐压(Vsurge)可达10kV。

       再看应力补偿,无论是在汽车应用中,还是在工业、能源应用中,外部应力都是一个很大的挑战。为了让纳芯微的磁传感器能够应对这些应力情况,该公司在电路设计和结构设计上都给出了方案。在电路设计上,纳芯微部分产品带有应力补偿功能;在结构设计上,纳芯微磁传感器在形状设计和封装材料选择方面充分考虑了应力的影响,在工程验证阶段,会在变化的环境中根据应力对性能的影响调整框架设计,并选择具有更低应力系数的封装材料。

       最后看一下产品高可靠性保障,在这个方面,纳芯微通过三大抓手进行保障——可靠性设计、可靠性验证、高覆盖度下线测试。“在纳芯微内部,针对汽车芯片开发有一套产品设计开发的准则,通过设计审查的方式来评估一颗芯片是否满足汽车应用的需求,在过孔数量、线宽、走线等方面都有非常严格的要求。另外,车规级的磁传感器,不仅需要严格遵循车规级测试和可靠性标准,同时也需要使用车规级电路的设计规则,采用车规晶圆,以及符合要求的车规封测专线。”谢奔说。

       根据他的描述,实际上除了这三大抓手,纳芯微针对一些特殊应用的车规级产品的可靠性测试还会“加严”——进行更加严格的额外测试,比如汽车芯片一般会有1000小时的长时间老化测试,纳芯微的标准是双倍的,要测2000小时。这种严格的产品测试流程在工业和消费级磁传感器方面同样有所体现。同时,纳芯微工业和消费级磁传感器在生产端也有相应的生产管控,比如3西格玛(3σ)管理,进而保障产品无质量问题。

  纳芯微磁传感器的应用领域

  从应用角度来看,磁传感器的应用是非常广泛的,国计民生的各个领域都有涉及。那么,纳芯微四大磁传感器产品矩阵主要面向哪些领域呢。谢奔回复称,汽车、能源、工业和消费电子是纳芯微磁传感器重点覆盖的领域。

        面向汽车领域,纳芯微提供集成式电流传感器、线性电流传感器、角度传感器、车规霍尔开关/锁存器、速度传感器等产品。其中,集成式电流传感器主要用于汽车OBC、DC-DC;线性电流传感器主要用于汽车牵引电机的相电流与母线电流检测;角度传感器主要用于汽车热管理系统水阀位置检测、雨刮器位置检测、方向盘转角位置检测、EGR阀等;车规霍尔开关/锁存器主要用于汽车座椅位置、车窗控制、天窗、尾门位置检测、车载电机换相等;速度传感器主要用于汽车ABS轮速检测。谢奔强调,后续包括主动悬架、EPS等汽车应用,纳芯微的磁传感器也会陆续支持。

       面向工业、能源和消费电子领域,纳芯微提供集成式电流传感器、线性电流传感器、工规霍尔开关、工规TMR开关/锁存器等产品。其中,集成式电流传感器主要用于工业变频器、电源、光伏逆变器等领域;线性电流传感器主要用于电流传感器模块等应用;工规霍尔开关主要用于家电、智能门锁、电动两轮车、无人机、鼠标键盘、电动工具、笔记本电脑、民用电表等市场;工规TMR开关/锁存器主要用于工业液位计、干簧管替代、民用表计(水表、气表、热量表)、工业伺服编码器等领域。

       纳芯微磁传感器调理芯片主要用于xMR或GaAs霍尔的信号调理。综合谢奔的深入讲解和纳芯微的官方资料,纳芯微磁传感器品类全、应用广,全面的技术支持在中间起到积极串联作用。针对上述应用,纳芯微提供完善的文档和工具支持、及时的现场技术支持,且工具中有很多易于用户使用的改进。以可编程霍尔开关NSM1030应用为例,GUI上设计了Auto trim功能,用户不需要在应用中手动一步步调整code, 取而代之可以通过一键自动调教的方式自动寻找开关点,大幅提升了编程效率。

       此外,和其他磁传感器供应商相比,纳芯微有一个显著的竞争优势就是出色的产品定制化能力。谢奔称,纳芯微有完善的产品开发流程,多年的大客户合作开发经验,保障了开发过程的科学性,降低人为因素造成开发事故的可能性。同时,加严的可靠性测试进一步确保了芯片的可靠性。

     “在纳芯微传感器、电源、信号链、驱动、隔离接口等众多产品线中,积累了大量的IP,这些经过不同应用场景验证过的IP可以被芯片设计人员直接调用,从而大大提高开发效率并有效降低产品开发失败、存在品质问题的可能性。这些复用的IP让纳芯微的产品无论是标准品还是定制产品,都具有超高的性价比。”他进一步讲到。

       事实上,上面提到的纳芯微速度传感器就属于一款定制芯片,是纳芯微与大陆集团旗下合资公司陆博合作开发的轮速传感器,主要应用于防抱死制动系统(ABS)、车身电子稳定系统(ESP)、自动变速器等控制系统。在这个案例中,纳芯微充分发挥自己的技术优势和领先的产品、市场理解,为陆博提供符合其本土化战略及市场需求的解决方案。据悉,这款产品将于今年第四季度量产,既是一款定制化产品,也是一款面向通用市场的产品。

       谢奔表示,“在定制化业务合作中,还有一点也很重要,作为一家上市公司,纳芯微具有稳健的财务能力与业务透明度,保障定制化项目合作方的供应链安全。”


(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
把外部逻辑
  纳芯微近日推出NSSine™系列实时控制MCU/DSP新成员——NS800RT503xC与NS800RT5049C系列。新品在已量产的NSSine™实时控制平台基础上,新增4个可配置逻辑块(CLB)。工程师可通过软件在芯片内搭建自定义硬件逻辑,将原本依赖外部逻辑器件的功能集成到主控芯片中,从而简化系统设计,降低BOM成本与PCB面积,并获得更确定、更低延迟的控制响应。  实时控制之外,工程师还需要处理“逻辑”难题  在电机驱动、数字电源、储能变流器等应用中,工程师除运行控制算法外,还需处理编码器位置解码、PWM保护逻辑组合、自定义串行协议等“小逻辑”。主控芯片中没有现成模块承接这类功能,传统做法是外挂CPLD或FPGA等逻辑器件。这不仅增加BOM成本与PCB面积,芯片间的信号传输还会带来额外的延迟与可靠性风险。  针对这一需求,NS800RT503xC/5049C系列在已量产的NSSine™实时控制平台基础上,新增4个可配置逻辑块(CLB)。    新增4个可配置逻辑块(CLB):  把外部逻辑“装”进芯片  NS800RT503xC/5049C型号中的“C”即代表带CLB的产品。这4个可配置逻辑块在延续NSSine™平台高性能内核与丰富外设的基础上,将可编程硬件逻辑能力引入主控芯片。  CLB是一组可通过软件进行互连逻辑设计的模块,用于实现自定义数字逻辑功能或增强现有片上外设,能够通过交叉开关与ePWM、eCAP、eQEP等控制外设互联,也可连接外部GPIO引脚。  借助CLB,工程师可在芯片内实现在电机控制应用中的高精度位置编码器协议解码(BISS-C,ENDAT2.2,T-Format,SSI等主流编码器协议),实时脉冲序列输出(正交编码器信号分频输出,绝对值位置信号转QEI信号输出),复杂故障组合逻辑的PWM保护功能和用来扩展PWM输出通道,也可以处理数字电源应用中的LLC谐振变换的同步整流控制和三电平逆变器的延迟保护等功能,无需再增加外部类似CPLD或FPGA的逻辑器件。  上述功能处理完全由片内CLB硬件并行完成、不占用CPU资源,带来更确定、更低延迟的响应;同时减少板级互联,有助于提升系统可靠性。纳芯微同步提供图形化的CLB配置工具(NOVOCLBConfig)与示例应用,降低工程师的开发与迁移门槛。  两个子系列,选型梯度更灵活  在平台选择上,本次发布的C系列提供更灵活的梯度:  NS800RT503xC系列:涵盖NS800RT5039C(512KB Flash)与NS800RT5037C(256KB Flash),提供LQFP48至HLQFP128多种封装(最多67个GPIO),并支持QSPI(XIP)片外存储扩展,适合对封装尺寸、成本梯度有不同要求的电机控制与工业应用;  NS800RT5049C系列:提供512KB Flash与100/64引脚封装选项,面向对控制性能与集成度要求更高的数字电源、伺服与汽车应用。  成熟NSSine™平台,既有方案平滑迁移  NS800RT503xC/5049C系列基于Arm® Cortex®-M7内核,最高工作频率240MHz,支持双精度浮点运算单元(FPU)与DSP指令集,片上集成eMATH数学加速核与mMATH数字处理单元,可为电机FOC、数字电源环路等复杂控制算法提供充足算力;存储最高512KB Flash与256KB SRAM,可满足大程序与高速数据缓冲的需求。  模拟与控制外设方面,产品集成高速ADC、高分辨率PWM(HRPWM)、Σ-Δ调制器滤波器(SDFM)等模拟与控制资源完整保留,覆盖从信号采样到功率控制的全链路,可充分发挥SiC、GaN等宽禁带功率器件的性能优势。  产品满足AEC-Q100 Grade 1车规可靠性标准,功能安全符合ISO 26262 ASIL-B与IEC 61508 SIL2,并提供车规级与工规级产品选项。  此外,开发工具支持Keil、IAR、NovoStudio等主流环境——无论是光伏储能、工业自动化、数字电源还是新能源汽车三电应用,客户基于既有NSSine™项目的开发经验均可平滑迁移。
2026-10-30 10:50 阅读量:326
纳芯微推出Mini SBC NCA1169V-Q1系列,助力汽车电子控制单元高集成度升级
  纳芯微近日推出集成CAN收发器、LDO稳压器的Mini SBC产品NCA1169V-Q1系列。该系列产品满足ISO 11898-2:2024 标准要求,为汽车电子控制单元提供集成化的电源管理与CAN FD通信支持,可应用于汽车车身控制、智能座舱、车载照明、底盘转向及安全传感器等多种应用场景。凭借高集成度与低功耗设计,NCA1169V-Q1系列有助于简化外围电路设计,兼顾汽车电子系统对成本及可靠性的综合需求。  集成双路LDO  搭配看门狗保障系统稳定运行  NCA1169V-Q1集成两路内部LDO稳压器,提供强大的带载能力,支持灵活的负载配置。其中,主LDO(V1)提供350mA的电流驱动能力,辅LDO(V2)提供100mA的电流驱动能力。同时,NCA1169V-Q1内置看门狗功能,支持窗口模式、超时模式和自主模式三种工作模式,可根据不同系统运行状态与应用场景灵活配置,为MCU运行状态监控及系统异常管理提供支持,进一步提升系统运行的可靠性。  凭借双路LDO稳压器的集成设计,NCA1169V-Q1系列能够有效简化系统架构,减少外围器件需求,助力汽车电子控制单元实现更紧凑的设计,为整车电子系统的小型化与集成化发展提供支持。    图-1:NCA1169V-Q1功能框图  集成CAN FD满足最新标准,自研振铃抑制电路助力高速稳定通信  NCA1169V-Q1集成的CAN FD满足ISO 11898-2:2024 标准要求,CAN FD通信速率达5Mbps,在特定应用条件下最高可达8Mbps,充分满足汽车电子系统对高速数据传输的需求。  在CAN总线信号传输过程中,阻抗不匹配等因素可能会引发信号反射,形成振铃现象,影响信号完整性,并对高速通信的稳定性带来挑战。NCA1169V-Q1集成纳芯微自研振铃抑制电路,有效抑制总线信号振荡,改善信号质量,提升高速数据传输的稳定性,为汽车电子系统实现高速、可靠的CAN通信提供支持。  低功耗待机与多种唤醒机制,兼顾能耗与响应需求  NCA1169V-Q1具有极低功耗设计,在睡眠模式下电流仅34.3μA,待机模式下电流仅49.6μA,有效降低车辆非活跃状态下的静态能耗,为整车低功耗管理提供有力支持。  此外,NCA1169V-Q1支持标准唤醒、WAKE引脚本地唤醒及选择性唤醒等多种唤醒机制,并具备唤醒源识别功能,可根据系统需求灵活配置唤醒策略,在降低功耗的同时实现快速响应,助力汽车电子系统兼顾低功耗运行与高效响应的需求。  多重保护机制,提升汽车电子系统运行可靠性  面对复杂多变的汽车电子应用环境,NCA1169V-Q1集成多种保护功能,为芯片及外围电路提供多层次的安全保障。在总线故障保护方面,器件可承受最高±58V的电压,有效应对总线短路及异常电压冲击;在热保护方面,支持过热预警与关断机制,可在芯片温度过高时及时采取保护措施,防止器件损坏;在ESD防护方面,CDM静电放电耐受能力达±2000V,并针对CAN引脚提供相应的ESD防护,增强器件在装配及使用过程中的静电耐受能力。  封装与选型  NCA1169V-Q1系列产品采用DFN20封装,满足AEC-Q100汽车级要求,与市场主流器件P2P兼容。收发器的I/O电平可根据需要调整为微控制器的I/O电平,包括1.8V、3.3V和5V,灵活适配各类微控制器。NCA1169V-Q1系列现已支持送样,预计今年年底量产。  平台化接口IP,快速响应定制开发需求  纳芯微在通信接口领域布局已久,通过平台化IP和自研专利的协同,实现了快速的产品迭代,并且在CAN/LIN/RS485/I2C/I3C/SerDes接口等方面完成了全面的产品布局。技术层面,纳芯微在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破,达到业内领先的水平。  在技术迭代的同时,纳芯微全面落地全国产供应链体系,打通晶圆制造、封装测试、核心物料配套的全链路国产化。目前,纳芯微车载CAN/LIN/SerDes等汽车通信接口芯片,均已实现全国产供应链落地,精准匹配新能源汽车等领域的国产化替代需求。高度自主可控的本土供应链,不仅大幅提升了产品交付稳定性与成本可控性,还能快速响应客户定制开发与批量供货需求,为终端客户提供安全可靠、高适配的国产化接口芯片解决方案。
2026-10-29 17:04 阅读量:293
大电流、高集成、小尺寸,纳芯微发布NSD7308系列H桥有刷电机驱动
  随着汽车车身、底盘、发动机和智能终端中的电机及电磁阀功能不断丰富,系统对大电流驱动的需求日益增长,这对H桥直流有刷电机驱动提出了新的挑战:传统 “预驱+外置MOS” 的分立方案不仅器件多、PCB占用面积大,而且在狭小空间内实现大电流驱动时容易出现各类问题,系统调试复杂、故障定位困难,制约了整机模块的小型化与可靠性提升。  NSD7308系列具备40V耐压、12A峰值输出电流,内部MOS导通电阻低至84mΩ (HS+LS),输出压摆率(Slew Rate)和输出电流阈值(Itrip)均可配置,并内置电流采样,提供全面的诊断与保护功能,包括开路/短路诊断、过流、过温、欠压和过压保护。该系列提供硬件输入和SPI输入两种版本,无论是大电流带载能力、紧凑的尺寸,还是完备故障诊断能力,均表现出色,可帮助客户简化硬件设计、提升可靠性并降低BOM成本。  NSD7308系列提供车规和工规两种版本,车规版本满足AEC‑Q100 Grade 1标准,可广泛适用于车身电子中的有刷电机、发动机ECU阀门、空气悬架CDC等应用场景。工规版本适用于智能电器、电动工具、自动升降桌、清洗机器人等多元化智能终端设备。  大电流驱动,具备强大带载能力  NSD7308上下管总导通电阻仅为84mΩ,峰值输出电流可达12A,可替代传统“预驱+外置MOS”的分立方案,直接驱动中大功率的有刷电机及电磁阀等负载。  实际对比测试表明,相较于国产同类产品,NSD7308在常温及85℃环温下均具备更优的温升表现,在高温环境下拥有更强的PWM带载能力;同时,无论直流还是PWM工况下,NSD7308的OCP触发电流阈值显著更高,展现出更强的冲击电流承载能力,为复杂负载工况下的稳定运行提供有力保障。  1. 常温下直流带载温升测试:Ta=25℃ (PH/EN mode, IN1/IN2=1/1, VM=13.5V),带载后待IC温度稳定30分钟以上,使用测温枪进行IC表面温度测量。如下图示,温升明显优于国产友商的同类产品。  图1 常温下直流带载5.5A的芯片温升对比  2. 85°C环温下直流带载温升测试:Ta=85℃ (PH/EN mode, IN1/IN2=1/0, VM=13.5V),带载后待IC温度稳定30分钟以上,使用测温枪进行IC表面温度测量。如下图示,温升优于国产友商的同类产品。  图2 85°C环温下直流带载4A的芯片温升对比  3. 85°C环温下最大PWM带载能力测试:Ta=85℃, PWM mode (10kHz PWM, 负载1ohm+1mH, VM=13.5V),如下图示,最大PWM带载电流能力优于国产友商的同类产品。  图3 85°C环温下最大PWM带载电流对比  4. 不触发OCP的最大冲击电流测试:Ta=25℃ (15kHz PWM, 负载 2mH+1Ω, VM=25V),如下图所示,不论是DC负载还是PWM带载,OCP过流阈值都大幅高于国产友商的同类产品。  图4 不触发OCP的最大DC冲击电流对比  (图中:紫色为IPROPI电压,绿色为负载电流,蓝色为OUT1电压,黄色为OUT2电压)  图5 不触发OCP的最大PWM冲击电流对比  (图中:紫色为IPROPI电压,绿色为负载电流,蓝色为OUT1电压,黄色为OUT2电压)  内部集成电流采样和电流调节功能,  减少系统面积和成本  NSD7308集成电流采样功能,无需外部采样电阻和电流运放即可实现电流检测。结合VQFN14倒装封装技术,NSD7308可实现3mm*4.5mm的超小封装尺寸,特别适用于紧凑空间。  NSD7308可通过IPROPI管脚,按比例输出内部MOS管的正向导通电流(即从Drain到Source的电流)。在H-Bridge模式下,IPROPI输出对应两个下管MOS电流之和的比例信号,即(ILS1+ILS2)/AIPROPI;在半桥(Half-Bridge)模式下,IPROPI输出对应两个上管MOS电流之和的比例信号,即(IHS1+IHS2)/AIPROPI。  此外,NSD7308还集成了电流调节功能,且电流调节阈值Itrip可配置。当负载电流超过设定的Itrip阈值时,芯片会自动执行电流调节功能,抑制电机启动或堵转等工况下的过大电流,降低芯片过热风险;同时,该功能也可用于负载电流及扭矩的精确控制。  支持多工况负载状态诊断,精准定位故障  NSD7308支持输出端负载状态诊断,可在电机启动前或运行过程中及时发现异常,提升系统可靠性。芯片支持两种检测模式:待机模式下的负载检测(OLP)和工作模式下的负载开路检测(OLA)。  待机模式下的负载检测(OLP)  芯片通过配置输入引脚状态,依次使能内部上拉和下拉电阻,测量OUTx端电压,并与内部比较器的电压阈值进行比较,从而检测诊断以下异常:  输出端对电源VM或者地GND短路(阻值<100Ω)  全桥负载或半桥低边负载开路(阻值>2kΩ)  半桥高边负载开路(阻值>10kΩ)  工作模式下的负载开路检测(OLA)  支持高边续流和低边续流两种工况,可根据不同的驱动模式和负载连接方式进行实时开路检测:  全桥模式(Full-Bridge): 芯片通过检测死区时间内低边续流MOS管体二极管的导通压降,并与内部VOLA电压阈值进行比较,实现实时开路检测。  半桥模式(Half-Bridge),驱动对地负载: 芯片通过检测死区时间内低边续流MOS管体二极管的导通压降,并与内部VOLA电压阈值进行比较,实现实时开路检测。  半桥模式(Half-Bridge),驱动对电源负载: 芯片通过检测死区时间内高边续流MOS管体二极管的导通压降,并与内部VOLA电压阈值进行比较,实现实时开路检测。  封装与选型  纳芯微H桥直流有刷电机驱动NSD7308系列现已全面量产,具备更小内阻、更大驱动电流的NSD7305系列也即将送样,产品兼具高集成度、小尺寸与高可靠性,可在有限空间内实现更大负载的驱动。
2026-10-22 10:26 阅读量:276
支持1.5W功率输出满足多场景供电需求,纳芯微推出集成变压器的隔离电源NSIP505S15系列
  纳芯微近日宣布推出集成变压器的隔离电源NSIP505S15系列。该系列产品输出功率可达1.5W,满载条件下5V转5V转换效率接近60%,可充分满足光储充、工控、AI服务器电源等领域客户在多接口供电、MCU及采样电路单板供电、GaN驱动供电、STO安全电源等场景下的多样化需求。作为传统电源模块的IC化替代方案,该系列产品在保证隔离可靠性的前提下,能够实现更小体积与更高效率。  1.5W足额输出与高效转换兼顾  从容应对重载启动与多样化供电架构  NSIP505S15系列在提供1.5W高输出功率的同时,实现了优异的转换效率:5V转5V效率接近60%,5V转3.3V效率接近50%,3.3V转3.3V效率同样接近60%,覆盖主流系统供电架构,帮助客户在不同应用场景中实现功耗与性能的均衡。此外,该系列器件静态功耗低至10μA,在待机或轻载工况下可助力降低系统整体功耗。  表-1:NSIP505S15系列5V-5V、5V-3.3V、3.3V-3.3V效率转换图  强容性负载带载能力  为系统可靠供电保驾护航  在光储充、工控、AI服务器电源等应用中,隔离电源输出侧往往需要挂载多颗滤波电容以保障后级电路稳定工作,但大容量电容上电瞬间近似短路,极易触发电源过流保护导致启动失败。NSIP505S15系列针对这一痛点进行了专门优化,满载条件下容性负载能力超过2.5mF,能够从容驱动GaN栅极容性负载、多路采样电路并联电容等重容性负载场景,确保系统冷启动可靠、不反复打嗝。  集成多维度全面保护  强化系统鲁棒性  NSIP505S15系列集成了完备的保护功能:输入/输出过压保护(VDD OVP、VISO OVP) 防止电压异常冲击,输入/输出欠压锁定(VDD UVLO、VISO UVLO) 确保供电窗口安全,短路保护与过温保护在异常工况下及时关断,避免器件损坏;采用软启动机制,在上电时限制浪涌电流,确保启动可靠,若软启动超时(如输出短路或负载异常),器件将进入保护性关断模式,持续保障系统安全。  EMC性能优化  轻松通过CISPR32 Class B测试  NSIP505S15系列针对EMC性能进行了大幅优化:在EMI方面,两层PCB板、外围电路仅串联2个磁珠的测试条件下,可轻松通过CISPR32 Class B测试并保有5dB以上裕量,显著简化系统EMI设计难度,降低外围滤波器件成本;在EMS方面,系统级ESD接触放电能力超过±10kV,从容应对生产组装与现场安装中的静电风险,进一步提升系统鲁棒性。  封装与选型  NSIP505S15系列器件提供两种封装版本:LGA14封装为紧凑型设计,隔离耐压达3kVrms,爬电距离4.1mm,可实现与竞品同类器件的pin-to-pin兼容,适用于体积受限的高密度布局场景;SSOW20封装隔离耐压达5kVrms,爬电距离8.2mm,为需要更大隔离耐压或特定PCB布局的应用提供了灵活选择。同时,该系列支持250kV/μs(典型值)的共模瞬态抗扰度(CMTI),并可在-40℃~125℃宽温范围内稳定工作,充分满足工业及汽车级应用的可靠性要求,客户可根据系统空间、安规要求及布板策略灵活选用。  持续丰富隔离电源产品矩阵  覆盖多元应用场景  NSIP505系列的发布进一步丰富了纳芯微隔离电源产品组合。目前,纳芯微可提供一系列高集成度的隔离电源方案,包括:  集成隔离电源与数字隔离器的二合一产品NSIP95/98系列;  集成隔离电源与隔离接口的NSIP93086(隔离RS485收发器)和NSIP9042(隔离CAN收发器);  可自选配置外部变压器的推挽式变压器驱动NSIP605x系列,为需要更灵活变压器选型的应用提供了高性价比选择;  专为隔离驱动供电设计的全桥变压器驱动NSIP3266/E,集成晶振与多种保护功能,并支持软启动,进一步满足驱动供电场景的严苛需求。  从高集成方案到灵活驱动方案,纳芯微持续完善隔离电源产品生态,为工业、汽车、光储充等应用提供更多高可靠性选择。  丰富的“隔离+”产品  引领隔离芯片标杆  凭借在隔离技术方面的积累和领先优势,纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品,以全生态“隔离+”产品矩阵,为高压系统筑造安全可靠的防线:  “+”代表增强安全:纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级,为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。  “+”代表全产品生态:纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心,拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合,为客户提供隔离器件的一站式解决方案。  “+”代表深度赋能应用:纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统,以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求,实现系统级安全、可靠与高效。  截至2025年,纳芯微隔离相关芯片已累计出货超27亿颗,作为全球领先的隔离芯片供应商,纳芯微致力于通过全面的“隔离+”产品布局,以核心技术IP和全产品生态,引领隔离芯片标杆,为全球客户提供一站式的隔离芯片解决方案。
2026-10-21 09:54 阅读量:308
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
MC33074DR2G onsemi
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
型号 品牌 抢购
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
TPS63050YFFR Texas Instruments
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码