罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型

Release time:2024-08-30
author:AMEYA360
source:罗姆
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  日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和正海集团的合资公司—上海海姆希科半导体有限公司批量供货给吉利旗下Tier1厂商——宁波威睿电动汽车技术有限公司。

  吉利和罗姆自2018年以来持续开展技术交流,并于2021年缔结了以SiC功率器件为核心的战略伙伴关系,合作至今。这次,作为合作成果,上述3种车型的主机逆变器搭载了罗姆的SiC MOSFET。无论哪种车型,以SiC MOSFET为核心的罗姆电源解决方案都将有助于延长车辆续航距离以及提高性能。

  罗姆正在推进SiC器件的开发,计划于2025年推出第5代SiC MOSFET,同时也提前了第6代及第7代产品的市场投入计划。并且,通过构筑SiC供应体制,实现以裸芯片、分立器件和模块等各种形态供货,从而促进SiC的普及,为实现可持续发展社会做出贡献。

罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型

  关于采用了罗姆“EcoSiC™”的极氪车型

     极氪的“X”车型虽然是小型SUV,但最大输出功率300kW以上,续航距离400km以上,性价比高,在中国以外的地区也受到关注。另外,小型货车类型的“009”除了智能驾驶舱之外,还搭载了140kWh的大容量电池,最大续航距离达822km。并且,作为旗舰车型的运动旅行车类型的“001”,由于双电动机最大输出达400kW以上,续航距离超580km,拥有4轮独立控制机构等,作为高性能EV被广泛关注。

  关于极氪

      极氪是浙江吉利控股集团有限公司旗下高端智能电动品牌,2021年3月,浙江极氪智能科技有限公司成立。极氪是一家以智能化、数字化、数据驱动的智能出行科技公司,秉承用户型企业理念,聚焦智能电动出行前瞻技术的研发,构建科技生态圈与用户生态圈,以“共创极致体验的出行生活”为使命,从产品创新、用户体验创新到商业模式创新,致力于为用户带来极致的出行体验。极氪的诞生区别于传统造车与新势力模式,实现智能纯电的快速进化,开拓纯电发展第三赛道的“极氪模式”。极氪致力于建立新型用户关系,实现与用户共创,根据用户需求与创造力得以持续进化,实现企业与用户平等融合。

  更多信息请访问网站:https://www.zeekrlife.com/

  关于罗姆

  罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络,为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信器等的众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域,罗姆的优势是提供包括SiC功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。欲了解更多信息,请访问罗姆官网(https://www.rohm.com.cn/)

  市场背景与第4代SiC MOSFET

     近年来,为了实现“碳中和”和其他减轻环境负荷的目标,就需要进一步普及下一代电动汽车(xEV),这就推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车(EV)领域,为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸,提高发挥驱动核心作用的主驱逆变器的效率已成为一个重要课题,业内对SiC功率元器件寄予厚望。

罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型

  罗姆于2010年在全球开始SiC MOSFET的量产以来,作为SiC元器件领域的领军企业,一直在推动先进产品的技术开发。目前,罗姆将这些SiC元器件命名为“EcoSiC™”品牌,并正在不断扩展其产品群。目前不仅可提供裸芯片,还可提供分立封装和模块等多种形态产品。欲了解更多信息,请访问罗姆官网上的SiC介绍页面(https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices)。

  关于罗姆的EcoSiC™

      EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系,目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。

罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型

  ・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

  支持信息

     罗姆拥有在公司内部进行电机测试的设备,可在应用层面提供强力支持。此外,为了加快第4代SiC MOSFET的评估和应用普及,罗姆官网上还提供各种支持资源。通过下面的链接,可以查看SPICE模型等各种设计模型、主要应用的仿真电路(ROHM Solution Simulator)和评估板(Evaluation Board)等信息。

  https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet#supportInfo

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罗姆将携电动交通与工业领域的最新解决方案亮相PCIM Europe 2025
  中国上海,2025年4月22日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,将于2025年5月6日至8日参加在德国纽伦堡举办的PCIM(PCIM Expo & Conference)展览会暨研讨会。该展会是电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会。罗姆将在9号馆304展位展示与知名合作伙伴的参考项目及其封装设计与评估板的技术演进。  罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示:“德国纽伦堡的PCIM 2025是电力电子领域创新与突破的盛会。在这里,业内前沿人才汇聚一堂,共同擘画电动交通和工业应用的未来蓝图。我们将展示出色的客户应用案例,全方位展现罗姆产品的卓越潜力。无论是光伏行业还是电动交通领域,罗姆都将积极参与。我们很期待在现场与客户共同探讨未来的关键项目。”  罗姆在PCIM Europe 2025上的亮点预览:  罗姆的车载产品:罗姆将展出一款采用TRCDRIVE pack™的逆变器产品,该产品内置罗姆二合一SiC塑封型模块。罗姆与法雷奥(Valeo)自2022年起始终保持合作,双方在合作初期以技术交流为切入点,致力于共同提升电机逆变器的性能和效率。而电机逆变器是电动汽车(EV)和插电式混合动力汽车(PHEV)动力总成系统的关键部件。  罗姆展位上还将展出电动交通应用中必不可少的车载充电器(OBC)电源解决方案。其中包括适用于OBC的新型EcoSiC™塑封型功率模块,以及采用罗姆功率半导体器件的OBC应用案例。        罗姆的Power Eco Family产品:“Power Eco Family”品牌理念整合四大功率半导体产品矩阵,旨在通过提高应用产品的性能,推动可持续生态系统的发展。罗姆将在展位上展示自有的解决方案与案例研究。  其中的应用案例之一是新型GaN产品群——罗姆EcoGaN™系列中的650V耐压的TOLL封装GaN HEMT已被日本知名电子元器件、电池和电源制造商村田制作所集团旗下的子公司Murata Power Solutions用于其AI服务器电源。Murata Power Solutions的5.5kW AI服务器电源通过内置罗姆低损耗且高速开关性能优势兼具的GaN HEMT,实现了效率提升与小型化的双重突破。了解更多信息,请参阅AMEYA360发布的相关新闻。   Power Eco Family系列的详情如下:  · EcoSiC™是采用因性能优于Si而在功率元器件领域备受关注的SiC的元器件品牌。  · EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的低导通电阻和高速开关性能,助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件。该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计时间和元器件数量等。  · EcoIGBT™是罗姆开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的IGBT,是包括器件和模块在内的品牌名称。  · EcoMOS™是罗姆专为功率元器件领域的对节能要求高的应用设计的Si功率MOSFET产品的品牌。  在展会期间,罗姆的电源专家将参与多场研讨会和会议演讲。此外,还将在PCIM Europe 2025上展示海报。  更多关于罗姆在PCIM Europe 2025上的重点展示内容,请访问:‍https://www.rohm.com/pcim‍  [注] *EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™、EcoMOS™和TRCDRIVE pack™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  关于罗姆  罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络,为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域,罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。  了解更多信息,请点击访问罗姆官网:https://www.rohm.com.cn/。
2025-04-22 17:24 reading:244
马自达与罗姆开始联合开发采用下一代半导体的汽车零部件
  ~通过GaN功率半导体的社会应用,助力汽车技术创新~  Mazda Motor Corporation(以下简称“马自达”)与ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)开始联合开发采用下一代半导体技术——氮化镓(GaN)功率半导体的汽车零部件。  (左)马自达董事、专务执行官兼CTO 广濑一郎/(右)罗姆董事、专务执行官 东克己  马自达与罗姆自2022年起,在“针对电驱动单元的开发与生产合作体系”中,一直在推进搭载碳化硅(SiC)功率半导体的逆变器的联合开发。此次,双方又着手开发采用GaN功率半导体的汽车零部件,旨在为下一代电动汽车打造创新型汽车零部件。  GaN作为下一代功率半导体材料备受瞩目,与传统的硅(Si)基功率半导体相比,其不仅能够抑制功率转换过程中的损耗,还可高频驱动,有助于实现产品的小型化。  双方将充分利用这些特点,将其转化为整车的总布置、轻量化及设计方面的创新型解决方案。双方计划在2025年度内将这一理念落地,并通过Demo车进行试验,力争在2027年度投入实际应用。  马自达 董事、专务执行官兼CTO 广濑一郎 表示:“在迈向碳中和的过程中,电动化进程加速,罗姆凭借其卓越的半导体技术和先进的系统解决方案构建能力,致力于创造可持续出行的未来社会。我们非常高兴能够与罗姆在电动汽车零部件的开发与生产方面进行合作,双方将携手并进,致力于共创半导体元器件与汽车双向直联的新价值链。马自达将通过与志同道合的合作伙伴企业之间的合作,向客户提供在电动汽车中也能畅享驾驭魅力的、充满‘驾乘乐趣’的产品。”  罗姆 董事兼专务执行官 东克己 表示:“非常高兴能够与致力于追求‘驾乘乐趣’这一汽车本质魅力的马自达合作,共同面向电动汽车领域开发汽车零部件。支持高频工作的罗姆EcoGaN™和能够充分发挥其性能的控制IC相结合的解决方案,是实现节能和小型化的关键。为扩大该解决方案在实际应用,罗姆非常重视与广大企业的合作。在GaN的开发与量产方面,已与众多合作伙伴建立了多样化的合作关系。此次,通过与致力于打造‘与地球及社会共存共生的汽车’的马自达开展联合开发,我们将能够从应用和终端产品开发的角度深入了解对GaN产品的需求,从而为推动GaN功率半导体的普及,进而为创造可持续出行的未来社会做出贡献。”  ・EcoGaN™是 ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
2025-03-28 15:09 reading:359
ROHM罗姆实现业界超高光辐射强度的小型表贴型近红外LED
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出小型顶部发光型表贴近红外 (NIR)*1 LED新产品,非常适用于VR/AR*2设备、工业光学传感器、人体感应传感器等应用。  近年来,在VR/AR设备和生物感测设备等领域,对使用了近红外(NIR)的先进感测技术的需求不断增加。由于这些技术用于眼动追踪、虹膜识别、血流量和血氧饱和度测量等应用,因此对精度的要求非常高。另外,应用产品的小型化、低功耗化以及设计灵活性的提升也备受重视。  此外,在工业设备领域,随着精密打印机控制和自动化系统的发展,近红外LED的作用日益重要。在这种背景下,ROHM通过提供小型封装和各种波长的丰富产品群,助力提高设计灵活性,并扩大客户的选择范围;同时通过实现更高的光辐射强度,助力实现更高精度和更加节能的应用产品。  新产品共有3种封装,6款型号。超小(1.0×0.6mm)超薄(0.2mm)的PICOLED™系列*3有“SML-P14RW”和“SML-P14R3W”2款型号。业界标准尺寸(1.6×0.8mm)系列有窄指向角的圆透镜型“CSL0902RT”和“CSL0902R3T”以及宽照射范围的平透镜型“CSL1002RT”和“CSL1002R3T”共4款型号。每种封装都有850nm(SML-P14RW为860nm)和940nm两种波长,用户可根据应用需求进行选择。  850nm波长与光电晶体管和相机感光元件之间的兼容性非常好,适用于VR/AR眼动追踪和物体检测等追求高灵敏度的应用,而940nm波长不易受阳光影响,发光时不会呈现红色,因此适用于人体感应传感器等应用。此外,在脉搏血氧仪等生物感测应用中,还可用于测量血流量和血氧饱和度(SpO₂)。  光源采用了源于ROHM自主生产制造优势的自有技术,配备了对发光层结构进行了优化的NIR元件。通过这一技术,实现了在小型封装中难以实现的业界超高光辐射强度*4。例如,“SML-P14RW”与同为1006尺寸的普通产品相比,在相同电流值条件下可以实现约1.4倍的光辐射强度,而在相同光辐射强度下,功耗可以降低约30%。这不仅提高了感测精度,还可以降低应用设备整体的功耗。  新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产。前道工序的生产基地为ROHM总部工厂(日本京都市),后道工序的生产基地为ROHM Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(马来西亚)和ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(中国)。新产品还支持电商销售,通过Ameya360等电商平台均可购买(样品价格140日元/个,不含税)。未来,ROHM将继续致力于提供支持下一代感测技术的创新光源解决方案,为VR/AR市场和工业设备市场创造新的价值,同时为实现可持续发展社会贡献力量。  小型NIR LED产品阵容  罗姆还可提供接收NIR用的“光电晶体管”。  应用示例  · VR/AR设备(眼动追踪、手势识别)  · 脉搏血氧仪(血流量和血氧饱和度测量)  · 工业光学传感器(物体通过检测、位置检测)、自助收银机(纸币、卡片检测)、便携式打印机(纸张检测)  · 家电遥控器(IR数据通信)、扫地机器人(地面检测)等  电商销售信息  电商平台:Ameya360  产品型号:SML-P14RW、SML-P14R3W、CSL0902RT、CSL0902R3T、CSL1002RT、CSL1002R3T  1枚起售  术语解说  *1)近红外(NIR:Near Infrared)  波长范围为780nm~1000nm。主要用于传感器、通信和测量领域,适合高精度的距离测量和识别应用。  *2)VR/AR(Virtual Reality:虚拟现实、Augmented Reality:增强现实)  VR是一项可使用显示器或屏幕在封闭的空间中体验逼真现实感的技术。AR是一项使用显示器或屏幕将一些信息融入现实世界的信息中来人为扩展现实世界的技术。这些技术也被统称为“XR(Cross Reality [Extended Reality])”。  *3)PICOLED™系列  ROHM利用元件制造工艺优势开发而成的超小超薄贴片LED系列产品,非常适用于小型便携设备和可穿戴设备。  *4)光辐射强度(Radiant Intensity)  发光器件在特定方向上辐射能量强弱的指标(单位:W/sr),是决定LED输出强度和光接受端的检测性能的重要因素。  注)“PICOLED™”是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
2025-03-26 14:17 reading:330
ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
  ~实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围~  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向企业级高性能服务器和AI服务器电源,开发出实现了业界超低导通电阻*¹和超宽SOA范围*²的Nch功率MOSFET*³。  新产品共3款机型,包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器(HSC)*⁴电路的“RS7E200BG”(30V),以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH(80V)”和“RS7N160BH(80V)”。  随着高级数据处理技术的进步和数字化转型的加速,对支撑数据中心的服务器的需求不断增加。此外,对具有高级计算能力的AI处理服务器的需求也呈增长趋势,预计未来将会持续增长。由于这些服务器需要 24小时不间断运转(始终通电),因此电源单元中使用的多个MOSFET的导通电阻造成的导通损耗,会对系统整体性能和能效产生很大影响。特别是在AC-DC转换电路中,其导通损耗占比较高,因此需要使用导通电阻低的MOSFET。另外,服务器配备了热插拔功能,可以在通电状态下更换和维护内部的板卡和存储设备,在更换等情况下,服务器内部会产生较大的浪涌电流*⁵。因此,更大的安全工作区范围(宽SOA范围)对于保护服务器内部和MOSFET而言至关重要。对此,ROHM新开发出一种DFN5060-8S封装,与以往封装形式相比,封装内部的芯片可用面积增加,从而开发出实现业界超低导通电阻和宽SOA范围的功率 MOSFET。新产品非常有助于提高服务器电源电路的效率和可靠性。  新产品均采用新开发的DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm)封装,与以往的HSOP8(5.0mm×6.0mm)封装相比,封装内的芯片可用面积增加了约65%。这使得新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻,30V产品“RS7E200BG”的导通电阻仅为0.53mΩ(Typ.),80V产品“RS7N200BH”仅为1.7mΩ(Typ.),非常有助于提高服务器电源电路的效率。  另外,通过优化封装内部的夹片形状设计,提高了散热性能,同时提高了有助于确保应用产品可靠性的SOA范围。尤其是30V产品“RS7E200BG”,其SOA范围达70A以上(条件:脉冲宽度=1ms、VDS=12V时),与以往的HSOP8封装产品相比,在相同条件下SOA范围提高了一倍,从而以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界超高的SOA范围。  新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格:710日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售。  ROHM计划在2025年内逐步实现也支持AI服务器热插拔控制器电路应用的功率MOSFET的量产。未来, ROHM将继续扩大相关产品阵容,为应用产品的高效运行和可靠性提升贡献力量。  <产品阵容>  <关于EcoMOS™品牌>  EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌,非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富,已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求,通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。  ・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  <应用示例>  企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路和HSC电路  AI(人工智能)服务器48V系统电源的AC-DC转换电路  工业设备48V系统电源(风扇电机等)  <电商销售信息>  开始销售时间:2025年2月起  产品型号:RS7E200BG、RS7N200BH、RS7N160BH  <术语解说>  *1)导通电阻(RDS(on))  MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,运行时的损耗(电力损耗)越少。  *2)SOA(Safe Operating Area)范围  元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏,特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中,需要考虑SOA范围。  *3)功率MOSFET  适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前,通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品,相比Pch MOSFET,具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。  *4)热插拔控制器(HSC:Hot Swap Controller)  可在设备的供电系统运转状态下插入或拆卸元器件的、具有热插拔功能的专用IC(集成电路),发挥着控制插入元器件时产生的浪涌电流,并保护系统和所连接元器件的重要作用。  *5)浪涌电流(Inrush Current)  在电子设备接通电源时,瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷,所以通过控制浪涌电流,可防止设备损坏并提高系统稳定性。
2025-03-06 14:24 reading:415
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