纳芯微推出全新CSP封装MOSFET: NPM12023A

发布时间：2024-09-27 11:24
作者：AMEYA360
来源：纳芯微
阅读量：2125

　　近日，纳芯微全新推出CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET ——NPM12023A系列产品，优异的短路过流能力与雪崩过压能力、更强的机械压力耐受能力，可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。

纳芯微推出全新CSP封装MOSFET: NPM12023A

　　纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品，采用自有专利芯片结构设计，综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺，拥有超低导通阻抗及高ESD (>2kV) 保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求，同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题，为客户提供更安全、更可靠的产品，简化客户的设计。

纳芯微推出全新CSP封装MOSFET: NPM12023A

　　图1：纳芯微CSP封装MOSFET产品优势

　　便携式锂电设备对于充放电保护的要求：

　　高强度，小体积

　　智能手机、平板电脑等便携式锂电设备变得比以前更轻薄，功能更强大，同时对设备的充放电功率要求也越来越高：从最初的3-5W，到现在超过100W的充放电功率，使人们在享受更便捷的生活的同时，提高了充电效率，减少了电量焦虑的困扰。充放电功率的不断提高，对用于锂电池保护的MOSFET的性能提出了更高的挑战：如何在降低内阻的同时，兼顾机械应力及雪崩能量等要求，成为聚焦的重点。

纳芯微推出全新CSP封装MOSFET: NPM12023A

　　图2：CSP封装MOSFET典型应用场景

　　技术特点

　　专有的CSP封装技术

　　传统CSP封装结构为了降低衬底电阻，采用了芯片厚度减薄的方法，从而降低了该封装结构的机械强度，随之而来的，在生产组装过程中，可能会造成芯片翘曲变形甚者产生裂纹，从而导致应用端不良等问题。

　　纳芯微全新CSP封装系列产品在设计之初就在产品结构上做了调整，使导通电流平行于芯片表面，缩短电流路径，从而降低导通电阻，也就从根源上解决了CSP封装MOSFET的机械强度问题(耐受机械压力>60N)，更高的机械强度，可以帮助芯片在兼顾轻薄化、小型化的基础上，最大程度上降低使用过程中的变形、裂片等问题，保证了产品的可靠性和安全性。

纳芯微推出全新CSP封装MOSFET: NPM12023A

　　图3：纳芯微CSP封装结构与传统CSP封装结构对比

　　高抗短路和雪崩的能力

　　作为锂电池保护电路中的关键器件，CSP封装MOSFET的短路过流能力和雪崩过压能力也是衡量该芯片的重要参数指标。相比市场上其他产品，纳芯微该系列产品具备非常好的抗短路和雪崩的能力：短路电流测试达到280A，雪崩能力测试>30A(225mJ)。

纳芯微推出全新CSP封装MOSFET: NPM12023A

　　纳芯微CSP封装MOSFET产品选型表

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大电流、高集成、小尺寸，纳芯微发布NSD7308系列H桥有刷电机驱动
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大电流、高集成、小尺寸，纳芯微发布NSD7308系列H桥有刷电机驱动

　　随着汽车车身、底盘、发动机和智能终端中的电机及电磁阀功能不断丰富，系统对大电流驱动的需求日益增长，这对H桥直流有刷电机驱动提出了新的挑战：传统 “预驱+外置MOS” 的分立方案不仅器件多、PCB占用面积大，而且在狭小空间内实现大电流驱动时容易出现各类问题，系统调试复杂、故障定位困难，制约了整机模块的小型化与可靠性提升。　　NSD7308系列具备40V耐压、12A峰值输出电流，内部MOS导通电阻低至84mΩ (HS+LS)，输出压摆率(Slew Rate)和输出电流阈值(Itrip)均可配置，并内置电流采样，提供全面的诊断与保护功能，包括开路/短路诊断、过流、过温、欠压和过压保护。该系列提供硬件输入和SPI输入两种版本，无论是大电流带载能力、紧凑的尺寸，还是完备故障诊断能力，均表现出色，可帮助客户简化硬件设计、提升可靠性并降低BOM成本。　　NSD7308系列提供车规和工规两种版本，车规版本满足AEC‑Q100 Grade 1标准，可广泛适用于车身电子中的有刷电机、发动机ECU阀门、空气悬架CDC等应用场景。工规版本适用于智能电器、电动工具、自动升降桌、清洗机器人等多元化智能终端设备。　　大电流驱动，具备强大带载能力　　NSD7308上下管总导通电阻仅为84mΩ，峰值输出电流可达12A，可替代传统“预驱+外置MOS”的分立方案，直接驱动中大功率的有刷电机及电磁阀等负载。　　实际对比测试表明，相较于国产同类产品，NSD7308在常温及85℃环温下均具备更优的温升表现，在高温环境下拥有更强的PWM带载能力;同时，无论直流还是PWM工况下，NSD7308的OCP触发电流阈值显著更高，展现出更强的冲击电流承载能力，为复杂负载工况下的稳定运行提供有力保障。　　1. 常温下直流带载温升测试：Ta=25℃ (PH/EN mode, IN1/IN2=1/1, VM=13.5V)，带载后待IC温度稳定30分钟以上，使用测温枪进行IC表面温度测量。如下图示，温升明显优于国产友商的同类产品。　　图1 常温下直流带载5.5A的芯片温升对比　　2. 85°C环温下直流带载温升测试：Ta=85℃ (PH/EN mode, IN1/IN2=1/0, VM=13.5V)，带载后待IC温度稳定30分钟以上，使用测温枪进行IC表面温度测量。如下图示，温升优于国产友商的同类产品。　　图2 85°C环温下直流带载4A的芯片温升对比　　3. 85°C环温下最大PWM带载能力测试：Ta=85℃, PWM mode (10kHz PWM, 负载1ohm+1mH, VM=13.5V)，如下图示，最大PWM带载电流能力优于国产友商的同类产品。　　图3 85°C环温下最大PWM带载电流对比　　4. 不触发OCP的最大冲击电流测试：Ta=25℃ (15kHz PWM, 负载 2mH+1Ω, VM=25V)，如下图所示，不论是DC负载还是PWM带载，OCP过流阈值都大幅高于国产友商的同类产品。　　图4 不触发OCP的最大DC冲击电流对比　　(图中：紫色为IPROPI电压，绿色为负载电流，蓝色为OUT1电压，黄色为OUT2电压)　　图5 不触发OCP的最大PWM冲击电流对比　　(图中：紫色为IPROPI电压，绿色为负载电流，蓝色为OUT1电压，黄色为OUT2电压)　　内部集成电流采样和电流调节功能，　　减少系统面积和成本　　NSD7308集成电流采样功能，无需外部采样电阻和电流运放即可实现电流检测。结合VQFN14倒装封装技术，NSD7308可实现3mm*4.5mm的超小封装尺寸，特别适用于紧凑空间。　　NSD7308可通过IPROPI管脚，按比例输出内部MOS管的正向导通电流(即从Drain到Source的电流)。在H-Bridge模式下，IPROPI输出对应两个下管MOS电流之和的比例信号，即(ILS1+ILS2)/AIPROPI;在半桥(Half-Bridge)模式下，IPROPI输出对应两个上管MOS电流之和的比例信号，即(IHS1+IHS2)/AIPROPI。　　此外，NSD7308还集成了电流调节功能，且电流调节阈值Itrip可配置。当负载电流超过设定的Itrip阈值时，芯片会自动执行电流调节功能，抑制电机启动或堵转等工况下的过大电流，降低芯片过热风险;同时，该功能也可用于负载电流及扭矩的精确控制。　　支持多工况负载状态诊断，精准定位故障　　NSD7308支持输出端负载状态诊断，可在电机启动前或运行过程中及时发现异常，提升系统可靠性。芯片支持两种检测模式：待机模式下的负载检测(OLP)和工作模式下的负载开路检测(OLA)。　　待机模式下的负载检测(OLP)　　芯片通过配置输入引脚状态，依次使能内部上拉和下拉电阻，测量OUTx端电压，并与内部比较器的电压阈值进行比较，从而检测诊断以下异常：　　输出端对电源VM或者地GND短路(阻值<100Ω)　　全桥负载或半桥低边负载开路(阻值>2kΩ)　　半桥高边负载开路(阻值>10kΩ)　　工作模式下的负载开路检测(OLA)　　支持高边续流和低边续流两种工况，可根据不同的驱动模式和负载连接方式进行实时开路检测：　　全桥模式(Full-Bridge)： 芯片通过检测死区时间内低边续流MOS管体二极管的导通压降，并与内部VOLA电压阈值进行比较，实现实时开路检测。　　半桥模式(Half-Bridge)，驱动对地负载： 芯片通过检测死区时间内低边续流MOS管体二极管的导通压降，并与内部VOLA电压阈值进行比较，实现实时开路检测。　　半桥模式(Half-Bridge)，驱动对电源负载： 芯片通过检测死区时间内高边续流MOS管体二极管的导通压降，并与内部VOLA电压阈值进行比较，实现实时开路检测。　　封装与选型　　纳芯微H桥直流有刷电机驱动NSD7308系列现已全面量产，具备更小内阻、更大驱动电流的NSD7305系列也即将送样，产品兼具高集成度、小尺寸与高可靠性，可在有限空间内实现更大负载的驱动。
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