法雷奥与罗姆联合开发新一代功率电子领域

Release time：2024-11-26
author：AMEYA360
source：罗姆
reading：1463

　　业界先进的汽车零部件制造商Valeo Group(以下简称“法雷奥”)与全球知名半导体及电子元器件制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)将通过结合双方在功率电子领域的专业知识和技术优势，联合开发面向牵引逆变器的新一代功率模块。作为双方合作的第一步，罗姆将为法雷奥的新一代动力总成解决方案提供碳化硅(SiC)塑封型模块“TRCDRIVE pack™”。

　　法雷奥从电动摩托车等小型车辆到主流轿车，甚至大型电动卡车，跨越各种车辆类型和市场，扩大了高效电动移动出行的支持领域。此次合作将法雷奥拥有的机电、热控制以及软件开发的专业知识与罗姆的功率模块相结合，推动功率电子解决方案，助力全球汽车系统的性能和效率提升以及节能减排。

　　法雷奥和罗姆自2022年开始合作以来，一直在开展旨在提高牵引逆变器性能和效率的技术交流，而牵引逆变器是电动汽车(EV)和插电式混合动力汽车(PHEV)推进系统的重要组成部分。双方致力于通过改进功率电子技术来优化冷却系统和机电一体化，以改善散热性能、提高效率，从而优化性价比。另外，还通过采用碳化硅封装来提高整个系统的可靠性。

法雷奥与罗姆联合开发新一代功率电子领域

　　稳固的合作关系：法雷奥和罗姆利用双方的优势和密切的交流，实现高性能动力总成系统。

　　法雷奥电源逆变器平台总监 Nicolas GELEZ(右)、

　　法雷奥动力采购副总裁 Christophe CHEVALIER(中)、

　　罗姆半导体欧洲总裁 Wolfram HARNACK(左)

　　法雷奥动能系统事业部首席执行官Xavier Dupont表示：“对于法雷奥动能系统事业部来说，此次合作意味着在提供先进且高效率功率电子产品方面向前迈出重要一步。双方将共同致力于通过建立高耐压逆变器的新行业标准，加快向更高效、更经济电动出行的转型速度。”

　　罗姆半导体欧洲总裁Wolfram HARNACK表示：“很高兴罗姆的功率半导体能够为汽车零部件行业的领航企业法雷奥提供支持。罗姆的TRCDRIVE pack™实现了高功率密度，有助于提高功率转换效率。我们将通过与法雷奥的合作，为高效率动力总成系统的开发贡献力量。”

　　这些突破对于满足延长续航里程、实现高速充电功能以及适用于BEV和PHEV的性能高且经济实惠的逆变器等需求而言至关重要。

　　法雷奥计划于2026年初开始供应该项目的第一批产品。法雷奥和罗姆将共同为新一代xEV逆变器的效率提升和小型化贡献力量。

　　关于TRCDRIVE pack™的背景

　　TRCDRIVE pack™是牵引逆变器驱动用碳化硅塑封型模块的专用商标。该商标产品的功率密度高，并采用罗姆自有的引脚排列方式，有助于解决牵引逆变器需要解决的小型化、效率提升和减少工时等主要课题。碳化硅功率器件能够在高电压条件下以很低的损耗进行功率转换，因此将法雷奥的组件技术和外壳加工技术以及热控制技术优势与罗姆的功率模块技术优势相结合，将会产生协同效应。法雷奥和罗姆通过在车载功率电子领域的合作，来提高牵引逆变器的性能和效率，从而为实现无碳社会做出贡献。

　　如需了解更多信息，欢迎访问TRCDRIVE pack™页面：

　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2024-06-11_news_trcdrive-pack&defaultGroupId=false

　　・TRCDRIVE pack™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

　　关于法雷奥

　　法雷奥作为一家技术公司，是全球汽车制造商和新型交通参与者的合作伙伴。公司始终积极创新，致力于打造更安全且更智能、可持续的移动出行。法雷奥在电动化、驾驶辅助系统、舱内体验重塑和照明技术这四个领域拥有行业先进的技术和领导者地位，是移动出行变革进程中的重要发展原动力。

　　法雷奥相关数据：2023年销售额达220亿欧元，拥有109,600名员工，业务遍及全球28个国家，拥有159家工厂，64个研发中心，19个销售平台(截至2024年6月30日)

　　https://www.valeo.com/cn/

　　法雷奥已在巴黎证券交易所上市。

　　关于罗姆

　　罗姆是成立于1958年的半导体及电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。https://www.rohm.com.cn/

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罗姆将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026
行业新闻

罗姆将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026

　　中国上海，2026年6月18日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将于7月1日～3日参加2026慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai 2026)。届时，罗姆将在上海新国际博览中心N4馆500号展位，集中展示其面向AI服务器、车载及工业设备等领域的多元化产品与解决方案，以及丰富的应用案例。　　当前，AI算力基础设施、新能源汽车和工业智能化正在推动电子系统向更高功率密度、更高能效和更高 可靠性方向演进。尤其是在AI服务器和数据中心领域，电源架构正面临大功率、高效率和系统级优化的多重 挑战;在汽车电子领域，智能座舱、ADAS和车载高速通信对电源管理与信号传输提出了更高要求;在工业设备领域，小型化、高效率和稳定运行同样成为电源系统升级的重要方向。　　面对这些产业趋势，罗姆依托功率半导体和模拟半导体领域的技术积累，不仅提供丰富的硅功率元器 件，还持续推进SiC、GaN等宽禁带半导体产品布局，为AI服务器、汽车电子和工业设备等应用提供高效率、 高可靠性的产品支持。　　在本次electronica Shanghai 2026上，罗姆将设立AI服务器、车载、工业设备及应用案例四大展区，通过展示以下产品和解决方案，全方位呈现在半导体领域的综合技术实力。AI服务器：面向下一代数据中心电源架构提供高效支持　　下一代AI服务器的配置　　涵盖Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN及模块产品在高压直流(HVDC)与50V电源机架中的应用。　　适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET　　采用8mm×8mm小型封装，兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，可满足AI服务器电源热插拔电路对可　　靠性和低损耗的要求，并已被全球知名云平台企业认证为推荐器件。　　第5代SiC MOSFET　　采用优化的器件结构与制造工艺，在高温(Tj=175℃)下，导通电阻比第4代降低约30%，适用于xEV2 / 2　　牵引逆变器及AI服务器电源等大功率应用，计划2026年7月起提供样品。　　具备业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT　　实现业界超低开关损耗和10µsec超高短路耐受能力，助力车载电动压缩机和工业设备逆变器等应用提升效率与可靠性。车载应用：助力智能座舱与ADAS系统发展　　面向SoC的PMIC　　罗姆与芯驰联合开发的车载SoC“X9SP”参考设计。该参考设计配备罗姆的PMIC，符合ISO 26262及　　ASIL-B功能安全等级，可为中高端智能座舱系统提供稳定、高效的电源管理支持。　　用于汽车多屏显示器的SerDes IC　　支持成对双向高速长距离通信，适用于车载信息娱乐系统和ADAS的高速通信需求。　　搭载SiC模块的三相逆变器参考设计　　覆盖5kW～100kW输出功率，提供完整设计数据，可大幅缩减实际设备评估周期。工业设备：以GaN与AC/DC转换器推动高效电源升级　　650V 耐压GaN HEMT　　罗姆的EcoGaN™系列产品——650V耐压GaN HEMT，已被应用于AI服务器电源等领域，推动工业设 备更广泛领域的电源小型化和效率提升。　　AC/DC用PWM方式DC/DC转换器　　面向各类带AC输入接口的工业设备提供可靠的电源解决方案，支持绝缘/非绝缘设计，可帮助客户轻松实现低功耗、高效率、低EMI的电源设计。　　此外，罗姆还将设立应用案例展区，集中展示先进产品在实际场景中的应用成果，通过系统化的方案演示，让观众更直观地了解罗姆技术从器件到系统的落地价值。　　【展会信息】　　时 间 ：2026年7月1日(周三)～3日(周五)09:00～17:00 (3日观众开放时间截止到16：00)　　会 场 ：上海新国际博览中心N4馆　　展位号： N4馆500号　　地 址 ：上海市浦东新区龙阳路2345号　　<关于electronica Shanghai 2026(慕尼黑上海电子展)>　　慕尼黑上海电子展是电子行业重要盛会。走过了20个年头，展会已成为带领未来电子科技的创新平台。慕尼黑上海电子展将呈现更为丰富的展示形式和多样化的行业主题，引入更多垂直领域的应用技术解决方案，聚焦新能源汽车、智能汽车、绿色能源、智能工厂、物联网+、智能可穿戴、工业互联网、无线通信、数据中心、智能家居等行业热点。同时也为观众与展商提供了技术交流的专业平台，共同见证全球电子产业发展趋势。
2026-06-18 14:38 reading：314
方案速览 | 罗姆助力多个应用场景性能升级
行业新闻

方案速览 | 罗姆助力多个应用场景性能升级

　　随着汽车领域车载系统的迭代升级以及工业设备中机器人技术等对感测精度的要求不断提升，市场对能够精确处理微小电压信号的运算放大器需求正快速增长，这就要求运算放大器具备输入失调电压、噪声、压摆率等主要特性的均衡表现。同时在边缘计算领域，各类设备对基于AI技术的状态监控和劣化预测功能的需求不断增长。另外在电机驱动应用中，三相电机驱动器长期面临“抑制功耗”与“降低噪声”此消彼长的权衡难题。　　针对这些需求，罗姆不断推出相应产品及解决方案，为不同场景应用提供支持。本文为各位工程师整理了罗姆近期推出的相关产品，方便您查看。　　1.高性能运算放大器　　罗姆的TLRx728系列与BD728x系列共17款高性能CMOS运算放大器。该产品系列适用于车载设备、工业设备及消费电子设备等众多领域。出色地兼顾了低输入失调电压、低噪声及高压摆率，通过丰富的产品阵容可为用户提供便捷的选型体验。另外，该产品支持轨到轨输入输出，能够充分利用电源电压范围，因此可确保更宽的动态范围。　　当这些经过精密放大的高质量模拟信号被采集后，下一个关键问题是如何在本地对其进行实时分析与决策，尤其是在网络受限或需要低延迟响应的场景中。这正是边缘AI技术发挥核心价值的地方。　　2.完全独立型AI解决方案“Solist-AI™”　　该方案主要由配备罗姆自有AI处理专用硬件加速器“AxlCORE-ODL”的Solist-AI™微控制器，以及支持系统引入的专用实用软件构成，具有“独立AI工作”、“设备端学习和增量训练”以及“同时执行AI以外的处理”的特点。　　当边缘AI做出决策后，需要驱动执行模块来响应。在各类执行机构中，电机是最常见且能耗最高的部件之一。接下来要考虑的是，如何让电机在响应指令的同时，兼顾高效与低噪，成为整个链路中不可忽视的关键环节。　　3.三相无刷直流电机驱动器IC　　适用于中等耐压系统(12V～48V系统)的三相无刷直流电机驱动器IC“BD67871MWV-Z”。该产品采用罗姆自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”，能够高速感测来自FET的电压信息，并实时进行栅极控制。　　采用这种控制方式，不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量，同时还抑制了振铃的产生，实现了低EMI特性。经实际电机验证，与罗姆以往的恒流驱动产品相比，该产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外，该产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形式(UQFN28)和引脚排列，有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。
2026-06-11 10:13 reading：356
罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~
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罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~

　　中国上海，2026年6月2日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将参展2026年PCIM欧洲展览会暨研讨会(PCIM Expo & Conference 2026)。该展会是全球电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会，将于2026年6月9日至11日在德国纽伦堡举办。　　今年，罗姆诚邀各位来宾莅临9号展厅的318号展位——与去年位于同一展厅，但位置不同。今年的展台设计焕然一新，展现出罗姆作为先进功率半导体供应商持续精进的发展态势。　　在2026年的PCIM欧洲展览会上，罗姆将展示其前沿功率半导体技术如何助力汽车、工业及基础设施应用提高效率、实现系统小型化并降低能量损耗。　　展位概览●　汽车电气化解决方案　　展示内容涵盖牵引逆变器、车载充电器、电池断路装置、电动汽车热管理系统以及面向下一代汽车的嵌入式技术。　　●　面向工业应用的高效电源技术　　展示适用于可再生能源系统、AI服务器、数据中心及工业电源领域的SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)解决方案。　　●　面向广泛应用的功率模块和元器件组合　　展示通过全球合作开发出的功率模块、分立器件及功率转换拓扑结构。　　更多信息请访问：www.rohm.com/pcim
2026-06-03 10:41 reading：595
罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

　　中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。　　随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。　　此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。　　另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。　　下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。　　罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。　　<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能，以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接：　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET使用时的应用优势　　・白皮书：ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案　　・访谈文章：数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
2026-05-28 09:23 reading：496
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