上海贝岭150V SGT新品发布

发布时间：2025-01-03 13:50
作者：AMEYA360
来源：上海贝岭
阅读量：782

　　概述

　　上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品。贝岭150V SGT系列产品采用业界先进工艺，使得器件具有良好的栅极漏电流IGSS性能;采用深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构，使得器件具有极低的导通电阻和较高的漏源间击穿电压Vdss;采用屏蔽栅极结构，器件获得优良的开关性能，使得150V SGT系列产品具有极低的开关损耗。

　　上海贝岭150V SGT MOSFET系列产品可广泛应用于：

　　通信和数据中心服务器电源

　　叉车和轻型电动车电机驱动器

　　光伏储能以及电池管理系统 (BMS)

　　不间断电源 (UPS)

　　二

　　器件优势

　　超低导通电阻Rds(on)

　　贝岭可提供国内业界极低导通电阻的150V SGT MOSFET系列产品。例如，BLP038N15的导通电阻典型值仅为2.9mΩ，相比于市场主流厂商同类低导通电阻产品，导通电阻降幅高达23%，可有效地降低功率器件在导通期间的损耗，显著提升系统整机效率。贝岭产品具有优良的Rds(on) 一致性，适合大功率并联场景。

上海贝岭150V SGT新品发布

　　低FOM 值

　　性能品质因数Figure of Merit (FOM= Rds(on)×Qg，Rds(on) 为器件导通电阻，Qg为器件栅极总电荷)，简称FOM值，是评估MOSFET综合性能的一个重要指标。较低的导通电阻代表SGT MOSFET在导通状态下具有更低的损耗和更高的效率。较低的栅极总电荷代表SGT MOSFET可以更快地在导通和截止之间切换，从而减少功耗和提高性能。上海贝岭BLP038N15在保证超低的导通电阻优势下，极力控制器件栅极总电荷，使得该器件FOM值相较国内厂商同电压等级产品具有显著优势。

上海贝岭150V SGT新品发布

　　器件封装

　　为了满足客户在不同应用场景下的使用需求，上海贝岭150V SGT产品在封装选择上，可以提供TO-220，TO-247为代表的插件安装形式。与此同时，还提供以TOLL和TO-263-7代表的贴片安装形式。对于高功率密度、电流密度设计，贝岭推荐使用TOLL封装的150V SGT 产品。TOLL封装的典型占位面积为9.8mm * 11.73 mm与TO-263封装相比，PCB面积可节省30%。TOLL封装的外形高度仅为2.3 mm，占用的体积较TO-263减少60%，实现节省用户PCB空间，使客户产品更具成本优势。

上海贝岭150V SGT新品发布

　　优良的抗电流冲击能力

　　贝岭150V SGT产品具有高雪崩能力、低热阻的特点，在电机应用中可以满足电机短路大电流关断的需求。

　　三、BLP038N15应用表现

　　贝岭针对大功率电机控制应用，基于贝岭150V SGT产品, 设计20kW电机控制器验证平台，最高可支持96V电池应用，控制器实物如图4左所示。贝岭电机控制器验证平台采用叠层设计，上层为控制级，下层为功率级。功率级布局如图4右所示，采用TO-263-7封装，单相5管并联。

上海贝岭150V SGT新品发布

　　四、贝岭功率器件选型方案

　　上海贝岭功率器件150V产品线，欢迎垂询!具体型号参考表1。对于多管并联应用场景，可提供需求栅极阈值电压Vth档位筛选服务。

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　　表1 功率器件选型列表

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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