上海贝岭150V SGT新品发布

Release time:2025-01-03
author:AMEYA360
source:上海贝岭
reading:1021

  概述

  上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品。贝岭150V SGT系列产品采用业界先进工艺,使得器件具有良好的栅极漏电流IGSS性能;采用深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构,使得器件具有极低的导通电阻和较高的漏源间击穿电压Vdss;采用屏蔽栅极结构,器件获得优良的开关性能,使得150V SGT系列产品具有极低的开关损耗。

  上海贝岭150V SGT MOSFET系列产品可广泛应用于:

  通信和数据中心服务器电源

  叉车和轻型电动车电机驱动器

  光伏储能以及电池管理系统 (BMS)

  不间断电源 (UPS)

  二

  器件优势

  超低导通电阻Rds(on)

  贝岭可提供国内业界极低导通电阻的150V SGT MOSFET系列产品。例如,BLP038N15的导通电阻典型值仅为2.9mΩ,相比于市场主流厂商同类低导通电阻产品,导通电阻降幅高达23%,可有效地降低功率器件在导通期间的损耗,显著提升系统整机效率。贝岭产品具有优良的Rds(on) 一致性,适合大功率并联场景。

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  低FOM 值

  性能品质因数Figure of Merit (FOM= Rds(on)×Qg,Rds(on) 为器件导通电阻,Qg为器件栅极总电荷),简称FOM值,是评估MOSFET综合性能的一个重要指标。较低的导通电阻代表SGT MOSFET在导通状态下具有更低的损耗和更高的效率。较低的栅极总电荷代表SGT MOSFET可以更快地在导通和截止之间切换,从而减少功耗和提高性能。上海贝岭BLP038N15在保证超低的导通电阻优势下,极力控制器件栅极总电荷,使得该器件FOM值相较国内厂商同电压等级产品具有显著优势。

上海贝岭150V SGT新品发布

  器件封装

  为了满足客户在不同应用场景下的使用需求,上海贝岭150V SGT产品在封装选择上,可以提供TO-220,TO-247为代表的插件安装形式。与此同时,还提供以TOLL和TO-263-7代表的贴片安装形式。对于高功率密度、电流密度设计,贝岭推荐使用TOLL封装的150V SGT 产品。TOLL封装的典型占位面积为9.8mm * 11.73 mm与TO-263封装相比,PCB面积可节省30%。TOLL封装的外形高度仅为2.3 mm,占用的体积较TO-263减少60%,实现节省用户PCB空间,使客户产品更具成本优势。

上海贝岭150V SGT新品发布

  优良的抗电流冲击能力

  贝岭150V SGT产品具有高雪崩能力、低热阻的特点,在电机应用中可以满足电机短路大电流关断的需求。

  三、BLP038N15应用表现

  贝岭针对大功率电机控制应用,基于贝岭150V SGT产品, 设计20kW电机控制器验证平台,最高可支持96V电池应用,控制器实物如图4左所示。贝岭电机控制器验证平台采用叠层设计,上层为控制级,下层为功率级。功率级布局如图4右所示,采用TO-263-7封装,单相5管并联。

上海贝岭150V SGT新品发布

  四、贝岭功率器件选型方案

  上海贝岭功率器件150V产品线,欢迎垂询!具体型号参考表1。对于多管并联应用场景,可提供需求栅极阈值电压Vth档位筛选服务。

上海贝岭150V SGT新品发布

  表1 功率器件选型列表

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上海贝岭 BLQ3N120 功率芯片荣登 2025 中国汽车芯片创新成果推荐名单
  近日,中国汽车工业协会公示 2025 中国汽车芯片创新成果推荐名单,上海贝岭自主研发的车规级、特高压平面MOSFET BLQ3N120 成功入选。该活动经多方严格评审,从众多产品中筛选优质芯片,BLQ3N120 的入选彰显其技术领先性与产业适配性。  此次入选不仅是对上海贝岭技术实力的认可,更是发展动力。未来公司将加大研发投入,推出更多创新产品,助力汽车电子产品供应丰富与提升!  产品特性  上海贝岭推出的车规级特高压平面硅基MOSFET BLQ3N120,采用先进的晶胞结构,可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量,在确保车规级品质的情况下,耐压可做到1200V。主要特点有:高击穿电压、低导通电阻、低阈值电压VTH、高结温等,填补了国内车规级、特高压平面MOSFET市场领域的空白。  优势特征&参数  • VDS:1200V  • ID:3A  • RDS(ON):5Ω  • IDSS:200nA(@VDS =1200V, VGS= 0V, Tj = 25℃)  • VGS(TH):3V ~ 5V  • Fast Switching  • Low Crss  • 100% avalanche tested  • AEC-Q101 qualified  典型应用  基于车规级、特高压平面MOSFET BLQ3N120特性,其可应用于新能源汽车电池管理系统(BMS)的总压检测、绝缘检测、粘连检测、主驱/PTC等的辅助电源、主动泄放电子开关等。  比如,在BMS“三大检测”(总压检测、绝缘检测、粘连检测)采样通道通断控制应用中,早期解决方案是干簧管或光MOS,但其成本高。而BLQ3N120因具备耐压高、关断漏电流小、成本低等特点,可以替换干簧管或光MOS,完全胜任BMS“三大检测”通道通断控制需求,而且还具有成本更低的优势!  MOSFET BLQ3N120在BMS“三大”检测中的应用  再比如,在主驱等反激辅助电源应用中,BLQ3N120因具备耐压高、开关频率高等特点,还可以用作电子开关管。
2025-12-10 16:07 reading:379
上海贝岭荣获“第三届国新杯·ESG卓越央企金牛奖”
2025-12-04 16:17 reading:310
上海贝岭推出BL380X系列高精度零漂移工业级运放
  引言  在现代电子系统设计中,运算放大器作为信号处理的核心元件,其性能直接决定了信号链路的品质与输出信号的可靠性。尤其在工业测量、医疗电子、仪表仪器等高精度应用场景中,对运放芯片的低失调低温漂特性、长期稳定性及复杂环境适应性提出了严苛要求。上海贝岭高精度零漂移系列运算放大器BL3801/BL3802/BL3804(合称BL380X),凭借其优异的性能,为设计工程师提供了一个理想的解决方案。  产品特性  BL380X是1.8MHz增益带宽积的高性能运算放大器,工作温度范围支持-40℃至+125℃,支持多通道,多种封装,能够满足多种应用场景下对信号处理精度和工作温度的严苛要求。  BL3801内含单通道运算放大器、BL3802内含双通道运算放大器、BL3804内含四通道运算放大器,运算放大器的性能一致。  特性如下:表/1(规格参数)  典型应用原理图如下:图1 BL308X典型应用原理图  产品优势  • 极致精度表现:在 5V 供电条件下,典型失调电压仅 10μV,-40℃至 + 125℃工作温度内最大值不超过 30μV,配合0.01µV/℃的低温漂特性,彻底解决了通用运放因温度波动导致的误差累积问题。  • 信号高还原:轨到轨输入/输出特性可充分利用电源范围,配合 145dB 的信号电压增益与 115dB 的电源抑制比(PSRR),确保微弱信号的完整放大与还原。  • 可靠稳定运行:ESD(HBM)水平可达到±8KV,LU可达±800mA, 0.1ms 的过载恢复时间实现快速信号响应,保证系统可靠运行,180μA 的典型静态功耗兼顾性能与能效。  行业应用  BL380X的核心优势特性可以解决行业痛点,在工业控制、医疗仪器等对精度要求严苛的领域,BL380X的性能优势转化为实实在在的设计价值。  • 工业测量的 “稳定器”:针对压力传感器、应变计等设备在 - 40℃至 + 125℃工业环境中的长期运行需求,其超低失调电压与低温漂特性可将信号调理误差控制在μV 量级,使系统的测量精度得到提升。  • 医疗电子的 “精准镜”:在心电图、便携式血糖仪等医疗设备中,0.5nA 的低输入偏置电流特性可精准放大传感器输出的 nA 级微电流信号,将血糖、心率等生理参数的测量误差控制在更小的范围内,同时 180μA 低功耗设计延长设备续航时间。  • 测试仪器的 “灵敏度放大器”:在数字万用表、数据采集卡等设备中,10μV 失调电压与高增益特性支持 μV 级电压测量,配合轨到轨输入 / 输出能力,帮助仪器实现更高的测量分辨率。  支持多种封装  应用领域  工业测量、医疗电子、仪表仪器和物联网采集终端  上海贝岭提供系列化的产品选择,专业的技术支持,以及稳定的供应,为用户的产品设计和批量使用保驾护航。  订购型号与封装信息表/2(选型列表)
2025-12-04 13:56 reading:305
上海贝岭650V FBL系列IGBT 赋能伺服控制器
  一、概述  中国产业升级持续提速,制造业智能化、自动化迈入新阶段,市场对高精度电机控制器的需求日益迫切。伺服控制器作为精准控制与自动化生产的核心部件,其市场规模正随产业升级浪潮持续扩大。在机器人等热门领域,高性能伺服控制器是实现设备精准动作、复杂任务执行的关键支撑。功率器件作为伺服控制器的核心组成,直接决定产品的功率输出、控制精度与运行可靠性。依托多年设计与生产积淀,上海贝岭针对性优化产品参数,面向高性能伺服控制器场景推出 650V FBL 系列 IGBT 产品。该系列产品电流等级覆盖 8A-30A,可充分匹配伺服控制器的核心性能需求。  二、伺服控制器应用拓扑  伺服控制器的控制核心基于闭环反馈控制,微处理器(MCU)通过实时对比上位机给出的指令信号和电流、位置传感器反馈的电流、位置信号,动态调节输出功率,使得电机能够精准执行位置、速度或力矩指令。由隔离驱动器驱动和六颗绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)组成的三相逆变桥是精准控制的核心。图1 伺服控制器拓扑图  三、贝岭IGBT技术平台  650V FBL系列产品基于贝岭G2 Trench FS IGBT工艺平台,对标市场主流的4代产品工艺,采用微沟槽工艺,正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例,背面采用优化的H FS工艺,使得产品在导通压降Vce(sat) 与开关损耗Esw之间取得良好折衷,以及优秀的短路能力;终端采用优化的“FLR+场板技术”,可实现175℃的最高工作结温,并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。  四、650V FBL系列产品核心优势  能效领跑——低饱和压降Vce(sat)和低正向压降VF  在伺服控制器应用中,典型开关频率范围为8-16kHz,IGBT和与其并联的快恢复二极管(Fast Recovery Diode, FRD)的导通损耗Econ占器件总体损耗的比例较高。IGBT的导通压降Vce(sat)和FRD的正向压降VF是影响导通损耗Econ的关键参数。图2和图3分别展示了在节温25℃和125℃时,贝岭 FBL系列产品和市场主流IGBT系列产品导通压降Vce(sat)典型值的对比;图4和图5分别展示了在节温25℃和125℃时,FRD正向压降VF典型值的对比。在常温,高温下,贝岭 FBL系列产品的IGBT饱和压降和FRD正向压降均优于竞品,可直接减少伺服控制器导通损耗,不仅能降低设备运行时的能耗成本,还能减轻散热模块负担,缩小设备体积,延长整机寿命,提高系统可靠性。图2 25℃时IGBT饱和压降Vce(sat)典型值对比图3 125℃时IGBT饱和压降Vce(sat)典型值对比  *数据测试条件为相同封装,栅-发射极电压Vge为15V,测试电流Ic为各产品标称电流值图4 25℃时 FRD正向压降VF典型值对比图5 125℃时 FRD正向压降VF典型值对比  *数据测试条件为相同封装,测试电流IF为各产品标称电流值  动态性能升级——低开关损耗Esw  IGBT作为开关器件,其在应用中的开关损耗也不容忽视,图6 展示了在节温25℃时,贝岭FBL系列产品与竞品的开关损耗对比。在器件开通时刻电压压摆率相同的条件下,贝岭 FBL系列产品的开关损耗与竞品接近,其中10A 和30A 产品更具优势,可更好地适配伺服控制器高频开关需求,使得电机启停、转速调节响应更快,设备执行精准动作时更流畅,减少控制偏差。图6 25℃时 IGBT开关损耗对比  *数据测试条件为相同封装,栅-发射极电压Vge为15V/0V,测试电流Ic为各产品标称电流值,相同开通电压压摆率  抗短路能力强劲——超长耐受  贝岭650V FBL系列IGBT产品针对伺服控制器应用,着重优化器件的短路耐受能力,器件可在高栅极驱动电压(18V)和高节温(175℃)的双高条件下,依旧维持较长的短路时长,保障伺服控制器的安全运行。图7展示了BLG30T65FBL在420V 母线电压下(栅极驱动电压18V、节温175℃),器件短路耐受波形。即便在高温、高电压的恶劣工况下,也能避免器件因短路损坏,减少伺服控制器突发停机,降低产线运维成本。图7 BLG30T65FBL高温、高栅压下短路耐受波形  五、贝岭功率器件选型方案  上海贝岭针对伺服控制器、通用变频器、工业缝纫机、跑步机、通用风机、园林工具等应用设计有多条650V IGBT产品线,涵盖电流等级8A-80A器件,欢迎垂询!具体型号参考表1。在高压伺服驱动器中,除了核心的功率器件,高效可靠的电源管理和信号处理芯片同样是确保系统稳定、可靠运行的关键,上海贝岭可提供电机控制相关的完整配套解决方案,具体型号参考表2。表1 功率器件选型列表表2 贝岭电机控制系统选型列表
2025-12-02 11:36 reading:338
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