纳芯微压力传感器助力车企满足最新国六标准

发布时间:2025-03-18 15:01
作者:AMEYA360
来源:纳芯微
阅读量:2030

  国家第六阶段机动车污染物排放标准(以下简称:“国六”标准)的发布,旨在从源头着手改善空气质量‌,显著减少汽车尾气中的有害物质排放,对汽车燃油系统提出了更高的要求。为了帮助车企更好地响应“国六”标准,作为高性能高可靠性模拟及混合信号芯片的公司,纳芯微此前发布了NSPGL1系列压差传感器和NSPAS5N系列绝压传感器,从灵敏度、品质、灵活性等多个方面赋能车企和零部件供应商。

  “国六”标准下的压力传感器需求

  “国六”标准是国家根据国内的环境状况和国际的技术发展,对汽车尾气排放的限值和测量方法进行修订和升级的标准,分为“国六a”和“国六b”两个阶段,分别于2020年和2023年实施。相较于“国六a”,“国六b”在各方面都更加严苛,比如在氮氧化物方面,“国六a”的排放标准为每公里60毫克,“国六b”则是每公里35毫克。行业人士普遍认为,“国六a”是过渡标准,“国六b”才是真正的“国六”标准。为了满足严苛的“国六”标准,车企需要在车辆发动机、尾气处理设备等方面增加了更多的技术投入。以轻型汽油车为例,缸内直喷(GDI)、涡轮增压、三元催化(TWC)、汽油颗粒捕集(GPF)、车载加油油气回收(ORVR)等技术均得到了改善或应用。也就是说,“国六”标准让汽车燃油系统设计发生了明显的改变。这也带来了大量的、新的传感器需求。如下图所示,为满足“国六”标准,发动机管理系统用到了种类丰富的MEMS压力传感器。

纳芯微压力传感器助力车企满足最新国六标准

  其中,曲轴箱通风压力传感器的作用是测量曲轴箱内的压力与大气压力的压差,并以信号形式发送至发动机控制装置。为了响应“国六”标准,汽车燃油发动机的设计都会进行曲轴箱通风系统设计,将曲轴箱内的混合气通过连接管导向进气管的适当位置,返回气缸重新燃烧,既可以减少排气污染,又提高了发动机的经济性。同时,在发动机低怠速时,曲轴箱是负压状态,如果不进行强制通风,将会严重影响发动机的性能和排放。要实现这些功能,离不开曲轴箱通风压力传感器。

  碳罐脱附压力传感器的功能是感应脱附路径的压力变化,转换成电压信号提供给控制系统,以适时开关阀门。碳罐是车载加油油气回收(ORVR)系统的一部分,“国六”标准要求,汽车加油时产生的汽油蒸汽都要存储在碳罐里,向大气的排放量要接近于零,因此满足“国六”标准的汽车相较于“国五”标准的汽车增加了碳罐通大气口的密封装置,通过碳罐脱附压力传感器配合软件实现“零排放”的目标。

  尾气回收系统压力传感器是为了减少汽车尾气排放量而设计的,其主要作用通过回收和利用排气管中的废气热能来为发动机供应额外的能量。在尾气回收系统中,压力传感器可以感受到因发动机启动而导致的系统压力变化,帮助系统控制回收系统的阀门,使回收的废气热能被最大限度地利用,减少尾气排放对环境造成的污染。

  其他的压力传感器在此不再一一展开,当然这些压力传感器都面临一些共性的挑战。首先,相较而言应用于燃油管理系统的压力传感器,其工作环境大都比较恶劣,除了高温、高压之外,还要面临油气的腐蚀,以及振动等因素的影响,但系统需要这些传感器在恶劣的环境中依然能够稳定工作,以改善汽车排放指标。其次,不同类型的汽车对于MEMS压力传感器的性能要求也不一样,比如混动汽车和传统燃油车由于发动机工作状态不同,还有常压和高压油箱的区别,便会对MEMS压力传感器提出不同的需求。

  当然,机遇总是和挑战并存。国六标准要求所有燃油蒸汽压力传感器(FTPS)、GPF压差传感器必须100%安装,碳罐脱附压力传感器的安装率达到50%以上,同时商用车还需安装DPF压差传感器,因此各类型MEMS压力传感器的用量是非常可观的。纳芯微最新发布的NSPGL1系列压差传感器和NSPAS5N系列绝压传感器,在灵敏度、品质、灵活性等多方面都达到了行业顶尖水平,能够帮助车企更好地响应“国六”标准,打造高性能、低排放的发动机系统。

  更可靠、更灵敏、更易用的NSPGL1系列

  NSPGL1系列是纳芯微专为燃油蒸汽压力监测、曲轴箱通风泄漏检测、刹车助力真空度检测等应用环境设计的压差传感器。纳芯微电子市场经理毛怿奇表示:“NSPGL1系列的推出对于纳芯微产品升级和客户方案升级都有着重要意义。相较于纳芯微上一代模组类型的产品,NSPGL1系列在外形和腔体设计方面都有明显的改变和提升,通过高度集成的方式简化了车企的PCB元器件管控;相较于国际厂商提供的无PCB(PCB-less)方案,NSPGL1系列基于芯片的实现方式在成本方面有着巨大的优势,且又能在外形上完美兼容国际厂商芯片级方案,无需客户重新开模设计,减少了方案升级的研发周期。”

纳芯微压力传感器助力车企满足最新国六标准

  从产品特征性能不难看出,纳芯微NSPGL1系列压差传感器具有显著的高精度、高品质和易于使用的优势。NSPGL1系列实现了100%出厂预校准,提供高精度、宽温区、高度线性、高稳定性的性能表现,在-40℃~130℃全温范围内支持100%温度补偿,精度优于±2.5%F.S.。毛怿奇强调:“相较于当前市面上的竞品,NSPGL1系列的反应更加灵敏,响应时间大概在0.8毫秒。与国际厂商相同精度产品相比,NSPGL1系列的功耗远低于竞品。并且,和竞品只提供几个固定量程不同,NSPGL1系列支持客户定制量程,以极高的灵活性满足差异化需求。”

  据介绍,NSPGL1系列支持0~±5kPa/±35kPa/±100kPa内量程可定制,可轻松满足传统车的常压油箱压力(4kPa~7kPa)检测,混动车的高压油箱压力(35kPa~40kPa)检测,以及刹车真空度助力(0~-100kPa)压力检测等场景。

  NSPGL1系列具有出色的产品品质,产品设计、晶圆制造、封装测试和校准全部满足车规级要求。NSPGL1系列通过高达18V的高压供电,支持反压-24V过压28V保护,可承受3x过载压力和5x爆破压力。为了适用于恶劣的油气环境,NSPGL1系列采用独特贵金属焊盘的MEMS芯片搭配陶瓷基板封装。毛怿奇指出:“目前,大部分MEMS传感器采用铝焊盘,在强酸、强碱或者强氧化性的条件下容易被腐蚀,而油气中的一氧化硫、二氧化硫和氮氧化物等气体,遇水都会形成酸。NSPGL1系列通过采用贵金属焊盘的MEMS设计,后续可以通过对ASIC进行贵金属化升级来轻松应对这些挑战。

  此外,上述已经提到,纳芯微NSPGL1系列完美兼容当前市场上主流的产品,简单易用,可移植性好。毛怿奇透露:“NSPGL1系列下一步的优化方向是通过国内供应链实现进一步降本,以提升客户方案的性价比,并确保客户产品的供应链安全,同时,纳芯微NSPGL2系列正在加紧研发,预计将会在2025年Q4推向市场,产品集成化程度进一步提升,届时在燃油蒸汽压力监测、曲轴箱通风泄漏检测、刹车助力真空度检测等应用方面,方案的外围器件将大幅减少至2-3颗。”

  支持亚毫秒级快速响应的NSPAS5N系列

  NSPAS5N系列是纳芯微打造的适配尾气再循环系统的绝压传感器。和NSPGL1系列一样,NSPAS5N系列所处的工作环境同样恶劣,在带尾气的进气歧管压力检测(EGR-TMAP)等环境中,尾气里的有害气体也容易形成强酸、强碱、强腐蚀环境。毛怿奇介绍说:“采用贵金属焊盘设计的NSPAS5N系列能够以出色的产品品质轻松应对这些环境挑战。更为重要的是,NSPAS5N系列能够在如此严苛的环境中保持稳定的高精度输出。”

纳芯微压力传感器助力车企满足最新国六标准

  NSPAS5N系列的高精度、高品质特性与NSPGL1系列类似。NSPAS5N系列也具有高度线性、稳定性好和无需校准的优势,提供100%温度补偿,在0℃~85℃温度范围内输出精度优于±1% F.S.,-40℃~130℃全温范围内精度优于±1.5% F.S.,且工作电流小于3mA。NSPAS5N系列也采用高达18V的高压供电,支持反压-24V过压28V保护,可承受3x过载压力和5x爆破压力,并借助贵金属焊盘设计应对环境挑战。

  NSPAS5N系列还具有业界领先的响应速度,提供多种输出方式,支持模拟比例/绝对输出,并在10kPa~400kPa内量程可定制。NSPAS5N系列支持亚毫秒级快速响应,响应时间小于1ms。为此,纳芯微在两个方面做了特别的增强:其一是MEMS传感器的灵敏度提升;其二是降低调理芯片的响应时间。这种快速响应特性可以让尾气再循环处理系统更快、更准确地获取数据,以帮助燃油系统调整喷油比,让燃烧更加充分。

  面向未来,纳芯微MEMS压力传感器将着重在两个方向上进行增强。第一个是SPEC层面的提升,包括MEMS传感器的精度提升,从1.5%或1%向5‰迈进,过反压能力提升至±40V以及EMC/ESD能力的提升;MEMS传感器工作温度区域的提升,从-40℃-125℃到AEC-Q100 Grade 0级别的-40℃-150℃,并着力优化传感器的封装形式。

  第二个是接口丰富度的提升。当前,随着新能源汽车上的创新应用不断涌现,MEMS传感器上的接口已经从传统的模拟接口转变为SPI、SENT、LIN和PSI5等接口类型,丰富的接口能够满足方案商更多元化的设计需求。

  结语

  “国六”标准实施的目的是减少机动车尾气排放对环境的污染,保护生态环境。但对传统燃油车和混合动力汽车而言,却是一个巨大的挑战,需要从整个发动机管理系统着手改善排放指标。在此过程中衍生出了大量的传感器需求,因而纳芯微NSPGL1系列和NSPAS5N系列有着巨大的市场空间。

  NSPGL1系列和NSPAS5N系列展现出了领先行业的性能,包括高灵敏度、快速响应和稳定可靠等。同时,得益于纳芯微在MEMS压力传感器领域长期秉持的全自研策略,NSPGL1系列和NSPAS5N系列有着出色的定制化属性,可以更灵活地满足客户需求。


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2026-09-15 11:06 阅读量:217
充分释放GaN潜能:纳芯微GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题
  随着AI算力爆发以及人形机器人产业的快速演进,电源系统向着更高功率、更高效率、更小体积的方向快速迭代。氮化镓 (GaN) 作为宽禁带代表性器件,凭借开关速度快、损耗低、面积小等先天优势,已经成为超高功率密度系统不可或缺的核心拼图。但GaN是一把双刃剑,其优越性能落地到实际硬件设计时会遇到诸多工程挑战,如何通过驱动IC的技术创新,把GaN的理论性能充分释放,已经成为行业关注的焦点。  本文将从GaN应用与市场洞察、GaN关键应用痛点与驱动IC技术演进、纳芯微宽禁带半导体驱动及系统级解决方案三个维度展开,剖析GaN规模化落地背后的技术逻辑。  GaN市场迎来跃迁:  从消费电子走向高端高功率场景  GaN器件早已不再局限于消费类快充等传统场景,AI数据中心与人形机器人关节正在成为GaN两大里程碑式核心战场,同时新能源汽车OBC、激光雷达、户用光储储能、伺服驱动、D类功放等领域,也在加速导入GaN方案,充分挖掘器件在效率与功率密度等方面的价值。  数据中心供电:  功率密度激增,GaN的核心战场  AI大模型算力需求爆发直接带动GPU单板功耗持续攀升。从A100单卡400W、算力312TFlops,迭代到Rubin平台单卡约2300W、算力4PFlops,算力提升12倍的同时功耗提升6倍,算力与功耗同步高速增长。  行业已经全面进入Rack‑Scale机架级算力时代,计算单元由单张GPU显卡升级为整机柜。短短数年内,单机柜功率由60kW一路走高至600kW,未来规划将迈向1MW机柜,然而机柜物理体积并没有同步放大,对供电链路的功率、效率、集成度提出前所未有的严苛要求。  以数据中心PSU电源单元为例,当前54V架构主流 PSU功率密度为18‑33kW/U;下一代HVDC高压直流PSU将达到50‑100kW/U;后续机架式DC‑DC转换环节功率密度可达90‑120kW/U;更进一步,高压上板的板载DC‑DC模块,功率密度目标突破 2000W/in³。这一系列极具挑战的指标,也直接推动 GaN在数据中心供应链迎来爆发式的用量增长。  机器人关节:  下一个高功率密度主战场  人形与四足机器人属于电池供电移动式设备,自由度高、关节数量众多。每一处关节模组同时承受高峰值功率、毫秒级电流响应、长期间歇/连续运行、严苛的体积、重量与散热等多重约束。机器人关节功率覆盖10W‑4000W每轴,要在极小的结构空间里面实现全部性能,GaN凭借高频小型化的能力,成为机器人伺服驱动极具竞争力的技术路线,目前行业头部客户已经开启规模化方案验证与导入。  综合两大场景可以看到,消费电子应用会优先权衡成本因素;而在AI算力、机器人、车载OBC、光储等高端工业场景,系统更看重GaN带来的高效率、高功率密度收益,GaN的产业重心已经发生明显迁移。  GaN工程落地痛点:  驱动IC如何破解器件固有难题  GaN材料拥有优异的理论性能,但器件本身的电气特性带来诸多设计难点。超高功率密度系统追求高频高速运行,需要在有限PCB空间内部署全部器件并稳定工作,这就对GaN驱动芯片提出多重硬性要求:高抗共模干扰、极低传输延时、封装极致小型化;同时还要直面增强型GaN导通阈值低易误导通、需要安全关断、第三象限反向导通引发自举过压这三大固有痛点。  针对上述工程挑战,纳芯微打造了完整的GaN专用驱动产品矩阵,通过高CMTI抗扰设计、超短传输延时、多规格小型化封装,搭配独立开通关断驱动通道、芯片内集成负压、米勒钳位、智能有源自举控制、内置LDO稳压等系列核心技术,从芯片硬件层面一一对应化解各类应用风险,帮助开发者充分释放GaN器件的理论性能,降低整机系统的设计调试门槛。  痛点一:  高频高速工况,对驱动抗扰、延时、  封装提出极限要求  GaN开关速度极快,节点电压可在纳秒级别大幅跳变,电磁环境恶劣,驱动芯片必须具备很高的共模瞬态抗扰能力;同时全链路传输延时需要做到足够低,匹配器件高速开关特性。纳芯微GaN驱动系列产品可实现100V/ns以上的CMTI抗扰能力,最小传输延时低至2.6ns。  极致小型化不只是针对GaN功率器件、磁性元器件,而是电源全链路器件共同的诉求。驱动芯片作为核心配套,封装尺寸也必须同步压缩。纳芯微提供最小1.2×0.8mm WLCSP超小封装NSD2017,此外还覆盖2×2mm、3×3mm、5×7mm多种封装规格,覆盖从激光雷达高频小体积,到大功率工业电源的多元布板需求。  痛点二:  导通阈值低,易发生误导通风险  主流E‑mode增强型GaN导通阈值仅1V左右,很小的栅极电压扰动就会引发器件误开启,带来系统损坏风险。  传统驱动方案采用二极管构建开通、关断共用回路。二极管导通会产生约0.7V压降,器件关断状态下栅极电压被抬高至0.7V,距离1.1V阈值十分接近,电路任何微小扰动,都可能造成GaN误导通。  纳芯微GaN驱动芯片内部集成独立开通/关断双驱动通道,硬件层面舍弃关断二极管,从根源降低误导通风险,该技术已是纳芯微GaN驱动产品的标配。  为进一步保障650V高压GaN器件可靠关断,行业普遍采用负压关断方案。目前分立搭建负压电路主要分为三类:  双绕组变压器方案:正负绕组分别输出正压、负压,性能好,但绕组数量多,成本高;  单绕组搭配稳压管方案:绕组数量减少,成本折中,但正负电压互相牵制;  自举搭配分立器件方案:成本最低,但需要持续发波建立负压,对半桥占空比存在限制,工况适配范围受限。  三类分立方案各有短板,很难同时兼顾负压稳定性、PCB面积、硬件成本。纳芯微推出NSD2622N高压半桥GaN驱动,芯片内部集成负压生成电路,无需外部复杂分立负压网络,一站式实现稳定负压输出、精简外围器件、控制整体BOM成本。  针对双向GaN开关应用,驱动调试难度更高,纳芯微推出GaN驱动NSD2622NB,为双向开关场景提供集成负压、通道可灵活配置的专用驱动方案,大幅简化双向拓扑硬件设计。  痛点三:  第三象限反向导通,  带来自举上管VGS过压隐患  GaN在半桥拓扑第三象限反向导通时,SW节点电压可低至‑2V。该负压会给自举电容充电,造成上管栅源电压VGS被充到7V附近,对GaN的稳定运行带来高风险。  行业传统分立解决思路存在明显短板:一是上管栅极并联齐纳稳压管做钳位,会带来额外损耗、温升,占用PCB面积;二是在GaN DS两端并联肖特基二极管,试图拉低反向负压,却会增加寄生参数,牺牲功率密度,违背选用GaN器件的初衷。  理想的解决思路是在GaN反向导通阶段,直接切断自举充电通路,阻断负压向上管栅极传递。该逻辑对时序、逻辑控制精度要求极高,分立器件很难落地,却是集成电路的优势所在。  纳芯微NSD2123半桥GaN驱动内置Smart Bootstrap Charge智能自举有源开关,在器件进入第三象限导通瞬间精准断开自举链路,规避VGS过压风险,且集成米勒钳位功能,有效避免误导通,在外围电路极度精简下实现了安全自举与可靠关断。除此之外,半桥GaN驱动NSD2012N与NSD2622N在芯片内集成LDO稳压,不依赖外部自举供电,同样可以一站式解决负压关断与自举过压两大难题,排除寄生电容影响,提升开关速度。  纳芯微提供完整产品矩阵,  赋能超高功率密度系统开发  针对不同应用场景,纳芯微形成完整GaN驱动产品矩阵,客户可以按需选型:  NSD2017:WLCSP 1.2×0.8mm超小封装,2.6ns超低延时,适配激光雷达等高频、极致小型化应用;  NSD2123:110V半桥驱动,集成米勒钳位与Smart Bootstrap智能自举有源开关,面向数据中心IBC、机器人关节等中低压场景;  NSD2012N:单管GaN驱动,集成LDO+负压关断,QFN 3×3mm小封装;  NSD2622N:700V高压半桥驱动,集成LDO与负压关断,面向650V高压大功率电源、双向开关拓扑;  NSD2621:700V半桥驱动,芯片内集成LDO稳压。  同时需要注意的是,GaN带来的系统升级,挑战不只来源于功率器件本身,也不局限于栅极驱动芯片。整套系统链路都需要同步迭代:采样链路需要更高带宽、更强抗干扰;MCU需要更高算力与更快响应速度;通信接口抗干扰能力需要升级;面向HVDC高压架构,系统隔离性能也需要同步匹配。  作为全品类数模混合信号芯片提供商,除了GaN驱动以外,纳芯微还提供带死区控制、保护功能、采样功能的隔离智能栅极驱动,同时配套隔离器件、信号链、电源管理、MCU等多类芯片,覆盖从驱动、采样、控制到通信的全链路需求,帮助客户完成超高功率密度系统的整体设计落地。
2026-09-11 10:37 阅读量:265
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