森国科推出的1200V/25A IGBT(选型:KG025N120LD-R)适用于逆变焊机、不间断电源和电磁加热器等方面。新款IGBT的鲁棒性和耐用性极强,当实际电流是标准电流的四倍时无闩锁效应,短路时间极短,仅5μs,最大工作结温扩大到175℃,有助于延长产品的使用寿命。IGBT芯片的沟槽栅场截止技术,进一步减小了正向导通时饱和压降值,优化了器件开关性能,在提高性能同时可使芯片做的更薄,有利于满足逆变频率高达20~30kHz的情况下,控制变压器体积,更便于运输搬运。
性能特点
最大结温:TJ =175°C
低集电极发射极饱和电压
易于并联使用
VCE(sat)正温度系数
低热阻
高鲁棒性
竞争优势
软开关能力
高效率
适用于高电压、大电流应用
应用领域
电焊机
不间断电源
电磁加热器
最大额定数值
Online messageinquiry
model | brand | Quote |
---|---|---|
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi |
model | brand | To snap up |
---|---|---|
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor |
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