特朗普准备取消AI芯片出口限制

Release time：2025-05-08
author：AMEYA360
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　　美国商务部发言人周三(5月7日)表示，美国总统唐纳德·特朗普的政府计划撤销和修改拜登时代限制复杂人工智能(AI)芯片出口的规定。

特朗普准备取消AI芯片出口限制

　　拜登政府时期，为阻止中国获取可能增强其军事实力的先进芯片，维持美国在人工智能领域的领先地位，于今年1月，即前总统乔·拜登政府任期结束前一周，发布了《人工智能扩散框架》。该框架标志着拜登政府四年来在此方面努力的阶段性成果。

　　其中，拜登政府制定的AI芯片出口规则将世界划分为三个等级：第一等级涵盖17个国家及台湾，这些地区可获得无限量的芯片;第二等级约有120个国家，获得芯片数量受到限制;第三等级则包括中国、俄罗斯、伊朗和朝鲜等受关注的国家，这些国家被禁止获得芯片。

　　该法规原定于5月15日生效，其目的在于进一步限制人工智能芯片和技术的出口，将先进的计算能力留在美国及其盟友手中，同时寻找更多方法阻止中国获取这些技术。

　　然而，特朗普政府对此持不同看法。上周，路透社报道称，特朗普政府正在研究修改限制全球获取人工智能芯片的规定，包括可能取消将世界划分为多个层级以确定一个国家可以获得多少先进半导体的规定。消息人士也向路透社表示，特朗普政府官员正在考虑放弃该规则中的分级准入方式，代之以政府间协议的全球许可制度。

　　“拜登的人工智能规则过于复杂，官僚主义严重，会阻碍美国的创新，”商务部发言人表示。“我们将用一项更简单的规则取而代之，以释放美国的创新能力，并确保美国在人工智能领域的主导地位。”

　　据美国商务部发言人称，官员们“不喜欢这种分级制度”，并表示该规定“无法执行”。发言人尚未确定新规定的实施时间表。她表示，关于最佳行动方案的辩论仍在进行中。拜登的规定原定于5月15日生效。

　　知情人士表示，美国商务部将在制定新规的同时继续严格执行芯片出口限制。其中一位知情人士表示，废除扩散规则的举措之一，是对已将芯片转移到中国的国家(包括马来西亚和泰国)实施芯片管制。

　　总而言之，拟议的人工智能扩散规则修改可能标志着美国关于先进技术出口的贸易政策发生重大转变。随着英伟达和AMD等公司应对这些变化，其对半导体行业和全球市场的影响将受到密切关注。

　　国家分级制度和相关的芯片出口限制并非人工智能扩散规则中唯一的新政策。该框架还设立了人工智能模型权重的出口管制，这些权重是软件用于处理数据并进行预测或决策的数值参数。特朗普政府针对这些限制的计划正在讨论中。


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一文了解高温天气对芯片的影响
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一文了解高温天气对芯片的影响

　　随着科技的不断发展，芯片已成为现代电子设备的核心部分，无论是智能手机、电脑，还是各种工业设备，都离不开芯片的支持。然而，在高温天气下，芯片的工作性能和寿命可能受到严重影响。　　1. 性能下降　　高温环境会导致芯片内部的电子元件过度发热，从而增加其电阻，降低信号传输速度。这可能导致芯片运行不稳定，处理能力下降，甚至出现系统崩溃的情况。　　2. 加速老化　　芯片在高温条件下会加快材料的老化过程，尤其是封装材料和半导体材料。长时间暴露在高温中，可能导致芯片内部的导线、绝缘层等发生老化失效，缩短芯片的使用寿命。　　3. 增加热故障风险　　过高的温度可能引发芯片过热保护失效，甚至引起短路、烧毁等热故障。一旦芯片过热，可能导致硬件损坏，严重时会引发设备整体失效。　　4. 影响散热效率　　高温环境下，散热成为一大难题。芯片散热不及时会导致温度继续上升，形成恶性循环，进一步影响运行稳定性。　　5. 降低能效　　芯片在高温环境下工作时，为了保持稳定运行，可能需要增加冷却措施(如风扇、散热片等)，这会带来能耗增加，降低整体能效。　　高温天气对芯片的影响不可忽视。在设计电子设备时，应采取有效的散热措施，如使用散热片、风扇，甚至液冷系统。同时，在使用过程中应避免设备长时间处于高温环境中，以延长芯片的使用寿命和保证设备的稳定性。只有合理应对高温天气，才能充分发挥芯片的性能，确保电子设备的安全与可靠。
2025-06-25 16:35 reading：218
芯片清洗剂中加成膜剂的作用
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芯片清洗剂中加成膜剂的作用

　　在芯片清洗剂中，成膜剂的作用是通过在芯片表面形成一层均匀的保护膜，提升清洗效果并防止二次污染。以下是其核心功能及技术原理：　　1. 核心作用　　(1)防腐蚀保护　　金属层防护：在清洗后，芯片表面的金属(如Al、Cu)暴露于空气中可能氧化或腐蚀。成膜剂(如硅烷偶联剂、苯并三氮唑)可形成惰性薄膜，隔绝氧气和水分，抑制金属腐蚀。　　示例：BTA(苯并三氮唑)用于铜互连结构的防变色处理，形成致密有机膜。　　(2)抗颗粒附着　　降低表面能：成膜剂通过化学键合(如硅烷与Si-OH反应)或物理吸附，改变芯片表面性质，使其从亲水性转为疏水性，减少颗粒(如SiO₂、光刻胶残留)的吸附力。　　示例：氟硅烷(如FDTS)在氢氟酸清洗后形成低表面能膜，防止颗粒再沉积。　　(3)增强润滑性　　减少摩擦损伤：在化学机械抛光(CMP)后，成膜剂可修复表面微观划痕，降低后续工艺(如测试、封装)中的机械磨损风险。　　示例：长链硅烷(如十八烷基三氯硅烷)形成分子级润滑层。　　(4)稳定清洗效果　　延长清洁时效：成膜剂可延缓清洗后污染物的二次吸附，例如在RCA清洗后，硅烷膜可维持表面洁净度数小时，避免存储时污染。　　2. 技术原理　　化学键合机制：　　硅烷类成膜剂：通过水解生成Si-OH，与芯片表面羟基(Si-OH)缩合形成Si-O-Si共价键，实现化学吸附。　　反应式：Si-CH2CH2CH2Si(OH)3→Si-O-Si(芯片表面)+H2OSi-CH2CH2CH2Si(OH)3→Si-O-Si(芯片表面)+H2O。　　磷酸类成膜剂：与金属氧化物(如Al₂O₃)配位络合，形成稳定螯合膜。　　物理阻隔机制：　　聚合物成膜剂(如聚二甲基硅氧烷)：通过范德华力铺展成连续薄膜，填补表面微孔隙，阻止污染物渗透。　　3. 应用场景　　湿法清洗后处理：如SC1/SC2清洗后，使用硅烷成膜剂(如HMDS)防止水分残留导致氧化。　　蚀刻/抛光后保护：在CMP后喷涂氟硅烷膜，避免划片液污染。　　临时存储防护：在晶圆转运或测试阶段，成膜剂可提供短期(数小时至数天)防污保护。　　4. 注意事项　　兼容性：需与清洗剂(如氢氟酸、臭氧水)无副反应，例如避免碱性条件下硅烷水解失效。　　厚度控制：膜厚通常为纳米级(如1-5 nm)，过厚可能导致光刻对准误差或电学性能下降。　　去除性：在后续制程(如键合、金属沉积)前需可轻易去除，常用紫外线分解或溶剂清洗。
2025-06-24 11:18 reading：189
芯片防电江湖：HBM、CDM、MM 竟是三大“防雷门派”？
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芯片防电江湖：HBM、CDM、MM 竟是三大“防雷门派”？

　　一、你以为芯片最怕摔?错!真正的“芯片终结者”是隐形杀手“静电”!　　像脱毛衣的火花、指尖触碰的瞬间，都可能让芯片 “罢工”。—— 如果这股能量怼到芯片上，直接让它“当场去世”!　　这是因为静电放电超快(纳秒级)、电压超高(几千伏)，会直接击穿芯片内部精细电路。　　冷知识：芯片内部电路比头发丝细100倍，静电放电瞬间(比眨眼快10万倍!)能产生几千伏高压，会直接把晶体管“炸成渣”!　　二、江湖传言，芯片界有三大“防雷门派”，用生活场景类比，秒懂!　　1.HBM(人体模型)—— 防 “人摸电”　　模拟场景：组装工人没戴手环，指尖静电碰到芯片引脚。　　测试条件：电容100pF + 电阻1.5kΩ，脉冲宽度约200ns，电流峰值0.67A/kV。　　失效阈值：分为Class 1A(<250V)到Class 3B(≥8kV)，工业级芯片通常需满足≥2kV。　　2.CDM(器件充电模型)—— 防 “自放电”　　模拟场景：芯片在运输中摩擦带电，突然放电。　　测试特点：脉冲极短(<20ns)、电流峰值大(数十安培)。　　失效阈值：按125V~1000V分级，车规芯片要求≥500V。　　3.MM(机器模型)—— 防 “机器电”　　模拟场景：金属工具(如机械臂)碰到芯片引发的放电。　　测试条件：电容200pF + 电阻0Ω，脉冲能量更高失效阈值：通常低于HBM，工业级要求≥200V。(比 HBM 要求低但更“狠”)。　　三、一张表看懂三大模型差异　　四、防电避坑指南，给芯片“穿防弹衣”的绝招　　HBM：引脚别挤太近，多装“避雷针”(TVS管)　　CDM：减少芯片内部寄生电容，采用多层ESD保护结构　　HBM：遵循IEC 61000-4-2标准，整机需通过±8kv空气/±4kv接触放电测试　　结语　　ESD防护是芯片可靠性的根本，选择正确的模型并进行适当的测试，才能确保产品的“抗静电”能力达到最佳水平!
2025-06-17 09:46 reading：364
芯片管制升级！商务部：美方倒打一耙！中方坚决拒绝无理指责！
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芯片管制升级！商务部：美方倒打一耙！中方坚决拒绝无理指责！

　　6月2日，商务部驳斥美方称中方违反中美日内瓦经贸会谈共识的言论。5·12声明发布后中方依规落实，美方却新增多项歧视性措施，包括发布AI芯片出口管制指南、停止对华芯片设计软件(EDA)销售等，严重损害中方权益。中方拒绝指责，敦促美方纠正错误 ，否则将采取措施维护权益。　　当日，商务部新闻发言人就美方有关言论答记者问。　　有记者问：近日，美方不断有消息称，中方违反中美日内瓦经贸会谈共识，请问商务部对此有何评价?　　商务部发言人表示，中方注意到有关情况。5月12日，中美双方发布《中美日内瓦经贸会谈联合声明》后，中方按照联合声明达成的共识，取消或暂停了针对美“对等关税”采取的相关关税和非关税措施。中方本着负责任的态度，认真对待、严格落实、积极维护日内瓦经贸会谈共识。中方维护权益是坚定的，落实共识是诚信的。反观美方，在日内瓦经贸会谈后，陆续新增出台多项对华歧视性限制措施,包括发布AI芯片出口管制指南、停止对华芯片设计软件(EDA)销售、宣布撤销中国留学生签证等。这些做法严重违背两国元首1月17日通话共识，严重破坏日内瓦经贸会谈既有共识，严重损害中方正当权益。美单方面不断挑起新的经贸摩擦，加剧双边经贸关系的不确定性、不稳定性，不仅不反思自身，反而倒打一耙，无端指责中方违反共识，这严重背离事实。中方坚决拒绝无理指责。　　《中美日内瓦经贸会谈联合声明》是双方在相互尊重、平等协商原则下达成的重要共识，成果来之不易。我们敦促美方与中方相向而行，立即纠正有关错误做法，共同维护日内瓦经贸会谈共识，推动中美经贸关系健康、稳定、可持续发展。如美方一意孤行，继续损害中方利益，中方将继续坚决采取有力措施，维护自身正当权益。
2025-06-03 14:10 reading：465
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