龙腾半导体MOS家族新增950V 超结MOS系列

发布时间：2025-05-29 11:06
作者：AMEYA360
来源：龙腾半导体
阅读量：177

　　随着高效能、紧凑型电源系统的需求日益增长，传统平面MOSFET已逐渐难以满足高压低损耗的要求。龙腾半导体自主开发的超高压950V超结SJ MOS平台，采用先进的多次外延结构设计，在保证高耐压的基础上，有效减少器件内部的寄生电容，进一步优化开关过程中的能量损失。与传统的PN结结构相比，这种新型结构能够有效减小漏电流，提高器件的热稳定性和抗电场能力，确保在高压条件下的可靠性。满足LED照明电源、适配器、模块电源、植物照明电源等高压中功率领域的需求。

　　龙腾 950V 超结MOS

　　采用多次外延工艺，通过精准堆叠外延层并优化掺杂分布，实现电荷平衡与电场均匀性的大幅提升，赋予产品三大核心优势：

　　极低导通损耗

　　Rsp(比导通电阻)较国际竞品降低22.3%，显著减少导通损耗，可在植物照明电源中实现更高能效。

　　超快动态性能

　　FOM(Qgd)优化14.5%，开关损耗(Eon/Eoff)分别降低18.5%和43.1%，助力高频电源设计简化。

　　卓越可靠性

　　Trr(反向恢复时间)缩短13.6%，减少开关噪声，提升系统稳定性;同时，多次外延工艺增强了器件耐压能力，支持950V高压场景下的长期稳定运行。注：数据基于龙腾实验室实测，实际性能因系统设计可能略有差异。

龙腾半导体MOS家族新增950V 超结MOS系列

　　龙腾 SJ MOS 800V-950V推荐型号

龙腾半导体MOS家族新增950V 超结MOS系列


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