突破功率密度极限：龙腾半导体发布150V G3平台SGT新品

发布时间：2025-12-22 11:46
作者：AMEYA360
来源：龙腾半导体
阅读量：186

　　随着新能源汽车电驱系统与电池管理(BMS)对高效率、高可靠性功率器件需求的不断攀升，功率半导体技术正面临新一轮革新。为应对市场对更低损耗、更高功率密度解决方案的迫切需求，龙腾半导体正式推出新一代 150V G3平台屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET产品— LSGT15R032。该产品凭借3.25mΩ的超低导通电阻与279A的强大电流能力，成为高端BMS、电驱及DC-DC转换应用领域的性能新标杆。

　　产品核心参数

突破功率密度极限：龙腾半导体发布150V G3平台SGT新品

　　产品核心特点

　　极致低阻设计，能效全面跃升

　　采用先进的G3代屏蔽栅沟槽技术，在150V电压等级下实现了3.25mΩ的业界领先导通电阻，较上一代G2平台产品(4.0mΩ)显著降低。这意味着在相同电流下的导通损耗大幅减少，直接提升系统整体效率，并降低温升。

　　超强电流承载，功率输出澎湃

　　在25°C壳温下，连续漏极电流高达279A，脉冲电流能力更达到1116A。强大的电流处理能力使其能够从容应对电驱启动、BMS主回路开关等场景中的瞬时大电流冲击，系统可靠性与鲁棒性倍增。

　　卓越坚固性能，稳定可靠运行

　　产品保证100%雪崩能量(EAS)测试，额定雪崩能量高达1600mJ，具备优异的抗反向恢复和短路能力。TOLL封装提供了极低的0.26°C/W结到壳热阻，确保芯片热量能够快速导出，满足高可靠性应用要求。

　　精准聚焦应用，性能量身定制

　　此产品专为对静态损耗和通态能力要求严苛的BMS(电池管理系统)与电机驱动领域优化。相较于前一代(G2)产品，在静态性能上优势明显。

突破功率密度极限：龙腾半导体发布150V G3平台SGT新品

注：数据来源于龙腾实验室实测

　　产品典型应用

　　BMS

　　电机驱动

　　DC-DC转换器

　　同步整流SR

　　不间断电源UPS


（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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