<span style='color:red'>龙腾半导体</span>MOS家族新增950V 超结MOS系列
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龙腾半导体MOS家族新增950V 超结MOS系列

　　随着高效能、紧凑型电源系统的需求日益增长，传统平面MOSFET已逐渐难以满足高压低损耗的要求。龙腾半导体自主开发的超高压950V超结SJ MOS平台，采用先进的多次外延结构设计，在保证高耐压的基础上，有效减少器件内部的寄生电容，进一步优化开关过程中的能量损失。与传统的PN结结构相比，这种新型结构能够有效减小漏电流，提高器件的热稳定性和抗电场能力，确保在高压条件下的可靠性。满足LED照明电源、适配器、模块电源、植物照明电源等高压中功率领域的需求。　　龙腾 950V 超结MOS　　采用多次外延工艺，通过精准堆叠外延层并优化掺杂分布，实现电荷平衡与电场均匀性的大幅提升，赋予产品三大核心优势：　　极低导通损耗　　Rsp(比导通电阻)较国际竞品降低22.3%，显著减少导通损耗，可在植物照明电源中实现更高能效。　　超快动态性能　　FOM(Qgd)优化14.5%，开关损耗(Eon/Eoff)分别降低18.5%和43.1%，助力高频电源设计简化。　　卓越可靠性　　Trr(反向恢复时间)缩短13.6%，减少开关噪声，提升系统稳定性;同时，多次外延工艺增强了器件耐压能力，支持950V高压场景下的长期稳定运行。注：数据基于龙腾实验室实测，实际性能因系统设计可能略有差异。　　龙腾 SJ MOS 800V-950V推荐型号
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发布时间：2025-05-29 11:06 阅读量：704 继续阅读>>
<span style='color:red'>龙腾半导体</span> | 双项殊荣加冕，见证产业领军实力！ <span style='color:red'>龙腾半导体</span> 2025年04月29日 17:08 陕西
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龙腾半导体 | 双项殊荣加冕，见证产业领军实力！ 龙腾半导体 2025年04月29日 17:08 陕西

　　4月27日至28日，2025西部半导体产业创新发展论坛暨陕西省半导体行业协会成立20周年大会在西安盛大召开，龙腾半导体受邀参会。　　凭借“技术突破引领产业升级、区域协同赋能生态全链”的卓越实践，董事长徐西昌先生获评“陕西半导体协会20周年突出贡献人物”，龙腾半导体荣膺“陕西省半导体协会20周年突出贡献单位”。　　1.突出贡献人物　　徐西昌先生，龙腾半导体创始人、董事长，长期从事电子信息、半导体产业研究与管理工作，取得显著成果。　　他带领企业建成陕西首条8英寸功率半导体制造生产线，在以超结MOSFET为代表的高端功率半导体器件领域走出一条自主创新之路并成功实现产业化，形成了Fabless+IDM半导体全新经营模式。　　2.突出贡献单位　　龙腾半导体自成立以来，始终将技术创新视为企业发展的第一驱动力。产品广泛应用于汽车电子、新能源发电、储能、工业及消费电子领域。　　多年来，先后荣获国家首批重点支持的“专精特新”小巨人企业、陕西省重点产业链(半导体及集成电路)“链主”企业、陕西省绿色工厂企业及陕西技术发明奖等多项荣誉。　　十六年来，从技术攻坚到区域协同，龙腾半导体正以“战略升级+硬核技术”的双重优势，携手西部半导体产业向“高价值、高协同、高韧性”跃迁。此次双项荣誉的获得，不仅是对企业过往成绩的加冕，更是对未来使命的召唤。　　面向未来，龙腾半导体将始终与西部产业同频共振，以功率半导体为支点，撬动中国“芯”版图!
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发布时间：2025-04-30 17:29 阅读量：299 继续阅读>>
<span style='color:red'>龙腾半导体</span>推出1200V 50A IGBT，赋能中低压工业与新能源应用
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龙腾半导体推出1200V 50A IGBT，赋能中低压工业与新能源应用

　　在功率器件快速发展的当下，如何实现更低的损耗、更强的可靠性与更宽的应用覆盖，成为行业关注焦点。龙腾半导体推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，专为高频应用场景设计。依托先进工艺平台与系统化设计能力，为工业逆变、UPS、新能源等场景注入高效驱动力。　　产品特点　　1.先进工艺，性能优越　　本款IGBT采用Field Stop Trench技术平台，结合优化的沟槽栅结构，有效降低导通损耗和开关损耗，兼具高速开关能力与宽安全工作区(SOA)，特别适用于高频工作环境下的系统应用，为客户带来更高的系统效率与运行可靠性。　　2.优异的电性能指标　　·集电极-发射极电压(Vce)：1200V　　·额定电流(Ic)：50A　　·最大功耗(Pd)：399W @ 25°C　　·饱和压降Vce(sat)：典型值1.85V @ 25°C　　·关断损耗Eoff：典型值 1.86mJ @ 25°C　　3.完善的热/电特性曲线　　从输出特性、开关损耗到结温限制，该器件在设计初期就充分考虑了客户实际应用工况的匹配需求，具备出色的热稳定性与抗冲击能力。　　该款1200V IGBT特别适用于　　1.UPS与数据中心电源　　2.电焊机与感应加热设备　　3.光伏与储能逆变器　　4.电动车DC-AC/DC-DC变换
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发布时间：2025-04-27 09:10 阅读量：383 继续阅读>>
<span style='color:red'>龙腾半导体</span>推出超结MOSFET
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龙腾半导体推出超结MOSFET

　　龙腾半导体推出超结MOSFET，龙腾半导体股份有限公司是一家致力于新型功率半导体器件研发、生产、销售和服务的高新技术企业。公司已形成超MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、中低压SGT MOSFET、 中低压沟槽MOSFET、高压平面MOSFET及功率模块等完整的功率器件产品系列。产品已在消费类( TV板卡电源、充电器、适配器、LED驱动电源)、工业类(计算机及服务器电源、通信电源)、汽车类(充电桩、车载电源)等领域得到了广泛应用。　　产品介绍　　LonFET是龙腾半导体超结MOSFET系列产品。采用先进的超结技术制造，具有极低的导通电阻和栅极电荷，显著降低导通和开关损耗，特别适用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。　　产品特点　　1.更低的比电阻Ronsp ( RDS(on) x AChip)　　2.更快的开关速度　　3.更高密度封裝　　4.完善的产品系列
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发布时间：2022-08-17 15:53 阅读量：2985 继续阅读>>

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