纳芯微集成化电机驱动引领新能源汽车热管理系统智能化跃迁

发布时间:2025-06-25 10:35
作者:AMEYA360
来源:纳芯微
阅读量:1962

  在新能源汽车快速发展的推动下,热管理市场正迎来高速增长。据公开行业报告*预测,中国新能源汽车热管理市场规模将在2025年达到883亿至947亿元,2028年更有望突破1440亿元。

  近日,纳芯微技术市场经理高峰在新能源与热管理论坛中,围绕“集成化电机驱动IC赋能新能源汽车热管理系统智能化跃迁”展开分享,立足汽车芯片设计公司视角,从技术路线演进、挑战剖析等四个维度,深入探讨了新能源汽车热管理发展对芯片提出的新要求。

纳芯微集成化电机驱动引领新能源汽车热管理系统智能化跃迁

  新能源汽车热管理:市场“狂飙”与技术“闯关”

  在“碳中和”政策引导和消费者对续航、安全性不断攀升的要求下,热管理系统正加速迈向高效化、集成化、智能化。整车热管理架构正从分散式向高度集成式演进,空调、电池、电驱等子系统温控深度融合,对控制精度、能效调节和系统响应速度提出更高要求。这一趋势不仅催生了大量控制芯片需求,也对上游芯片设计在可靠性、性能和成本控制等方面带来前所未有的挑战。

纳芯微集成化电机驱动引领新能源汽车热管理系统智能化跃迁

  在高峰看来,技术挑战在于要以尽可能小的能量满足整车系统在冷凝侧水路工况要求,无论是制热还是制冷。集成化成为零部件厂商长期成长的关键和核心壁垒,不仅涉及热管理系统零部件的集成化,还对芯片集成化提出了更高要求。

  集成化驱动IC:解码核心价值,开启创新方向

  在集成化驱动IC领域中,纳芯微围绕“高精度控制”构建核心优势。区别于标准通用芯片按目录排物料,纳芯微聚焦汽车应用,提供完整解决方案。像NSD731x系列多通道驱动芯片,适配多通道水阀等应用。借助高精度控制,可精准调节阀体开关、水阀转速动态响应,提升系统能效管理,让新能源汽车热管理系统在不同状况下都能实现最佳性能。未来创新方向将围绕进一步提升控制精度、拓展应用场景展开。

  集成化驱动IC的创新方向中,智能算法集成至关重要。当前集成式热管理正迈向域控制器架构,在热管理域控的集中化与动态调整过程中,智能算法能依据实时数据和采集信号,灵活调整热管理控制策略,大幅提升系统智能化水平与适应性。

  以电机控制类芯片为例,它不再局限于单纯的驱动功能,而是在芯片内集成算法。纳芯微的全集成嵌入式电机驱动SoC产品将驱动、保护、通信、电源管理及控制等功能集成于单芯片,极大简化了外围电路。其中,量产的NSUC1610在国内主机厂车型中表现优异,全集成设计降低了系统复杂性与成本,还提高了PCB电路的可靠性与稳定性。

  此外,预驱加控制模块的一体化设计也是重要方向,它能降低系统损耗,支持更高电流密度与能量密度,实现系统性能跃迁,满足新能源汽车高效、高功率密度的模块化设计需求。

  在汽车热管理域控系统的发展进程中,芯片设计的技术演进路线带来了新的芯片解决方案需求。目前,汽车热管理域控系统架构不断演变,已有零部件厂商推出ITMS架构,未来产品将持续朝着系统降本、芯片降本的方向迈进。

纳芯微集成化电机驱动引领新能源汽车热管理系统智能化跃迁

  高峰解释说,在汽车热管理系统中,通常配备两到三个水泵、两到三个电子水阀,采用三通阀或四通阀、以及多通阀的阀岛概念,通过BDC或BLDC直流有刷、无刷电机,以及两到三个步进电机驱动电子膨胀阀,还可能有冷却风扇或鼓风机的驱动。其中,电子水泵和风扇大多采用BLDC电机,以无感FOC方式控制,这意味着多个BLDC电机的算法控制需由域控制器的大MCU实现无感FOC电机算法控制。

  这对芯片的算力、主频及MCU资源要求颇高,当前多采用具备高主频、强算力和实时控制能力的MCU架构,以满足域控制器对性能与响应的双重要求,整个PCB硬件方案成本约为200元。为降低成本,可将算法下放到电机侧执行器,通过BLDC预驱的SoC或集成算法的ASIC完成所有BLDC电机控制,从而解放域控制器MCU资源。如此一来,仅需M3主频100MHz或M4F的MCU即可完成系统热管理驱动控制,使PCBA系统硬件成本降至150元以内。若将算法固化到BLDC专用电机驱动芯片,成本有望降至100元以内,从而实现快速系统降本。

  他展望道,随着新能源热管理系统架构趋于稳定固定,越来越多的一级供应商和主机厂将与芯片厂家联合定义芯片。届时,芯片设计将更加标准化和集成化,将驱动侧、通信侧、管理侧及电源管理等功能集成在一颗芯片中,PCBA上仅保留一颗大的控制芯片,功率器件置于外围。目前,已有零部件供应商和热管理供应商与相关企业进行前沿交流和工程级别系统验证。

  技术亮点,引领典型应用

  在汽车系统热管理领域,纳芯微的产品展现出了卓越的技术亮点与广泛的应用前景。纳芯微的低压通用型高性能处理器NSUC1700专为汽车空调压缩机及PTC控制器打造,将电机控制所有必要外设集成其中,精准适配电机控制与PTC控制应用场景,为相关系统提供高效稳定的支持。

  纳芯微的全集成嵌入式电机驱动SoC更是技术创新的典范。它集LIN收发器、40 V耐压LDO、M3处理器内核、预驱和功率MOSFET器件于一身,是国内唯一晶圆结温支持175℃的全车规电机控制SoC。在热管理系统中,它能精准控制电子水阀的三通阀、四通阀及多通阀的BLDC电机,也能驾驭电子膨胀阀的步进电机。

  纳芯微不仅提供芯片,还提供交钥匙解决方案,包含电机控制代码及例程,可实现无感FOC的BLDC电机控制,尤其适用于小功率20瓦以内的各种类型电机。针对中功率需求,纳芯微提供另外一颗高集成度的芯片,同样具备175℃晶圆结温支持车规Grade 0等级可靠性认证。它主要应用于集成式管理的大功率水阀(堵转电流要求3安培以上),也适用于汽车电子水泵、冷却风扇、鼓风机、油泵等各类场景。目前,该产品已有车型定点,拥有成熟应用案例与完整电机控制解决方案。

  未来展望与技术演进探讨

  随着新能源汽车产业的蓬勃发展,热管理作为保障车辆性能、续航与安全的关键环节,其未来展望与技术演进备受瞩目。作为芯片设计方,纳芯微密切关注着整个系统的集成发展趋势。

  高峰认为,集成化无疑已成为提升系统效率的核心方向,也是汽车零部件供应商构筑核心壁垒的关键所在。

  从物理层面来看,集成化发展将推动硬件布置的持续优化。通过巧妙的设计,可实现空间的有效节约与轻量化目标,进而降低系统成本、提升节能效果,最终增加新能源汽车的续航里程,这无疑将显著增强主机厂产品的市场竞争力。例如,将原本分散的部件进行整合,不仅能减少占用空间,还能减轻车身重量,使车辆在行驶过程中消耗更少的能量。

  在能量层面,集成模块的连接将水路侧、冷媒侧及整个系统深度融合,实现统筹的热量管理。这将有助于余热回收与热源再利用,大幅提升能源利用效率。想象一下,车辆在行驶过程中产生的废热能够被有效收集并重新利用,为车辆的其他部件提供能量,这将极大地提高新能源汽车的能源利用水平。

  对于零部件厂商而言,集成化发展既是机遇也是挑战,能否在这一过程中脱颖而出,成为长期成长的关键。首先,热管理系统的庞杂性要求企业掌握多种零部件的工艺与 Know-how,以横向拓展多品类产品盈利,提升零部件附加值。其次,系统性的设计与仿真实验至关重要,各零部件间的相互依赖与制约关系构成了复杂的系统耦合性工程,这正是零部件厂商发挥优势的舞台。最后,集成化热管理系统与车身的紧密关联,使零部件厂商有机会与主机厂深度绑定,参与整车系统设计探讨,形成不可替代的零部件定位。

  这一过程对芯片集成化提出了更高需求与挑战。芯片集成化的进一步提升,要求我们在芯片层面实现产品差异化,与汽车零部件供应商形成深度绑定能力。芯片厂商需要更早地参与到协同开发中,深入了解系统需求,为新能源汽车热管理提供更高效、更可靠的芯片解决方案,共同推动新能源汽车产业的持续发展。


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2026-09-15 11:06 阅读量:217
充分释放GaN潜能:纳芯微GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题
  随着AI算力爆发以及人形机器人产业的快速演进,电源系统向着更高功率、更高效率、更小体积的方向快速迭代。氮化镓 (GaN) 作为宽禁带代表性器件,凭借开关速度快、损耗低、面积小等先天优势,已经成为超高功率密度系统不可或缺的核心拼图。但GaN是一把双刃剑,其优越性能落地到实际硬件设计时会遇到诸多工程挑战,如何通过驱动IC的技术创新,把GaN的理论性能充分释放,已经成为行业关注的焦点。  本文将从GaN应用与市场洞察、GaN关键应用痛点与驱动IC技术演进、纳芯微宽禁带半导体驱动及系统级解决方案三个维度展开,剖析GaN规模化落地背后的技术逻辑。  GaN市场迎来跃迁:  从消费电子走向高端高功率场景  GaN器件早已不再局限于消费类快充等传统场景,AI数据中心与人形机器人关节正在成为GaN两大里程碑式核心战场,同时新能源汽车OBC、激光雷达、户用光储储能、伺服驱动、D类功放等领域,也在加速导入GaN方案,充分挖掘器件在效率与功率密度等方面的价值。  数据中心供电:  功率密度激增,GaN的核心战场  AI大模型算力需求爆发直接带动GPU单板功耗持续攀升。从A100单卡400W、算力312TFlops,迭代到Rubin平台单卡约2300W、算力4PFlops,算力提升12倍的同时功耗提升6倍,算力与功耗同步高速增长。  行业已经全面进入Rack‑Scale机架级算力时代,计算单元由单张GPU显卡升级为整机柜。短短数年内,单机柜功率由60kW一路走高至600kW,未来规划将迈向1MW机柜,然而机柜物理体积并没有同步放大,对供电链路的功率、效率、集成度提出前所未有的严苛要求。  以数据中心PSU电源单元为例,当前54V架构主流 PSU功率密度为18‑33kW/U;下一代HVDC高压直流PSU将达到50‑100kW/U;后续机架式DC‑DC转换环节功率密度可达90‑120kW/U;更进一步,高压上板的板载DC‑DC模块,功率密度目标突破 2000W/in³。这一系列极具挑战的指标,也直接推动 GaN在数据中心供应链迎来爆发式的用量增长。  机器人关节:  下一个高功率密度主战场  人形与四足机器人属于电池供电移动式设备,自由度高、关节数量众多。每一处关节模组同时承受高峰值功率、毫秒级电流响应、长期间歇/连续运行、严苛的体积、重量与散热等多重约束。机器人关节功率覆盖10W‑4000W每轴,要在极小的结构空间里面实现全部性能,GaN凭借高频小型化的能力,成为机器人伺服驱动极具竞争力的技术路线,目前行业头部客户已经开启规模化方案验证与导入。  综合两大场景可以看到,消费电子应用会优先权衡成本因素;而在AI算力、机器人、车载OBC、光储等高端工业场景,系统更看重GaN带来的高效率、高功率密度收益,GaN的产业重心已经发生明显迁移。  GaN工程落地痛点:  驱动IC如何破解器件固有难题  GaN材料拥有优异的理论性能,但器件本身的电气特性带来诸多设计难点。超高功率密度系统追求高频高速运行,需要在有限PCB空间内部署全部器件并稳定工作,这就对GaN驱动芯片提出多重硬性要求:高抗共模干扰、极低传输延时、封装极致小型化;同时还要直面增强型GaN导通阈值低易误导通、需要安全关断、第三象限反向导通引发自举过压这三大固有痛点。  针对上述工程挑战,纳芯微打造了完整的GaN专用驱动产品矩阵,通过高CMTI抗扰设计、超短传输延时、多规格小型化封装,搭配独立开通关断驱动通道、芯片内集成负压、米勒钳位、智能有源自举控制、内置LDO稳压等系列核心技术,从芯片硬件层面一一对应化解各类应用风险,帮助开发者充分释放GaN器件的理论性能,降低整机系统的设计调试门槛。  痛点一:  高频高速工况,对驱动抗扰、延时、  封装提出极限要求  GaN开关速度极快,节点电压可在纳秒级别大幅跳变,电磁环境恶劣,驱动芯片必须具备很高的共模瞬态抗扰能力;同时全链路传输延时需要做到足够低,匹配器件高速开关特性。纳芯微GaN驱动系列产品可实现100V/ns以上的CMTI抗扰能力,最小传输延时低至2.6ns。  极致小型化不只是针对GaN功率器件、磁性元器件,而是电源全链路器件共同的诉求。驱动芯片作为核心配套,封装尺寸也必须同步压缩。纳芯微提供最小1.2×0.8mm WLCSP超小封装NSD2017,此外还覆盖2×2mm、3×3mm、5×7mm多种封装规格,覆盖从激光雷达高频小体积,到大功率工业电源的多元布板需求。  痛点二:  导通阈值低,易发生误导通风险  主流E‑mode增强型GaN导通阈值仅1V左右,很小的栅极电压扰动就会引发器件误开启,带来系统损坏风险。  传统驱动方案采用二极管构建开通、关断共用回路。二极管导通会产生约0.7V压降,器件关断状态下栅极电压被抬高至0.7V,距离1.1V阈值十分接近,电路任何微小扰动,都可能造成GaN误导通。  纳芯微GaN驱动芯片内部集成独立开通/关断双驱动通道,硬件层面舍弃关断二极管,从根源降低误导通风险,该技术已是纳芯微GaN驱动产品的标配。  为进一步保障650V高压GaN器件可靠关断,行业普遍采用负压关断方案。目前分立搭建负压电路主要分为三类:  双绕组变压器方案:正负绕组分别输出正压、负压,性能好,但绕组数量多,成本高;  单绕组搭配稳压管方案:绕组数量减少,成本折中,但正负电压互相牵制;  自举搭配分立器件方案:成本最低,但需要持续发波建立负压,对半桥占空比存在限制,工况适配范围受限。  三类分立方案各有短板,很难同时兼顾负压稳定性、PCB面积、硬件成本。纳芯微推出NSD2622N高压半桥GaN驱动,芯片内部集成负压生成电路,无需外部复杂分立负压网络,一站式实现稳定负压输出、精简外围器件、控制整体BOM成本。  针对双向GaN开关应用,驱动调试难度更高,纳芯微推出GaN驱动NSD2622NB,为双向开关场景提供集成负压、通道可灵活配置的专用驱动方案,大幅简化双向拓扑硬件设计。  痛点三:  第三象限反向导通,  带来自举上管VGS过压隐患  GaN在半桥拓扑第三象限反向导通时,SW节点电压可低至‑2V。该负压会给自举电容充电,造成上管栅源电压VGS被充到7V附近,对GaN的稳定运行带来高风险。  行业传统分立解决思路存在明显短板:一是上管栅极并联齐纳稳压管做钳位,会带来额外损耗、温升,占用PCB面积;二是在GaN DS两端并联肖特基二极管,试图拉低反向负压,却会增加寄生参数,牺牲功率密度,违背选用GaN器件的初衷。  理想的解决思路是在GaN反向导通阶段,直接切断自举充电通路,阻断负压向上管栅极传递。该逻辑对时序、逻辑控制精度要求极高,分立器件很难落地,却是集成电路的优势所在。  纳芯微NSD2123半桥GaN驱动内置Smart Bootstrap Charge智能自举有源开关,在器件进入第三象限导通瞬间精准断开自举链路,规避VGS过压风险,且集成米勒钳位功能,有效避免误导通,在外围电路极度精简下实现了安全自举与可靠关断。除此之外,半桥GaN驱动NSD2012N与NSD2622N在芯片内集成LDO稳压,不依赖外部自举供电,同样可以一站式解决负压关断与自举过压两大难题,排除寄生电容影响,提升开关速度。  纳芯微提供完整产品矩阵,  赋能超高功率密度系统开发  针对不同应用场景,纳芯微形成完整GaN驱动产品矩阵,客户可以按需选型:  NSD2017:WLCSP 1.2×0.8mm超小封装,2.6ns超低延时,适配激光雷达等高频、极致小型化应用;  NSD2123:110V半桥驱动,集成米勒钳位与Smart Bootstrap智能自举有源开关,面向数据中心IBC、机器人关节等中低压场景;  NSD2012N:单管GaN驱动,集成LDO+负压关断,QFN 3×3mm小封装;  NSD2622N:700V高压半桥驱动,集成LDO与负压关断,面向650V高压大功率电源、双向开关拓扑;  NSD2621:700V半桥驱动,芯片内集成LDO稳压。  同时需要注意的是,GaN带来的系统升级,挑战不只来源于功率器件本身,也不局限于栅极驱动芯片。整套系统链路都需要同步迭代:采样链路需要更高带宽、更强抗干扰;MCU需要更高算力与更快响应速度;通信接口抗干扰能力需要升级;面向HVDC高压架构,系统隔离性能也需要同步匹配。  作为全品类数模混合信号芯片提供商,除了GaN驱动以外,纳芯微还提供带死区控制、保护功能、采样功能的隔离智能栅极驱动,同时配套隔离器件、信号链、电源管理、MCU等多类芯片,覆盖从驱动、采样、控制到通信的全链路需求,帮助客户完成超高功率密度系统的整体设计落地。
2026-09-11 10:37 阅读量:264
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