ROHM推出适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关！

Release time：2025-09-09
author：AMEYA360
source：ROHM
reading：999

　　～高容性负载驱动，为汽车电子化进程注入强劲动力～

　　近日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，针对汽车照明、汽车门锁、电动车窗等正逐步采用Zone-ECU*¹的车身相关应用，推出6款不同导通电阻值的高边IPD*²(智能高边开关)“BV1HBxxx系列”，非常适合用来保护系统免受功率输入过大等问题的影响。全系列产品均符合AEC-Q100车规标准，满足对车载产品严苛的可靠性要求。

ROHM推出适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关！

　　随着自动驾驶和电动汽车(EV)的不断发展，汽车的电子控制越来越复杂。与此同时，从功能安全角度来看，电子保护的重要性日益凸显，以区域为单位对汽车进行管理的“Zone-ECU”应用进程加速。在这种趋势下，用于对负载进行电子保护和控制的IPD的应用也在加速。Zone-ECU需对大量负载进行集中控制，而传统IPD在容性负载驱动能力方面存在不足。ROHM本次发布的高性能IPD在满足低导通电阻、高能量耐受能力等基本性能要求的同时，弥补了容性驱动能力的短板，实现性能提升，充分满足Zone-ECU的需求。未来，新产品投入市场后将会大力推动无需使用机械式保险丝的“汽车电子化”进程。

　　新产品具备高容性负载驱动能力*³，在Zone-ECU与输出负载(含各种ECU)的连接部位可充分发挥其性能。同时，凭借ROHM自主研发的最新工艺技术，新产品还成功实现以往难以兼顾的低导通电阻与高能量(破坏)耐受能力。由此，BV1HBxxx系列得以在驱动能力、导通电阻及能量耐受能力这三大关键要素上形成高水平的平衡，有助于实现安全性、效率性与可靠性俱佳的系统设计。与此同时，新产品搭载达到业界先进水平的高精度(实际精度：±5%)电流检测功能，可有效保护连接输出负载的线束。其小型且兼具优异散热性能的HTSOP-J8封装具有很高的通用性。

　　新产品已于2025年6月开始以20万个/月的规模投入量产。此外，新产品已经开始通过电商进行销售(样品价格600日元/个，不含税)。未来，ROHM将继续致力于研发高可靠性、高性能的产品，为汽车领域的安全保障和节能减耗贡献力量。

ROHM推出适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关！

　　IPD(带电流检测功能的高边开关)产品阵容应用示例

ROHM推出适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关！

　　・车身相关应用、动力总成系统及逆变器周边、其他开关类应用

　　电商销售信息

　　发售时间：2025年6月起

　　电商平台：新产品在AMEYA360等电商平台将逐步发售。

　　产品型号：BV1HB008EFJ-CE2、BV1HB012EFJ-CE2

　　BV1HB020EFJ-CE2、BV1HB040EFJ-CE2、BV1HB090EFJ-CE2、BV1HB180EFJ-CE2

　　术语解说

　　*1)Zone-ECU(Electronic Control Unit：电子控制单元)

　　汽车电子架构中的创新设计概念之一。在传统设计中，汽车会搭载分别对应照明、汽车门锁、电动车窗等各项功能的ECU，而Zone-ECU则采用汽车分区理念，在每个区域配置可对该区域内所有功能进行集中控制的集成式ECU。

　　*2)IPD(Intelligent Power Device)

　　一种不仅可对电子电路进行开关控制，还可保护电路免受电气性破坏(如异常时的过电流)的器件。相较传统机械式保险丝，因其无机械触点而在使用寿命和可靠性方面更具优势。这种器件具有普通半导体开关器件MOSFET所不具备的保护功能，可助力构建安全且可靠性高的系统。

　　*3)容性负载驱动能力

　　主要在电子电路和半导体元器件领域使用的专业术语，是衡量电路和器件对容性负载(电容)的正常工作能力的性能指标。在由Zone-ECU及其输出负载(含各ECU)构成的电路中，通常会使用大容量电解电容，若容性负载驱动能力较低，将无法抑制浪涌电流，从而导致过热，进而引发误动作或缩短使用寿命。


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ROHM | 支持高速接口ESD保护二极管 - RESDxVx系列
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　　RESDxVx系列是一款兼具超低电容与低动态电阻特性、专为高速通信设计的ESD保护二极管。　　无论是消费电子、车载还是工业设备，即使在Gbps级高速接口应用中，也能将对通信信号的影响控制得更低，同时实现出色的IC保护性能。　　本文将为各位工程师呈现该产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。另外，还可前往官网查看产品新闻。　　超低电容可有效抑制信号劣化，同时兼顾高速通信的信号质量和IC保护　　实现高速接口规格所需的超低电容(0.2pF级)　　低动态电阻(Rdyn)，高箝位保护性能，实现业界先进的保护性能　　不仅实现了低电容量，还降低了与其存在权衡关系的动态电阻Rdyn(0.3Ω以下)，从而实现了更出色的钳位性能。　　适用于车载设备、消费电子及工业设备等广泛的市场领域　　产品阵容中新增两种小型封装产品
2026-06-18 09:58 reading：297
ROHM课堂 | 为何48V不再够用？ AI服务器机架重塑电源架构新潮流
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　　单台服务器机架的功耗正逼近1MW大关。随着由大量GPU构成的AI服务器迎来爆发式增长，数据中心的电源设计正面临着一场根本性的变革。多年的行业标准——48V直流(48VDC)输配电方式已逐渐接近物理极限，业界正在加速向高压直流(HVDC)系统转型。本文将探讨这一转型背后的技术必然性，并阐述下一代电源架构的应用方法路径。　　AI功耗爆增：　　48VDC正面临物理壁垒　　全球各地正在掀起新一轮数据中心建设热潮，为更大程度地提升每平方米的算力，服务器机架正朝着高密度化方向发展。其核心在于AI处理中不可或缺的GPU。　　图1：预计到2030年，全球AI服务器的耗电量将超过800TWh，接近1000TWh。出处：国际能源署(IEA)　　解决方案就在欧姆定律中：　　提高电压即可降低电流　　减少电流的方法其实很简单——那就是提高电压。在功率保持不变的情况下，电压越高则电流越小。当在800V电压下供应1MW的电力时，所需电流将骤降至1,250A。由于母排损耗与电流的平方成正比，因此，从48V升至800V可使功率损耗降至原来的约1/278。　　在这种情况下，目前业界已浮现出两种HVDC架构作为主要候选方案。　　两种方式均属于“高压直流(HVDC)”范畴，但所采用的半导体和电路结构不同。对于设计工程师而言，必须在理解这些差异的基础上对系统进行优化。　　HVDC改变电源电路：　　SiC和GaN所发挥的作用　　一旦电压架构发生变化，电源电路的设计也将从根本上发生改变。在HVDC系统中，转换效率即使微幅提升，都具有举足轻重的意义。仅需将1MW机架的转换效率提升2%〜3%，便可节电20kW〜30kW——这相当于一栋中型办公楼的整体耗电量。　　提高效率的关键在于采用了SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)的下一代功率半导体。与以往的Si功率器件相比，这些宽带隙半导体的开关速度更快，损耗更低。　　实现示例：适用于800VDC的　　电源单元电路结构　　ROHM已经完成了针对800VDC和±400VDC等HVDC电源的、经过功率优化的电路和系统的仿真。具体的实际应用示例如下：　　图3：ROHM提供的支持800VDC和±400VDC的电源系统解决方案。可根据应用需求选择Si功率MOSFET、SiC功率MOSFET及GaN HEMT　　图4：适用于800VDC用电源侧机架及服务器机架的ROHM电源单元(PSU)示例。电源侧机架用PSU由维也纳整流电路和隔离型三相LLC谐振转换器构成。服务器机架用PSU则由隔离型三相LLC谐振转换器构成。主要特点在于高转换效率和小型化
2026-06-18 09:47 reading：302
ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
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ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品

　　中国上海，2026年6月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。　　为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L(8.0 × 8.0 × 0.85mm)和TOLL(11.68 × 9.9 × 2.3mm)两种表贴型新系列产品。新产品不仅更小、更薄，还具备优异的散热性能，非常适合AI服务器、工业设备电源等需要节省空间和提高功率密度的应用。　　在特性方面，将MOSFET导通所需的栅极阈值电压(VGS(th))设定在一般产品广为使用的3V~5V区间，能够支持更广泛的驱动条件。而且，通过改善跨导特性*2，使该特性较现有系列产品更为优异，实现了更高通用性和更低损耗。另外，关于表贴型封装，通过支持与普通产品兼容性良好的焊盘图案，确保了非常高的通用性，便于现有电源电路作出替换和第二供货源的选择。　　新产品的产品阵容包括“R60xxXNx系列”21款高速开关型产品，以及“R60xxWNx系列”11款具有业界超高速反向恢复特性的PrestoMOS™型产品。从重视兼容性的设计到重视低损耗的设计，客户可根据应用需求选择合适的产品。　　新产品已于2026年6月开始逐步量产(样品价格900日元/个，不含税)。网售平台已开始供应TOLL封装产品(型号：R6020XNJ2、R6038XNJ2、R6049XNJ2、R6055XNJ2、R6024WNJ2、R6035WNJ2)，电商平台均可购买。　　ROHM今后将继续扩充超级结MOSFET 产品阵容，并计划量产650V耐压产品以及下一代产品。　　<开发背景>在数据中心和工业设备领域，随着处理负荷的增加，电力需求不断攀升。为降低功耗和发热量，市场对电源的效率提升有迫切需求。另外，在设备的小型化发展趋势下，要在有限的空间内实现高输出功率，就必须进一步提高电源电路的功率密度并更加节省空间。　　为满足这些要求，超级结 MOSFET也需要进一步降低损耗并提高热性能，因此，散热性优异的表贴型封装产品备受青睐。此外，近年来，从降低采购风险的角度出发，多源设计和确保第二供货源至关重要，因此与现有通用产品的高度兼容性也成为了重要考量条件。　　ROHM于2022年开始量产内置高速恢复二极管的PrestoMOS™型“R60xxVNx系列”以及高速开关型“R60xxYNx系列”，作为有助于降低应用产品功耗的产品，赢得了客户高度好评。这次开发出的“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”不仅继承了原有系列低损耗特性和高可靠性，还采用了散热性能优异的表贴型封装，并具备与常用产品之间的高度兼容性，有助于提高电源设计的灵活性。　　☆：开发中　　<应用示例>・AI服务器和数据中心用的电源　　・工业设备和消费电子设备用的电源(LLC、PFC、FlyBack等)　　・风扇、AC伺服等的电机、逆变器　　<关于EcoMOS™品牌>EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。　　<关于PrestoMOS™>Presto意为“非常快”，源于意大利语的音乐术语。　　PrestoMOS™是ROHM自有的功率MOSFET品牌，该品牌的产品不仅保持了Super Junction MOSFET高耐压和低导通电阻的特点，还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗而越来越多地被用于空调和冰箱等配备逆变电路的应用。　　・PrestoMOS™是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。　　<术语解说>*1) 超级结MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)　　MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构上的不同，又可细分为平面MOSFET、超级结MOSFET等不同种类的产品。与平面MOSFET相比，超级结 MOSFET能够同时实现高耐压和低导通电阻，在处理大功率时损耗更小。　　*2) 跨导特性　　表示MOSFET中电流相对于输入栅极电压的易流动程度的特性。通过改善该特性，可提高对栅极控制的响应性，降低开关时的损耗，同时能够适配更广泛的电路条件，从而提升通用性。
2026-06-17 13:24 reading：291
AMEYA360 × ROHM | 直播开讲！AI 服务器电源解决方案全解析
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AMEYA360 × ROHM | 直播开讲！AI 服务器电源解决方案全解析

　　当前，AI算力需求全面爆发，带动AI服务器市场快速扩容。如今机柜功耗暴涨，老旧400V供电架构已经无法满足高算力设备需求，行业普遍开始向800V高压直流方案升级。　　高功率、高效率、高密度，已然成为AI服务器电源设计的硬性标准，不少工程师在高压电源拓扑设计、器件选型、散热优化上遇到诸多难题。　　6月24日(周三)14:00-16:00，AMEYA360 × ROHM直播就带大家聊聊当下AI服务器市场真实行情与技术走向，并重点拆解适配AI电源系统的ROHM全系核心器件，包含碳化硅功率器件、MOS管、驱动IC、二极管与模拟芯片。　　点击下方卡片，或扫描海报二维码即可预约直播，参与还有机会赢取精美礼品!　　直播主题　　罗姆器件赋能|AI服务器高效电源解决方案　　AMEYA360|ROHM 授权代理 一站式电子元器件技术分享　　直播时间　　6月24日(周三)14:00-16:00　　直播嘉宾　　ROHM FAE MUSK　　奖品合辑　　现金红包、京东E卡、充电宝、数据线等礼品等你拿!　　ROHM官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　论坛入口：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/689746fc6335280cb03fac5f4e5eebd2/mid/858　　别忘了提前预约6月24日AMEYA360 × ROHM直播!了解AI服务器市场真实行情，吃透行业升级技术干货!
2026-06-16 09:12 reading：289
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