ROHM推出兼具低FET发热量和低EMI特性的三相无刷电机驱动器IC

发布时间：2025-10-23 14:15
作者：AMEYA360
来源：ROHM
阅读量：736

　　2025年10月23日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出适用于中等耐压系统( 12V ～ 48V 系统) 的采用“TriC3™” 技术的三相无刷直流电机驱动器 IC“BD67871MWV-Z”。通过配备ROHM自有的驱动逻辑，该电机驱动器IC成功地在降低FET发热量的同时实现了低EMI*1特性，而这两项之间存在此消彼长的关系，通常很难同时兼顾。

ROHM推出兼具低FET发热量和低EMI特性的三相无刷电机驱动器IC

　　电机的耗电量约占全球耗电量的60%，从能源效率的角度来看，进一步提升其控制技术越来越重要。尤其是在12V～48V电压等级的应用产品中，电机驱动的主流方案通常采用通过MCU控制3个栅极驱动器的简单架构。然而近年来，对高效率控制且精密控制的需求日益高涨，MCU与一体化三相电机驱动器相结合的解决方案正在加速普及。另一方面，三相电机驱动器还存在技术课题—“抑制功耗”与“降低噪声”之间存在着此消彼长的权衡关系，长期以来被认为两者很难同时兼顾。针对这些课题，ROHM充分利用其在电机驱动器等各种栅极驱动器IC开发过程中积累的先进电路控制技术，成功开发出可同时抑制“功耗”和 “噪声”的新技术“TriC3™”。

　　新产品采用ROHM自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”，能够高速感测来自FET的电压信息，并实时进行栅极控制。采用这种控制方式，不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量，同时还抑制了振铃*2的产生，实现了低EMI特性。经实际电机验证，与ROHM以往的恒流驱动产品相比，新产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外，新产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形(UQFN28)和引脚排列，有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。

　　新产品已于2025年9月开始量产(样品价格800日元/个，不含税)。此外，ROHM还提供可助力应用产品开发和设计的评估板(BD67871MWV-EVK-003)。本产品也已开通电商销售路径，可通过AMEYA360购买。

　　另外， ROHM 还推出了与新产品采用相同封装和引脚配置的恒压驱动通用电机驱动器(BD67870MWV-Z、BD67872MWV-Z)。从通用型到此次采用TriC3™技术的高附加值型产品，ROHM可 提供满足客户多样化需求的丰富产品群，未来ROHM将继续致力于提升电机效率、助力应用产品增强功能、提升性能并降低能耗。

　　<产品阵容>

ROHM推出兼具低FET发热量和低EMI特性的三相无刷电机驱动器IC

　　<应用示例>

　　・工业设备：电动钻头、电动螺丝刀、工业风扇等设备所用的各种电机

　　・消费电子：吸尘器、空气净化器、空调、换气扇等设备所用的各种电机、电助力自行车

　　<TriC3™>

　　ROHM开发的适时细分恒流控制驱动技术。通过三段式精确设定控制栅极电流，实现高速且高效运行，同时抑制振铃现象，有助于降低噪声并实现稳定工作。

　　“TriC3™”是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。

　　<术语解说>

　　*1) EMI(Electromagnetic Interference：电磁干扰)

　　EMI是用来衡量对象产品的运行产生多少噪声、是否给外围IC和系统带来问题的指标。“低EMI特性”意味着产生的噪声很少。

　　*2) 振铃

　　开关时产生的高频振荡和过冲现象。这是由MOSFET在开、关动作时，电路中的寄生电感和寄生电容发生的谐振所导致的现象。


（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：高精度抗干扰，纳芯微推出NSHT30A模拟输出温湿度传感器

下一篇：广和通成功登陆港交所，成为国内首家“A+H”无线通信模组企业！

在线留言询价

相关阅读
ROHM PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证
行业新闻

ROHM PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证

　　中国上海，2026年4月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS® *开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”，该工具可在Web上高速仿真ROHM功率器件的工作情况，非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用。　　“ROHM PLECS Simulator”可以通过从官网的列表中选择电力电子电路的拓扑以及ROHM提供的各种功率器件，在数秒到数分钟内即可完成损耗和温升等参数的仿真。在电路设计的初期阶段，该工具可大幅减少理想器件选型所需的工时。ROHM官网上目前已发布20种拓扑，并且计划未来将进一步扩充SiC器件、IGBT和功率模块等产品的器件模型及拓扑。　　本仿真工具只需在ROHM官网上完成用户注册，即可免费使用。另外，在专题页面上，除了该仿真工具的访问入口外，还发布了用户使用时所需的资料(用户操作手册、电路工作说明应用指南)。　　在电路设计时，尤其是在电力电子电路中，通常会采用仿真来代替成本高又耗时长的硬件试制。ROHM于2020年发布了可一次性验证功率器件产品和IC产品的“ROHM Solution Simulator”，并致力于不断扩充拓扑和器件模型。通过ROHM提供的高精度SPICE模型，用户能够以高度的复现性确认接近实际设备的波形，这一点获得了广泛好评。另一方面，用户还希望在开发初期阶段，能够基于损耗和发热验证，在短时间内选出理想的功率器件。　　针对这一需求，ROHM推出了“ROHM PLECS Simulator”，专门用于损耗和热计算。用户可以利用PLECS®进行快速的初期探讨，运用“ROHM Solution Simulator”的优势进行详细且高精度的验证，并根据不同的开发阶段进行区分使用，进而实现从设计的损耗和发热验证到波形检查的一体化仿真。　　<术语解说>　　*) PLECS®　　为了在虚拟空间中对含有控制的复杂电气与电力系统进行建模和仿真而开发的电力电子电路及系统的仿真工具。擅长进行损耗等参数的高速计算，能够在开发的上游阶段快速验证整个系统的响应性能。　　PLECS® 是 Plexim,Inc.的注册商标。
2026-04-23 16:21 阅读量：454
ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！
行业新闻

ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。
2026-04-22 09:07 阅读量：389
ROHM课堂 | 欧姆定律：电压、电流及电阻之间的关系
行业新闻

ROHM课堂 | 欧姆定律：电压、电流及电阻之间的关系

　　欧姆定律是电路的基本原理，用“电流=电压÷电阻”的公式来表述电流、电压与电阻三者之间的关系。电压越高电流越大，而电阻越大则电流越小。例如，在将干电池与灯泡串联连接的电路中，电池的电压和灯泡的电阻共同决定了流过灯泡的电流量。本文将从基础内容出发，利用计算工具和公式等，介绍欧姆定律在简单电路设计中的实际应用方法。　　欧姆定律的基本原理(直流)　　欧姆定律在现代物理学和电子工程学领域发挥着核心作用，被广泛应用于电路分析和设计等众多场景。其主要涉及电压V、电流I和电阻R三个变量。本节会先介绍在实际测量电流或分析电路时实用的“计算工具”，然后探讨电压、电流、电阻各要素之间的相互作用机制，其后介绍相关方程式及单位的定义。最后会提到“VRI三角形”和“VRIP轮盘”等可视化工具，通过这些直观的图表清晰地展示电阻电路的基本关系。　　串联电路和并联电路中的欧姆定律　　串联电路是指电子元器件以串联方式连接的电路，电流流经同一路径。而并联电路则是电子元器件并联连接、电流分流通过各并联支路的电路。串联电路的特性之一是电阻相加后的总电阻较高。并联电路通过计算各电阻的倒数之和即可求出总电阻。　　串联电路　　在串联电路中，电阻等元器件按顺序连接，共享同一通路。其特点如下：　　・电流：串联电路中所有元器件流过的电流相同。　　・分压：电压被分配给各元器件。根据欧姆定律，在串联电路中，由于所有元器件流过相同电流，因此各元器件的电压降遵循=关系式，与电阻值成正比。高电阻元器件需要分配较高电压。　　・总电阻计算：串联电路中各元器件的电阻值相加即为总电阻。也就是说，合成电阻只是各元器件电阻值相加得到的总和。　　欧姆定律在电路中的作用　　欧姆定律绝非单纯的理论，通过将电路分解为线性和稳态区间，便可借助欧姆定律对电压降和损耗等参数进行概算。通过明确电压、电流及电阻之间的相互关系，能够正确操作电路元器件，准确地掌握流过的电流和电压降等情况。本节将通过由电阻器和导线构成的电路实例，讲解如何求解相关参数。　　电阻器和导体实例　　电子设备中存在各种元器件，其中仅含电阻分量的电阻器可以说是最简单易懂的实例。电阻器上标有10Ω、1kΩ、100kΩ等色环标示值或印刷的标称值，这些电阻器在直流电路等应用场景中能通过多少电流，可通过公式“V=IR”立即计算得出。　　在电源电压恒定且电阻保持定值R的理想条件下，电流I也将保持恒定。然而，由于导线及其他元器件本身也存在非常微小的电阻，在高精度应用和大功率应用场景，需要考虑到这些“残余电阻”。例如，在驱动远端设备的长距离布线电路中，导线自身的电阻往往会成为不可忽视的电流损耗源。
2026-04-16 09:52 阅读量：459
ROHM课堂 | 什么是分流定律（分流电路）？
行业新闻

ROHM课堂 | 什么是分流定律（分流电路）？

　　分流定律是定量表示在并联连接的电路(分流电路)中电流如何分配的基本原理。分流定律根据各路径的电阻或负载决定电流量，因此有助于提高设计精度，并防止出现过热和超出元器件额定值等问题。　　例如，当多个电阻并联连接时，该定律也有助于确定电流集中在部分路径的原因。与分流定律成对的分压定律，处理的是串联电路中的电压分配。通过将两者结合起来理解，可以系统地梳理出“并联时的电流、串联时的电压”是如何决定的，并有助于提高复杂电路的工作分析和电路仿真的精度。　　本文将以分流定律为出发点，详细介绍分流电路的原理、具体的计算方法以及设计上的注意事项等内容。　　分流定律(分流电路)的基础知识　　要了解分流定律，首先需要掌握分流电路(并联电路)的特点。在分流电路中，施加在各路径两端的电压相同，并且各电流的总和等于电源电流，这正符合基尔霍夫电流定律(KCL)。分流定律正是对“电流被分流”这一性质的简洁表达。　　了解分流定律　　分流定律是计算并联电路中各路径电流的便捷规则。该规则阐述了“如何计算分流电路中各电阻的电流”，是电路设计中的重要指南。　　分流定律中的反比关系　　在分流电路中，从公式中解读出“电阻值越小，电流越大”这一特性非常重要。在并联电路中，由于各路径上施加的电压相同，因此电阻值越小的路径流过的电流越大。这可以通过欧姆定律直接推导出来。　　为什么是反比关系　　在并联电路中，由于各路径上施加的电压相同，将欧姆定律V=I×R变形为RtI=V/R后可知，R越小，I越大。例如，当R1<R2时，i1大于i2，并且以i1+i2=It的形式与总电流保持一致。　　合成电阻变小的原因　　并联连接的电阻数量越多，电流的流通路径越多，电流就越容易流过整个电路，因此合成电阻会变得更小。这与水路分成多条支流后水流增加的情形类似，对于流通大电流时的设计和应用有很大帮助。
2026-04-10 10:32 阅读量：668
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
型号 品牌 抢购
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BP3621 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码：

验证码