纳芯微丨一颗芯片搞定BLDC驱动:NSUC1610高度集成电机控制方案解析

发布时间:2026-03-31 10:44
作者:AMEYA360
来源:纳芯微
阅读量:1636

  三相BLDC电机在汽车电子中应用十分广泛,例如座椅风扇、充电小门执行机构、主动进气格栅以及空调出风口等场景。对于这类车载小型执行机构,工程师通常希望在满足可靠性的同时,实现系统的低成本、小型化和轻量化设计。

  针对这一需求,纳芯微推出了专用小型电机驱动芯片 NSUC1610。该芯片在单器件中集成了车载高压LDO、LIN PHY、Gate Driver、MOSFET以及基于ARM内核的MCU,可为三相BLDC电机提供高度集成的控制方案,从而简化系统设计并提升车载电机控制的可靠性。

  本文将从BLDC电机的工作原理出发,介绍无感控制的基本方法,并结合NSUC1610的硬件架构解析其三相BLDC驱动方案的实现方式。

1.BLDC工作原理

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  图1.1 三相无刷电机磁链简图

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  图1.2 BLDC感应电动势

  三相BLDC需要三个半桥驱动,其拓扑图1.3所示。

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  图1.3 三相半桥逆变驱动结构

  2.NSUC1610 介绍

  NSUC1610内部集成了丰富的电机控制外设,包括 3路捕获比较模块(CAPCOM)、3路反电动势比较器(BEMFC)、模数转换器(ADC)、PWM控制模块、温度传感器、4路MOSFET半桥输出(MOUT)以及LIN通信接口(LIN PHY) 等。

  其中,片上的 4路MOUT半桥驱动可直接驱动小功率直流有刷电机、三相无刷直流电机以及两相四线步进电机,并可通过不同控制算法实现多种电机控制应用。

  此外,芯片内置的 BEMFC反电动势比较器支持BLDC电机反电动势过零检测,可用于实现BLDC电机的无感六步方波控制。

  图2.1展示了NSUC1610的内部资源框图。

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  图2.1 NSUC1610内部资源框图

  3.基于NSUC1610的BLDC方波控制

  BLDC常见的控制方式为六步方波控制。在每个换相周期中,三相绕组中两相导通,一相悬空,通过按照特定的导通顺序切换各相绕组的通断状态,即可驱动电机实现顺时针旋转(CW)或逆时针旋转(CCW)。

  在 CW(顺时针)模式下,扇区切换顺序为:

  SECTOR0➝1➝2➝3➝4➝5➝0

  图3.1展示了扇区0~5对应的三相电流与反电动势波形,其中绿色曲线表示相电流,蓝色虚线表示相电压(反电动势)。

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  图3.1 CW 模式下不同扇区对应的反电动势波形

  在 CCW(逆时针)模式下,扇区切换顺序为:

  SECTOR0➝5➝4➝3➝2➝1➝0

  扇区0~扇区5的三相电流和反电动势波形如图3.2所示。

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  图3.2 CCW 模式下不同扇区对应的反电动势波形

  在一个电角度旋转周期内,BLDC三相绕组的相电压变化如图3.3所示。当发生换相时,原本导通的绕组会进入浮空状态,但由于线圈中仍然存在电流,电感电流无法瞬间降为零,因此会产生一段退磁时间(Demagnetization Time)。

  在这一阶段,绕组中的续流电流仍然存在,使得相电压主要由续流电流产生的电压分量决定,此时测得的反电动势信号尚不能准确反映转子位置。待绕组中的能量逐渐释放完毕后,绕组电压重新由切割磁力线产生的反电动势主导,此时的反电动势信号才可作为转子位置检测和换相控制的依据。

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  图3.3 电机绕组三相电压波形

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  图3.4 电机换相逻辑图

  BLDC无感六步方波控制的核心在于反电动势(BEMF)的过零检测。通过检测反电动势信号的上升沿或下降沿,可以确定转子的电角度位置,并进一步实现换相控制。

  下面介绍 NSUC1610 中反电动势过零检测的硬件实现方式。

  NSUC1610内部集成了 三个反电动势比较器(BEMFC0、BEMFC1、BEMFC2),用于实现三相反电动势的过零检测。比较器的输出结果可作为 虚拟三相 Hall 信号,用于驱动三相BLDC无感六步方波控制算法。

  具体实现方式如下:三相电压的虚拟中性点(Virtual Star Point)连接至BEMFC0、BEMFC1、BEMFC2 的正向输入端;各相桥臂电压分别连接至比较器的反向输入端,其中:

  mout0 连接至 BEMFC0 的反向输入端

  mout2 连接至 BEMFC1 的反向输入端

  mout1 连接至 BEMFC2 的反向输入端

  其硬件连接关系如 图3.5 所示。

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  3.5 反电动势比较器的输入通道连接方式

  反电动势比较BEMFC模块的配置代码如下:

BEMFC->CR2_b.BRM = 0; // 0:虚拟星点参考 1:相位电压参考

BEMFC->CR2_b.BIS0 = 0; // 0:电压传感输入 1:电流传感输入

BEMFC->CR2_b.BIS1 = 0; // 0:电压传感输入 1:电流传感输入

BEMFC->CR2_b.BIS2 = 0; // 0:电压传感输入 1:电流传感输入

  BEMFC0、BEMFC1 和 BEMFC2 的比较输出分别连接至 CAPCOM0、CAPCOM1 和 CAPCOM2,用于实现反电动势过零点的捕获。其中:

  CAPCOM0 用于捕获 mout0 的过零点

  CAPCOM1 用于捕获 mout2 的过零点

  CAPCOM2 用于捕获 mout1 的过零点

  通过将 CAPCOM 的输入源配置为 BEMFC 比较器输出,即可在反电动势过零时触发捕获事件。配置代码如下:

CAPCOM->CCR_b.CIS0 = 1; // CAPCOM source:0:GPIO 1:BEMFC

CAPCOM->CCR_b.CIS1 = 1; // CAPCOM source:0:GPIO 1:BEMFC

CAPCOM->CCR_b.CIS2 = 1; // CAPCOM source:0:GPIO 1:BEMFC

  当电机以 CW 或 CCW 方向旋转时,在同一扇区内浮空相的反电动势变化趋势保持一致,即呈现 递增或递减的特性。

  以 扇区0 为例,无论电机以 CW 还是 CCW 方向旋转,浮空相 MOUT2 的反电动势均呈 递增趋势(↗),因此需要检测其上升过零点。

  六个扇区中需要检测的通道及对应的反电动势变化趋势总结如 表3.6 所示。

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  表3.6不同扇区对应的检测通道

  CAPCOM在不同扇区的配置如表3.7所示。

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  表3.7不同扇区CAPCOM配置

  通过上述配置,利用 NSUC1610 的片上资源即可实现对 BLDC 浮空相反电动势的检测与捕获。

  在 NSUC1610 的硬件模块与控制算法协同作用下,可实现 BLDC 从 电机启动到速度闭环运行的完整控制流程。图3.8展示了 NSUC1610 驱动下的 BLDC 三相电压与电流波形。

  从测试结果可以看出,电机启动及运行过程中三相电流过渡平滑,未出现明显电流尖峰,验证了该方案能够实现 稳定可靠的 BLDC 启动及闭环控制。

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  图3.8 NSUC1610 驱动下的 BLDC 三相电压与电流波形

  通过将MCU、LIN通信、电机驱动以及功率MOSFET等功能高度集成在单芯片中,NSUC1610能够显著简化BLDC电机控制系统的硬件设计。结合内置反电动势比较器和CAPCOM模块,可实现稳定可靠的无感六步控制方案。

  该方案非常适用于汽车小型执行机构应用,例如主动进气格栅、充电小门以及座椅风扇等场景,为汽车电子系统提供了一种高集成度、低成本且易于开发的电机控制解决方案

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2026-10-22 10:26 阅读量:276
支持1.5W功率输出满足多场景供电需求,纳芯微推出集成变压器的隔离电源NSIP505S15系列
  纳芯微近日宣布推出集成变压器的隔离电源NSIP505S15系列。该系列产品输出功率可达1.5W,满载条件下5V转5V转换效率接近60%,可充分满足光储充、工控、AI服务器电源等领域客户在多接口供电、MCU及采样电路单板供电、GaN驱动供电、STO安全电源等场景下的多样化需求。作为传统电源模块的IC化替代方案,该系列产品在保证隔离可靠性的前提下,能够实现更小体积与更高效率。  1.5W足额输出与高效转换兼顾  从容应对重载启动与多样化供电架构  NSIP505S15系列在提供1.5W高输出功率的同时,实现了优异的转换效率:5V转5V效率接近60%,5V转3.3V效率接近50%,3.3V转3.3V效率同样接近60%,覆盖主流系统供电架构,帮助客户在不同应用场景中实现功耗与性能的均衡。此外,该系列器件静态功耗低至10μA,在待机或轻载工况下可助力降低系统整体功耗。  表-1:NSIP505S15系列5V-5V、5V-3.3V、3.3V-3.3V效率转换图  强容性负载带载能力  为系统可靠供电保驾护航  在光储充、工控、AI服务器电源等应用中,隔离电源输出侧往往需要挂载多颗滤波电容以保障后级电路稳定工作,但大容量电容上电瞬间近似短路,极易触发电源过流保护导致启动失败。NSIP505S15系列针对这一痛点进行了专门优化,满载条件下容性负载能力超过2.5mF,能够从容驱动GaN栅极容性负载、多路采样电路并联电容等重容性负载场景,确保系统冷启动可靠、不反复打嗝。  集成多维度全面保护  强化系统鲁棒性  NSIP505S15系列集成了完备的保护功能:输入/输出过压保护(VDD OVP、VISO OVP) 防止电压异常冲击,输入/输出欠压锁定(VDD UVLO、VISO UVLO) 确保供电窗口安全,短路保护与过温保护在异常工况下及时关断,避免器件损坏;采用软启动机制,在上电时限制浪涌电流,确保启动可靠,若软启动超时(如输出短路或负载异常),器件将进入保护性关断模式,持续保障系统安全。  EMC性能优化  轻松通过CISPR32 Class B测试  NSIP505S15系列针对EMC性能进行了大幅优化:在EMI方面,两层PCB板、外围电路仅串联2个磁珠的测试条件下,可轻松通过CISPR32 Class B测试并保有5dB以上裕量,显著简化系统EMI设计难度,降低外围滤波器件成本;在EMS方面,系统级ESD接触放电能力超过±10kV,从容应对生产组装与现场安装中的静电风险,进一步提升系统鲁棒性。  封装与选型  NSIP505S15系列器件提供两种封装版本:LGA14封装为紧凑型设计,隔离耐压达3kVrms,爬电距离4.1mm,可实现与竞品同类器件的pin-to-pin兼容,适用于体积受限的高密度布局场景;SSOW20封装隔离耐压达5kVrms,爬电距离8.2mm,为需要更大隔离耐压或特定PCB布局的应用提供了灵活选择。同时,该系列支持250kV/μs(典型值)的共模瞬态抗扰度(CMTI),并可在-40℃~125℃宽温范围内稳定工作,充分满足工业及汽车级应用的可靠性要求,客户可根据系统空间、安规要求及布板策略灵活选用。  持续丰富隔离电源产品矩阵  覆盖多元应用场景  NSIP505系列的发布进一步丰富了纳芯微隔离电源产品组合。目前,纳芯微可提供一系列高集成度的隔离电源方案,包括:  集成隔离电源与数字隔离器的二合一产品NSIP95/98系列;  集成隔离电源与隔离接口的NSIP93086(隔离RS485收发器)和NSIP9042(隔离CAN收发器);  可自选配置外部变压器的推挽式变压器驱动NSIP605x系列,为需要更灵活变压器选型的应用提供了高性价比选择;  专为隔离驱动供电设计的全桥变压器驱动NSIP3266/E,集成晶振与多种保护功能,并支持软启动,进一步满足驱动供电场景的严苛需求。  从高集成方案到灵活驱动方案,纳芯微持续完善隔离电源产品生态,为工业、汽车、光储充等应用提供更多高可靠性选择。  丰富的“隔离+”产品  引领隔离芯片标杆  凭借在隔离技术方面的积累和领先优势,纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品,以全生态“隔离+”产品矩阵,为高压系统筑造安全可靠的防线:  “+”代表增强安全:纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级,为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。  “+”代表全产品生态:纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心,拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合,为客户提供隔离器件的一站式解决方案。  “+”代表深度赋能应用:纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统,以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求,实现系统级安全、可靠与高效。  截至2025年,纳芯微隔离相关芯片已累计出货超27亿颗,作为全球领先的隔离芯片供应商,纳芯微致力于通过全面的“隔离+”产品布局,以核心技术IP和全产品生态,引领隔离芯片标杆,为全球客户提供一站式的隔离芯片解决方案。
2026-10-21 09:54 阅读量:308
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