纳芯微丨一颗芯片搞定BLDC驱动:NSUC1610高度集成电机控制方案解析

发布时间:2026-03-31 10:44
作者:AMEYA360
来源:纳芯微
阅读量:1502

  三相BLDC电机在汽车电子中应用十分广泛,例如座椅风扇、充电小门执行机构、主动进气格栅以及空调出风口等场景。对于这类车载小型执行机构,工程师通常希望在满足可靠性的同时,实现系统的低成本、小型化和轻量化设计。

  针对这一需求,纳芯微推出了专用小型电机驱动芯片 NSUC1610。该芯片在单器件中集成了车载高压LDO、LIN PHY、Gate Driver、MOSFET以及基于ARM内核的MCU,可为三相BLDC电机提供高度集成的控制方案,从而简化系统设计并提升车载电机控制的可靠性。

  本文将从BLDC电机的工作原理出发,介绍无感控制的基本方法,并结合NSUC1610的硬件架构解析其三相BLDC驱动方案的实现方式。

1.BLDC工作原理

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  图1.1 三相无刷电机磁链简图

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  图1.2 BLDC感应电动势

  三相BLDC需要三个半桥驱动,其拓扑图1.3所示。

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  图1.3 三相半桥逆变驱动结构

  2.NSUC1610 介绍

  NSUC1610内部集成了丰富的电机控制外设,包括 3路捕获比较模块(CAPCOM)、3路反电动势比较器(BEMFC)、模数转换器(ADC)、PWM控制模块、温度传感器、4路MOSFET半桥输出(MOUT)以及LIN通信接口(LIN PHY) 等。

  其中,片上的 4路MOUT半桥驱动可直接驱动小功率直流有刷电机、三相无刷直流电机以及两相四线步进电机,并可通过不同控制算法实现多种电机控制应用。

  此外,芯片内置的 BEMFC反电动势比较器支持BLDC电机反电动势过零检测,可用于实现BLDC电机的无感六步方波控制。

  图2.1展示了NSUC1610的内部资源框图。

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  图2.1 NSUC1610内部资源框图

  3.基于NSUC1610的BLDC方波控制

  BLDC常见的控制方式为六步方波控制。在每个换相周期中,三相绕组中两相导通,一相悬空,通过按照特定的导通顺序切换各相绕组的通断状态,即可驱动电机实现顺时针旋转(CW)或逆时针旋转(CCW)。

  在 CW(顺时针)模式下,扇区切换顺序为:

  SECTOR0➝1➝2➝3➝4➝5➝0

  图3.1展示了扇区0~5对应的三相电流与反电动势波形,其中绿色曲线表示相电流,蓝色虚线表示相电压(反电动势)。

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  图3.1 CW 模式下不同扇区对应的反电动势波形

  在 CCW(逆时针)模式下,扇区切换顺序为:

  SECTOR0➝5➝4➝3➝2➝1➝0

  扇区0~扇区5的三相电流和反电动势波形如图3.2所示。

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  图3.2 CCW 模式下不同扇区对应的反电动势波形

  在一个电角度旋转周期内,BLDC三相绕组的相电压变化如图3.3所示。当发生换相时,原本导通的绕组会进入浮空状态,但由于线圈中仍然存在电流,电感电流无法瞬间降为零,因此会产生一段退磁时间(Demagnetization Time)。

  在这一阶段,绕组中的续流电流仍然存在,使得相电压主要由续流电流产生的电压分量决定,此时测得的反电动势信号尚不能准确反映转子位置。待绕组中的能量逐渐释放完毕后,绕组电压重新由切割磁力线产生的反电动势主导,此时的反电动势信号才可作为转子位置检测和换相控制的依据。

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  图3.3 电机绕组三相电压波形

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  图3.4 电机换相逻辑图

  BLDC无感六步方波控制的核心在于反电动势(BEMF)的过零检测。通过检测反电动势信号的上升沿或下降沿,可以确定转子的电角度位置,并进一步实现换相控制。

  下面介绍 NSUC1610 中反电动势过零检测的硬件实现方式。

  NSUC1610内部集成了 三个反电动势比较器(BEMFC0、BEMFC1、BEMFC2),用于实现三相反电动势的过零检测。比较器的输出结果可作为 虚拟三相 Hall 信号,用于驱动三相BLDC无感六步方波控制算法。

  具体实现方式如下:三相电压的虚拟中性点(Virtual Star Point)连接至BEMFC0、BEMFC1、BEMFC2 的正向输入端;各相桥臂电压分别连接至比较器的反向输入端,其中:

  mout0 连接至 BEMFC0 的反向输入端

  mout2 连接至 BEMFC1 的反向输入端

  mout1 连接至 BEMFC2 的反向输入端

  其硬件连接关系如 图3.5 所示。

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  3.5 反电动势比较器的输入通道连接方式

  反电动势比较BEMFC模块的配置代码如下:

BEMFC->CR2_b.BRM = 0; // 0:虚拟星点参考 1:相位电压参考

BEMFC->CR2_b.BIS0 = 0; // 0:电压传感输入 1:电流传感输入

BEMFC->CR2_b.BIS1 = 0; // 0:电压传感输入 1:电流传感输入

BEMFC->CR2_b.BIS2 = 0; // 0:电压传感输入 1:电流传感输入

  BEMFC0、BEMFC1 和 BEMFC2 的比较输出分别连接至 CAPCOM0、CAPCOM1 和 CAPCOM2,用于实现反电动势过零点的捕获。其中:

  CAPCOM0 用于捕获 mout0 的过零点

  CAPCOM1 用于捕获 mout2 的过零点

  CAPCOM2 用于捕获 mout1 的过零点

  通过将 CAPCOM 的输入源配置为 BEMFC 比较器输出,即可在反电动势过零时触发捕获事件。配置代码如下:

CAPCOM->CCR_b.CIS0 = 1; // CAPCOM source:0:GPIO 1:BEMFC

CAPCOM->CCR_b.CIS1 = 1; // CAPCOM source:0:GPIO 1:BEMFC

CAPCOM->CCR_b.CIS2 = 1; // CAPCOM source:0:GPIO 1:BEMFC

  当电机以 CW 或 CCW 方向旋转时,在同一扇区内浮空相的反电动势变化趋势保持一致,即呈现 递增或递减的特性。

  以 扇区0 为例,无论电机以 CW 还是 CCW 方向旋转,浮空相 MOUT2 的反电动势均呈 递增趋势(↗),因此需要检测其上升过零点。

  六个扇区中需要检测的通道及对应的反电动势变化趋势总结如 表3.6 所示。

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  表3.6不同扇区对应的检测通道

  CAPCOM在不同扇区的配置如表3.7所示。

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  表3.7不同扇区CAPCOM配置

  通过上述配置,利用 NSUC1610 的片上资源即可实现对 BLDC 浮空相反电动势的检测与捕获。

  在 NSUC1610 的硬件模块与控制算法协同作用下,可实现 BLDC 从 电机启动到速度闭环运行的完整控制流程。图3.8展示了 NSUC1610 驱动下的 BLDC 三相电压与电流波形。

  从测试结果可以看出,电机启动及运行过程中三相电流过渡平滑,未出现明显电流尖峰,验证了该方案能够实现 稳定可靠的 BLDC 启动及闭环控制。

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  图3.8 NSUC1610 驱动下的 BLDC 三相电压与电流波形

  通过将MCU、LIN通信、电机驱动以及功率MOSFET等功能高度集成在单芯片中,NSUC1610能够显著简化BLDC电机控制系统的硬件设计。结合内置反电动势比较器和CAPCOM模块,可实现稳定可靠的无感六步控制方案。

  该方案非常适用于汽车小型执行机构应用,例如主动进气格栅、充电小门以及座椅风扇等场景,为汽车电子系统提供了一种高集成度、低成本且易于开发的电机控制解决方案

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2026-09-15 11:06 阅读量:221
充分释放GaN潜能:纳芯微GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题
  随着AI算力爆发以及人形机器人产业的快速演进,电源系统向着更高功率、更高效率、更小体积的方向快速迭代。氮化镓 (GaN) 作为宽禁带代表性器件,凭借开关速度快、损耗低、面积小等先天优势,已经成为超高功率密度系统不可或缺的核心拼图。但GaN是一把双刃剑,其优越性能落地到实际硬件设计时会遇到诸多工程挑战,如何通过驱动IC的技术创新,把GaN的理论性能充分释放,已经成为行业关注的焦点。  本文将从GaN应用与市场洞察、GaN关键应用痛点与驱动IC技术演进、纳芯微宽禁带半导体驱动及系统级解决方案三个维度展开,剖析GaN规模化落地背后的技术逻辑。  GaN市场迎来跃迁:  从消费电子走向高端高功率场景  GaN器件早已不再局限于消费类快充等传统场景,AI数据中心与人形机器人关节正在成为GaN两大里程碑式核心战场,同时新能源汽车OBC、激光雷达、户用光储储能、伺服驱动、D类功放等领域,也在加速导入GaN方案,充分挖掘器件在效率与功率密度等方面的价值。  数据中心供电:  功率密度激增,GaN的核心战场  AI大模型算力需求爆发直接带动GPU单板功耗持续攀升。从A100单卡400W、算力312TFlops,迭代到Rubin平台单卡约2300W、算力4PFlops,算力提升12倍的同时功耗提升6倍,算力与功耗同步高速增长。  行业已经全面进入Rack‑Scale机架级算力时代,计算单元由单张GPU显卡升级为整机柜。短短数年内,单机柜功率由60kW一路走高至600kW,未来规划将迈向1MW机柜,然而机柜物理体积并没有同步放大,对供电链路的功率、效率、集成度提出前所未有的严苛要求。  以数据中心PSU电源单元为例,当前54V架构主流 PSU功率密度为18‑33kW/U;下一代HVDC高压直流PSU将达到50‑100kW/U;后续机架式DC‑DC转换环节功率密度可达90‑120kW/U;更进一步,高压上板的板载DC‑DC模块,功率密度目标突破 2000W/in³。这一系列极具挑战的指标,也直接推动 GaN在数据中心供应链迎来爆发式的用量增长。  机器人关节:  下一个高功率密度主战场  人形与四足机器人属于电池供电移动式设备,自由度高、关节数量众多。每一处关节模组同时承受高峰值功率、毫秒级电流响应、长期间歇/连续运行、严苛的体积、重量与散热等多重约束。机器人关节功率覆盖10W‑4000W每轴,要在极小的结构空间里面实现全部性能,GaN凭借高频小型化的能力,成为机器人伺服驱动极具竞争力的技术路线,目前行业头部客户已经开启规模化方案验证与导入。  综合两大场景可以看到,消费电子应用会优先权衡成本因素;而在AI算力、机器人、车载OBC、光储等高端工业场景,系统更看重GaN带来的高效率、高功率密度收益,GaN的产业重心已经发生明显迁移。  GaN工程落地痛点:  驱动IC如何破解器件固有难题  GaN材料拥有优异的理论性能,但器件本身的电气特性带来诸多设计难点。超高功率密度系统追求高频高速运行,需要在有限PCB空间内部署全部器件并稳定工作,这就对GaN驱动芯片提出多重硬性要求:高抗共模干扰、极低传输延时、封装极致小型化;同时还要直面增强型GaN导通阈值低易误导通、需要安全关断、第三象限反向导通引发自举过压这三大固有痛点。  针对上述工程挑战,纳芯微打造了完整的GaN专用驱动产品矩阵,通过高CMTI抗扰设计、超短传输延时、多规格小型化封装,搭配独立开通关断驱动通道、芯片内集成负压、米勒钳位、智能有源自举控制、内置LDO稳压等系列核心技术,从芯片硬件层面一一对应化解各类应用风险,帮助开发者充分释放GaN器件的理论性能,降低整机系统的设计调试门槛。  痛点一:  高频高速工况,对驱动抗扰、延时、  封装提出极限要求  GaN开关速度极快,节点电压可在纳秒级别大幅跳变,电磁环境恶劣,驱动芯片必须具备很高的共模瞬态抗扰能力;同时全链路传输延时需要做到足够低,匹配器件高速开关特性。纳芯微GaN驱动系列产品可实现100V/ns以上的CMTI抗扰能力,最小传输延时低至2.6ns。  极致小型化不只是针对GaN功率器件、磁性元器件,而是电源全链路器件共同的诉求。驱动芯片作为核心配套,封装尺寸也必须同步压缩。纳芯微提供最小1.2×0.8mm WLCSP超小封装NSD2017,此外还覆盖2×2mm、3×3mm、5×7mm多种封装规格,覆盖从激光雷达高频小体积,到大功率工业电源的多元布板需求。  痛点二:  导通阈值低,易发生误导通风险  主流E‑mode增强型GaN导通阈值仅1V左右,很小的栅极电压扰动就会引发器件误开启,带来系统损坏风险。  传统驱动方案采用二极管构建开通、关断共用回路。二极管导通会产生约0.7V压降,器件关断状态下栅极电压被抬高至0.7V,距离1.1V阈值十分接近,电路任何微小扰动,都可能造成GaN误导通。  纳芯微GaN驱动芯片内部集成独立开通/关断双驱动通道,硬件层面舍弃关断二极管,从根源降低误导通风险,该技术已是纳芯微GaN驱动产品的标配。  为进一步保障650V高压GaN器件可靠关断,行业普遍采用负压关断方案。目前分立搭建负压电路主要分为三类:  双绕组变压器方案:正负绕组分别输出正压、负压,性能好,但绕组数量多,成本高;  单绕组搭配稳压管方案:绕组数量减少,成本折中,但正负电压互相牵制;  自举搭配分立器件方案:成本最低,但需要持续发波建立负压,对半桥占空比存在限制,工况适配范围受限。  三类分立方案各有短板,很难同时兼顾负压稳定性、PCB面积、硬件成本。纳芯微推出NSD2622N高压半桥GaN驱动,芯片内部集成负压生成电路,无需外部复杂分立负压网络,一站式实现稳定负压输出、精简外围器件、控制整体BOM成本。  针对双向GaN开关应用,驱动调试难度更高,纳芯微推出GaN驱动NSD2622NB,为双向开关场景提供集成负压、通道可灵活配置的专用驱动方案,大幅简化双向拓扑硬件设计。  痛点三:  第三象限反向导通,  带来自举上管VGS过压隐患  GaN在半桥拓扑第三象限反向导通时,SW节点电压可低至‑2V。该负压会给自举电容充电,造成上管栅源电压VGS被充到7V附近,对GaN的稳定运行带来高风险。  行业传统分立解决思路存在明显短板:一是上管栅极并联齐纳稳压管做钳位,会带来额外损耗、温升,占用PCB面积;二是在GaN DS两端并联肖特基二极管,试图拉低反向负压,却会增加寄生参数,牺牲功率密度,违背选用GaN器件的初衷。  理想的解决思路是在GaN反向导通阶段,直接切断自举充电通路,阻断负压向上管栅极传递。该逻辑对时序、逻辑控制精度要求极高,分立器件很难落地,却是集成电路的优势所在。  纳芯微NSD2123半桥GaN驱动内置Smart Bootstrap Charge智能自举有源开关,在器件进入第三象限导通瞬间精准断开自举链路,规避VGS过压风险,且集成米勒钳位功能,有效避免误导通,在外围电路极度精简下实现了安全自举与可靠关断。除此之外,半桥GaN驱动NSD2012N与NSD2622N在芯片内集成LDO稳压,不依赖外部自举供电,同样可以一站式解决负压关断与自举过压两大难题,排除寄生电容影响,提升开关速度。  纳芯微提供完整产品矩阵,  赋能超高功率密度系统开发  针对不同应用场景,纳芯微形成完整GaN驱动产品矩阵,客户可以按需选型:  NSD2017:WLCSP 1.2×0.8mm超小封装,2.6ns超低延时,适配激光雷达等高频、极致小型化应用;  NSD2123:110V半桥驱动,集成米勒钳位与Smart Bootstrap智能自举有源开关,面向数据中心IBC、机器人关节等中低压场景;  NSD2012N:单管GaN驱动,集成LDO+负压关断,QFN 3×3mm小封装;  NSD2622N:700V高压半桥驱动,集成LDO与负压关断,面向650V高压大功率电源、双向开关拓扑;  NSD2621:700V半桥驱动,芯片内集成LDO稳压。  同时需要注意的是,GaN带来的系统升级,挑战不只来源于功率器件本身,也不局限于栅极驱动芯片。整套系统链路都需要同步迭代:采样链路需要更高带宽、更强抗干扰;MCU需要更高算力与更快响应速度;通信接口抗干扰能力需要升级;面向HVDC高压架构,系统隔离性能也需要同步匹配。  作为全品类数模混合信号芯片提供商,除了GaN驱动以外,纳芯微还提供带死区控制、保护功能、采样功能的隔离智能栅极驱动,同时配套隔离器件、信号链、电源管理、MCU等多类芯片,覆盖从驱动、采样、控制到通信的全链路需求,帮助客户完成超高功率密度系统的整体设计落地。
2026-09-11 10:37 阅读量:266
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