聚力追光，不负相遇！2026广州光亚展萨瑞微电子之行完美落幕

发布时间：2026-06-17 09:34
作者：AMEYA360
来源：萨瑞微
阅读量：166

　　6 月 12 日，为期四天(6.9-6.12)的 2026 第 31 届广州国际照明展览会(光亚展)在广州琶洲展馆正式落下帷幕。作为照明全产业链风向标盛会，本届展会汇聚全球数千家上下游企业，共探照明节能、智能化发展新赛道。江西萨瑞微电子携全系列照明专用功率半导体产品亮相5.2 馆 C56展位，以 IDM 全产业链硬实力，与海内外客商、行业专家深度交流，满载收获圆满收官。

　　盛况直击

　　回顾本次展会全程，处处皆是行业蓬勃生机：展馆外停车场座无虚席，客商齐聚奔赴盛会;展馆入口观众络绎不绝，场内人来人往，全产业链从业者共赴这场光影盛宴。

聚力追光，不负相遇！2026广州光亚展萨瑞微电子之行完美落幕

　　萨瑞微电子展位全程热度不减，源源不断的行业客户、合作伙伴驻足参观，现场交流氛围浓厚。每一次驻足停留，都是对国产芯片实力的认可;每一次深入沟通，都是行业思想的同频碰撞。

聚力追光，不负相遇！2026广州光亚展萨瑞微电子之行完美落幕

　　以芯会友，一对一精准对接需求

聚力追光，不负相遇！2026广州光亚展萨瑞微电子之行完美落幕

　　四天展期内，5.2 馆 C56 萨瑞微电子展台访客络绎不绝，吸引海内外照明厂商、电源方案商、工程集成商驻足洽谈。

聚力追光，不负相遇！2026广州光亚展萨瑞微电子之行完美落幕

　　现场技术团队一对一接待来访客商，针对家用照明、商业亮化、户外路灯、植物照明、智能调光驱动等多元应用场景，深度讲解 MOSFET、肖特基二极管、ESD 防护器件、整流桥等核心元器件方案，精准解决灯具电源高效率、低损耗、小型化、高稳定性行业痛点。

聚力追光，不负相遇！2026广州光亚展萨瑞微电子之行完美落幕

　　不少深耕照明多年的行业同仁，对萨瑞从芯片设计、晶圆制造到封装测试一体化 IDM 模式表示高度认可。

　　芯品亮相，适配全场景照明需求

　　萨瑞微电子深耕功率半导体 IDM 一体化模式，覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试全链路，本次光亚展针对性展出适配各类 LED 照明驱动的核心元器件，精准匹配行业降本增效、小型化、高可靠需求：

　　01

　　肖特基二极管

　　Schottky Diode

　　超低正向压降，高频特性优异，适配宽压驱动、植物照明、户外路灯电源方案。

聚力追光，不负相遇！2026广州光亚展萨瑞微电子之行完美落幕

　　02

　　MOSFET 系列

　　MOSFET Series

　　低压 / 高压全规格，低内阻、低损耗，适配室内家居照明、商业筒灯、面板灯驱动电源，有效降低灯具发热、提升整机能效。

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　　03

　　ESD 防护器件

　　ESD Protection Device

　　小体积高抗静电，解决智能照明、调光灯具静电损坏痛点。

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　　配套碳化硅功率器件方案

　　面向大功率户外照明、工业智慧照明，实现更高功率密度、长寿命运行

聚力追光，不负相遇！2026广州光亚展萨瑞微电子之行完美落幕

　　感恩相遇，展会落幕初心不止

　　四天相聚，感恩每一位莅临 5.2 馆 C56 展位的客户、合作伙伴与行业同仁。每一次沟通、每一份信任，都是萨瑞持续技术创新、优化产品方案的动力。

　　展会虽落幕，合作不止步。未到现场或需深度对接的客户，可随时联系我司销售与技术团队，获取完整器件规格书、样品测试及定制化配套方案。

聚力追光，不负相遇！2026广州光亚展萨瑞微电子之行完美落幕

　　未来，萨瑞微电子将持续以芯片为基，以创新为翼，打磨更高性能、更具竞争力的功率半导体产品，携手广大照明伙伴，共筑低碳、智能的光环境新生态，下一场行业盛会再会

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解决效率；电压尖峰问题！萨瑞微推出“低内阻+低Crss；Coss”同步优化方案
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解决效率；电压尖峰问题！萨瑞微推出“低内阻+低Crss；Coss”同步优化方案

　　MOS 管 DS 尖峰的产生是多重因素共同作用的结果，涉及电路寄生参数、开关速度、负载特性及驱动电路设计等关键环节。针对这一行业痛点，萨瑞微创新性推出 “低导通内阻(Rds (on))+ 低反向传输电容(Crss)+ 低输出电容(Coss)” 同步优化方案，实现效率提升与尖峰抑制的双重突破。　　核心参数优势　　器件本身及 MOS 管周边元件会随电压变化率(dv/dt)产生寄生电感。若电感值较大，MOS 管关断时会在电感两端产生高额压降，叠加于漏极电压形成峰值电压;其中寄生源极电感(Ls)在关断时还会产生反向峰值电压，进一步放大尖峰幅度。　　萨瑞微通过精准调控 Crss 与 Coss 参数，有效降低振荡反馈，从源头抑制尖峰产生。实测数据显示，方案可显著削减漏极电压尖峰，提升电路工作稳定性(相关波形测试结果见原文附图)。　　效率与散热性能提升　　(输入条件：Vin=90Vac/60Hz，输出规格：20V/3.25A)　　更低的 Rds (on) 带来显著性能优势：相同功耗下器件温升更低，不仅能降低热应力对器件寿命的影响，减少高温导致的参数漂移与失效风险，还可简化散热设计，大幅降低散热片的体积与成本投入。(实测效率如图)　　稳定的EMI性能　　传统MOS　　低Rds(on)+低Crss;Coss　　产品核心优势　　低导通内阻设计：提升电路转换效率，降低器件工作温度，延长使用寿命，有效提升效率0.2%。　　低寄生电容组合：有效减少 LC 振荡，从根源抑制电压尖峰，提升系统稳定性。　　无额外 EMI 干扰：参数协同优化避免电磁兼容风险，无需额外增加滤波成本。　　萨瑞微 “低 Rds (on)+ 低 Crss + 低 Coss” 方案，打破单一参数调控的行业局限，通过三者精准协同实现深度系统级优化，助力客户在电路效率与电压尖峰抑制之间达成更优工程平衡，为电源、逆变器等各类电力电子应用提供高可靠性解决方案。
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