兆易创新与 Qt Group 达成全球合作，共筑嵌入式 GUI 新生态

Release time：2026-06-23
author：AMEYA360
source：兆易创新
reading：173

　　近日，兆易创新(GigaDevice)与全球领先的软件设计、开发与质量解决方案提供商 Qt Group 正式达成合作，双方将依托 GD32H7 高性能 MCU 系列，聚焦嵌入式 GUI 技术方案的联合打磨与优化，共同推动产品竞争力升级与开发者生态繁荣。此次合作标志着兆易创新在高端人机交互领域的生态布局迈入新阶段，也为双方在智能工业、储能、智能家居、消费电子等场景的深度协同奠定坚实基础。

兆易创新与 Qt Group 达成全球合作，共筑嵌入式 GUI 新生态

　　随着物联网与智能设备的快速普及，终端产品对高性能、高流畅度人机交互体验的需求持续攀升。兆易创新 GD32H7 系列 MCU 凭借强大的处理性能、丰富的图形外设接口及稳定的工业级特性，已成为工控、储能、智能家电等高端 HMI 场景的优选方案;而 Qt Group 的 Qt for MCUs 解决方案以独特的跨平台开发、高性能图形渲染、丰富组件库等优势著称，被广泛应用于各类智能设备的交互界面开发。

　　双方将围绕三大方向展开深度协作：完成 Qt for MCUs 在 GD32H7 平台的底层深度适配与性能专项调优，充分释放硬件潜能;联合开发面向典型行业场景的标准化 GUI 参考方案与工具链，降低开发门槛并加速客户产品落地;同时依托双方渠道资源共建生态，通过联合技术培训、开发者社区与市场推广，为客户提供全周期技术保障与开发赋能。

　　兆易创新高级副总裁、MCU 事业部总经理李宝魁表示：“兆易创新始终以构建完善的 MCU 生态体系为核心目标，Qt Group 在嵌入式 GUI 领域的技术积累与行业影响力，与我们服务高端客户、提升产品竞争力的战略方向高度契合。本次合作将充分发挥 GD32H7 系列的硬件优势与 Qt for MCUs 的软件能力，为开发者提供‘软硬件一体化’的高效 GUI 开发平台，助力终端客户打造更具差异化的智能产品体验。”

　　“中国嵌入式MCU市场正在快速发展，兆易创新的GD32H7系列已在工业自动化和消费电子等领域展现出强劲的市场竞争力”，Qt Group中国区总经理许晟表示，“Qt for MCUs与GD32H7平台的深度适配，将帮助兆易创新的客户大幅缩短从原型验证到量产上市的周期，同时满足面向全球市场的产品对国际安全标准与合规要求。我们期待帮助更多中国嵌入式开发者打造具备全球竞争力的智能产品。”

　　此次兆易创新与 Qt Group 的合作，是双方在嵌入式领域优势互补、协同创新的重要里程碑。未来，双方将持续深化技术协同与生态共建，为用户提供更完善的工具链与解决方案，共同推动嵌入式 GUI 技术的普及与发展，助力更多行业客户实现产品智能化升级。

兆易创新与 Qt Group 达成全球合作，共筑嵌入式 GUI 新生态


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兆易创新丨存算协同时代，每个计算节点都需要新的存储答案
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兆易创新丨存算协同时代，每个计算节点都需要新的存储答案

　　AI正以前所未有的速度重塑全球计算架构，而每一次计算范式的跃迁，都伴随着存储需求的结构性变革。针对这一趋势，兆易创新Flash市场部经理Paul近期发表了题为《兆易创新全面赋能AI时代利基存储市场》的主题演讲，系统阐述了AI时代计算架构变革给存储产业带来的结构性机遇，并分享了兆易创新在利基存储领域的战略布局与发展路径。　　AI时代的存储需求变革　　AI时代的计算需求，正从云端集中式处理向"云端+边缘"协同处理的模式深刻转变。AI的价值不仅在于算力的突破，更在于存与算的高效协同，每一个计算节点都对存储提出了新的要求。Paul表示，这恰恰是利基存储的历史性机遇，也是兆易创新长期布局、优势鲜明的核心市场。　　在云端，大规模并行计算与大模型训练对存储的带宽、容量与可靠性提出极高标准，HBM与大容量DDR5已成为AI服务器标配，而用于固件的NOR Flash需求也随之同步激增。在边缘侧，AI PC、智能手机、智能汽车及各类IoT传感器需要在本地实时运行模型，对超低功耗、快速响应与高耐用性提出了严苛要求。芯片内执行(XIP)技术让代码无需搬运即可直接运行，实现快速启动与实时响应，而低功耗LPDDR与NOR Flash的组合，正是端侧AI场景的最佳技术答案。　　在数据中心、端侧AI与汽车电子三大引擎的共同驱动下，全球利基存储市场正迎来黄金发展期。Paul指出，根据对市场的研判，2024年至2029年间，NOR Flash市场有望从28亿美元增长至42亿美元，利基DRAM市场预计从85亿美元增至132亿美元;SLC NAND市场也将从23亿美元提升至34亿美元。兆易创新已在三条产品线上构筑起完整而协同的产品矩阵，得以精准卡位、全面承接这一轮市场扩张带来的结构性红利。　　全场景赋能AI产业链　　截至当前，兆易创新的Flash产品累计出货已突破370亿颗。根据Web-Feet Research统计，2024年兆易创新在SPI NOR Flash领域的全球市场份额达到20.4%，稳居全球第二。　　Paul表示，这些优势源自公司深厚的技术积累：工艺制程上，兆易率先实现4xnm工艺量产;产品覆盖上，提供512Kb至2Gb的完整容量谱系，适配多元需求;品质标准上，高速、低功耗、低电压、小封装与业界领先的低PPM，构成了赢得全球客户认可的底层保障。从服务器的BIOS/Firmware到AI PC与IoT的广泛端侧应用，NOR Flash正以高可靠性深度赋能AI产业链的关键环节。　　备受关注的SLC NAND市场，则正面临结构性供需失衡。需求侧，网络通信、安防、工业自动化、物联网构成稳定基本盘，可穿戴市场需求大幅攀升，加之主流厂商收缩MLC产能，进一步推升了大容量SLC NAND需求;供给侧，存储巨头为追求更高利润，将产能优先分配给HBM、DDR5与3D NAND，主动缩减SLC NAND供给，叠加AI虹吸效应下晶圆与封测资源全面紧张，供给缺口持续扩大。正是在这样的格局下，兆易创新持续发力，进一步完善了在高可靠性利基存储市场的产品组合，与NOR Flash形成强大协同，同时助力缓解国内市场的供应紧张。　　Paul特别强调，在AI服务器、AI PC等新兴的高价值场景中，兆易创新的产品都展现出独特竞争力。无论是在AI服务器还是数据终端，公司的NOR Flash产品都对系统的安全稳定启动起着关键作用。　　随着在AI服务器、AI PC等领域定制化存储方案的陆续落地，兆易创新正从传统的存储芯片设计商，向覆盖“感存算控”的平台型AI解决方案提供商演进。Paul最后表示，感知、存储、计算、控制四位一体的布局，让兆易创新得以站在系统层面理解客户需求，提供超越单一芯片的整体价值。兆易创新愿与全球合作伙伴携手，共同迎接智能计算的广阔未来。
2026-06-22 09:49 reading：185
兆易创新丨800V HVDC商用元年：国产MCU破解AIDC供电转型难题
行业新闻

兆易创新丨800V HVDC商用元年：国产MCU破解AIDC供电转型难题

　　算力的尽头是电力。　　当英伟达Rubin GPU功耗锁定2.3千瓦、下一代Vermeer迈向5千瓦以上时，AI数据中心的供电挑战已从芯片延伸至整个电力基础设施的重新定义。一台AI服务器机柜的功耗正从数十千瓦级向兆瓦级迈进，传统供电架构正遭遇前所未有的效率与功率密度瓶颈。　　在这场由AI算力驱动的供电范式迁移中，芯片供应商正扮演着从被动跟随到主动定义的关键角色。　　在2026上海SNEC国际太阳能光伏与智慧能源展会上，兆易创新集中展出多款基于GD系列主控芯片的标杆电源方案，依托自研MCU、模拟信号链、存储全品类产品，实现从分布式光伏到算力数据中心用电侧全链条技术落地。　　半导体行业观察受邀到展位现场进行参观，兆易创新MCU事业部资深市场经理Jeff Cui，立足行业变革痛点与产品落地实践，向笔者深度解读了兆易创新在AIDC及全域数字能源赛道的技术布局与商业化思路，充分展现了其作为数字能源全域解决方案服务商的深厚技术实力。　　GPU功耗三级跳　　推动供电架构加速跃迁　　AI数据中心的供电架构变革，并非渐进式优化，而是一场被迫加速的系统性重构。　　从英伟达历代GPU的功耗演变轨迹来看，变化趋势清晰可辨：从H100到Blackwell，再到Rubin，单芯片功耗已从数百瓦跃升至超过1.2千瓦，Rubin整卡热设计功耗更是高达2.3千瓦，而下一代Vermeer预计将站上5千瓦以上。更值得关注的是，单机柜功率密度从2024年的约60千瓦、到2025年已攀升至200千瓦，预计2027年“标准机架”目标将指向600千瓦——功率密度三年内增长十倍，这意味着传统的48V母线、风冷散热和UPS供电等经典架构几乎触及物理极限。　　“在此趋势下，供电架构的演进方向也逐步清晰——以HVDC(高压直流)和SST(固态变压器)为代表的新一代供电架构正在加速走向前台。”Jeff Cui表示，与主流UPS供电的多次AC-DC变换不同，HVDC架构将交流电直接升压至800V直流，有效减少多级电能变换中的效率损耗，同时抬升母线电压大幅降低线缆电流。在业界实测中，800V HVDC相较传统UPS约92%的效率水平，整体能效可提升至97%以上。这对一座拥有数十万颗GPU的超大规模数据中心而言，意味着每年数以亿计的电费差异。　　英伟达在2025年OCP峰会上正式发布800V HVDC电源架构并发布技术白皮书，微软、谷歌等云计算巨头也在加速引入直流供电体系。而在中国市场，字节跳动已在今年年初宣布首次大规模引入800V HVDC方案，国内东数西算工程中新建大型AIDC，已逐步将800V供电纳入硬性要求。2026年，一度被业内视作800V HVDC商用元年。　　与此同时，为应对更高功率密度的供电需求，部分领先企业已经开始研发支持±400V和800V输出的1MW HVDC电源系统，进一步拉高了行业技术天花板。　　供电架构的跃迁并非仅是变压器和配电柜的更替，而是一场涉及整个电源控制链条的重构。更高电压、更高功率密度、更复杂的拓扑结构，对核心控制器件MCU提出了前所未有的挑战，不仅需要更高的主频和算力来支撑复杂的电源控制算法，还需要更丰富灵活的外设资源来适配多种新型拓扑结构的实时控制需求。　　这正是兆易创新GD32G5系列MCU切入行业变革切入点的技术逻辑。　　一颗MCU“跨界”突围　　打造AIDC电源控制标杆主控　　作为兆易创新专门面向数字电源和功率控制场景量身打造的高性能MCU系列，GD32G5采用Arm® Cortex®-M33，主频高达216MHz，配备高级DSP硬件加速器与单精度浮点单元，支持硬件FFT和三角函数加速，是本次AIDC全系列方案的核心硬件基座，也是10kW维也纳PFC、12kW OCP、7kW直流桩等标杆方案的主控芯片。　　▲GD32G5 MCU　　在采访中，Jeff Cui从算力、外设、安全、封装四大维度拆解了该产品的差异化优势：　　高主频与充沛算力：芯片内置硬件FPU浮点、FFT、硬件三角函数加速器(TMU)，PFC、LLC 等电源拓扑所需复杂数学运算由硬件完成，大幅缩短控制周期，支撑电源实现更高开关频率;片上配备512KB双Bank Flash+128KB SRAM，32KB零等待TCM内存，满足大参数控制算法存储需求。　　丰富的Timer资源：在AIDC场景下，除了功率等级提升，GPU的另一个特点是负载电流波动极大、电流动态响应要求极高，可能在很短时间内从零安培拉到数百安培。GD32G5的多路高精度定时器可以支持多相交错并联架构，甚至包括电流型LLC等先进拓扑，从而提升系统效率、优化电源输出纹波和谐波，满足GPU对瞬时大电流动态响应的苛刻要求。　　支持在线OTA升级：对于OTA在线升级和信息安全的需求，GD32G5 MCU支持双Bank FLASH分区在线升级，升级时设备无需停机，不影响业务正常运行。同时，芯片原生内置安全加密模块，满足AIDC日趋严苛的功能安全与信息安全规范，符合IEC61508 SIL2安全认证标准，为后续功率控制的安全等级提升奠定了坚实基础。　　超小封装：随着功率密度日益提升，器件的封装尺寸直接影响电源模块的功率密度指标。GD32G5提供了BGA64和WLCSP81等多种超小型封装方案，助力电源系统进一步压缩体积，适配AIDC电源砖小型化、高密度发展趋势，帮助电源厂商提升整机功率密度。　　这几点优势恰好击中了AIDC电源场景的几大核心痛点，系统性地回应了AI数据中心对供电架构“更高、更快、更小、更安全”的演进诉求，为AIDC迈向下一代供电基础设施提供了坚实可控的技术支撑。　　“这颗芯片还有一个很有意思的现象——GD32G5系列MCU最初研发瞄准的是数字电源和功率控制设计的，但凭借高算力、丰富定时器、小型封装等特性优势逐渐拓宽了产品应用边界，陆续在光模块、工业伺服电机、机器人灵巧手等多个领域都打开了市场。” Jeff Cui指出，“电源和电机控制硬件设计逻辑相近，再叠加下游行业小型化、数字化的改造需求，这颗芯片成了跨界放量的幸运儿，预计2026年出货量将迎来高速增长。”　　成套AIDC电源方案落地　　以数字化重构服务器电源产业链　　如果说AI芯片功耗谱系是面向未来的远景，那么12kW OCP电源便是当下供应链中最为紧迫的现实需求。　　“行业2025到今年上半年主流的GPU配套电源是5.5kW，但从今年下半年开始，12kW OCP将进入2到3年的黄金窗口期。”Jeff Cui对市场节奏的判断与行业趋势高度吻合。　　据市场分析机构数据，随着GB200系列放量出货，5.5kW电源已开始大规模部署，8至12kW更高功率电源有望伴随下一代Rubin GPU进入市场。　　▲左上：基于GD32G5系列MCU的OCP 12kW服务器电源方案　　从性能指标来看，12kW OCP的难度远非简单的功率叠加。首先，超高功率密度要求电源模块在有限体积内处理更高功率，实现这一目标需要采用多相交错技术，以降低纹波和谐波;其次，氮化镓、碳化硅等第三代功率半导体的渗透要求控制芯片在更高开关频率下仍保持精准和稳定。兆易创新的12kW OCP方案采用两颗GD32G5 MCU分工协作，一颗负责前级图腾柱PFC控制，一颗管控后级全桥LLC，有效支撑了这一高功率等级电源产品的稳定运行。　　另外，兆易创新还推出了应用于二次电源侧的多相Buck方案。众所周知，传统二次电源长期以模拟方案为主，硬件定型后参数无法修改，服务器电源标准迭代时需要重新改板开模，研发周期动辄数月;现在兆易创新推出全数字化多相Buck方案，仅通过软件修改代码参数即可快速适配不同电源规格，原生支持OTA远程升级、信息安全管控能力，具备灵活性更强、迭代更快速的优点，极大地缩短了开发和量产周期。　　此外，10kW三相维也纳PFC方案也是兆易创新本次展出的重磅新品。Jeff Cui在采访中特别谈及该方案的独特价值：“三相维也纳PFC原本用在直流充电桩里，为的是把三相交流电变成高压直流给车充电。而在HVDC架构下，系统同样需要把交流电变成±400V或800V的高压直流母线。这两个以前不同行业的需求，在三相维也纳拓扑中实现了交汇。”　　这款基于GD32G5系列MCU的方案在性能参数上也体现出较强的竞争优势：满载电流总谐波畸变率(THDi)低至1.303%，满载功率因数(PF)高达0.999，既可服务新能源汽车直流充电桩客户，也能直接适配AIDC HVDC前端整流场景，实现同一方案跨两个用电侧赛道的复用。　　据透露，兆易创新上述多项AIDC电源方案已与多家行业头部电源厂商进入深度合作阶段，部分项目已进入规模化量产阶段，市场反馈积极。　　MCU+边缘AI落地电源安全　　从被动保护走向前置预判　　在MCU的算力底座之上，端侧AI成为数字能源智能化升级关键方向，光伏拉弧、电源过流、高压短路等故障的提前预警，是AIDC与光储系统降运维成本、规避设备烧毁的刚需。　　对此，兆易创新正在尝试将端侧AI能力注入能源控制全流程。Jeff Cui强调：“现阶段边缘AI尚未在工业电源领域大规模商用，行业整体处在算法验证与产品预埋阶段。目前，行业主要布局两条技术落地路线，既适配低成本中小场景，也面向高阶智能电源需求。”　　路线一：轻量化模型片上运行，无需外挂NPU。　　此次展会上，基于GD32H7/GD32G5系列MCU的AI直流拉弧检测方案是该路线的一个典型样本。系统利用深度卷积神经网络实时识别电弧特征，在500k采样率下支持多达12路ADC通道的实时AI推理，模型仅占用1.7KB Flash空间，单次推理耗时不超过0.6毫秒，能够在直流拉弧发生前即完成预警。相比传统方案的故障发生后被动关断，AI方案实现了故障发生前的主动预判。　　路线二：自研内置NPU的新一代MCU。此类MCU更多是面向高阶智能电源、大型储能BMS场景，用于承载更大体量AI算法。　　目前行业的主攻方向还是故障检测和故障预判，从被动保护转向主动防护，这也是未来AI在电源领域最有可能率先规模化落地的方向。”　　据悉，兆易创新中央研究院已成立AI实验室，聚焦“MCU+边缘智能”的技术突破，在两条技术路径上进行同步布局，加速以AI技术推动能源控制技术革新。　　结语　　从光储充到AIDC，从模拟时代到数字智能，兆易创新的路径清晰而坚定——以不断进化的MCU为基石，支撑AI时代每一次从交流到直流的电能跃迁，用端侧AI赋予能源控制“从被动关断到主动预判”的感知智慧。　　未来，随着12kW OCP加速放量、800V HVDC标准逐步落地、机器人灵巧手等跨界应用持续拓展，GD32G5系列MCU正以扎实的芯片性能与完整的数字能源生态，成为中国半导体赋能全球AI基础设施的一个新坐标。
2026-06-18 09:36 reading：320
兆易创新丨光储充下半场，系统级能力才是终极答案
行业新闻

兆易创新丨光储充下半场，系统级能力才是终极答案

　　光储充产业正迎来一场意义深远的技术变革：光储融合成为标配，兆瓦级超充正加速落地，同时也把系统功率密度推向全新的高度。而功率的大幅提升同时带来了直流拉弧安全隐患加剧、多模块协同控制难度陡增、主控芯片算力需求增加等一系列棘手问题，通用MCU在系统级优化上已显得力不从心。　　作为全球半导体设计领域的领军企业，兆易创新在SNEC 2026展会上向业界释放出一个强烈信号：在光储充向高功率、高安全、高协同发展的今天，分散的元器件供应已无法满足系统级需求，兆易创新的应对之策是从“芯片供应商”向“系统能力输出者”转变。　　展会期间，兆易创新 MCU事业部市场经理毛明歌接受了维科网光伏的专访，她用3个关键词概括了公司的数字能源战略——协同、算力、全场景，并详细拆解了每个关键词背后的技术逻辑和产业思考。　　BMS系统级协同：MCU与AFE深度配合　　“今年储能市场不仅是在增长，更是在爆发。”毛明歌开门见山地说。　　光伏发电量的不断攀升，使得储能消纳成为必选项。电化学储能系统的核心是电芯，电芯的SOC(荷电状态)、SOH(健康状态)的估算精度，直接决定系统的寿命与安全。　　但这些估算并非孤立算法，而是一个“采集—计算—存储—控制”的闭环。其中，AFE负责高精度采样，MCU负责实时算法与控制逻辑。二者高度协同，才能够打造完整的BMS系统方案，满足从小型便携储能到大型储能系统全场景的需求。　　毛明歌进一步指出，兆易创新的差异化在于拥有完整的产品线，从阳台便携储能、户用储能、工商业储能到大型储能等各种场景都有对应的AFE产品;MCU方面，从通用型到专为数字能源优化的高性能实时控制MCU，已形成梯度覆盖;加之存储产品的传统优势，整套BMS方案可以做到“采—算—存”底层协同，无需客户跨厂商搭建。　　AI加持MCU：直流拉弧检测从“软肋”变“铠甲”　　直流拉弧是光伏与储能系统长期未解的安全痛点。与交流电不同，直流没有过零点，一旦拉弧便持续燃烧，极易引发火灾，而电芯起火后常规手段无法扑灭。更棘手的是，随着组件功率攀升，PV侧电流从过去的10安培以内跃升至20安培、40安培甚至更高，传统的频域判断法已基本失效。　　“传统方案在10安培以下勉强可用，再往上就无能为力了。这不是参数微调能解决的。”毛明歌坦言。　　▲基于GD32H7系列MCU的AI拉弧检测方案　　兆易创新的方案是将轻量化AI模型直接部署在GD32H7系列MCU上，用边缘智能取代传统频域判断。技术指标上，支持250k/500k 采样率，支持14通道同步推理，单次推理耗时小于1ms，实测准确率超过99.9%。　　1ms意味着系统可在电弧尚未发展成灾害时完成检测并发出指令。且所有推理均在本地完成，不依赖网络，无时延波动，也无数据上传的安全隐患。　　毛明歌指出一个产业趋势：“拉弧检测正在从区域性政策要求，变成全球市场的刚性需求。尤其在欧洲，很多项目招标已明确把AI拉弧检测写入技术规范。”换言之，它不再是加分项，而是入场券。　　除拉弧检测外，兆易创新已将AI算法延伸至设备预测性维护、故障超前诊断等场景。　　两大新方案：架构创新让算力“减负”　　今年的展会上，兆易创新还展出了两款全新的方案：1kW一拖二单级微型逆变器方案和10kW三相维也纳PFC方案，这两套方案均基于GD32G5系列高性能MCU开发。　　(1)1kW一拖二单级微型逆变器方案，采用“单级DAB+一拖二”拓扑架构。相较于传统Flyback结构，该方案有效解决了无功功率支持的问题，这在大规模光储应用密集的欧洲市场尤为关键。对比两级架构，BOM更加精简，无需使用大容量电解电容，成本更优，系统寿命更加可控。　　方案中采用了氮化镓器件，有效提升了功率密度，在同等尺寸下可实现更高功率，或在同等功率下体积更小，从而降低客户的安装及外壳成本。该方案效率达到约97%，主要针对阳台光伏应用场景，支持组件级关断和优化功能，可满足不同坡面屋顶的安装需求。该方案支持两路独立MPPT，支持接入两块光伏板，较去年500W方案功率更大，适用场景更广。　　(2)10kW三相维也纳PFC方案，采用中点电流法节省MCU控制算力，三电平拓扑结构可降低器件应力。方案效率可达到98%，兼顾高效率和高功率密度，适用于直流充电桩、AI数据中心电源等应用场景。　　兆瓦超充时代：算力、通信、热管理三重挑战　　当前，光伏、储能、充电产业正加速走向“光储充融合”与“兆瓦超充”的新阶段，而2026年更被业界视为“兆瓦超充元年”。两大趋势的核心在于追求更高功率与更精细复杂的协同控制，这对主控芯片与功率芯片间的协同效能提出了前所未有的挑战。毛明歌将其归纳为三大维度：　　第一，算力维度。　　碳化硅正快速替代硅MOS。以逆变器为例，当前硅MOS方案的控制频率通常在16-20kHz，而碳化硅方案要发挥其高频优势，控制频率需要提升。这意味着对MCU的实时控制算力要求提升。　　第二，通信维度。　　光储充融合的本质是多模块联动，即光伏、储能、充电桩、电网之间需要实时数据交换与协同。对MCU的通信接口丰富度、协议兼容性、实时性要求远超以往。　　“兆易创新从通用MCU起家，丰富的外设资源一直是我们的传统强项。”毛明歌介绍说，“下一代产品将围绕更高算力与更丰富通信接口布局。”　　第三，热管理维度。　　这并非MCU单点能解决的问题，磁性元器件、容性元器件、功率器件、整机散热结构需要系统级设计。在芯片层面，推进先进封装以降低芯片自身热功耗。　　技术护城河：产品、生态、方案三位一体　　面对大型储能BMS、V2G车网互动等前沿领域，兆易创新的技术护城河如何构建呢?毛明歌给出了三角框架：产品、生态协同、方案开发。　　产品层面：兆易创新依托MCU、模拟产品、存储产品等多元产品线的融合，针对光储充、AI数据中心等场景，持续布局更多满足未来需求的新产品。　　生态协同层面：公司与功率器件厂商开展战略合作，共建联合研发实验室，通过深入了解功率器件特性，进一步优化产品与方案设计。　　方案开发层面：公司目前已建立数字电源实验室，面向光伏、储能、充电桩、AI数据中心等数字能源全领域提供解决方案，覆盖从芯片功能验证到系统级闭环测试的全周期。“这有助于我们更深入地理解客户需求，反哺下一代产品定义，同时更好地发挥MCU特性，为客户提供更具针对性的应用方案。”她补充说道。　　而在规划方面，毛明歌还给出一个相对清晰的时间表：未来三至五年，公司产品将覆盖光伏、储能、充电桩、数据中心等各场景领域。　　可以看到，数字能源芯片的护城河，从来不是单点技术有多强，而是能不能在正确的时间，为整个系统提供最合适的‘采—算—控—存’闭环。　　终极逻辑：从元器件供应商到系统定义者　　几年前，行业论坛上曾有嘉宾感慨：“光伏逆变器里的MCU，以前就是个廉价执行者，谁便宜用谁。”然而，在今年的SNEC展会上，兆易创新展出的产品表明，那个时代已经是过去式了。　　在光储充走向高功率、高安全、高协同的今天，MCU、模拟、存储不再是无足轻重的配角，而是决定系统性能天花板的“芯”力量。　　兆易创新的路径提供了一种范式：不靠单点参数炫技，而用系统级思维将芯片深度融合;不追逐短期风口，而在技术深水区构建产品、生态、方案三位一体的长期壁垒。　　毛明歌的阐述，恰恰印证了兆易创新在数字能源领域的理念：“让每一毫安电流、每一个比特数据、每一兆赫兹算力，都用在它该用的地方。”这或许就是数字能源芯片的终极逻辑。
2026-06-16 09:20 reading：302
兆易创新推出全新光模块专用MCU，聚力光互联产业升级
行业新闻

兆易创新推出全新光模块专用MCU，聚力光互联产业升级

　　6月10日，兆易创新(GigaDevice)推出全新GD32E512和GD32E252系列光模块专用MCU，精准覆盖从传统低速到新一代高速光模块的多元应用场景。这两款新品的发布，将进一步拓宽兆易创新在光通信领域的产品矩阵，并将为AI算力中心及下一代网络基础设施的高速光互联产业升级提供强有力的底层硬件支撑。　　八年坚实积淀　　构筑光模块市场核心优势　　凭借长期的技术积淀与持续的产品优化，兆易创新已稳居全球光模块MCU核心供应商之列，构筑了坚实的市场优势。　　作为32位通用MCU领军企业，兆易创新在持续深化多领域业务的同时，其在光模块赛道的纵深推进也始终与全球通信技术的演进同频共振。2018年，公司前瞻布局光模块MCU研发，发布首颗专用芯片，实现技术破局，并于产品上市当年迅速达成百万级出货。随着通信技术红利的释放与公司产品矩阵的不断完善，2022年兆易创新光模块专用MCU出货量迈入千万级，跻身全球前列，并完成对海内外主流光模块与设备客户的全面覆盖。　　在AI 算力蓬勃发展与高速互联需求激增的浪潮下，兆易创新GD32 MCU现已全面适配基站与传输、数据通信及接入网等核心应用场景，并进一步锚定高速热插拔、硅光及 CPO 三大前沿技术方向，持续助力行业向下一代高速率网络演进。　　紧扣算力时代脉搏　　精准覆盖全场景应用　　GD32E512 系列：面向高速光模块场景的性能旗舰　　面向高速光模块核心场景，GD32E512系列MCU搭载Arm® Cortex®-M33高性能内核，主频高达120MHz，该系列MCU全新引入I3C 高性能通信接口，可满足高速光模块对高带宽、低时延、高密度通信的严苛要求。　　GD32E512系列MCU支持3×3mm 超小封装，充分契合光模块小型化、集成化发展趋势，释放PCB布局空间。此外，该系列还集成更丰富的行业专属外设，包括3 x I2C、1 x MDIO、2 x ADC、4 x DAC、2 x COMP、2 x OPA等，可一站式实现高速光模块的监控与管理功能。　　GD32E252 系列：面向低速光模块场景的产品升级　　GD32E252系列MCU专为低速光模块场景设计，搭载Arm® Cortex®-M23高性能内核。该系列经过迭代升级，产品模拟性能大幅提升，同时拥有高集成度、低功耗、高稳定性等优势，可完美适配接入网、工业光通信等应用领域。GD32E252系列芯片在小型化封装、宽温运行、抗干扰性能方面完成全面优化，帮助客户有效控制成本、加快研发进度。　　GD32 MCU全栈赋能　　芯启高速光联　　兆易创新GD32E512与GD32E252系列新品的齐发，标志着其光模块专用MCU产品矩阵的进一步完善，实现了对AI数据中心、云计算及骨干网等核心应用场景的深度协同与精准覆盖。　　兆易创新将持续深化在光通信细分赛道的布局，以硬核技术驱动产品创新升级。公司将依托全场景的产品生态与稳健的供应链保障，加速打通高速互联关键链路，为全域光互联产业的高质量演进筑牢算力根基，注入澎湃发展动能。
2026-06-10 09:43 reading：409
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