国产MOS走进沃尔玛供应链，安森德角色关键

　　近期，充电头网拆解了沃尔玛旗下 onn. 72W 3C1A 多口氮化镓充电器(型号 WIAWHT36008513)。

　　在这款面向海外大众零售渠道、通过 USB-IF PD 认证的量产机型中，安森德半导体(ASDsemi)ASDM30N40AE 30V N-MOS 作为 3路 USB-C 口的 VBUS 开关管 被正式采用，单口 1 颗，合计 3 颗上岗。

　　这也意味着，安森德的低压 MOS 已经货真价实跑在沃尔玛全球渠道的 72W 快充里。

　　图：onn充电头(图源：充电头网)

　　这个 onn. 充电头是什么量级?

　　ASDsemi

　　onn. 72W 3C1A 充电器配备了 3 个 USB-C 接口和 1 个 USB-A 接口，其中三个 USB-C 接口均支持 60W PD 快充，并全部通过 USB-IF 协会 PD 认证。

　　三口同时输出时各 20W，可满足三部 iPhone 同时快充;USB-A 口独立输出 12W，用于耳机、手表等小设备供电。

　　图：沃尔玛onn. 72W 3C1A

　　多口氮化镓充电器接口特写(图源：充电头网)

　　onn. 72W 3C1A 充电器拓扑方案

　　●3×USB-C(单口 60W PD3.0，三口同插各 20W)+ 1×USB-A(12W)

　　●总功率 72W，配备可折叠插脚，通过ETL 认证及 VI 级能效认证

　　●初级方案：智融 SW1106P + 纳微 NV6145C GaN

　　●次级同步整流：智融 SW1608 ×2

　　●三路 C 口降压：(智融 SW3561H + 智融 SWT40N45 ×2 )×3

　　●A 口降压：南芯 SC8101

　　●C 口 VBUS 开关：安森德ASDM30N40AE ×3

　　PCBA 采用多小板堆叠设计，器件间隙填充白胶加固，背面加装铜散热板——典型的高密度多口 GaN 架构，对 VBUS 开关管的导通损耗、封装散热、浪涌耐受能力提出了严苛要求。

　　图：onn 充电头 内部PCBA(图源：充电头网)

　　安森德的小体积大守护

　　三重充电保护

　　在 3C1A 架构中，每个 USB-C 口从降压模块输出到母座之前，必须设置一级 VBUS 开关管，承担三项关键任务：

　　关键任务

　　1插拔瞬间控制通断，实现端口隔离

　　2防止反向电流倒灌，保障前后级安全

　　3作为过流、短路保护的硬件执行端

　　onn. 72W 充电器选用了安森德ASDM30N40AE(丝印“30N40A”)，其核心参数如下：

　　对 20V/3A(60W)输出路径而言，5.7mΩ 的典型导通电阻意味着：

　　在满负荷输出时，单颗 VBUS 管的导通损耗仅约 0.2W 量级，相比 10mΩ 级别的竞品，温升表现更优，也为紧凑型多口充节省宝贵的散热空间。

　　PDFN3.3×3.3-8 是目前快充领域的主流封装：仅占板 3.3mm×3.3mm，底部露铜散热，支持自动化贴片，完美契合 onn. 这类“小体积+多口+成本敏感”的零售级 GaN 方案需求。

　　图：安森德ASDM30N40AE在沃尔玛

　　onn充电器上作为VBUS开关管

　　(图源：充电头网)

　　安森德能为电源客户带来什么?

　　ASDsemi

　　把拆解结果翻译成研发与采购的语言，安森德ASDM30N40AE 核心价值集中在三点：

　　1

　　参数真实可靠

　　30V/40A/5.7mΩ 为官方规格书定义值，非“最值营销”，设计余量清晰可控。

　　2

　　封装高度兼容

　　PDFN3.3×3.3-8 脚位与业内常用 30V VBUS MOS 兼容，替换评估成本低，导入周期短。

　　3

　　量产充分验证

　　产品已进入沃尔玛 onn.、摩米士等公开拆解案例，经过终端市场的实际考验，而非停留在样品阶段。

　　对于开发 20W–100W 多口充电器、车充、移动电源的厂商而言，ASDM30N40AE 的定位十分明确：VBUS 开关专用料，低压大电流场景下的国产稳健之选。

　　小结

　　ASDsemi

　　从“国产替代”到“国际零售品牌量产导入”，安森德 ASDM30N40AE 在 onn. 72W 3C1A GaN 充电器上的应用释放了一个清晰的信号：

　　在 30V 级 Trench MOS 赛道，安森德已经能够在多口快充 VBUS 开关这类高节奏、成本敏感、又极度依赖可靠性的关键位置上站稳脚跟。

　　未来，我们将持续梳理安森德 MOS 在消费电子、具身智能、工业互联、新能源、汽车电子、移动电源等领域的系列应用案例，与行业伙伴共同推动国产半导体的规模化落地。