新品发布 | 核芯互联推出 CL4903：内置EEPROM的256抽头双通道低温漂数字电位器

发布时间：2026-08-03 14:07
作者：AMEYA360
来源：核芯互联
阅读量：720

　　在精密模拟链路中，基准电压微调、增益校准与传感器补偿等环节，长期依赖机械电位器完成人工调节，存在温漂大、一致性差、无法自动化校准等固有局限。针对上述需求，核芯互联正式发布CL4903——256抽头双通道数字电位器。该产品端到端电阻100kΩ，采用14引脚TSSOP封装，通过I²C接口实现阻值的数字化编程，并内置EEPROM非易失存储器，抽头配置掉电保存、上电自动恢复，配合4ppm/℃的比例温度系数，为工业控制、仪器仪表及精密测量应用提供高稳定性的数控电阻解决方案。

　　一、精度与温度稳定性

　　CL4903在分压模式下的积分非线性(INL)与微分非线性(DNL)分别为±0.5LSB和±0.25LSB，满刻度误差与零刻度误差典型值均为±0.1LSB，可保证全量程范围内阻值设定的单调性与线性度。

　　温度特性方面，器件比例温度系数典型值仅4ppm/℃。在分压应用中，输出比例基本不受环境温度变化影响，-40℃～+85℃全温区内的长期稳定性显著优于机械电位器方案，满足校准级应用需求。抽头设置上电响应时间小于100μs，上电延迟典型值230μs，保障系统快速启动。

新品发布 | 核芯互联推出 CL4903：内置EEPROM的256抽头双通道低温漂数字电位器

　　二、内置EEPROM：配置掉电不丢，上电即恢复

　　CL4903集成两路相互独立的数字电位器，每路具备256个抽头位置，各路可独立配置为三端分压器或两端变阻器，支持模式自由组合。将两路配置为变阻器模式并串联使用，可在单芯片上实现总计512档的可调电阻，进一步细化调节分辨率。

　　CL4903区别于纯易失性数字电位器的核心优势，在于片内集成EEPROM非易失存储器。抽头初始位置保存在IVR(初始值)寄存器中，写入后自动固化至EEPROM，断电后配置数据完整保留，重新上电时自动加载恢复至断电前的阻值设定——无需主控重新配置，系统上电即处于已校准状态。这一特性使CL4903特别适合出厂一次性校准、现场免维护的应用场景。同时提供易失性WR寄存器直接访问机制：调试阶段可仅改写WR寄存器进行临时调节，参数确定后再固化至IVR，避免EEPROM的无谓擦写。EEPROM支持10K次擦写，125℃环境下数据保持时间达10年。

新品发布 | 核芯互联推出 CL4903：内置EEPROM的256抽头双通道低温漂数字电位器

　　三、接口与电气特性

　　接口：I²C兼容串行接口，支持标准模式(100kHz)与快速模式(400kHz)

　　地址：A2/A1/A0三位硬件地址引脚，单总线最多挂载8颗器件

　　供电：3V～5.5V单电源，或±2.25V～±2.75V双电源

　　功耗：待机电流典型值0.2μA，支持双通道同步关断模式

　　存储：内置EEPROM，10K次擦写寿命，125℃下数据保持10年，抽头配置掉电保存

　　可靠性：ESD防护 HBM ±7000V / CDM ±1000V;工作温度-40℃～+85℃

　　四、典型应用

　　CL4903适用于各类需要精密、可编程电阻调节的场合，包括：

　　· 机械电位器的数字化替代

　　· 低温漂可编程增益放大器

　　· 可调电压基准源

　　· 设定点阈值的精度校准

　　· 传感器微调与出厂校准

　　· 可调电流-电压转换器

新品发布 | 核芯互联推出 CL4903：内置EEPROM的256抽头双通道低温漂数字电位器

　　

新品发布 | 核芯互联推出 CL4903：内置EEPROM的256抽头双通道低温漂数字电位器

图4　CL4903 通过数控反馈电阻实现可调增益放大

新品发布 | 核芯互联推出 CL4903：内置EEPROM的256抽头双通道低温漂数字电位器


（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：新能源监测走向高密度集成：芯动神州ADCS16162的16通道采集方案

下一篇：国产MOS走进沃尔玛供应链，安森德角色关键

在线留言询价

相关阅读
新品发布｜核芯互联CLMX508 / CLMX509，精密模拟多路复用器
行业新闻

新品发布｜核芯互联CLMX508 / CLMX509，精密模拟多路复用器

　　核芯互联正式推出两款采用CMOS工艺的精密模拟多路复用器——CLMX508 与 CLMX509。CLMX508提供8:1 单端通道，CLMX509提供 4:1 差分通道(或双路4:1单端通道)。　　两款器件兼具低导通电容、低漏电流与低电荷注入特性，面向工厂自动化、PLC、模拟输入模块、ATE自动测试设备、数字万用表及电池监测系统等高精度信号切换场景。　　01 产品概述　　CLMX508与CLMX509支持双电源±5V～±16V 或单电源10V～32V供电，既可使用对称电源(如VDD=12V、VSS=−12V)，也可使用非对称电源(如 VDD=12V、VSS=−5V)，模拟信号范围覆盖VSS～VDD。所有数字输入均采用兼容TTL的阈值(高电平 ≥2.0V，低电平 ≤0.8V)，在全电源范围内可无缝兼容 TTL 与 CMOS逻辑电平，EN引脚可直接上接VDD。　　两款器件均采用先断后通(Break-Before-Make)切换机制，从设计上杜绝通道切换瞬间的短路风险;配合8000V HBM静电防护能力，可从容应对工业现场的严苛环境。　　02 核心亮点　　03 引脚配置　　　上图：CLMX 508(8:1单端) 下图：CLMX 509(4:1差分/双路 4:1单端)　　04关键电气参数一览　　TA=25°C，双电源 VDD=15V、VSS=−15V(除非另有说明);标注“实测”的取值以曲线图为准。　　05 典型应用　　06 封装与订购信息　　CLMX508 / CLMX509 提供 16 引脚 TSSOP(L)、QSOP(Q)与SOIC(W)三种无铅绿色封装，符合RoHS/RoHS2/RoHS3 指令，工作温度 −40°C～+125°C。
2026-11-02 15:46 阅读量：229
核芯互联 CLRD125BR 12.5Gbps 高性能中继器
行业新闻

核芯互联 CLRD125BR 12.5Gbps 高性能中继器

　　面对高速链路的信号完整性挑战，核芯互联正式推出高速线性中继器CLRD125BR，支持10.3125Gbps与12.5Gbps速率，提供I²C、EEPROM、Pin三种配置模式，支持2.5V / 3.3V供电，可灵活覆盖服务器、存储与交换设备中的长走线信号补偿场景。　　CLRD125BR 产品亮点　　01线性模式，协议透明：线性均衡架构不截断链路训练信息，原生兼容 PCIe Gen4 等依赖链路协商的协议。　　02三种控制模式：I²C / EEPROM / Pin Mode 自由切换，眼图实测三种模式输出一致性良好，适配不同系统设计习惯。　　03宽温稳定工作：−40°C 至 +85°C 全温区眼图实测，低温下眼图张开度优势进一步扩大。　　04完善信号检测：LOS检测输入阈值约120–160mV，支持RXDET检测，兼容多种AC 耦合电容与端接电阻组合。　　产品关键电气特性：对标TI DS125BR820　　以下数据全部来自CLRD125BR实测报告，与TI DS125BR820同台对比，标蓝数值为CLRD125BR占优项。　　▲ 注：CLRD125BR在2GHz接收回波损耗(−31dB vs −19dB)、10MHz–2GHz发送回波损耗(−20dB vs −9dB)、输出摆幅(1035mV vs 980mV)等关键指标上明显领先;功耗略高于对标型号。　　高低温眼图实测　　同一测试工装、同一测试条件下，CLRD125BR与TI对标方案在+85°C 高温与−40°C 低温下直连示波器实测。以下所有图片均为原始测试截图，未做任何修饰。　　01高温 85°C 眼图对比　　▼ 条件：12.5inch FR4 · 12.5Gbps · PRBS15 · EQ=0xF · EN_HF=1 · TEK 59G　　高温12.5inch长走线：CLRD125BR 眼宽领先约56%，眼高接近TI 方案的2.1 倍，眼睛明显更开张。　　高温10inch：CLRD125BR 眼高突破300mV，眼宽、眼高双双大幅领先，高温均衡能力优势显著。　　02低温 -40°C 眼图对比　　▼ 条件：12.5inch FR4 · 12.5Gbps · EQ=0xF · EN_HF=1 · TEK 59G　　低温12.5inch：CLRD125BR眼高412mV，超出对标方案57%，全温区输出一致性更稳。　　低温10inch：CLRD125BR眼高达到568mV，眼图饱满清晰，低温裕量充足。　　线性模式常温一致性　　25°C、3.3V、12.5Gbps 线性模式下，多颗芯片抽样实测：眼高 348–445mV、眼宽 58.4–59.6ps，片间一致性出色，批产质量可控。　　▲ 线性模式常温眼图实测：12.5Gbps，输入 2.5inch + 10inch，25°C，3.3V　　回波损耗实测对比　　与TI DS125MB201同台实测回波损耗：2GHz频点接收差分回波损耗−31dB，发送端 10MHz–2GHz达−20dB，端口匹配设计扎实。　　系统级验证：PCIe Gen4 实测通过　　CLRD125BR已完成PCIe Gen4系统级链路测试，搭配Gen5 / Gen3 SSD在4inch走线下实测联调通过;BERT直连10.3125Gbps眼图清晰对称，为10G以太网等应用预留充足裕量。　　▲ PCIe Gen4 系统测试平台实拍　　▲ BERT 直连眼图：10.3125Gbps，TEK 示波器实测
2026-09-28 10:21 阅读量：312
新品发布｜核芯互联 CLI79 / CLI87 系列精密光学隔离电压传感器
行业新闻

新品发布｜核芯互联 CLI79 / CLI87 系列精密光学隔离电压传感器

　　在电机驱动、光伏储能等功率转换系统中，电流与电压的精准检测，往往隔着一道必须跨越的高压隔离屏障。核芯互联正式发布两大系列精密光学隔离电压传感器——CLI79系列(CLI79B / CLI79A / CLI790)与CLI87系列(CLI87B / CLI87A / CLI870)，一个主攻电流检测，一个专攻电压检测，为功率系统提供完整的隔离检测组合方案。　　两大系列均采用先进的Sigma-Delta(Σ-Δ)调制技术，结合斩波稳定放大与全差分电路拓扑，配合核芯互联成熟的光电耦合隔离技术，实现了低失调、高增益精度与高稳定性的统一，并可满足UL1577：5000 VRMS/1min安全认证标准。　　 核心参数一览　　CLI79与CLI87系列共享核心技术平台，在隔离耐压、共模抑制、温度范围等关键指标上保持一致，确保两款产品在系统设计中可灵活搭配使用。　　CLI79系列：精密电流/电压隔离传感器为电流检测而生：±200mV 差分输入，8 倍增益　　CLI79 系列专为电源转换器中的电流和电压传感而设计。在典型的电机驱动方案中，电流流经检测电阻产生压降，经 CLI79 隔离检测与变换后，在隔离屏障另一侧产生与电流成正比的差分电压输出。　　200kHz 带宽与2.5µs快速响应，让系统能够快速捕捉短路或过载等异常;15kV/µs的高共模瞬态抑制特性，则保证了高噪声环境下对电机电流的精准、稳定监控。　　核心亮点　　±0.5% 高精度增益(CLI79B)，另有±1%(CLI79A)/ ±3%(CLI790)可选　　60dB信噪比，5V单电源下实现优越的动态范围与线性度　　0.3mV输入失调电压，增益漂移仅-50ppm/℃　　最大0.05%非线性，满幅差分输入范围±300mV　　VDD2工作范围 3~5.5V，隔离的全差分系统结构　　应用场景　　交流和伺服电机驱动器中电压/电流检测　　太阳能逆变器、风力发电机逆变器中的直流总线电压检测　　工业过程控制　　数据采集系统　　开关电源系统中的信号隔离　　通用的模拟信号隔离　　传统电流传感器的替代　　CLI87系列：高阻抗电压隔离传感器为电压检测而生：2V 输入，1GΩ 高输入阻抗02　　CLI87系列是专门为电压感知应用设计的光隔离放大器。0~2V 输入范围配合高达1GΩ 的输入阻抗，使其非常适合功率转换器系统中的隔离电压传感——即使分压电阻 R2 高达 1MΩ，额外引入的测量误差也仅约 0.1%，在电池供电与光伏逆变器应用中可以灵活权衡测量精度与分压功耗。　　器件还提供一个高电平有效的关断引脚(SHDN)，可将输入侧电源电流降至µA 级(典型 9µA)，对电池供电等低功耗场景尤为友好。　　 核心亮点　　单位增益1 V/V，三种增益精度可选(0.5% / 1% / 3%)　　1GΩ输入阻抗，分压测量几乎不引入额外误差　　-35ppm/℃ 增益漂移，失调电压漂移23µV/℃　　100kHz带宽，最大0.1% 非线性　　高电平有效关机控制引脚，IDD1可降至µA级　　典型应用场景　　交流和伺服电机驱动器 中隔离式电压检测　　隔离式太阳能逆变器、风力发电机逆变器中的直流总线电压检测　　隔离式传感器接口　　数据采集系统中的信号隔离　　通用的电压隔离　　CLI79 vs CLI87　　两款新品同源同平台，面向的检测对象不同　　测电流选 CLI79，测电压选 CLI87　　注：以上数据整理自产品数据手册，典型值测试条件为 TA=25℃。　　 三档精度，按需选型　　两大系列均提供三种增益精度版本，从普通检测到高精度计量全覆盖：　　封装与认证　　两大系列均采用DIP8 封装，输入侧与输出侧之间保持安全隔离间距，可满足UL1577(5000 VRMS/1min)安全认证标准，直接兼容现有光耦隔离放大器的PCB布局。
2026-09-24 11:15 阅读量：364
核芯互联发布CLI343/CLI349 系列光隔离栅极驱动器
行业新闻

核芯互联发布CLI343/CLI349 系列光隔离栅极驱动器

　　在高压功率变换的世界里，每一纳秒的延迟、每一毫安的驱动能力，都直接关系着系统的效率与可靠。核芯互联正式发布两款光隔离栅极驱动器——CLI343与CLI349，以光耦隔离的成熟可靠，直面SiC/GaN与IGBT驱动的严苛挑战。　　两款器件均采用LSOP-6贴片封装，绝缘耐压达5000VRMS/1min(UL1577)，工作温度 -40℃~105℃，满足工业与新能源应用的严苛要求。　　配图：功能图(在VCC和VEE之间必须连接一个1 μF的去耦电容)　　Part 01　　CLI343 · 4A 大电流轨到轨栅极驱动器　　CLI343面向电机控制逆变器应用，高峰值输出电流可直接驱动1200V/200A等级IGBT;对更高耐压器件，亦可用于驱动IGBT栅极分立功率级。按IEC/EN/DIN EN 60747-5-2，最高绝缘电压VIORM = 891Vpeak。　　✦ 核心亮点　　4A最大峰值输出电流(最小3A)，轨到轨输出电压　　200ns最大传输延迟，100ns最大传输延迟差　　35kV/μs最小共模抑制(VCM=1500V)　　具有迟滞的UVLO(典型12.8V/11.8V)　　ICC最大3mA，VCC工作范围15~30V　　强共模抑制能力确保微控制器在大共模噪声环境下正常工作;输入电流直接驱动LED并兼具迟滞特性，输入端无需额外施密特触发器。　　Part 02　　CLI349 · 2.5A 输出轨到轨栅极驱动器　　CLI349内置AlGaAs LED，光耦合至带功率输出级的集成电路，专为驱动功率SiC/GaN MOSFET与IGBT而生。输出级高工作电压范围提供栅控器件所需驱动电压，高峰值输出电流可直接驱动1200V/100A等级器件。　　✦ 核心亮点　　2.5A最大峰值输出电流，轨到轨输出电压　　120ns最大传输延迟，50ns最大传输延迟差　　具有迟滞的LED输入电流，抗差模噪声抖动　　具有迟滞的UVLO(典型13.4V/12.4V)　　ICC最大3mA，VCC 工作范围15~30V　　基于BCD工艺打造，峰值电流更高、速度较上代提升一倍，有助于缩短SiC/GaN MOSFET开关死区时间、提升系统整体效率;轨到轨输出让栅极驱动电压达到期望值且几乎无能量损失。　　CLI349 vs CLI343 核心参数对比　　大电流 IGBT选CLI343 / 高速 SiC/GaN选CLI349　　注：对比数据以官方对比图口径整理若与实测数据图存在差异，以实测数据为准。　　配图：封装外形图　　✦ 推荐应用电路　　VCC与VEE之间须接1μF去耦电容;LED 两端电阻(约 1.5:1)构建平衡电阻网络，提升共模抑制;栅极电阻 RG 限制栅端电流、控制开关时间。　　配图：推荐应用电路与LED驱动两端的电阻　　✦ 应用场景　　01　　IGBT / MOSFET 栅极驱动　　02　　交流 & 无刷直流电机驱动　　03　　可再生能源逆变器　　04　　工业逆变器　　05　　开关电源
2026-09-21 10:11 阅读量：356
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
TPS63050YFFR Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码：

验证码