江西萨瑞微电子典型失效案例分享沙龙圆满落幕！

发布时间：2026-10-26 10:04
作者：AMEYA360
来源：江西萨瑞微
阅读量：141

　　引言

　　江西萨瑞微电子科技有限公司承办的典型失效案例分享沙龙顺利落下帷幕。本次沙龙聚焦半导体分立器件、电路保护器件实际应用失效难题，采用线下现场交流 + 线上同步直播双模式，汇聚电源、BMS、工控、安防等领域的行业同仁，围绕 MOS、二三极管、ESD/TVS 器件失效痛点开展深度技术研讨。

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　　活动现场

　　活动现场我们准备了精致水果与茶点零食，在轻松融洽的氛围中，开启干货满满的技术分享。

　　萨瑞微电 FAE孙工作为主讲人，结合公司完整的可靠性实验室与失效分析能力，带来满满的实战内容。

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　　核心分享干货

　　器件为什么会失效

　　1

　　电过应力(EOS)失效

　　● 器件承受的电压、电流或功率超出了它能承受的上限。过电压里最常见的是浪涌电压——市电波动、电路部件产生的高压、器件耐压不足都可能触发;

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　　过电流和过功率则是典型的热致失效，电流密度大的局部先被烧穿。整流二极管、滤波电容、输出管、驱动器这些电流驱动和能量输出回路，是 EOS 失效的高发区。

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　　2

　　机械应力失效

　　● 外部因素如结构不合理、弯折、热失配、安装应力、引脚成形不当、振动，内部因素如芯片内部微裂纹、划伤、划片损伤、键合弹坑。这类缺陷平时不易察觉，需要用 DPA、CA 等手段系统评价。

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　　3

　　ESD 静电失效

　　● 静电不只是“电人”一下那么简单。它能让元件吸附灰尘改变线路阻抗，能瞬间破坏绝缘层让器件完全失效，也能造成软击穿——器件当时还能用，但寿命已经受损。ESD 失效点往往集中在 MOSFET 的边缘元胞和栅极附近，这是电压最容易超栅氧承受能力的位置。

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　　此外还有一类常被忽略的场景——非钳位感性负载开关(UIS)。回路关断瞬间，电感里储存的能量必须全部释放，此时高电压、大电流最容易把器件雪崩击穿。EAS 能量可以通过公式算出来(EAS=1/2LLIAS² 如果不用开关MOS管的话,公式变为EAS=1/2LLIAS²BVDSS/BVDSS-VDD)，做到心中有数。

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　　典型案例拆解

　　从器件各类失效模式概述切入，深度拆解 MOS 管、二三极管、ESD/TVS 保护器件的失效核心诱因;结合大量真实工程案例，剖析终端产品在电源、BMS、工控、安防场景下频频遇到的器件失效难题。

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　　依托萨瑞完备的可靠性与失效分析实验室能力，分享覆盖 ATE 电参数测试、I‑V 曲线、X‑RAY、SAT 超声扫描、FIB 聚焦离子束、切片开封等全套分析手段，讲解如何定位失效根因，为研发、品质工程师提供解决实际问题的思路参考。

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2026-07-24 09:28 阅读量：670
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