一颗MDD辰达半导体的MOS管守住BMS电池安全底线

发布时间:2026-11-03 11:49
作者:AMEYA360
来源:MDD
阅读量:224

  电池管理系统(BMS)常被称为电池包的“大脑”,负责监测每一节电芯的电压与温度,在发生过充、过放、短路等异常工况时切断回路,同时对压差不一致的电芯做均衡修复,保障电池使用安全与使用寿命。

  BMS的保护功能能否可靠执行,很大程度取决于电池主回路中的MOS管。MOS不只是简单的电子开关,更是BMS实现保护动作的核心执行器件。

一颗MDD辰达半导体的MOS管守住BMS电池安全底线

  一、BMS中MOS的作用

  在BMS电路里,MOS管主要承担充放电控制、电芯均衡、故障保护响应三类工作。

  01 充放电控制:MOS串联在电池正极主回路,控制电池包充放电回路的通断,相当于电池和外部负载之间的总闸。

  02 电芯均衡回路:当电芯之间出现电压差,均衡回路通过电阻放电把高压电芯电压拉平,避免个别电芯性能落后,造成整组电池提前报废。

  03 故障保护响应:出现短路故障时,MOS需要在微秒级完成关断。如果响应延迟,芯片结温会在几毫秒内超过安全阈值,造成MOS烧毁,进一步引发系统故障。

  以上应用场景,对MOS提出了综合要求:需要具备大电流承载能力、低导通损耗、快速开关特性,同时要有足够的单脉冲能量耐量EAS,各项指标缺一不可。

  二、BMS高温工况异常

  在电动两轮车、小型储能设备开发过程中,常会遇到这样的现象:设备运行一段时间后出现限流保护,重启设备恢复正常,故障反复出现。拆解设备观察MOS没有明显烧毁痕迹,但导通电阻RDS(on)已经出现20%以上漂移。

  故障不一定来自MOS本身品质,而是器件封装散热能力和实际工况不匹配。

  传统TO-252封装60V MOS,内热阻RθJC约2.0-2.5℃/W。多颗并联大电流工作时,芯片和外壳温差可达60-80℃。环境温度40℃的条件下,即便壳温控制在80℃以内,芯片结温也已经接近125℃的器件上限。

  TOLL大功率贴片封装,可以很好解决BMS高功率设计下的散热难题,对比TO-252封装有几方面优势:

  1. 热阻降低30%以上,更大焊盘面积优化导热路径,热量可以快速传导到PCB铜箔;

  2. 支持开尔文连接,隔离源极功率走线电感,开关速度提升约20%,开关损耗下降30%,适配高频FOC控制BMS;

  3. 封装寄生电感更低,短路保护时电压采样更贴近真实工况,保护判断更可靠。

  MDD辰达半导体已实现30V-100V全电压平台TOLL封装MOS量产,各场景选型参考如下:

一颗MDD辰达半导体的MOS管守住BMS电池安全底线

  针对选用TO-252封装的中等功率方案,MDD同样有对应型号覆盖:

一颗MDD辰达半导体的MOS管守住BMS电池安全底线

  三、均衡MOS不容忽略

  均衡回路MOS工作电流一般仅几百毫安到几安培,不少项目会直接选用普通小信号MOS。但均衡MOS需要长期高频开关工作,一旦失效,电芯均衡功能直接失效。电芯压差不断累积,会造成电池包容量快速衰减。

  MDD针对BMS均衡回路推出SOT-23系列专用MOS,参数如下:

一颗MDD辰达半导体的MOS管守住BMS电池安全底线

  除主回路MOS与均衡MOS之外,MDD辰达半导体可提供BMS整套配套元器件,实现一站式选型。

一颗MDD辰达半导体的MOS管守住BMS电池安全底线


(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
短路、尖峰、炸管?MDD辰达半导体这颗TVS全搞定
  随着两轮、三轮电动车的普及,大功率、大电流的电池包已成为标配。众所周知,BMS(电池管理系统)是电池组的贴身保镖,而BMS保护板上的MOS管,则是直面过流、过压、短路等致命冲击的第一道防线。  然而,在极其苛刻的短路保护场景下,MOS管极易面临“炸管”危机。今天,一篇文章解析,如何用一颗元器件,改善这个痛点。  应用痛点-BMS短路保护中的瞬态过压  在BMS充放电回路中,当负载发生短路时,电流极其巨大。系统要求充放电MOS管必须在几十微秒(μs)内极速关断。  这种极速关断会导致极高的电流变化率(dI/dt),从而在MOS管的漏极瞬间激发出极大的尖峰电压。  虽然现在主流的高性能MOS管EAS(雪崩耐量)已经很高,但单靠MOS管硬抗,极易超过其物理极限导致炸管。此时,必须有一颗专门的大功率TVS来吸收掉多余的能量,替MOS管分流。BMS充放电框图  新一代TVS-13SMDJ85CAF  它采用标准的DO-214AB (SMC) 贴片封装,体积小巧却蕴含着惊人的能量。结合全新的芯片工艺,它专为储能,电摩等大功率电池组中BMS的充放电MOS提供瞬态电压抑制而设计的。  三大核心硬指标  峰值脉冲功率高达13000W:具备高达 13000W 的峰值脉冲功率承受能力(10/1000μs波形)。面对短路瞬间的狂暴能量,能瞬间吸收。  极致压低的钳位电压(VC):在更贴近实际短路波形的8/20μs测试下,可以扛住高达 1700A的最大反向浪涌电流,同时将钳位电压死死压在105V以内。  极速反应与超低漏电:拥有极快的响应时间,在瞬态尖峰产生的瞬间立即动作;同时具备超低漏电流特性,不干扰BMS正常的高精度采样。  TVS升级的优势  8-20us防护能力对比:  在实际的BMS充放电回路应用中,换上 13SMDJ85CAF后,对MOS管的防护能力带来了质的飞跃:  性能飙升  空间更省:在同样SMC封装尺寸下,单颗功率大幅增加,直接减少了PCB的占用面积,迎合BMS保护板轻量化、高集成度的趋势。  风险更低:传统方案常需要多颗TVS并联,极易因为均流差异导致“最弱的先被击穿,进而拖垮全盘”。13SMDJ85CAF 单颗实力强悍,大幅减少并联数量,彻底消除均流隐患。  MOS更安全:超低的VC(钳位电压)等于给MOS管穿上了一层“绝缘防弹衣”,让整车在极限短路工况下依然稳如泰山。  电动车安全无小事,每一次短路、每一次急停,都是对BMS保护板真实实力的考验。13SMDJ85CAF 这颗SMC封装的大功率TVS,用13000W的硬核指标和超低VC,选对TVS,让BMS减少炸管发生!
2026-11-02 15:53 阅读量:230
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
MC33074DR2G onsemi
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码