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ROHM课堂 | 为何48V不再够用？ <span style='color:red'>AI服务器</span>机架重塑电源架构新潮流

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ROHM课堂 | 为何48V不再够用？ AI服务器机架重塑电源架构新潮流

　　单台服务器机架的功耗正逼近1MW大关。随着由大量GPU构成的AI服务器迎来爆发式增长，数据中心的电源设计正面临着一场根本性的变革。多年的行业标准——48V直流(48VDC)输配电方式已逐渐接近物理极限，业界正在加速向高压直流(HVDC)系统转型。本文将探讨这一转型背后的技术必然性，并阐述下一代电源架构的应用方法路径。　　AI功耗爆增：　　48VDC正面临物理壁垒　　全球各地正在掀起新一轮数据中心建设热潮，为更大程度地提升每平方米的算力，服务器机架正朝着高密度化方向发展。其核心在于AI处理中不可或缺的GPU。　　图1：预计到2030年，全球AI服务器的耗电量将超过800TWh，接近1000TWh。出处：国际能源署(IEA)　　解决方案就在欧姆定律中：　　提高电压即可降低电流　　减少电流的方法其实很简单——那就是提高电压。在功率保持不变的情况下，电压越高则电流越小。当在800V电压下供应1MW的电力时，所需电流将骤降至1,250A。由于母排损耗与电流的平方成正比，因此，从48V升至800V可使功率损耗降至原来的约1/278。　　在这种情况下，目前业界已浮现出两种HVDC架构作为主要候选方案。　　两种方式均属于“高压直流(HVDC)”范畴，但所采用的半导体和电路结构不同。对于设计工程师而言，必须在理解这些差异的基础上对系统进行优化。　　HVDC改变电源电路：　　SiC和GaN所发挥的作用　　一旦电压架构发生变化，电源电路的设计也将从根本上发生改变。在HVDC系统中，转换效率即使微幅提升，都具有举足轻重的意义。仅需将1MW机架的转换效率提升2%〜3%，便可节电20kW〜30kW——这相当于一栋中型办公楼的整体耗电量。　　提高效率的关键在于采用了SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)的下一代功率半导体。与以往的Si功率器件相比，这些宽带隙半导体的开关速度更快，损耗更低。　　实现示例：适用于800VDC的　　电源单元电路结构　　ROHM已经完成了针对800VDC和±400VDC等HVDC电源的、经过功率优化的电路和系统的仿真。具体的实际应用示例如下：　　图3：ROHM提供的支持800VDC和±400VDC的电源系统解决方案。可根据应用需求选择Si功率MOSFET、SiC功率MOSFET及GaN HEMT　　图4：适用于800VDC用电源侧机架及服务器机架的ROHM电源单元(PSU)示例。电源侧机架用PSU由维也纳整流电路和隔离型三相LLC谐振转换器构成。服务器机架用PSU则由隔离型三相LLC谐振转换器构成。主要特点在于高转换效率和小型化

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ROHM

发布时间：2026-06-18 09:47 阅读量：303 继续阅读>>

罗姆的SiC MOSFET应用于面向<span style='color:red'>AI服务器</span>电源的电池备份单元

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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

　　中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。　　随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。　　此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。　　另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。　　下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。　　罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。　　<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能，以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接：　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET使用时的应用优势　　・白皮书：ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案　　・访谈文章：数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因

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罗姆

发布时间：2026-05-28 09:23 阅读量：496 继续阅读>>

纳芯微丨<span style='color:red'>AI服务器</span>电源揭秘，水有水源，算力有电源

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纳芯微丨AI服务器电源揭秘，水有水源，算力有电源

　　从市电输入到约0.8V芯片内核供电，AI服务器电源就像一套高标准供水系统：　　源头要稳，备援要快，调压要准，终端要稳。　　PSU：源头水厂|转换市电，稳定母线　　CBU/BBU：应急蓄水|快速补能，持续供电　　IBC：减压配水|逐级降压，高效分配　　Vcore：终端供水|直达内核，支撑算力　　面对高功耗、高波动、高密度，电源系统不仅要供得上，更要供得稳、供得久、护得住。　　从PSU源头转换、CBU/BBU应急备电，到IBC逐级降压、Vcore内核供电，纳芯微以丰富的芯片方案，支撑AI服务器电源高效转换、稳定控制与可靠保护，为算力持续输出提供底层保障。

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纳芯微

发布时间：2026-05-26 10:59 阅读量：582 继续阅读>>

永铭SDF系列方形超级电容为<span style='color:red'>AI服务器</span>PCS提供毫秒级削峰填谷的解决方案

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永铭SDF系列方形超级电容为AI服务器PCS提供毫秒级削峰填谷的解决方案

　　AI算力升级下PCS供电面临瞬态冲击新挑战　　随着AI大模型训练与推理需求爆发，AI服务器单GPU功耗已突破700W，集群负载侧毫秒级功率阶跃幅度可达数倍额定值，传统PCS(功率转换系统)供电架构依赖UPS/HVDC与主功率级按峰值冗余设计，导致系统体积、重量、热管理成本上升30%以上，无法适配高密度数据中心的部署要求。　　01 高di/dt负载下三大问题制约PCS可靠性与功率密度提升　　在AI服务器/数据中心PCS应用场景中，现有缓冲方案普遍存在三类短板：　　1. 母线稳定性不足：GPU毫秒级功率阶跃冲击下，缓冲单元ESR偏高导致电压下陷/过冲超标，可能引发GPU/CPU宕机，影响算力服务连续性;　　2. 系统冗余过度：为覆盖瞬态峰值，功率器件、母线电容、上游供电均需放大选型，推高整机BOM成本与热管理压力;　　3. 传统方案适配性差：铝电解/薄膜电容响应速度不足，圆柱形超容体积重量偏大，无法满足高密度模块化PCS的布局需求。　　从技术机理推导，缓冲单元的ESR、峰值电流能力、响应速度是决定瞬态支撑效果的核心参数;而缓冲器件距离负载过远引入的寄生参数，会进一步削弱能量吞吐效率。　　02 永铭解决方案：SDF方形超级电容构建本地毫秒级能量缓冲层　　针对上述痛点，永铭推荐采用SDF系列3.0V 330F 30×20×55方形超级电容，并联在PCS母线端作为本地瞬态缓冲单元，核心性能精准匹配场景需求：　　1. 超低ESR抑制电压波动：ESR<0.8mΩ，大幅降低高di/dt工况下的I×ESR压降与自身发热，母线电压波动幅度可缩小40%以上(典型工况下);　　2. 大电流毫秒级响应：支持最大360A充放电电流，响应速度达毫秒级，可在200ms~秒级时间窗内快速吞吐瞬态能量，完全覆盖GPU负载阶跃缓冲需求;　　3. 方形结构提升功率密度：采用扁平化封装，相比传统圆柱形超容方案，整机体积减少30%~40%，重量减轻20%~30%，适配高密度模块化PCS布局;　　4. 宽温长寿命降低维护成本：支持-40℃~70℃宽温运行，循环寿命达50万次，可适应数据中心7×24小时高频充放电场景，全生命周期可靠性更优。　　导入该方案后，瞬态峰值功率由本地超级电容直接承接，无需上游供电系统按峰值冗余设计，可有效降低UPS/整流模块、母线电容与PCS功率器件的工作应力，实现稳定性、功率密度与综合成本的三重优化。　　03 常见问题Q&A　　Q1：我们在做AI服务器PCS的动态负载测试，GPU负载阶跃一上来，母线电压就有明显下陷和过冲，怀疑是缓冲用超容的ESR偏高。请问有没有内阻足够低的超级电容方案可以推荐?最好能说明在高di/dt工况下对母线稳定性的改善效果。　　A1：推荐永铭SDF系列方形超级电容3.0V 330F型号，其ESR<0.8mΩ，可显著降低高di/dt工况下的I×ESR压降，有效抑制母线电压下陷/过冲，提升GPU供电稳定性。　　Q2：请教一下，做GPU服务器PCS瞬态缓冲时，如果需要在200ms到1秒内承受数百安培级的快速充放电，有没有支持大电流脉冲、响应又足够快的超级电容型号?我们更关心实际脉冲电流能力和波形测试结果。　　A2：永铭SDF系列3.0V 330F方形超级电容支持最大360A充放电电流，具备毫秒级响应速度，可覆盖200ms~秒级的瞬态缓冲需求，适配GPU负载阶跃的大电流脉冲场景。　　Q3：我们现在想把PCS里的圆柱形超级电容方案换掉，原因是空间太占、重量也偏大。有没有方形、更紧凑的超级电容方案，能在不牺牲瞬态缓冲能力的前提下，把整体体积和重量再降一些，方便做高密度模块化设计?　　A3：永铭SDF系列方形超级电容采用30×20×55的方形结构，相比传统圆柱形超容方案，整机体积可减少30%~40%，重量减轻20%~30%，同时保持大电流充放电、低ESR的性能优势，适配高密度PCS模块化设计需求。　　总结　　永铭SDF系列方形超级电容针对AI服务器/数据中心PCS的瞬态负载场景定向优化，兼具低ESR、大电流响应、高结构密度与高可靠性优势，可有效解决毫秒级负载波动带来的母线电压不稳定问题，帮助客户降低系统冗余设计成本，提升整机功率密度。　　若需适配不同功率等级的PCS设计，可联系永铭FAE团队获取定制化选型支持，也可直接索取SDF系列完整规格书或申请样品测试。

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上海永铭

发布时间：2026-05-25 09:42 阅读量：592 继续阅读>>

永铭牛角型双电层超级电容SDN系列：为<span style='color:red'>AI服务器</span>SSD提供可靠PLP掉电保护

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永铭牛角型双电层超级电容SDN系列：为AI服务器SSD提供可靠PLP掉电保护

　　前言　　在AI服务器和数据中心中，企业级SSD/存储盘承载着大量高速写入任务。正常工作时，SSD会把用户数据、FTL映射表和关键元数据先暂存在DRAM缓存中，以换取更高的写性能。但一旦整机突发掉电，如果PLP(Power Loss Protection，掉电保护)后备储能单元不能在毫秒级时间内接管供电，缓存中的数据就可能来不及写入NAND，导致数据丢失、盘异常甚至不可用。AI高IOPS(每秒输入输出操作次数)场景下，写入密度更高，掉电瞬间待落盘的数据量更大，风险被进一步放大。　　面对这一问题，永铭SDN系列牛角型双电层超级电容的PLP模组方案，帮助企业级SSD和存储盘在突发掉电时守住“最后一口气”，安全完成数据落盘。　　01为什么普通PLP方案往往不够用　　很多工程师在实际测试中发现，传统方案存在几个典型痛点。小容量电容掉电保持时间太短，无法覆盖完整的写入窗口;电池型后备单元虽然能储存更多能量，但寿命短、需要定期维护，在服务器高温环境下可靠性下降明显;还有一些电容方案响应慢或内阻偏高，掉电瞬间电压快速跌落，控制器还没来得及写完数据就已经失去工作条件。　　从技术根源看，SSD掉电保护的关键不是“持久供电”，而是要在输入电源消失后，PLP单元以毫秒级速度接管，并在控制器最低工作电压以上维持足够的有效能量窗口。能否成功写完，取决于可释放有效能量(E = 1/2 × C × (Vstart² - Vend²))、放电回路ESR压降、输出电流能力以及控制器回写耗时之间的匹配。AI高IOPS场景下写入电流更集中，对储能器件的响应速度和放电倍率要求更高。　　02永铭的解决方案：围绕“把数据写完”设计　　永铭超级电容PLP方案的思路很直接——不追求长时间供电，而是精准解决“掉电后能否安全写完”这一核心问题。方案具备几个关键优势：毫秒级响应，掉电瞬间无缝接管，无需唤醒或升压;高倍率放电能力，能支撑控制器在写入窗口内的大电流需求;长循环寿命且免维护，适合频繁掉电保护或长期运行;模组化设计，直接适配12V平台。　　具体到产品规格，永铭推荐使用牛角型双电层超级电容SDN系列单体，规格为180F/2.7V/25×50mm，单体ESR低至8mΩ。系统配置上，采用5只单体串联组成13.5V模组，再将4个这样的模组并联(5S4P)，单机合计20只单体。这样配置后，模组额定电压约13.5V，在实际12V系统中可正常工作且留有余量;并联后总有效容量提升为单组串联模组的4倍，放电能力大幅增强，保持电压更加平稳。　　在实际应用中，导入该方案后，SSD在突发掉电时可以获得更平稳的保持电压和更长的有效写入窗口，缓存数据、FTL映射与关键元数据完成落盘的概率显著提高。对于AI高IOPS场景，也能更从容地覆盖高密度写入的最后动作。该方案可替代传统小容量储能、电池型后备单元，以及那些仅能短暂支撑却难以覆盖完整写入窗口的PLP设计路径。　　03工程师常问的Q&A　　Q1：我们在做企业级SSD的PLP验证，需求不是长时间续航，而是掉电后要立刻接管，让缓存和FTL映射来得及写完。有没有响应足够快、适合SSD掉电保护的超级电容方案可以推荐?　　A1：有。推荐永铭超级电容PLP方案。该方案的核心特点是毫秒级响应+ 掉电瞬间接管。当外部电源消失时，永铭超级电容可以在极短时间内无缝接管，不需要等待任何唤醒或升压过程，直接为SSD控制器提供能量。配合高倍率放电能力，能够支撑控制器在保持电压未跌落到最低工作阈值之前，完成DRAM缓存数据、FTL映射表及关键元数据的最后写入。具体配置上，采用180F / 2.7V单体，5只串联组成13.5V模组，可以匹配企业级SSD常见的12V电源架构。该方案不是追求长续航，而是精准解决“掉电后能否安全写完”这一核心问题。　　Q2：我们现在做AI服务器里的高IOPS SSD，掉电时需要在很短时间内把关键数据写完。有没有可以通过多模组并联来提高有效容量和放电能力的PLP超级电容方案?　　A2：有。永铭方案支持多模组并联来扩展有效容量和放电能力。　　针对AI高IOPS场景，单位时间写入密度更高，掉电瞬间待落盘的数据量更大。我们推荐的配置是：5只2.7V/180F单体串联成一个13.5V模组，再将4个这样的模组并联(5S4P)，单机共使用20只单体。　　这样做的好处是：总有效容量提升为单组串联模组的4倍，掉电后能提供更长的写入窗口;总放电能力(最大电流)大幅增强，可以应对高IOPS写入时控制器短时大电流需求;保持电压更平稳，多模组并联降低等效内阻，减少瞬态压降，确保控制器在整个写入过程中电压始终在正常工作范围之内。　　该方案已经在企业级SSD及AI服务器存储盘中验证，能够显著提高掉电后数据落盘的成功率。　　Q3：我们比较担心PLP方案后期寿命和维护问题，尤其是服务器长期运行、还要频繁做掉电测试。有没有比传统电池型后备单元更耐用、循环寿命更好的超级电容PLP方案?　　A3：有。永铭超级电容PLP方案相比传统电池型后备单元，在长循环寿命和免维护方面具有明显优势。　　循环寿命：超级电容可支持数十万次甚至百万次的充放电循环，而电池(如锂离子或镍氢)通常在几百到几千次循环后就会出现明显容量衰减。对于需要频繁做掉电保护测试或实际运行中可能多次遭遇突发掉电的场景，超级电容几乎不需要更换。　　免维护：电池方案需要定期检测、校准或更换，尤其在服务器高温环境下老化更快。永铭超级电容采用无化学反应储能机理，高温稳定性更好，生命周期内基本免维护，降低了长期运维成本。　　一致性与可靠性：我们的模组化设计(5S4P)使用同一批次单体，经过严格配对，保证串联电压均衡和并联电流均流，整体系统可靠性更高。　　总结　　永铭牛角型双电层超级电容之所以适合AI服务器SSD的PLP场景，是因为它抓住了掉电保护的本质：毫秒级响应加上高倍率放电能力，让控制器在掉电后获得更平稳的保持电压和更长的有效写入窗口，从而完整写入缓存、FTL映射表和关键元数据。方案采用180F/2.7V单体，5S4P模组配置，满足AI高IOPS场景下数据一致性与安全下电的严苛约束，同时实现免维护的长期可靠性。　　把掉电后的“最后一口气”留给关键数据，让SSD更稳地完成缓存、FTL和元数据落盘——这就是永铭PLP方案的核心价值。

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上海永铭

发布时间：2026-05-08 09:34 阅读量：570 继续阅读>>

士兰微<span style='color:red'>AI服务器</span>电源全链功率半导体解决方案亮相2026 Open AI Infra Summit

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士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案亮相2026 Open AI Infra Summit

　　4月10日，2026 Open AI Infra Summit在北京举行。大会群英荟萃，来自行业的院士专家、领军企业共聚一堂，聚焦MW级算力系统以及GW级数据中心的核心热点议题，分享交流宝贵经验，共商算力集群部署的关键瓶颈，为AI算力发展贡献一份力量。　　士兰微受邀出席本次峰会，士兰微电子系统应用专家胡豆豆发表以《算力引擎·功率领航 | 士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案》为题的讲演，向与会的专家学者、友商、用户们分享了士兰微AI数据中心供电的全链路功率半导体解决方案。　　针对当前50Vdc母线的AI数据中心的供电架构，士兰微提出了高度匹配的立体化产品矩阵：在前段高压的HVDC部分，士兰微提供业界领先的1200V、650V SiC MOSFET，助力高压高效转换;在PSU部分，士兰微针对5.5kW功率段推出的整套方案包含650V SiC MOSFET(料号为SCDP65R040NB2LB)、600V DPMOS(料号为SVSP60R022LBS5)、80V LVMOS(料号为SVGP081R8NL5-3HF)，该方案表现亮眼，已助力服务器电源客户实现97.5%效率，在LV IBC、VRM和热插拔等应用，士兰微推出各电压等级的低压MOSFET、宽SOA MOSFET、多相控制器、DrMOS、POL、eFuse方案。　　而随着AI数据中心供电向800Vdc母线演进，针对SST应用、HV IBC应用，士兰微的配套功率器件方案包含2300V、1200V SiC MOSFET、各电压等级的低压MOSFET。以上覆盖各应用场景的功率器件解决方案构成了“从电网到核心”的完整方案链条，保障数据中心能源供应的高效稳定。　　展望未来，AI日新月异，算力浪潮奔腾不息，士兰微将持续深耕数据中心供电领域，迭代推出更高性能的半导体集成电路产品与解决方案，与行业伙伴携手，共同为下一代算力基础设施提供强劲、高效、可靠的“芯”脏动力。

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士兰微

发布时间：2026-04-30 11:01 阅读量：1399 继续阅读>>

永铭47~100µF/35V聚合物钽电容：<span style='color:red'>AI服务器</span>SSD限高1.9mm/1.5mm下的PLP选型分析

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永铭47~100µF/35V聚合物钽电容：AI服务器SSD限高1.9mm/1.5mm下的PLP选型分析

　　前言：新一代SSD形态对电容选型提出更严苛要求　　以EDSFF(企业与数据中心存储形态)为代表的新一代SSD标准——E1.S、E3.S、E1.L、E3.L——正在高密度数据中心中快速取代传统2.5英寸U.2和M.2形态，每个服务器单元可实现2至5倍的存储密度提升。与此同时，U.2接口的超薄5mm SATA盘作为启动盘，在1U/2U服务器中也广泛应用，其整板高度限制更为严格。　　AI服务器的存储架构已从“通用可靠”跃迁至“AI极致性能”。新一代SSD必须在极端负载与高温环境下持续输出极致性能，同时面对PCB空间极度受限的现实。PLP(断电保护)电容的选型已从“保障基础可靠”升级为“决定性能上限”的关键元件。　　永铭针对不同SSD形态提供三款代表性聚合物钽电容选型方案，可分别满足E1.S/E3.S SSD(限高2.05 mm)与U.2超薄5mm SATA启动盘(限高1.6mm)的PLP需求。该系列进行核心结构升级，可替代原松下TQS系列薄型化产品(如35TQS47MEU，7343-1.4mm封装)，并在国产化供应与新型结构上形成显著优势。　　应用中的挑战　　2.1 物理尺寸约束：两种限高，两大痛点　　E1.S/E3.S SSD：单面布板，整板器件高度≤2.05mm。常规聚合物钽电容高度普遍超过2.0mm，选型受限。　　U.2超薄5mm SATA启动盘：盘体厚度仅5mm，PCB双面布板后器件限高通常≤1.6mm。常规钽电容高度难以满足，若强行降低容值或改用高ESR的小型化器件，会直接导致PLP性能不足。　　2.2 PLP性能不足引发数据丢失风险　　PLP电路核心原理：正常供电期间，电容通过RC回路充电储能;断电时放电为控制器和缓存提供毫秒级工作窗口，以完成最后的NAND写入。充电时间受RC时间常数及ESR影响，ESR越高则充电越慢、储能越少。在AI服务器频繁读写、异常断电概率较高的工况下，PLP电容若选型不当，可能造成数据丢失甚至文件系统损坏。　　2.3 供应链与成本压力　　进口品牌(如松下)交期通常长达12周以上，且价格持续波动，给项目量产爬坡带来不确定性，同时也难以满足整机厂商的国产化率指标要求。永铭作为国产电容厂家，在交期响应、成本控制及供应链安全方面具有明显优势。　　永铭技术解决方案　　3.1 推荐选型表(三款，按应用场景区分)　　TQW19 35V/100μF 7.3*6.0*1.9mm(底部端子封装)　　3.2 核心技术优势　　①高度精确适配：TQD19/TQW19系列高度1.9mm，直接满足E1.S/E3.S SSD单面布板限高;TQD15系列高度1.5mm，完美适配U.2超薄5mm SATA启动盘。　　②新型钽电容的核心结构升级：将端子设计在元件底部，大幅缩短电流回路，ESL(等效串联电感)比传统结构降低约50%，高频特性优异。针对ESR(120mΩ)略高于松下TQS系列(100mΩ)的情况，永铭通过底部端子设计强化了高频去耦能力，ESL更好，更适用于AI服务器SSD中高速开关瞬态响应场景。　　③高密度聚合物钽芯+薄型封装：在1.9mm/1.5mm极限高度下，依然实现68μF/100μF/47μF容量与35V耐压，性能不妥协。　　④全固态高可靠结构：工作温度-55℃~105℃，满足AI服务器7×24小时高温工况。　　3.3 供应与国产化优势　　作为国产电容厂商，永铭在该类应用中除满足产品选型需求外，还能够兼顾交付效率与成本控制：　　①交期响应更灵活(常规4~6周)，可紧密配合客户项目节奏;　　②全链路国产化，满足整机厂商供应链安全与国产化率指标;　　③相较进口方案，整体导入成本更低，助力客户BOM优化。　　场景化Q&A　　Q1：E1.S/E3.S SSD限高2.05mm，永铭能否提供1.9mm以下、容量不缩水的钽电容?　　A1：可以。永铭TQD19(68µF)和TQW19(100µF)高度均为1.9mm，耐压35V。采用高密度聚合物钽芯+薄型封装，不牺牲容量和耐压。底部端子设计使ESL降低约50%，高频特性优于传统结构。　　Q2：永铭TQW19的ESR为120mΩ，相比松下TQS系列(100mΩ)略高，是否影响PLP性能?　　A2：在实际PLP电路中，影响充电速度和断电保持时间的不仅是ESR，还包括回路总电阻和ESL。永铭底部端子设计大幅降低了ESL(降低约50%)，改善了高频瞬态响应;同时宽体封装有助于降低接触电阻。该方案已在多家AI服务器SSD客户中通过PLP功能验证。建议客户进行实际板级验证。　　Q3：U.2超薄5mm SATA启动盘限高仅1.6mm，永铭有对应产品吗?　　A3：有。永铭TQD15系列高度仅1.5mm，容量47µF，耐压35V，专门针对超薄盘体设计。同样采用底部端子结构，ESL低、可靠性高。　　Q4：永铭相比进口品牌在交期和成本上有多大优势?　　A4：永铭常规交期4~6周，远低于进口品牌的12周以上，且供应稳定性高。在相同性能等级下，可帮助客户优化综合导入成本，同时满足国产化率指标。　　总结　　在AI服务器SSD断电保护应用中，电容选型不仅要考虑板级空间限制，还要兼顾断电保护性能、项目导入效率以及供应稳定性。　　永铭聚合物钽电容针对不同场景提供精准选型：TQD19/TQW19系列(1.9mm高度)适用于E1.S/E3.S SSD(限高2.05mm);TQD15系列(1.5mm高度)适用于U.2超薄5mm SATA启动盘(限高1.6mm)。产品采用底部端子结构，ESL降低约50%，高频特性优异;全固态、宽温、长寿命;同时以国产化优势保障交期与成本。　　如您需进行实际测试，可联系我们申请样品，同时我们也将提供规格书、测试报告及选型表。

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永铭

发布时间：2026-04-27 09:46 阅读量：754 继续阅读>>

技术解码 | 罗姆助力<span style='color:red'>AI服务器</span>能效提升

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技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升

　　数字化转型(DX)和AI的迅猛发展，为社会带来了巨大的便利，而支撑其运行的数据中心耗电量却持续攀升。　　为了助力解决这一社会课题，罗姆已将融合多年来积累的“功率电子”和“模拟”技术优势，更大程度地提高服务器能效当作使命。其中，服务器总功耗中占比较大的“电源”的效率提升，以及通过“电机”驱动的冷却系统的进一步节能，是实现无碳社会的重要课题。　　从业界先进的SiC(碳化硅)功率元器件，到可实现高精度控制的模拟IC以及各种分立器件，罗姆集这些产品的开发、生产制造、销售于一体，为客户提供前瞻性的解决方案。　　罗姆的半导体技术可高水平兼顾客户服务器系统的“节能”和“小型化”需求，同时还有助于提高其可靠性。罗姆将与客户携手共创可持续发展的数字社会。　　AI服务器主板(Server Board)　　随着生成式AI的普及和数字化转型的加速，现代服务器面临着前所未有的算力需求，以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标(PUE)，从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型，以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。　　罗姆利用多年积累的高效电源IC技术，结合包括GaN(氮化镓)器件在内的高性能MOSFET，为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术，大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度，助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。　　电源供应单元(PSU)　　罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路，可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群，助力应用产品大幅提升效率。另外，针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途，可提供80V耐压等高性能LV MOS产品群，可将导通损耗降至超低水平。当然，罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)产品群。　　在这些种类繁多的产品群基础上，罗姆还可提供系统层面的综合解决方案，其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC。这正是罗姆的优势所在。本页面将介绍罗姆支撑未来AI数据中心的最新科技和解决方案。　　备用电池单元(BBU)　　在BBU(备用电池单元，用来在电源异常时保护数据)设计中，能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态(SoH)的电池电量监控IC(电量计IC)等产品，助力BBU的小型化和可靠性提升。　　此外，在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中，能够承受大电流负载的宽SOA(安全工作区)范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器，对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET，可满足其严苛要求，并可提高系统的可靠性和稳健性。　　罗姆不仅提供这类元器件级解决方案，还针对多样化的电源架构，提供满足从传统的12V/50V级电源，到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC(高压直流供电)机架应用需求的丰富产品群。

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罗姆

发布时间：2026-04-15 13:05 阅读量：809 继续阅读>>

4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能<span style='color:red'>AI服务器</span>，解锁高效电源新方案

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4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。

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发布时间：2026-04-10 09:29 阅读量：664 继续阅读>>

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报名开启丨ROHM AI服务器解决方案解读，参会赢好礼！

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。

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发布时间：2026-04-01 14:12 阅读量：796 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

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