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萨瑞新品｜7V系列 S<span style='color:red'>EU</span> 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

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萨瑞新品｜7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

　　随着 USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、MIPI、车载 SerDes、车载以太网等高速接口全面普及，10Gbps + 传输对信号完整性与 ESD 防护提出双重严苛要求。　　江西萨瑞微电子推出SEU0721P1(双向)+ SEU0731P1(单向) 两款 DFN1006-2L 超小型 ESD 保护二极管，专为高速信号链路打造，超低电容、高钳位、强防护，覆盖单端 / 差分全场景高速 I/F 保护需求。　　01　　核心优势：突破权衡，高速与保护兼得　　SEU0721P1|双向 ESD 二极管　　类型：双向　　结电容：典型 0.25pF，Max 0.3pF(0.2pF 级)　　ESD 防护：IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)　　峰值脉冲电流：4A(8/20μs)　　封装：DFN1006-2L 无引脚小型化　　SEU0731P1|单向 ESD 二极管　　类型：单向　　结电容：典型 0.4pF，Max 0.5pF　　ESD 防护：IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)　　峰值脉冲电流：4A(8/20μs)　　封装：DFN1006-2L 无引脚小型化　　02　　核心亮点　　SEU0721P1：≤0.3pF，极致抑制信号劣化，完美适配 USB4、PCIe、MIPI 等高灵敏度差分接口。　　SEU0731P1：≤0.5pF，兼顾高速与成本，适合单端高速 I/O 与通用高速接口。　　03　　低钳位 + 低漏电流，保护更可靠　　双向款：4A 下钳位电压典型16.5V　　单向款：4A 下钳位电压典型11V，更低钳位、更稳保护　　漏电流低至0.1μA/1μA，系统功耗更优　　04　　高等级 ESD，满足车规 / 消费 / 工业　　两款均达到：　　IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)　　宽温工作：-55℃ ~ +125℃　　RoHS、UL 94V-0、无铅绿色塑封料　　05　　DFN1006-2L 微型封装，高密度布局　　超小体积、低寄生电感　　贴近连接器摆放，不占用空间　　适合手机、笔电、车载、相机等轻薄化设计　　06　　典型应用原理图　　双向保护电路(SEU0721P1)　　适用于：USB4/USB3.x、PCIe、LVDS、MIPI、车载 SerDes 等差分高速信号　　单向保护电路(SEU0731P1)　　适用于：单端高速 I/O、HDMI、音频、传感器、通用高速信号　　07　　关键参数对比表　　08　　应用领域　　完美覆盖10Gbps + 高速接口：　　USB4 / USB3.x / Thunderbolt 4　　HDMI / DisplayPort / PCIe　　MIPI D-PHY / C-PHY / LVDS　　车载 SerDes、车载以太网(10/100/1000Mbps)　　手机、笔电、平板、相机、便携仪器、车载设备、工业终端

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萨瑞

发布时间：2026-05-06 10:11 阅读量：168 继续阅读>>

量产固态纳米孔成为可能：imec利用<span style='color:red'>EU</span>V光刻取得关键突破！

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量产固态纳米孔成为可能：imec利用EUV光刻取得关键突破！

　　在今年的IEEE国际电子器件会议(IEDM 2025)上，世界领先的先进半导体技术研发创新中心imec首次成功展示了利用极紫外(EUV)光刻技术在晶圆级上制备固态纳米孔的成果。固态纳米孔正逐渐成为分子传感领域的强大工具，但尚未实现商业化。此次概念验证是实现其低成本(大规模)生产的关键一步。　　纳米孔是蚀刻在氮化硅膜上的微小孔洞，宽度仅为几纳米。当浸入液体中并连接到电极时，单个分子可以通过这些孔洞，产生可实时分析的电信号。由于孔径易于调节，纳米孔的应用范围十分广泛，从病毒鉴定到DNA和蛋白质分析均可胜任。这种无需标记的单分子检测方法是下一代诊断、蛋白质组学、基因组学乃至分子数据存储应用的关键。　　另一方面，由脂质膜中的蛋白质形成的生物纳米孔已应用于商业测序平台，但其稳定性及集成性仍面临挑战。固态纳米孔凭借其稳健性、可调控性和与半导体制造的兼容性克服了这些限制，使其成为可扩展、高通量传感的理想选择。然而，在大面积范围内实现纳米级精度和均匀性的固态纳米孔仍然是一个挑战。目前的制造方法通常速度较慢且仅限于实验室环境，这阻碍了其在传感应用中的广泛应用。　　在IEDM 2025会议上发表的一篇新论文中，imec报告称成功在整片300mm晶圆上制备了直径小至约10nm的高度均匀纳米孔。该团队将极紫外光刻技术与基于间隔层的刻蚀技术相结合，实现了纳米级的精度和可重复性——这两项长期以来一直是纳米孔技术领域的挑战。　　将纳米孔嵌入氮化硅膜中，并在水性环境中对其进行电学表征。利用DNA片段进行的易位实验也证实了其具有高信噪比和优异的润湿性能，验证了纳米孔对生物材料的传感性能。　　“imec拥有得天独厚的优势来实现这一飞跃。我们可以将传统上用于存储器和逻辑电路的极紫外光刻技术应用于生命科学领域。通过利用我们的光刻基础设施，我们已经证明可以大规模制造出满足分子传感所需精度的固态纳米孔，” imec研发项目经理兼第一作者Ashesh Ray Chaudhuri表示。“这为医疗保健及其他领域的高通量生物传感器阵列打开了大门。”　　展望未来，这项技术有望实现快速诊断、个性化医疗和分子指纹识别。基于极紫外纳米孔技术的进步，imec 目前正在开发一种模块化读出系统，该系统采用可扩展的流体控制技术，旨在为相关应用的化学开发提供平台。imec 团队诚邀生命科学工具开发者使用该平台来测试他们的概念和需求。　　在 2026 年 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC) 上，将发表论文“用于固态纳米孔单分子传感的 256 通道事件驱动读出，在 1 MHz 带宽内具有 193 pArms 噪声”，展示 imec 开发的概念验证 ASIC 读出，以支持下一代定制纳米孔。

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EUV

发布时间：2025-12-11 16:49 阅读量：807 继续阅读>>

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帝奥微推出高性能车规级eUSB2 Repeater产品助力先进工艺Soc解决方案

　　随着AI、汽车及工业大算力应用的需求不断增长，SoC全面步入5nm及以下工艺先进制程。为了应对由此带来的功耗与集成度挑战，USB开发者论坛在2018年发布了eUSB2规范，全新的1.2V eUSB2标准正迅速成为新一代先进制程SoC的标配接口。　　在USB2.0向eUSB2技术演进的时代背景下，帝奥微推出eUSB2 Repeater车规级产品DIA36600。DIA36600是一款高性能eUSB2转USB 2.0 Repeater产品，集电平转换与信号调节于一身，器件支持均衡和去加重，对eUSB2和USB2.0信号在传输中的损失进行补偿，优化信号完整性，助力客户通过USB-IF测试，是连接先进SoC与庞大USB外设生态的完美解决方案。　　一、DIA36600核心价值：解决系统设计者的核心痛点　　当客户的设计采用先进工艺SoC时，面临两大挑战：　　1. 电气兼容性危机：SoC的1.2V eUSB2接口无法直接驱动3.3V传统USB端口，强行连接会导致通信失败甚至损坏器件。　　2. 信号完整性衰减：长PCB走线、线缆和连接器会严重衰减480 Mbps高速信号质量，导致眼图闭合、误码率高、连接不稳定，最终无法通过USB-IF测试。　　二、产品特性与优势　　宽压工作：eUSB2端接口支持1.62V至1.98V电平;USB2.0端接口支持2.85V至3.63V 电平。　　无缝电平转换：在1.2V eUSB2与3.3V USB2.0接口之间建立无缝、双向的电气连接。　　全速支持：完全兼容USB 2.0 High-Speed (480 Mbps) , Full-Speed (12 Mbps)和Low-Speed(1.5Mbps)。　　提升系统可靠性：通过去加重和与均衡技术，对信号衰减进行补偿，恢复信号完整性。能够降低误码率，加强USB信号质量。　　延长通信距离：高达6dB的去加重和4dB的均衡能力，补偿信道损耗，允许使用更长的PCB走线和线缆。　　低功耗设计：静态电流极低，满足能效要求严苛的系统设计。　　自动方向控制：双向通信无需外部控制信号，真正实现即插即用。　　紧凑封装：采用小型化QFN-12封装，节省宝贵的PCB空间，并且使用可湿性侧面封装，有利于实现自动光学检测(AOI)。　　三、产品应用　　DIA36600支持eUSB2和USB2.0协议，同时支持主机中继器、设备中继器或双角色中继器功能，实现eUSB2与USB2信号方案间的双向转换。DIA36600典型应用框图　　支持中继器模式：　　中继器模式是指eUSB和USB2.0之间通过1个中继器转换后通信，或2个eUSB设备之间通过2个中继器转为USB2.0后长距离传输。任何支持eUSB2的SoC都可以与外部的eUSB2中继器配对，以保持主机和设备的完整USB生态系统互操作性和兼容性。　　四、eUSB2与USB2.0差异　　五、DIA36600目标应用场景　　针对5nm及以下工艺的SOC方案，eUSB2更适合集成到SoC中。DIA36600应用实现1.2V eUSB2与3.3V USB 2.0之间的无缝、双向电气连接。　　DIA36600是以下应用的理想选择：　　汽车应用：汽车智能座舱，汽车智能驾驶系统，汽车舱驾一体系统，T-box产品。产品满足AEC-Q100车规要求，工作温度范围-40℃~105℃。　　下一代计算平台：笔记本电脑、台式机主板、一体机，用于连接标准的USB-C或Type-A端口。提升端口兼容性与可靠性，增强用户体验。　　工业与通信设备：工业PC、服务器主板、网络交换机，确保管理端口和调试端口的稳定连接。通过信号中继器保障数据传输的绝对可靠，简化长走线设计，提升系统鲁棒性。　　智能家居与消费电子：智能电视、游戏主机、VR/AR头盔。小尺寸，低功耗的设计，为消费产品提供强大的外设扩展能力。　　六、DIA36600产品封装说明　　1. 采用可湿性侧面封装，可实现自动光学检测(AOI)　　2. Pitch间距0.5mm　　3. 封装尺寸：QFN2.4*1.95-12　　七、为什么选择帝奥微车规级USB产品?　　国产首款车规eUSB2 Repeater产品：完全国产品牌，填补国内空白，供应链安全可控。　　性能媲美国际大厂：实测数据表明，产品参数达到行业领先水平。客户项目实测眼图改善显著。目前完成了基于主流SOC平台的100多款外设设备的HS/LS/FS不同模式的Host/Device的高低温测试以及长时间极限压力考核，系统兼容性完全满足行业主流要求。　　卓越的品质和可靠性：产品经过严格的测试与验证，符合汽车和工业级标准，能够长期稳定运行。　　一站式服务支持：帝奥微可提供完善的技术文档(如参考设计、测试报告)和本地化服务，加速客户量产。　　产品持续开发能力：帝奥微车规USB产品包括USB2.0开关、eUSB2 Repeater、USB3.2开关和USB3.2 Redriver。

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帝奥微

发布时间：2025-11-17 17:10 阅读量：838 继续阅读>>

新型光刻机诞生！突破12nm图案化，媲美<span style='color:red'>EU</span>V！

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新型光刻机诞生！突破12nm图案化，媲美EUV！

　　美国小型初创公司Substrate表示，该公司已开发出一种芯片制造设备，其性能足以媲美目前最先进的光刻机设备。　　Substrate CEO James Proud表示，这款工具是该公司雄心勃勃的计划的第一步，该计划旨在建立美国芯片代工制造业务，与台积电在最先进的人工智能(AI)芯片制造领域展开竞争。James Proud希望通过以远低于竞争对手的价格生产所需工具来大幅降低芯片制造成本。　　James Proud表示：“我们的首要目标是能够在美国以最低的价格大批量生产出最好的晶圆。”他表示，业内许多人认为这不可能实现，“但我认为历史经验告诉我们，这种想法是错误的。”Substrate希望在美国建立一家代工厂，生产定制半导体。James Proud表示，根据目前计划，其设备可能在未来“几年”内在美国的一家芯片制造厂(或称晶圆厂)投入生产。　　如果该公司成功，将对美国的经济和国家安全产生深远影响。美国总统唐纳德·特朗普已将芯片制造业务回归美国作为其计划的关键组成部分，美国政府最近收购英特尔的股份。英特尔曾是领先的芯片制造商，但近年来在制造技术方面难以跟上台积电的步伐。　　Substrate公司表示，已吸引包括中央情报局支持的非营利机构In-Q-Tel、General Catalyst、Allen & Co、Long Journey Ventures和Valor Equity Partners在内的多家投资机构，融资1亿美元，估值超过10亿美元。　　然而，Substrate公司所追求的目标十分艰巨。　　光刻技术是一项即使是大型公司也难以企及的工程壮举，它需要极高的精度。ASML是全球唯一一家能够大规模生产复杂工具的公司，这些工具利用极紫外(EUV)光刻技术，以极高的吞吐量在硅晶圆上生成图案。　　Substrate旨在对EUV光刻方法进行改进。尽管这家初创公司出于竞争原因不愿透露细节，但该公司设备使用粒子加速器从波长较短的X射线中产生光源。这种方法可以产生更窄的光束。　　Substrate声称其设备能够打印12nm尺寸图案，与High NA EUV设备相当。这意味着这家初创公司的设备能够与目前最先进的生产线相媲美。Substrate表示，它不使用任何外部生产的光刻工具或知识产权，并且“已经建立了与任何其他半导体公司没有重叠的差异化技术”。而目前全球顶级High NA EUV光刻机单价超过4亿美元。　　该公司称，已在美国国家实验室和其位于旧金山的工厂进行了演示。该公司提供了高分辨率图像，展示了Substrate设备的性能。　　大幅降低制造成本　　“这对美国来说是一个凭借本土公司重夺市场份额的机会，”橡树岭国家实验室主任、高能X射线束专家Stephen Streiffer表示，“这是一项具有国家重要意义的工作，他们知道自己在做什么。”　　SemiAnalysis分析师Jeff Koch表示，如果Substrate成功实现大幅降低芯片制造成本的计划，很可能会产生连锁效应，就像SpaceX降低火箭发射成本的努力推动太空旅行的发展一样。　　但Substrate公司工程师和高管距离实现目标还有很长的路要走。Jeff Koch说：“他们坚信，在自主研发芯片工艺的过程中，首先要解决的是光刻技术问题。最终，这将取代台积电等巨头。”　　开发一种能够与台积电相媲美的先进芯片制造工艺需要数十亿美元，即使是英特尔和三星等公司也一直在努力完善这项技术。如今，芯片工厂的建设成本超过150亿美元，而且需要专门的技术进行建设和运营。　　James Proud表示，该公司尚未直接获得政府资助，但包括美国商务部部长卢特尼克等在内的美国官员一直对Substrate的工作很感兴趣。　　James Proud和Substrate的投资者组建了约50人的团队，由来自学术界和半导体领域的顶尖人才组成。其中包括20世纪80年代初在劳伦斯利弗莫尔国家实验室、劳伦斯伯克利国家实验室和桑迪亚国家实验室等国家实验室从事EUV技术开发的研究人员和顾问。　　Substrate成立于2022年，但James Proud在此之前就已经开始着手构思。该公司的名称指的是支撑晶体管和集成电路的薄硅基——这对现代电子产品的性能和效率至关重要。　　伯恩斯坦分析师David Dai在一份报告中表示，Substrate此前曾尝试过X射线技术，但收效甚微。此外，他还表示，该公司缺乏行业支持。　　“如果初创公司真的相信自己的技术，我们认为唯一可行的方法就是围绕它构建生态系统，并让整个行业共同努力。”David Dai说道，“然而，它选择了与ASML和台积电竞争，这扼杀了任何建立生态系统来支持这项技术的可能性。”

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光刻机

发布时间：2025-10-30 15:10 阅读量：1206 继续阅读>>

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罗姆将携电动交通与工业领域的最新解决方案亮相PCIM Europe 2025

　　中国上海，2025年4月22日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，将于2025年5月6日至8日参加在德国纽伦堡举办的PCIM(PCIM Expo & Conference)展览会暨研讨会。该展会是电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会。罗姆将在9号馆304展位展示与知名合作伙伴的参考项目及其封装设计与评估板的技术演进。　　罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示：“德国纽伦堡的PCIM 2025是电力电子领域创新与突破的盛会。在这里，业内前沿人才汇聚一堂，共同擘画电动交通和工业应用的未来蓝图。我们将展示出色的客户应用案例，全方位展现罗姆产品的卓越潜力。无论是光伏行业还是电动交通领域，罗姆都将积极参与。我们很期待在现场与客户共同探讨未来的关键项目。”　　罗姆在PCIM Europe 2025上的亮点预览：　　罗姆的车载产品：罗姆将展出一款采用TRCDRIVE pack™的逆变器产品，该产品内置罗姆二合一SiC塑封型模块。罗姆与法雷奥(Valeo)自2022年起始终保持合作，双方在合作初期以技术交流为切入点，致力于共同提升电机逆变器的性能和效率。而电机逆变器是电动汽车(EV)和插电式混合动力汽车(PHEV)动力总成系统的关键部件。　　罗姆展位上还将展出电动交通应用中必不可少的车载充电器(OBC)电源解决方案。其中包括适用于OBC的新型EcoSiC™塑封型功率模块，以及采用罗姆功率半导体器件的OBC应用案例。罗姆的Power Eco Family产品：“Power Eco Family”品牌理念整合四大功率半导体产品矩阵，旨在通过提高应用产品的性能，推动可持续生态系统的发展。罗姆将在展位上展示自有的解决方案与案例研究。　　其中的应用案例之一是新型GaN产品群——罗姆EcoGaN™系列中的650V耐压的TOLL封装GaN HEMT已被日本知名电子元器件、电池和电源制造商村田制作所集团旗下的子公司Murata Power Solutions用于其AI服务器电源。Murata Power Solutions的5.5kW AI服务器电源通过内置罗姆低损耗且高速开关性能优势兼具的GaN HEMT，实现了效率提升与小型化的双重突破。了解更多信息，请参阅AMEYA360发布的相关新闻。　　 Power Eco Family系列的详情如下：　　· EcoSiC™是采用因性能优于Si而在功率元器件领域备受关注的SiC的元器件品牌。　　· EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的低导通电阻和高速开关性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件。该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计时间和元器件数量等。　　· EcoIGBT™是罗姆开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的IGBT，是包括器件和模块在内的品牌名称。　　· EcoMOS™是罗姆专为功率元器件领域的对节能要求高的应用设计的Si功率MOSFET产品的品牌。　　在展会期间，罗姆的电源专家将参与多场研讨会和会议演讲。此外，还将在PCIM Europe 2025上展示海报。　　更多关于罗姆在PCIM Europe 2025上的重点展示内容，请访问：‍https://www.rohm.com/pcim‍　　[注] *EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™、EcoMOS™和TRCDRIVE pack™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。　　了解更多信息，请点击访问罗姆官网：https://www.rohm.com.cn/。

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罗姆

发布时间：2025-04-22 17:24 阅读量：1243 继续阅读>>

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佰维存储企业级SSD通过OpenCloudOS、龙蜥、openEuler等开源社区认证

　　近日，佰维存储的企业级存储产品SP406/416、SP506/516系列PCIe SSD完成了与OpenCloudOS、龙蜥(Anolis OS)和openEuler三大开源操作系统的兼容性认证。测试结果显示，系列产品在功能、性能、可靠性和兼容性等方面均表现卓越。　　佰维SP4/SP5系列企业级SSD分别与OpenCloudOS操作系统完成了全方位兼容性测试，涵盖操作系统安装测试、系统信息检查、分区和文件系统测试、热插拔测试、硬盘指示灯测试、硬盘读写性能测试、系统重启(Reboot)测试以及长时间压力测试等多轮严苛环节，测试结果表明佰维企业级SSD产品在Open CloudOS环境中表现出良好的适配性和稳定性。　　在产品功能与关键性能指标方面，佰维企业级SSD表现性能卓越、稳定可靠，可为企业级应用的连续性、长期稳定运行保驾护航。在可靠性与兼容性方面，在混合读写与快速随机切换的工作场景下，历经长时间压力测试，佰维企业级SSD依然能够稳定无误的运行。同时，佰维企业级SSD通过多家OS开源社区的互认证测试，表明可为客户OS使用提供灵活选择和适配。　　佰维企业级SSD SP4系列采用U.2形态接口，适用于各类企业级数据中心、云计算与高端服务器。该产品基于优异的企业级主控芯片结构，搭载企业级专用的高速3D TLC闪存颗粒，覆盖1.6TB~7.68TB容量，具备高吞吐量/IOPS、低延迟以及良好的 QoS 特性。采用高效固件架构，提升了产品的性能与耐用度，平均无故障时间高达250万小时。此外，极低的功耗表现可大幅降低客户运维成本，满足企业级应用对能效的严苛要求。　　佰维企业级SSD SP5系列最大带宽是Gen4产品的两倍。产品实现了性能与功耗的平衡，顺序读取/写入速度分别高达13100MB/s、10000MB/s，容量支持1.6TB~15.36TB，提供业界领先的KIOPS/Watt性能，满足企业级客户对于数据高密度存储、高兼容易用性及低TCO的需求，通过多种软件算法与固件优化，产品具备数据安全性保障、可靠与一致性等多项技术优势。可扩充E1.S、E3.S多种规格形态接口，以匹配EDSFF新型服务器、传统服务器、工作站等主流硬件平台的使用环境。　　除三大开源系统认证外，佰维SP4和SP5系列企业级SSD同时通过了飞腾、海光、龙芯等主流CPU厂商的适配测试;并通过联想、浪潮、新华三、同方等17家服务器厂商的互认证测试。广泛覆盖企业级硬件环境需求，为全球客户提供灵活、开放的存储解决方案。未来，佰维存储将推出更高性能、高可靠的企业级存储产品与解决方案，并联合更多生态伙伴深化协同创新，积极推动企业级存储产品的技术适配与生态共建，以智能存力引擎驱动数字经济高质量发展。

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佰维存储

发布时间：2025-04-21 13:34 阅读量：1166 继续阅读>>

广和通发布新一代LTE Cat.1 bis模组MC610-<span style='color:red'>EU</span>/LA

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广和通发布新一代LTE Cat.1 bis模组MC610-EU/LA

　　相较于上一代，本次发布的MC610-EU/LA通过缩小存储空间和精简语音功能，进一步优化成本。在封装尺寸上，MC610-EU/LA采用24.2mm*26.2mm的LCC+LGA封装方式，兼容广和通Cat.1模组MC665系列及Cat.M模组MA510系列，便于客户同步设计支持2G/Cat.1/Cat.M的终端方案，加速终端迭代。　　广和通LTE Cat.1 bis模组MC610-EU/LA搭载展锐8910平台，覆盖拉美、欧洲地区LTE主流频段，下行峰值速率达10.3Mbps，上行速率达5.1Mbps，满足全球终端对4G速率连接的需求。同时，MC610-EU/LA支持LTE和GSM双模通信，用户可灵活切换网络。MC610-EU/LA提供包括SIM/USB/UART/ADC/SDIO/GPIO/SPI/I2C等丰富接口，同时支持Linux、Windows和Android等主流操作系统，客户终端可灵活拓展至更多应用和系统集成。　　得益于以上特性，MC610-EU/LA作为支持全球LTE频段及2G网络的低成本Cat.1 bis模组，可为定位追踪器及智能表计提供超长待机的无线通信。内置MC610-EU/LA的智能表计支持LTE和GSM网络，可实现双向通信，充分满足无线远程抄表和控制应用的需求。MC610系列已拥有MC610-GL、MC610-LA、MC610-EU、MC610-CN等多个版本，可在欧洲/亚太/非洲/拉美以及全球地区广泛应用。目前，新一代MC610-EU/LA/GL已进入客户送样阶段。　　得益于以上特性，MC610-EU/LA助力定位追踪、泛支付、共享行业、工业互联、车载后装等中低速物联网场景实现无线连接。

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广和通

发布时间：2024-10-29 15:14 阅读量：1346 继续阅读>>

三星电子与蔡司合作加强聚焦<span style='color:red'>EU</span>V技术和半导体设备

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三星电子与蔡司合作加强聚焦EUV技术和半导体设备

　　三星电子正在深化与蔡司集团在下一代EUV和芯片技术方面的合作，蔡司集团是全球唯一的极紫外(EUV)光系统供应商ASML Holding NV的光学系统唯一供应商。　　三星电子的执行董事长李在镕(Jay Y. Lee)近期在德国会见了蔡司总裁兼首席执行官卡尔·兰普雷希特(Karl Lamprecht)及其他公司高管。　　会议上，双方同意扩大在EUV技术和尖端半导体设备研发方面的合作，以增强两家公司在晶圆代工代工和存储芯片领域的业务竞争力。通过这次合作，三星希望提升下一代半导体技术，优化芯片制造流程，提高先进芯片的生产良率。　　蔡司还计划到2026年投资480亿韩元在韩国建设研发中心，加强同三星等韩企的战略合作。　　资料显示，蔡司是光学与光电解决方案开发商，也是光刻机大厂ASML EUV光刻机独家供应商，每台EUV光刻机中包含了三万多个由蔡司提供的组件。蔡司在EUV技术方面拥有超过2000项核心专利，其掌握的技术可以在高性能先进芯片生产中发挥重要作用。　　三星电子希望通过与蔡司的技术合作，实现下一代半导体的性能提升、生产工艺优化和良率提升，从而提高其业务竞争力。

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蔡司

发布时间：2024-04-29 15:11 阅读量：1384 继续阅读>>

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Microchip宣布收购Neuronix AI Labs

　　Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)宣布收购 Neuronix AI Labs，以进一步增强在现场可编程门阵列(FPGA)上部署高能效人工智能边缘解决方案的能力。Neuronix人工智能实验室提供神经网络稀疏性优化技术，可在保持高精度的同时，降低图像分类、目标检测和语义分割等任务的功耗、尺寸和计算量。　　Microchip的中端PolarFire® FPGA和SoC在低功耗、可靠性和安全功能方面已处于行业领先地位。完成此次收购后，Microchip将能在成本、尺寸和功耗受限的系统上开发出经济高效的大规模边缘部署组件，用于计算机视觉应用，并使中低端FPGA的AI/ML处理能力成倍增强。　　Microchip负责FPGA业务部的公司副总裁Bruce Weyer表示：“收购 Neuronix人工智能实验室的技术将提高我们在采用AI/ML算法的智能边缘系统中部署的FPGA和SoC的能效。Neuronix的技术与我们的VectorBlox™设计流程相结合，可提高神经网络的性能效率，并在低功耗PolarFire FPGA和SoC中实现出色的 GOPS/watt 性能。系统设计人员现在能够设计和部署以前由于尺寸、散热或功耗限制而难以构建的小尺寸硬件。”　　收购这项技术后，非FPGA设计人员无需深入了解FPGA设计流程，即可使用行业标准人工智能框架，利用强大的并行处理能力。Neuronix 人工智能知识产权与Microchip现有的编译器和软件设计工具包相结合，可以在可定制的FPGA逻辑上实现AI/ML算法，无需RTL级专业知识或对底层FPGA结构的深入了解。它还允许即时更新和升级CNN，无需对硬件重新编程。　　Neuronix AI Labs首席执行官Yaron Raz表示：“Neuronix AI Labs一直致力于开发一流的神经网络加速架构和算法，以满足用户对尺寸、功耗、性能和成本的预期。加入Microchip团队为我们提供了独特的机会，使我们能够扩大规模，并与在功耗效率方面树立了行业标准的FPGA 产品组合保持一致。"

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Microchip

发布时间：2024-04-18 11:43 阅读量：1636 继续阅读>>

英特尔大规模量产Intel 4工艺采用<span style='color:red'>EU</span>V光刻

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英特尔大规模量产Intel 4工艺采用EUV光刻

　　英特尔宣布在位于爱尔兰的Fab 34晶圆厂成功安装和调试了EUV(极紫外)光刻机，并已正常启用，准备开始Intel 4工艺的量产。这将标志着极紫外 (EUV) 光刻技术首次用于欧洲批量生产。　　Intel 4工艺首发用于代号Meteor Lake的酷睿Ultra处理器，将在12月14日正式发布，面向主流和轻薄笔记本。　　目前，Intel正在稳步推进“四年五个制程节点”计划。　　其中，Intel 7和Intel 4已实现大规模量产，前者用于12/13/14代酷睿。　　Intel 3正在按计划推进，目标是2023年底。　　明年上半年，Intel将推出首个采用Inte 3工艺的Sierra Forest至强处理器，基于E核架构，最多288核心，随后是同样Intel 3工艺、P核设计的Granite Rapids。　　Intel 20A和Intel 18A同样进展顺利，目标是2024年，将首次采用RibbonFET全环绕栅极晶体、PowerVia背面供电技术。　　此外，Intel即将推出面向代工服务客户的Intel 18A制程设计套件(PDK)。

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英特尔

发布时间：2023-10-13 09:22 阅读量：2211 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
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