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广和通推出MagiCore 2.0，提升IP Agent定制体验

　　10月28日，广和通发布全新升级的MagiCore 2.0，以精巧尺寸、便携易用、低功耗、IP Agent定制等优势，为AI毛绒包挂场景带来个性化AI交互体验。MagiCore 2.0提供毛绒终端、机芯盒、AI音频流模组等多种交付方式，目前，MagiCore 2.0已率先进入客户送样阶段。　　MagiCore 2.0机芯盒拥有50*48*23mm的精巧尺寸和50g轻盈重量，使其能够轻松内置到大多数毛绒挂件中，保持产品原有的便携性与美观度。MagiCore 2.0采用阻燃防静电的环保材质，同时，为解决毛绒材质下的散热难题，研发团队进行了专业热管理方案设计，确保在正常工作模式和充电模式下均无安规风险。在功耗控制上，MagiCore 2.0继承了上一代产品的超低功耗特性，并通过4G超长待机技术实现待机7天、连续工作3小时的出色续航表现。其自动休眠机制与云端保活快速响应技术，有效缓解用户长时间外带的电量焦虑。　　MagiCore 2.0支持WebSocket和RTC模式，可根据用户需求进行定制。端侧处理能力方面，MagiCore 2.0具备离线唤醒功能，可以通过关键词或按键进行设备唤醒，同时基于设备优良的音频3A算法实现自然语言对话和打断功能，无需通过关键词或按键打断，带来更好的人机交互体验。　　新一代MagiCore 2.0在情感交互上带来创新，专注提升IP Agent定制，为18-35岁一线白领和潮玩二次元爱好者提供全新的IP Agent架构模型。这一创新模型能够根据用户对话和情绪，生成角色特有的内心OS，让AI陪伴更具个性与情感深度。同时架构模型搭载广和通自研情感模型、环境关系图谱、多层级记忆体等独创能力，能够为客户提供快速IP客制化以及特殊玩法定制等服务。　　MagiCore 2.0支持配套APP，可利用生成式AI创造当前城市特色背景，随着用户地理位置变化，角色IP会开启自己的“赛博旅程”，并自动书写独特的赛博旅行日记。这种动态叙事体验让用户与AI角色间建立起持久且独特的情感联结。　　MagiCore2.0的问世印证了广和通在AI陪伴领域的持续创新能力，推动AI陪伴方案由专注功能性向情感联结升级，以科技提供搭子式的情感陪伴。未来，广和通将通过MagiCore的持续迭代，为每一个终端赋予智能灵魂。

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广和通

发布时间：2025-10-28 17:47 阅读量：248 继续阅读>>

ROHM推出兼具低FET发热量和低EMI特性的三相无刷电机驱动器<span style='color:red'>IC</span>

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ROHM推出兼具低FET发热量和低EMI特性的三相无刷电机驱动器IC

　　2025年10月23日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出适用于中等耐压系统( 12V ～ 48V 系统) 的采用“TriC3™” 技术的三相无刷直流电机驱动器 IC“BD67871MWV-Z”。通过配备ROHM自有的驱动逻辑，该电机驱动器IC成功地在降低FET发热量的同时实现了低EMI*1特性，而这两项之间存在此消彼长的关系，通常很难同时兼顾。　　电机的耗电量约占全球耗电量的60%，从能源效率的角度来看，进一步提升其控制技术越来越重要。尤其是在12V～48V电压等级的应用产品中，电机驱动的主流方案通常采用通过MCU控制3个栅极驱动器的简单架构。然而近年来，对高效率控制且精密控制的需求日益高涨，MCU与一体化三相电机驱动器相结合的解决方案正在加速普及。另一方面，三相电机驱动器还存在技术课题—“抑制功耗”与“降低噪声”之间存在着此消彼长的权衡关系，长期以来被认为两者很难同时兼顾。针对这些课题，ROHM充分利用其在电机驱动器等各种栅极驱动器IC开发过程中积累的先进电路控制技术，成功开发出可同时抑制“功耗”和 “噪声”的新技术“TriC3™”。　　新产品采用ROHM自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”，能够高速感测来自FET的电压信息，并实时进行栅极控制。采用这种控制方式，不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量，同时还抑制了振铃*2的产生，实现了低EMI特性。经实际电机验证，与ROHM以往的恒流驱动产品相比，新产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外，新产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形(UQFN28)和引脚排列，有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。　　新产品已于2025年9月开始量产(样品价格800日元/个，不含税)。此外，ROHM还提供可助力应用产品开发和设计的评估板(BD67871MWV-EVK-003)。本产品也已开通电商销售路径，可通过AMEYA360购买。　　另外， ROHM 还推出了与新产品采用相同封装和引脚配置的恒压驱动通用电机驱动器(BD67870MWV-Z、BD67872MWV-Z)。从通用型到此次采用TriC3™技术的高附加值型产品，ROHM可提供满足客户多样化需求的丰富产品群，未来ROHM将继续致力于提升电机效率、助力应用产品增强功能、提升性能并降低能耗。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：电动钻头、电动螺丝刀、工业风扇等设备所用的各种电机　　・消费电子：吸尘器、空气净化器、空调、换气扇等设备所用的各种电机、电助力自行车　　<TriC3™>　　ROHM开发的适时细分恒流控制驱动技术。通过三段式精确设定控制栅极电流，实现高速且高效运行，同时抑制振铃现象，有助于降低噪声并实现稳定工作。　　“TriC3™”是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1) EMI(Electromagnetic Interference：电磁干扰)　　EMI是用来衡量对象产品的运行产生多少噪声、是否给外围IC和系统带来问题的指标。“低EMI特性”意味着产生的噪声很少。　　*2) 振铃　　开关时产生的高频振荡和过冲现象。这是由MOSFET在开、关动作时，电路中的寄生电感和寄生电容发生的谐振所导致的现象。

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ROHM

发布时间：2025-10-23 14:15 阅读量：287 继续阅读>>

力芯微推出新品微光充PM<span style='color:red'>IC</span>

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力芯微推出新品微光充PMIC

　　2025年10月21日，KES韩国电子展正式开幕。力芯微于A馆A104展位展示了其高性能微光充PMIC ET95640，并提供了详细的产品演示视频与技术讲解　　产品介绍　　ET95640是一款高度集成的超低功耗微光充电池管理芯片，专为物联网、可穿戴设备等低功耗应用设计。该芯片能够从光伏(太阳能)、热电发生器(TEG)等高阻抗微弱能源中高效提取能量，并支持对锂离子、锂聚合物、超级电容等多种可充电电池进行充放电管理。　　芯片内置冷启动电路，最低仅需275mV或5µW的输入即可启动工作，有效解决了微弱能量环境下的设备供电难题。同时具备Buck架构、5V线性充电器，以及灵活的GPIO配置资源，可大幅延长电池寿命，甚至实现设备的“免维护”长期运行。　　产品特性　　超低功耗冷启动能力　　启动电压最低至275mV　　启动功率仅需5µW　　支持能量收集源电压调节(MPPT)　　可从能量收集源提取高达110mA电流　　完善的电池保护机制　　可配置过放与过充保护电压　　支持多种可充电电池(锂电容、锂离子、锂聚合物等)　　高效降压转换器　　转换效率高于90%　　输出电流可达135mA　　输出电压可通过GPIO配置　　极低功耗运输模式　　电池漏电流小于10nA　　5V线性充电器　　支持预充电/恒流/恒压充电模式　　可在无能量收集源时快速充电　　支持封装：QFN24 (4mm×4mm)　　管脚定义　　典型应用

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力芯微

发布时间：2025-10-21 15:23 阅读量：450 继续阅读>>

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体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

　　2025年10月16日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。　　与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V，而ROHM新产品则达到750V。因此，即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻，从而有助于降低开关损耗。产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品，并已于2025年9月开始量产(样品价格：5,500日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，可从Ameya360平台购买。另外，ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型，助力客户快速推进电路设计。　　<开发背景>　　在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中，功率呈日益提高的趋势，同时，与之相矛盾的小型化需求也与日俱增，这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源，其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求，ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)　　・消费电子：一般电源　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360　　开始销售时间：2025年9月起逐步发售　　<术语解说>　　*1) 图腾柱型PFC电路　　一种高效率的功率因数校正电路方式，通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET，可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

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发布时间：2025-10-20 11:02 阅读量：358 继续阅读>>

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华润微电子第四代SiC MOS主驱模块批量上车

　　近日，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)SiC主驱模块板块再获重要突破，PDBG自主研发的第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。该类模块基于PDBG 1200V SiC MOS G4 平台芯片，采用ValueDual封装，6/8管并联设计，最低导通电阻1.6mΩ，兼具SiC器件低损耗、耐高温特性以及ValueDual模块的高系统兼容性、高系统效率等性能优势，在商用车主驱系统应用中表现优异。　　一、产品核心特性　　高阻断电压与低导通电阻　　驱动简单易并联　　低电感封装避免振荡　　采用AMB技术　　二、应用领域　　xEV应用　　电机驱动　　智能电网、并网分布式发电　　三、产品列表　　第四代SiC MOS平台　　已批量上车的ValueDual模块采用了PDBG自主研发的第四代SiC MOS平台的1200V 13mΩ芯片。该平台在延续第二代平台优异的栅极特性的同时，通过设计和工艺创新，进一步优化了RSP、结电容、漏电等关键参数，显著提升功率密度和运行效率，为车载充电机(OBC)、主驱、高压直流输电(HVDC)等高功率密度、高集成度的应用领域提供更高能效的系列化产品。　　PDBG已经快速完成第四代SiC MOS产品系列化，开发650V和1200V两个电压平台，推出十余个标准规格产品，同时搭配公司成熟的插件、贴片封装，包括QDPAK、TOLT等贴片顶部散热封装，产品综合性能表现优异，已成功导入OBC、充电桩、逆变器等领域的头部客户，并实现批量供货，为产业升级提供高效可靠的国产器件支持。　　第四代SiC MOS产品列表　　结语　　依托华润微电子在SiC领域长期沉淀的深厚技术积累，以及IDM商业模式所具备的独特优势，PDBG将持续对SiC产品系列进行迭代升级，不断优化产品性能。与此同时，积极开发与SiC特性相匹配的新型单管和模块封装形式，最大化发挥SiC器件的优势。未来，PDBG将凭借领先的技术和优质的产品，助力整机应用朝着高效化、轻量化的方向升级，为客户提供更具竞争力的产品选择。

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华润微

发布时间：2025-10-16 15:06 阅读量：421 继续阅读>>

芯片的分类以及<span style='color:red'>IC</span>设计的基本概念介绍

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芯片的分类以及IC设计的基本概念介绍

　　什么是芯片?　　“芯片”(Chip)是“集成电路”(Integrated Circuit, IC)的俗称，是一种微型化的电子器件。它将大量的晶体管、电阻、电容、电感等电子元器件以及它们之间的连接线路，通过半导体制造工艺(主要是光刻技术)，集成在一块微小的半导体材料(通常是硅，Silicon)基片上，形成一个完整的、具有特定功能的电路系统。　　▌核心材料　　硅(Silicon)。硅是一种半导体材料，其导电性介于导体和绝缘体之间，可以通过掺杂等方式精确控制其电学特性。　　▌制造过程　　在晶圆(Wafer，即一大片圆形的硅片)上，通过复杂的光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积等数百道工序，将电路图形一层一层地“雕刻”上去。　　▌最终形态　　制造完成后，晶圆被切割成一个个独立的小方块，这就是裸芯片(Die)。裸芯片再经过封装(Package)，加上引脚和保护外壳，就成为了我们通常看到的、可以焊接到电路板上的芯片。　　▌简单比喻　　可以把芯片想象成一个“微型城市”。硅片是土地，晶体管是城市里的“开关”或“门卫”，负责处理信息(开/关，1/0);导线是城市的“道路”，连接各个区域;整个集成电路就是这个城市的“规划图”，规定了所有建筑(元器件)和道路(连接)的布局，使其能协同工作。　　芯片的分类　　▌按功能分类　　数字芯片 (Digital IC)：　　特点：处理离散的数字信号(0和1)。逻辑清晰，抗干扰能力强，易于大规模集成。　　代表：　　微处理器 (Microprocessor, MPU，GPU，CPU等)　　计算机、手机等设备的“大脑”，执行指令和处理数据(如Intel CPU, Apple M系列芯片)。　　微控制器 (Microcontroller, MCU)　　集成了处理器、内存、I/O接口等功能的“单片机”，常用于嵌入式系统(如家电、汽车电子)。　　存储器 (Memory)　　用于存储数据和程序。　　逻辑门电路/可编程逻辑器件 (PLD)　　如FPGA(现场可编程门阵列)、CPLD(复杂可编程逻辑器件)，用户可以自行编程实现特定逻辑功能。　　RAM (随机存取存储器)　　如DRAM(动态RAM，主内存)、SRAM(静态RAM，高速缓存)，断电后数据丢失。　　ROM (只读存储器)　　如Flash(闪存，U盘、SSD、手机存储)、EEPROM，断电后数据不丢失。　　模拟芯片 (Analog IC)：　　放大器 (Amplifier)　　如运算放大器(Op-Amp)，用于放大微弱信号。　　电源管理芯片 (Power Management IC, PMIC)　　负责电压转换(升压/降压)、稳压、充电管理、电源分配等(手机、电脑中常见)。　　数据转换器 (Data Converter)　　如ADC(模数转换器，将模拟信号转为数字信号)、DAC(数模转换器，将数字信号转为模拟信号)。　　射频芯片 (RF IC)　　处理高频无线信号，用于通信(如手机、Wi-Fi、蓝牙模块)。　　特点：处理连续变化的模拟信号(如电压、电流、温度、声音)。设计难度高，对噪声和干扰敏感。　　混合信号芯片 (Mixed-Signal IC)：　　特点：在同一芯片上同时集成了数字电路和模拟电路。现代芯片大多是混合信号芯片。　　代表：很多传感器接口芯片、通信芯片(如基带处理器)、SoC(见下文)。　　▌按集成度分类　　SSI (Small-Scale Integration, 小规模集成电路)　　：集成几十个晶体管(如简单的逻辑门)。　　MSI (Medium-Scale Integration, 中规模集成电路)　　：集成几百个晶体管(如计数器、译码器)。　　LSI (Large-Scale Integration, 大规模集成电路)　　：集成几千到几万个晶体管(如早期的微处理器、存储器)。　　VLSI (Very Large-Scale Integration, 超大规模集成电路)　　：集成几十万到几百万个晶体管(现代大多数芯片都属于此范畴)。　　ULSI (Ultra Large-Scale Integration, 特大规模集成电路)　　：集成上千万甚至数十亿个晶体管(如现代高性能CPU、GPU)。　　▌按应用领域分类　　通用芯片　　设计用于广泛的应用场景，如CPU、GPU、标准存储器。　　专用集成电路 (ASIC - Application-Specific Integrated Circuit)　　为特定应用或客户定制设计的芯片，性能和功耗优化，但开发成本高。　　系统级芯片 (SoC - System on Chip)　　将一个完整系统的大部分甚至全部功能(如CPU、GPU、内存控制器、DSP、I/O接口、射频模块等)集成在单一芯片上。这是现代电子设备(尤其是移动设备)的核心，如手机的主控芯片(如高通骁龙、苹果A系列)。　　IC设计的基本概念　　IC设计是创造芯片的“蓝图”和“规划”的过程，是一个高度复杂、多学科交叉的工程。这里主要介绍数字IC的设计，分为两大阶段：　　▌前端设计 (Front-End Design)　　专注于功能的定义、验证和逻辑实现。　　规格定义 (Specification)　　明确芯片需要实现的功能、性能指标(速度、功耗)、接口标准等。　　架构设计 (Architecture Design)　　设计芯片的整体结构，如采用何种处理器核心、总线结构、存储层次等。　　RTL设计 (Register-Transfer Level Design)：　　使用硬件描述语言(HDL)，如Verilog或VHDL，编写代码来描述芯片的行为和数据在寄存器之间流动的方式。这是前端设计的核心，将功能需求转化为可综合的逻辑描述。　　功能验证 (Functional Verification)：　　通过仿真(Simulation)等手段，确保RTL代码在各种输入条件下都能正确实现预期功能。　　这是设计过程中耗时最长、成本最高的环节之一，目标是“把错都找出来”。　　逻辑综合 (Logic Synthesis)：　　使用EDA(Electronic Design Automation，电子设计自动化)工具，将RTL代码自动转换为由标准单元库(如与门、或门、触发器等)构成的门级网表(Netlist)。这个过程会考虑时序、面积和功耗的约束。　　▌后端设计 (Back-End Design)　　专注于物理实现，将逻辑设计转化为可以在晶圆上制造的物理版图。　　物理实现 (Physical Implementation)：　　布局 (Placement)　　将门级网表中的所有标准单元在芯片版图上进行物理摆放。　　布线 (Routing)　　根据网表连接关系，在布局好的单元之间铺设金属导线。　　静态时序分析 (Static Timing Analysis, STA)　　在不进行仿真的情况下，分析电路中所有可能的时序路径，确保信号能在时钟周期内稳定传输，满足建立时间(Setup Time)和保持时间(Hold Time)的要求。　　物理验证 (Physical Verification)：　　设计规则检查 (Design Rule Check, DRC)　　确保版图符合晶圆厂的制造工艺规则(如最小线宽、最小间距)。　　版图与电路图一致性检查 (Layout vs. Schematic, LVS)　　确保最终的物理版图与原始的门级网表在电气连接上完全一致。　　电气规则检查 (Electrical Rule Check, ERC)　　检查版图中的电气连接是否正确(如避免悬空引脚)。　　寄生参数提取 (Parasitic Extraction)　　提取布线产生的寄生电阻、电容等参数，用于更精确的时序和功耗分析。　　最终交付　　生成符合晶圆厂要求的GDSII或OASIS格式的版图文件，交付给晶圆厂进行制造。

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发布时间：2025-10-10 09:59 阅读量：403 继续阅读>>

瑞萨电子推出三款电感式位置传感器<span style='color:red'>IC</span>及网页版线圈设计工具，拓展工业传感产品组合

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瑞萨电子推出三款电感式位置传感器IC及网页版线圈设计工具，拓展工业传感产品组合

　　2025年10月9日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出全新无磁电感式位置传感器(IPS)IC产品系列，支持各类定制线圈设计，可广泛应用于机器人、医疗健康、智能建筑、家用电器及电机换向等工业应用场景。全新发布的RAA2P3226、RAA2P3200及RAA2P4200传感器IC具备高分辨率、高精度与高可靠性，是传统磁编码器/光学编码器的完美替代方案——传统编码器往往成本高昂，且需频繁维护。此外，瑞萨还同步推出一款网页版线圈设计工具，助力客户轻松创建定制化线圈方案，满足多样化方案需求。　　基于电感式线圈传感器技术，瑞萨IPS产品采用简易金属标靶与双线圈/单线圈配置，可检测旋转、线性或弧形位置。瑞萨电感式位置传感器IC即使在高温(-40至125°C)、粉尘、潮湿、机械振动及电磁干扰等恶劣环境下仍能保持稳定运行;此外，电感式原理决定了传感器不受杂散磁场影响，且无需维护。得益于产品的高性能，耐用性与低维护成本，使其成为电机控制、执行器、阀门、机器人及基础设施等对可靠性和长期性能/寿命有严苛要求应用领域的理想选择。　　三款产品均具备高精度位置检测能力，精度优于电周期的0.1%。其中RAA2P3226和RAA2P3200最高可支持600K RPM(电气转速)，传播延迟低于100纳秒，这对高速电机应用至关重要。高端型号RAA2P3226支持双线圈(2路位置信息)，具备19位分辨率和>0.01°绝对精度，满足工业电机/机器人应用的高精度需求。RAA2P4200专为医疗设备、动力工具等低速应用设计;RAA2P3200则针对高速电机换向应用设计。三款产品均内置自动校准与线性化功能，可简化系统并提升系统级性能。　　除上述三款产品外，瑞萨还将推出车规级IPS产品RAA2P452x和RAA2P4500，预计将于今年晚些时候上市。双通道RAA2P452x与瑞萨微控制器(MCU)搭配使用时，可助力客户实现ASIL D安全等级。该车规级解决方案为低速车身控制和底盘系统提供经济高效的选择，同时确保品质不变。　　基于电感式位置传感器的设计通常涉及集成PCB、无源元件、IC，以及安装在运动部件上的金属标靶。其中，主要设计难点在于外部传感元件，如发射和接收线圈，必须精确配置以实现高精度，并需针对系统的机械与环境要求进行定制。瑞萨推出的网页版电感式位置传感器线圈优化工具通过自动化线圈布局、仿真和调谐，有效解决这一难题，显著降低开发人员的学习门槛。借助该工具，工程师还能获得准确的性能预估，并通过优化线圈布局克服制造限制。　　Leopold Beer, Vice President of Sensors Division at Renesas表示：“我们新推出的网页版线圈设计工具，将为电感式位置传感技术带来颠覆性变革。过去，开发人员在使用电感式位置传感器时，必须依赖芯片供应商的专业技术支持;如今，我们彻底打破这一障碍。这款直观易用的工具支持开发人员完全自定义感应线圈，并能够自动进行精细调校，从而在系统层面实现高精度和高稳定性。这不仅大幅降低行业准入门槛，也使更多客户——无论专业水平如何——都能自信地将电感式位置传感技术集成到设计中。”　　RAA2P3226、RAA2P3200和RAA2P4200的关键特性　　RAA2P3226　　双线圈IPS技术，适用于电感式机器人关节、AGV物流小车、工业机器人/协作机器人，及各种电机控制　　输出接口：UART、ABI、步进-方向、I²C　　最高19位分辨率，0.01°绝对精度(集成游标功能)　　自动增益控制(AGC)补偿气隙变化　　16点线性化功能提升精度　　启动时提供真实绝对位置信息(true power on)　　支持旋转、弧形，及线性位置检测　　工业级温度范围：-40°C至125°C　　供电电压：3.0V/5.5V　　RAA2P3200　　高速低延迟IPS，适用于电机换向、电动自行车、工业机器人/协作机器人，及各种电机控制　　输出接口：SPI、UART、ABI、UVW，或步进-方向　　自动增益控制(AGC)补偿气隙变化　　16点线性化功能提升精度　　支持旋转、弧形，及线性位置检测　　工业级温度范围：-40°C至125°C　　供电电压：3.0V/5.5V　　过压、反极性及短路保护　　RAA2P4200　　单线圈设计，适用于低速服务机器人、动力工具，及医疗应用　　输出接口：Anolog、PWM、I²C　　自动增益控制(AGC)补偿气隙变化　　16点线性化功能提升精度　　支持旋转轴向/非轴向、弧形，及线性位置检测　　工业级温度范围：-40°C至125°C　　供电电压：3.0V/5.5V　　过压、反极性及短路保护　　可替代ZMID4200　　成功产品组合　　瑞萨将RAA2P3226与其它兼容设备相结合，开发出两款“成功产品组合”：微型BLDC伺服和唱盘系统。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。

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发布时间：2025-10-10 09:50 阅读量：367 继续阅读>>

思瑞浦推出TPT1169xQ 全面升级CAN S<span style='color:red'>IC</span>，支持8Mbps高速通讯

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思瑞浦推出TPT1169xQ 全面升级CAN SIC，支持8Mbps高速通讯

　　聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK(股票代码：688536)推出集成Watchdog、LDO和CAN SIC收发器的汽车级SBC系统基础芯片TPT1169xQ产品系列。该系列产品具有超低功耗、更强EMC性能, 支持CAN SIC (Signal Improvement Capability) 和局部网络唤醒(Partial Networking)功能，以及多重诊断和保护等特点，可广泛应用于车身电子、车载照明系统、HVAC系统、智能辅助驾驶系统等多种汽车电子应用中。　　TPT1169xQ产品系列符合ISO 11898-2:2024规范要求, 支持CAN SIC ((Signal Improvement Capability))8Mbps通信速率，IEC61000-4-2，接触放电ESD能力达到±8kV，确保了其在汽车网络中的卓越性能和可靠性, 同时该产品也顺应市场需求, 实现了100%全面国产化供应链, 为全国产化产品矩阵再添一员。　　目前TPT1169xQ是国内首款采用全国产供应链且通过多家车厂和Tier1认证并量产的CAN SIC SBC。　　思瑞浦100%全国产化供应链车载接口全系列产品矩阵，全面助力汽车设计国产化率提升, 保证供应链安全。　　01产品优势　　LDO稳压器　　LDO V1 输出5V/3.3V，最大输出电流250mA，精度±2%，可以通过外部PNP晶体管进行电流扩展，提高输出电流能力，给系统的MCU或其他负载供电。　　LDO V2/VEXT输出5V，最大输出电流150mA，精度±2%，给CAN收发器和其他在板负载供电;VEXT提供对电池、接地的短路保护。　　控制和诊断　　支持16位、24位和32位SPI，用于配置、控制和诊断，灵活应对不同应用场景。　　支持本地唤醒、远程唤醒和选择性唤醒，以及唤醒源识别功能，降低功耗且快速响应系统需求。　　集成可配置的超时和窗口看门狗(8ms~4096ms)，提供故障安全和监控功能。　　LDO支持过压和欠压保护，短路保护，过温报警和关机保护等。　　专用LIMP输出管脚指示系统故障。　　通过非易失性存储器(Multiple Time Programmable, MTP)进行不同的上电和跛行功能等配置，满足各种应用不同配置的需求。　　恢复出厂预设值，系统复位进入强制正常模式。　　遵循功能安全开发流程，在设计中加入功能安全机制，如电源故障检测，窗口看门狗以及复位，LIMP故障输出(跛行模式输出)，可以提供功能安全相关的文档，包括功能安全手册、FMEDA、FIT等文档，可以支持诊断覆盖范围、失效模式分布、故障率计算等功能安全评估，帮助系统通过ISO26262 ASIL-B认证。　　支持CAN SIC振铃抑制功能　　总线振铃一般是CAN总线的通信过程中，由于阻抗不匹配导致的信号反射等原因，使得信号在传输线上多次反射，进而产生的一种振荡现象。振铃现象可能会对CAN总线的通信质量产生负面影响，甚至有可能导致通信失败。TPT1169xQ产品系列采用自研的振铃抑制专利，允许工程师在多节点、复杂拓扑情况下有效减少总线中的信号反射，降低振铃现象发生的概率 (如下图)。TPT1169xQ具有优异的CAN信号改善功能，可以提高通讯速率、大幅抑制网络中的信号振铃效应，减少通讯误码率，从而提高整车网络通信速率和组网方式的灵活性。如下图所示，传统的CAN FD只适用于简单的总线架构的组网方式，在复杂的星型架构上，总线波形振铃现象和通讯误码率会大幅增加。　　通过德国C&S实验室CAN SIC互操作性测试　　C&S是德国Communication & System Group实验室的简称。C&S实验室成立于1995年，拥有超过25年的车用网络通信开发和测试经验，是业界公认的测试通信接口互联互通、一致性和兼容性的权威认证机构，与全球领先的各大知名车企均有合作，C&S出具的认证报告也获得行业的一致认可。　　通过C&S兼容性测试，意味着CAN收发器具备与整车CAN总线的上下游设备互联互通的能力，可直接和其他通过C&S认证的CAN收发器无障碍通信，无需再对整车进行繁琐的兼容性测试。　　EMC优化　　实际应用中，CAN收发器芯片在传输信号的过程中遇到汽车环境中的多种电磁干扰源，如何有效忍受外部电磁干扰，确保信号正确传输，从而增强系统的稳定性是所有车规级芯片面临的问题。系统级BCI (Bulk Current Injection，大电流注入), 可以用来评估芯片抗干扰能力。TPT1169xQ产品系列可以在总线没有共模电感滤波的情况下，2Mbps通信可以满足多数系统级BCI 106dBuA (200 mA)的测试要求。在降低系统复杂度与BOM成本的同时，提升系统的可靠性。　　02产品特性　　•CAN收发器：符合ISO 11898-2:2024 和SAE J2284-1到SAE J2284-5 标准，以及CiA601-4物理层标准　　•支持标准CAN和CAN FD SIC，数据传输速率高达8Mbps，提升信号质量的同时满足高速通信需求　　•低功耗：支持超低功耗睡眠模式，同时支持本地唤醒 (WAKE脚和唤醒源识别) 和局部网络唤醒(Partial Networking, PN)，降低系统功耗，提升能效　　•内置两路LDO：5V/3.3V 主LDO，输出电流250mA;5V 辅LDO，输出电流150mA　　•串行外设接口：通过16-, 24-或32-bit串行外设接口 (Serial Peripheral Interface, SPI) 进行模式控制　　•看门狗：支持Window窗口模式、Timeout超时模式和Autonomous自主模式　　•总线故障保护：±45 V　　•总线引脚保护：±8kV IEC61000-4-2接触放电　　•封装：DFN3.5X5.5-20L，芯片封装工艺有利于AOI自动光学检测　　•AEC-Q100 Grade 1标准　　03典型应用　　TPT1169xQ产品系列集成高速CAN收发器和两路LDO，还具有看门狗、SPI接口和LIMP输出，同时包括监控和诊断等功能，以“高集成+高可靠”为核心，为汽车电子提供从通信、供电到安全监测的一站式解决方案。

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思瑞浦

发布时间：2025-09-30 14:20 阅读量：463 继续阅读>>

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罗姆与英飞凌携手推进 SiC 功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度

　　2025 年 9 月 25 日全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布，与英飞凌科技股份公司(总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”)就建立 SiC 功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及 AI 数据中心等领域的 SiC 功率器件封装展开合作，推动彼此成为 SiC 功率器件特定封装的第二供应商。未来，用户可同时从罗姆与英飞凌采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升用户在设计与采购环节的便利性。　　英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 表示：“我们很高兴能够通过与罗姆的合作进一步加速碳化硅功率器件的普及。此次合作将为客户在设计和采购流程中提供更丰富的选择与更大的灵活性，同时还有助于开发出能够推动低碳进程的高能效应用方案。”　　罗姆董事兼常务执行官功率器件事业部负责人伊野和英表示：“罗姆的使命是为客户提供最佳解决方案。与英飞凌的合作将有助于拓展我们的解决方案组合，同时也是实现这一目标的重要一步。我们期待通过此次合作，能够在推进协同创新的同时降低复杂性，进一步提升客户满意度，共同开拓功率电子行业的未来。”英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer(左)罗姆董事兼常务执行官伊野和英(右)　　作为此次合作的一部分，罗姆将采用英飞凌创新的 SiC 顶部散热平台(包括TOLT、D-DPAK、Q- DPAK、Q-DPAK Dual 和 H-DPAK 封装)。该平台将所有封装统一为 2.3mm 的标准化高度，不仅简化设计流程、降低散热系统成本，更能有效利用基板空间，功率密度提升幅度最高可达两倍。　　同时，英飞凌将采用罗姆的半桥结构 SiC 模块“DOT-247”，并开发兼容封装。这将使英飞凌新发布的 Double TO-247 IGBT 产品组合新增 SiC 半桥解决方案。罗姆先进的 DOT-247 封装相比传统分立　　器件封装，可实现更高功率密度与设计自由度。其采用将两个 TO-247 封装连接的独特结构，较 TO- 247 封装降低约 15%的热阻和 50%的电感。凭借这些特性，该封装的功率密度达到 TO-247 封装的 2.3倍。　　罗姆与英飞凌计划今后将不仅在硅基封装，还将在 SiC、GaN 等各类封装领域进一步扩大合作。此举也将进一步深化双方的合作关系，为用户提供更广泛的解决方案与采购选择。　　SiC 功率器件通过更高效的电力转换，不仅增强了高功率应用的性能表现，在严苛环境下展现出卓越的可靠性与坚固性，同时还使更加小型化的设计成为可能。借助罗姆与英飞凌的 SiC 功率器件，用户可为电动汽车充电、可再生能源系统、AI 数据中心等应用开发高能效解决方案，实现更高功率密度。　　关于罗姆　　罗姆是成立于 1958 年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的 IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动 IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。进一步了解详情，欢迎访问罗姆官方网站：https://www.rohm.com.cn/　　关于英飞凌　　英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约 58,060 名员工(截至 2024 年 9 月底)，在 2024 财年(截至 9 月 30 日)的营收约为 150 亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码：IFX)，在美国的 OTCQX 国际场外交易市场上市(股票代码：IFNNY)。

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罗姆

发布时间：2025-09-26 09:43 阅读量：389 继续阅读>>

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茂睿芯推出国内首款直驱SiC MOSFET flyback AC/DC产品MK2606S

　　一、前言　　碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体，SiC MOSFET因其高耐压、高频开关、耐高温、低通态电阻、低开关损耗和内阻随温度漂移小等特点，已广泛应用于高频、高压功率系统，如新能源汽车与充电桩、光伏与储能、航天、航空、通信等领域。目前，碳化硅(SiC)已经得到大批量验证，其可靠性远优于传统硅(Si)器件。在传统工业级电源中，面对高母线电压下功率器件耐压不足的问题往往需要双管反激拓扑来解决，从而导致成本升高。市面上的方案通常为固定频率、无谷底导通，随着母线电压越高开关损耗越大，即使使用了SiC方案，通常也需要额外的SiC专用驱动芯片，还需要考虑上电时序等诸多问题，难以在小体积系统中集成。在消费领域中，随着碳化硅产能的扩张和良率提升，成本正在快速下降，SiC功率器件也已经逐步渗透到消费级产品中，尤其是PD快充一直追求小体积、高集成度、高效率和低成本的应用场景。随着第三代半导体发展，国内已有直驱GaN方案，但面向消费级市场直驱SiC的专用PWM控制器，国内仍处于空白，针对上述这些问题，茂睿芯推出了国内首款小6 pin直驱SiC MOSFET的flyback AC/DC产品-MK2606S。　　二、MK2606S引脚图　　三、MK2606S典型应用场景　　四、MK2606S关键产品特征　　支持16~30V宽VCC供电　　驱动电压16V，可以直驱SiC MOSFET　　支持135kHz开关频率　　专有的软起机方案，在开机时可以降低次级同步整流尖峰　　抖频功能，优化系统EMI　　恒功率、Line OVP功能可开放　　SOT23-6封装　　MK2606S一图了解　　五、MK2606S直驱SiC方案在工业辅源上的优势　　1、工业辅源现阶段应用痛点　　由于母线电压高，1200V耐压的Si MOSFET难以选择，且价格高，通常需采用双管反激配800V Si MOSFET，方案略复杂;　　现有工业辅源方案通常为固定开关频率，各负载段效率难以优化;　　目前搭配的为诸如Nxx1351, Uxx28x45, Uxx2844, 都没有QR模式，开通损耗大，尤其母线电压越高时，开通损耗越大;　　为SiC辅源优化的PWM少;　　即使采用SiC MOSFET，仍需要额外加SiC驱动器和供电电路，还需要考虑上电时序等诸多问题;　　2、MK2606S 应用优势　　MK2606S可以直驱SiC，省去驱动器和供电电路，其SiC耐压做得更高，选型更容易，同时采用QR模式，降低了开关损耗等等。　　六、MK2606S直驱SiC方案在适配器上的优势　　1、MK2606S直驱SiC方案大内阻可替小内阻Si方案　　众所周知，碳化硅(SiC)的内阻随温度变化小，由下图可见，对比常温25℃和高温100℃的SiC和Si内阻曲线，Si的Rdson上涨了1.6倍，而SiC Rdson无明显上涨。　　注：通过采用48W 12V/4A适配器评估，工作频率均为135kHz，功率管封装均为TO252，且在同一块PCB上进行对比。　　上表可见，在输入90Vac满载12V/4A老化30min，虽采用了MK2606S+大内阻的SiC方案，但效率比小内阻的Si方案仍要优秀，高出0.1%。　　2、MK2606S 直驱SiC方案比Si方案温度更低　　工作频率均为135kHz，功率管封装均为TO252，且在同一块PCB上进行对比。　　实验可见，在效率相差很小的前提下，MK2606S +SiC方案比传统PWM +Si方案MOS表面温度低11.8℃，这也是得益于SiC比传统Si具有更优异的导热率。　　SiC的热导率尤为突出，比Si和GaN都要好，所以在效率相当的条件下，SiC的温度要低于Si，这一特性在实际的产品应用中，能大大降低散热材料带来的额外成本上升，譬如在适配器产品中甚至可以去掉散热器，进一步提高产线生产效率和降低人工组装成本。　　MK2606S+大内阻SiC方案可替小内阻Si方案，且效率更高、导热更好、温度更低!　　七、MK2606系列选型表　　八、结语　　茂睿芯作为国内一站式解决方案的集成电路厂商，始终走在行业前沿。早在氮化镓(GaN)技术兴起之初，茂睿芯便率先推出直驱式GaN控制芯片，并针对PD快充市场优化推出多功能集成芯片MK2697G，该产品至今仍是广受市场欢迎的主流方案之一。当前，随着碳化硅(SiC)技术广泛应用，茂睿芯再次把握产业趋势，推出面向工业与消费类电子领域的直驱SiC专用PWM控制器MK2606S。

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茂睿芯

发布时间：2025-09-22 15:24 阅读量：403 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
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BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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