瑞萨推出旗舰级32位MCU RX74M和RX74N，首次在RX家族中采用22nm工艺并搭载<span style='color:red'>MRAM</span>
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瑞萨推出旗舰级32位MCU RX74M和RX74N，首次在RX家族中采用22nm工艺并搭载MRAM

　　高达600MHz的RXv3e内核与高速MRAM可实现快速、可靠的实时性能　　RX74M可在单一器件上支持包括EtherCAT、支持TSN的千兆以太网和CAN FD在内的主流工业网络　　基于硬件的安全功能可满足新一代安全需求，如符合《网络弹性法案》要求，并支持后量子密码技术　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日推出全新旗舰级32位微控制器(MCU)RX74M和RX74N。两款产品的运行频率最高可达600MHz，是RX家族中首批采用22nm工艺并集成嵌入式MRAM的产品。与240MHz的上一代产品RX72M和RX72N相比，两款新品的性能均提升至两倍以上。RX74M面向工业自动化和工厂自动化设备，例如交流驱动器、工业机器人和可编程逻辑控制器(PLC);RX74N则面向包括智能电表、功率调节器以及暖通空调(HVAC)系统在内的广泛工业设备。　　22nm工艺与MRAM实现高速实时处理　　随着工业系统日益复杂，在网络中同步连接众多节点的同时实现稳定、高速运行的需求不断增长。RX74M和RX74N采用22nm工艺，集成600MHz RXv3e内核、1MB(兆字节)MRAM(磁阻随机存取存储器)、256KB(千字节)零等待状态TCM(紧耦合存储器)以及1.5MB SRAM，即使面对频繁中断和分支的工作负载，也能实现快速、低抖动的实时处理。与传统嵌入式闪存不同，MRAM写入数据前无需先执行擦除操作，因此可加快代码和数据更新、缩短编程时间并减少系统停机时间，从而提升需要频繁保存参数和日志或更新数据的应用的响应速度。　　支持包括EtherCAT、以太网TSN　　和CAN FD在内的主流工业网络　　市场对跨多种工业以太网标准实现无缝连接的需求日益增长，但以往支持多种协议通常需要使用多个器件。RX74M将EtherCAT从站控制器、支持TSN的千兆以太网交换机和CAN FD集成于单颗芯片中。这些功能使其能够在单颗芯片上支持EtherCAT、PROFINET和EtherNet/IP等主流工业网络，包括通过TSN实现确定性通信，以及支持以前几代产品无法实现的EtherNet/IP DLR(设备级环网)等冗余网络配置。因此，该器件可提供面向工业物联网(IIoT)的工业网络基础，将现场设备与上层系统连接起来。　　面向CRA与PQC的基于硬件的安全功能　　随着物联网设备不断普及，《网络弹性法案》(CRA)等法规正推动全球市场对覆盖设备全生命周期的安全措施产生更高需求。　　RX74M和RX74N通过在RX CPU中集成ProtectZone，进一步增强了基于硬件的安全功能，可在单颗芯片内隔离安全区域与非安全区域。此外，新一代瑞萨安全IP(RSIP)在传统TSIP的基础上扩展了公钥密码功能，并支持认证加密以及更广泛的哈希算法，从而能够在单颗MCU中实现包括后量子密码(PQC)在内的先进、面向未来的安全方案。　　瑞萨电子EP先进MCU事业部高级总监Yoshi Ishikawa表示：　　工业设备开发需要具备三大关键要素：先进的实时性能、多样化的工业网络以及强大的安全性。新产品将这些要求集成于单颗芯片中，可简化日益复杂的工业设备设计，并推动工业自动化持续发展。　　借助全面的合作伙伴生态系统提升开发效率　　瑞萨与生态系统合作伙伴携手，为RX74M和RX74N提供解决方案，帮助客户缩短开发周期。　　软件：Codewerk、RT-Labs　　开发工具：IAR　　实时操作系统：eForce、Zephyr RTOS　　有关其他合作伙伴的信息，请参阅瑞萨电子合作伙伴计划。　　其他特性　　除高性能600MHz产品外，还提供功耗降低20%以上的300MHz产品　　丰富的封装阵容，包括176/224/320引脚LFBGA和100/144/176引脚LFQFP　　1.62V至3.6V的宽电源电压范围，以及−40℃至+125℃(Tj)的工作温度范围　　支持从外部Octa Flash执行XiP(就地执行)和即时解密　　通过RX、RA和RZ家族通用的FSP(灵活软件包)构建可扩展的开发环境　　成功产品组合　　瑞萨将新款MCU与其产品组合中的多种兼容器件相结合，推出包括磁悬浮输送系统和集成从属执行器的智能HVAC控制在内的广泛解决方案。
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发布时间：2026-10-23 11:06 阅读量：281 继续阅读>>
恩智浦联合台积电推出首款车用16纳米芯片FinFET嵌入式<span style='color:red'>MRAM</span>
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恩智浦联合台积电推出首款车用16纳米芯片FinFET嵌入式MRAM

　　恩智浦半导体宣布与台积体电路制造股份有限公司(TSMC)合作，推出业界首款采用16纳米(nm)鳍式场效电晶体(FinFET)技术的车用嵌入式磁阻式随机存取存储器(Magnetic Random Access Memory;MRAM)。随着汽车制造商朝向软件定义汽车(software-defined vehicle;SDV)转型，车厂需要在单一硬件平台上支持多世代软件更新。结合恩智浦的高性能S32车用处理器与采用16纳米FinFET技术的快速且高度可靠下一代非易失性存储器(non-volatile memory)，就能提供支持这类转变的理想硬件平台。　　恩智浦与台积电共同开发采用16纳米鳍式场效电晶体(FinFET)技术的嵌入式磁阻式随机存取存储器硅智财(，汽车制造商可运用MRAM更有效率地推出全新功能，加速空中下载更新，以及消除生产瓶颈。恩智浦下一代S32区域处理器(zonal processor)和通用车用微控制器(general purpose automotive MCU)预计于2025年初成为首批提供样品的产品。　　MRAM只要约3秒就能更新20MB的程序码，相较于快闪存储器需约1分钟，能最大限度缩短软件更新导致的停机时间，并让汽车制造商消除因长时间模组编程而造成的瓶颈。此外，MRAM还能提供高达百万次的更新周期，较快闪存储器和其他新型存储器技术高出10倍，为车辆任务剖面(mission profile)提供高度可靠的技术。　　软件定义汽车让汽车制造商能够通过空中下载(over-the-air;空中下载)更新推出全新的舒适、安全以及便利功能，延长车辆使用寿命并提升其功能性、吸引度、与获利能力。随着基于软件的功能在车辆中越趋普及，更新频率将会持续增加，MRAM的速度和稳健度变得极为重要。台积公司的16 FinFET嵌入式MRAM技术凭借其百万周期耐用度、支持焊锡回焊(solder reflow)、以及摄氏150度下还能保留数据达20年，超越车载应用严格要求。　　台积电业务开发资深副总经理张晓强博士表示：恩智浦内部的创新者总是能迅速认识到台积公司新制程技术的潜力，尤其是在要求严格的车载应用方面。我们很高兴看到台积公司领先的MRAM技术被运用于恩智浦 S32平台，帮助实现下一代软件定义汽车。　　恩智浦半导体执行副总裁暨车用处理事业部总经理Henri Ardevol表示：恩智浦与台积电已成功合作达数十年，向来持续为汽车市场提供高品质的嵌入式存储器技术。MRAM是恩智浦S32车用解决方案系列的突破性新生力军，支持下一代车辆架构。
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发布时间：2023-06-05 14:55 阅读量：3271 继续阅读>>
半导体存储新进展：日本成功进行SOT-<span style='color:red'>MRAM</span>单元操作实验
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半导体存储新进展：日本成功进行SOT-MRAM单元操作实验

 据Impress Watch网站报道，10月9日，日本东北大学国际综合电子技术研发中心主任远藤哲郎和电气通信研究所大野教授宣布开发出可实际运用的SOT，并且成功演示了SOT-MRAM单元的操作。　　半导体存储器领域中，随着晶体管小型化，待机功率增加，使用自旋电子技术的非易失性存储器越来越吃香。其中，根据磁体的方向显示不同电阻值并由此记录0和1的状态的磁隧道结元件(MTJ)应用正在不断发展，而STT-MRAM则是代表之一。但是STT-MRAM无法处理纳秒级至亚纳秒级的运算，并且无法替换用于CPU缓存的SRAM。因此 SOT作为弥补STT-MRAM的缺点的技术逐渐发展起来。　　远藤哲郎教授小组的研究将日本内阁府的创新研究与发展促进计划(ImPACT)培育出的SOT器件技术与小组开发的沉积技术，布线制造技术和反应性离子蚀刻技术相结合，成功生产出0.35ns超高速运行性能的设备。此外，此前未实现的400℃的耐热性和非易失性存储元件的热稳定性均已达成。　　由此可见，具有低功耗的高性能SOT-MRAM的实际应用已经成为现实。
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发布时间：2019-12-12 00:00 阅读量：2463 继续阅读>>

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