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应能微：车载无线终端T-BOX E<span style='color:red'>SD</span>&EOS解决方案

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应能微：车载无线终端T-BOX ESD&EOS解决方案

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发布时间：2025-07-31 11:35 阅读量：192 继续阅读>>

纳芯微发布N<span style='color:red'>SD</span>7315系列H桥直流有刷电机驱动芯片

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纳芯微发布NSD7315系列H桥直流有刷电机驱动芯片

　　纳芯微今日宣布推出NSD7315系列大电流H桥驱动芯片，具备40V耐压能力与10A峰值输出电流，支持硬件和软件SPI两种输入接口版本，该系列芯片支持1路H桥或者2路半桥配置，可直接驱动1路直流有刷电机或2路电磁阀等负载。　　NSD7315-Q1车规版本适用于多种汽车应用场景，包括车身电子锁、发动机控制系统中的电子节气门、废气再循环、分流阀，以及空气悬架CDC等应用。NSD7315工规版本也可应用于自动升降桌、电动窗帘、扫地洗地机等消费类设备。新推出的NSD7315是对纳芯微现有的NSD73xx系列H桥驱动产品在大电流方向上的进一步拓展。　　产品特性　　满足AEC-Q100 grade 1: –40°C~125°C TA(车规版本)　　工作电压：4.5V~35V (40V耐压) ，输出电流：10A (峰值)　　超低内阻 Rds(on) (上管+下管)：150mΩ @TJ = 25°C, 13.5V　　集成电流采样功能：比例电流输出(IPROPIx)　　集成可配置的电流调节功能　　可配置的控制模式：PH/EN，PWM(IN1/IN2) 和独立半桥控制　　输出上升/下降时间压摆率可配置，优化降低EMI性能　　低功耗模式：静态电流3μA @TJ = 25°C, 13.5V　　SPI 和硬件接口选择：　　– SPI接口：NSD7315S-Q1　　– 硬件接口：NSD7315H-Q1　　先进保护和智能诊断功能：电源欠压保护，电荷泵欠压，过流保护，负载开路检测，过热关断与过热预警，故障状态输出(nFAULT/SPI)　　大电流，低温升，具备出色带载能力　　NSD7315上下管总导通电阻仅为150mΩ，峰值输出电流可达10A，能够为汽车有刷电机、阀门泵类及工业电机提供大扭矩带载能力。即使在高温环境下，也具备较低且稳定的温升表现，运行持久可靠。　　在半桥模式下，带载持续输出2A电流，环境温度为25℃，芯片温升稳定在24.4℃。带载持续2A电流时的芯片温升　　在全桥模式下，带载持续输出5A电流，环境温度为25℃，芯片温升稳定在125°度，未触发过温保护。带载持续5A电流时的芯片温升　　灵活设置输出压摆率，有效平衡大电流驱动中的温升与EMI挑战　　在电机等负载驱动中通常采用硬开关方式，而大电流驱动会带来显著的电流变化率(△I/△T)，进而产生较大的电磁干扰(EMI)(如下图所示)。若芯片输出的压摆率固定且较慢，会导致内部MOS开关损耗增加，导致温度升高。因此，如何在满足EMI性能的同时控制温升，是大电流驱动应用中的一大难点。　　NSD7315支持根据不同负载和不同输入PWM频率，来灵活设置输出的上升/下降Slew Rate，同步配置死区时间，方便工程师在不更改硬件设计的前提下，通过软件(SPI版本)或者SR管脚(HW版本)来优化温升和EMI性能。　　内部集成电流采样和电流调节，减少系统面积和成本　　NSD7315集成电流采样功能，无需外部功率采样的电阻和电流运放即可实现电流检测。通过IPROPIx管脚，可按1/1100的比例输出每个半桥上管MOS的正向导通电流(即从Drain到Souce端的电流)。若将IPROPI1和IPROPI2管脚连接在一起，则输出电流为两个上管的正向电流之和(如下图所示)。NSD7315内置电流镜　　同时，NSD7315还集成了电流调节功能，当输出电流超过内部设定的电流阈值时，芯片会自动执行限流功能，以防止在电机启动或堵转等工况下出现过大负载电流，从而避免芯片过热和电机损坏。　　具备负载开路诊断功能，精准定位反馈故障，无需人工排查　　NSD7315支持输出端负载开路诊断功能，可在驱动芯片待机模式和工作模式下分别检测负载状态，帮助系统在电机运转前或运行中及时发现异常，提升系统可靠性。该功能支持两种检测模式：待机模式检测(OLP)和工作模式检测(OLA)。　　待机模式下的负载开路检测(OLP)：芯片通过依次使能内部的上拉和下拉电流源，测量流经内部上/下拉电阻的电压，并与内部比较器的电压阈值进行比对，从而判断输出是否存在开路。　　工作模式下的负载开路检测(OLA)：芯片通过检测死区时间内高边续流MOS管体二极管的导通压降，并与固定的VOLA电压阈值比较，实现实时开路检测。　　OLA模式检测电路　　封装与选型　　纳芯微H桥直流有刷电机驱动NSD7315系列现已全面量产，作为NSD73xx系列的重要拓展，该系列具备良好的通用性与可靠性，适用于多种典型负载需求。NSD7315系列的推出，进一步完善了纳芯微在电机驱动领域的产品布局，为客户提供更高集成度与系统适配性解决方案，助力终端产品快速落地。NSD73xx系列选型表

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纳芯微

发布时间：2025-07-30 10:50 阅读量：217 继续阅读>>

上海雷卯电子：近场通信NFC接口防静电E<span style='color:red'>SD</span>

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上海雷卯电子：近场通信NFC接口防静电ESD

　　上海雷卯EMC小哥针对NFC接口静电保护，推出了ESD器件和保护方案：ULC1811CDN 满足18V的低容参数需求，而且VC箝位电压低，电容超低，可保护NFC接口天线的有效使用。　　近场通信(Near Field Communication，NFC)是一种短距离无线通信技术，通过将两个设备的NFC芯片靠近，实现数据的传输和共享。NFC技术基于射频识别(RFID)技术，运行在13.56MHz的无线频段。NFC设备通常包括两种模式：卡模式和读写模式。在卡模式下，NFC设备可以作为一个被动的卡片，用于支付、门禁控制、公交卡等应用。在读写模式下，NFC设备可以主动读取或写入其他NFC设备中的数据。NFC技术的特点：短距离通信、快速传输、简便易用、兼容性广泛。　　1. NFC设备接口的特点　　NFC设备接口通常工作在低电压和高频率的环境下，因此，选择合适的TVS/ESD二极管需要考虑以下几个因素：　　1、低电压响应：选择具有低电压响应特性的TVS/ESD二极管，以确保在低电压下也能起到保护作用。　　2、快速响应时间：选择具有快速响应时间的TVS/ESD二极管，以能够迅速抑制瞬态过电压和静电放电。　　3、低电容：选择具有低电容的TVS/ESD二极管，以避免对NFC信号的干扰。　　2.注意TVS/ESD二极管的安装和布局　　为了确保TVS/ESD二极管发挥最佳的保护作用，需要注意以下几点：　　· 尽量靠近NFC设备接口的位置安装TVS/ESD二极管，以最大程度地减少静电放电和过电压对设备接口的影响。　　· 使用封装良好的二极管，以防止外部环境对其造成损害。　　· 采用合适的布局，确保电路的地线和信号线布线合理。

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雷卯电子

发布时间：2025-07-23 11:01 阅读量：244 继续阅读>>

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上海雷卯电子：如何选择合适电容值的ESD二极管

　　作为一名关注通信接口和电子元器件的专业人士，你一定对ESD(Electrostatic Discharge)二极管非常感兴趣。让上海雷卯电子和AMEYA360带你来了解一下ESD二极管是什么，以及如何选择合适电容值的ESD二级管吧。　　ESD二极管，也被称为静电保护二极管，是一种用于保护电子元器件免受静电放电(ESD)损害的器件。静电放电是一种常见的电磁干扰源，可能对通信接口和其他电子设备造成严重的损坏。ESD二极管能够迅速响应并吸收静电放电，将其引导到地线，保护接口和其他电路免受损害。　　在选择合适的电容值ESD管时，需要考虑以下几个因素：　　1. 通信接口的速率和带宽：不同速率和带宽的通信接口对ESD保护的要求不同。较高速率的接口可能需要更低的电容值，以确保快速的信号传输和响应。　　2. 接口的电气特性：了解通信接口的特性阻抗、信号电平以及信号线的布局等，有助于选择合适的ESD管电容值。经过仔细计算和模拟，可以确定最佳的电容值范围。　　3. ESD保护需求：根据应用场景和系统对ESD保护的需求，选择适当的电容值。一般情况下，较高的电容值可能增加对信号传输的影响。　　上图这颗是低容值ESD ，可以用在高速通讯接口上。　　通过综合考虑以上因素，可以选择适合特定通信接口的合适电容值的ESD管。此外，与供应商和技术专家的交流也是非常重要的，他们能够提供更具体的建议和指导。　　保护通信接口免受ESD损害是确保系统稳定性和可靠性的关键。通过选择合适电容值的ESD管，我们能够提供可靠的ESD保护，确保通信接口的正常工作，同时保护其他电子元器件免受静电放电的危害。

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上海雷卯电子

发布时间：2025-07-18 11:34 阅读量：259 继续阅读>>

佰维MS210&<span style='color:red'>SD</span>210存储卡：掌机秒加载，4K 摄录更流畅

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佰维MS210&SD210存储卡：掌机秒加载，4K 摄录更流畅

　　对于追求流畅体验的掌机玩家、vlogger和影像创作者而言，高速存储卡是释放设备潜能的关键。为此，佰维存储推出两款存储利器——专为掌上娱乐和动态影像优化的MS210 Micro SD卡，以及为专业影像创作打造的SD210 SD卡。它们分别满足不同设备和场景需求，让热爱和灵感疾速释放。　　佰维MS210：掌中热爱，帧帧疾速掌控　　MS210 Micro SD卡专为游戏掌机和小型影像设备打造。高达170MB/s的写入速度，让新游戏下载和关卡存档瞬间完成。210MB/s的读取速度保障游戏地图加载、高清素材传输一气呵成。得益于A2、V30等级，运动相机、口袋云台相机录制4K视频即时响应，拍摄流畅不卡顿。　　无论是ROG Ally、Switch掌机，还是DJI Action系列/Pocket系列、GoPro、Insta360等便携影像设备，MS210均能适配。至高512GB大容量，1TB规格也将上线，轻松容纳数百分钟4K UHD视频或海量3A大作。耐高低温、防水防摔等全方位防护加持，从容应对沙漠雪原等严苛环境挑战。　　佰维SD210：专业创作，灵感疾速进阶　　摄影师的创作利器SD210 SD卡，显著提升创作效率。170MB/s的稳定写入，配合V30等级，确保单反/微单录制4K 60fps高帧率视频或慢动作时帧帧清晰，高速连拍野生动物、运动瞬间无惧丢帧，并完美支持4K RAW格式。210MB/s闪电读取，通过佰维RC210读卡器，让海量素材秒传至电脑，剪辑调色即刻启动。　　SD210广泛兼容索尼、佳能、尼康等主流单反/微单设备，可直连带UHS-I接口的平板/笔记本，实现高效无断点的影像创作流。128GB~512GB多容量可选，未来还将推出1TB超大容量版本。SD210同样具备专业级防护能力，让户外创作者心无旁骛捕捉每一帧灵感。　　若想充分释放MS210和SD210的满速性能，佰维RC210读卡器是理想之选。其搭载USB 3.2 Gen 1接口，提供高速稳定传输通道，实现素材到电脑的无损速传，后期效率倍增。更支持双卡双读，素材并行传输，工作流效率再升级!　　佰维MS210和SD210定位不同需求场景——MS210致力于便携娱乐和动态影像的疾速体验，SD210则专注于专业影像创作的高效流程和画质保障。无论你是沉浸于掌上世界的玩家，还是专注于捕捉光影的创作者，佰维MS210和SD210助你畅享疾速创作和娱乐激情!

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佰维

发布时间：2025-07-09 10:37 阅读量：870 继续阅读>>

纳芯微推出车规级自动双向型电平转换器NCAS0104和NCAB0104，高E<span style='color:red'>SD</span>防护与宽电压适配破解系统互联挑战

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纳芯微推出车规级自动双向型电平转换器NCAS0104和NCAB0104，高ESD防护与宽电压适配破解系统互联挑战

　　纳芯微今日宣布推出车规级四位自动双向型电平转换器NCAS0104和NCAB0104。新推出的电平转换器具备高达15kV的ESD性能，支持更宽的端口输入电压(端口A：1.1~3.6V;端口B：1.65~5.5V)。可广泛适用于汽车信息娱乐系统、高级辅助驾驶系统、以及AI服务器等相关应用中，是系统间跨电压域互联互通的关键元件。　　全新发布的NCAS0104和NCAB0104均为弱缓冲型电平转换器，其中，NCAS0104内部集成了N沟道传输FET、10kΩ上拉电阻和上升沿速率加速电路，适用于驱动高阻抗负载，支持推挽和开漏的应用场合;NCAB0104内部集成了上升沿/下降沿速率加速电路和4kΩ缓冲电路，适合轻负载的推挽应用。　　ESD性能高达15kV　　全面护航系统可靠性　　NCAS0104和NCAB0104通过优化的电路设计实现了超高的ESD性能，高压侧的端口B通过了15kV的人体模型(HBM)测试 (JESD 22标准)和系统级ESD测试(IEC 61000-4-2标准)，显著优于市场同类产品，为汽车电子等系统在复杂电磁环境下的稳定运行提供坚实保障。　　更宽的端口输入电压　　支持灵活的器件选型　　NCAS0104和NCAB0104的端口A支持1.1~3.6V输入，端口B支持1.65~5.5V输入。更宽的端口输入电压，使得工程师能够在系统设计中不更换电平转换的情况下，更加灵活地选择外围器件，通过归一化的方案，显著降低系统设计难度，加速产品上市。　　封装和选型　　NCAS0104和NCAB0104满足AEC-Q100要求，工作温度为-40~125℃。NCAS0104提供TSSOP14和VQFN14封装，NCAB0104提供UQFN12封装。　　TSSOP14　　VQFN14　　UQFN12　　NCAS0104和NCAB0104将于2025年8月陆续量产。可联系纳芯微销售团队(sales@novosns.com)咨询产品详情或进行样片申请。　　一站式电平转换解决方案　　纳芯微可提供多种类型的电平转换器，包括：固定方向型、方向控制型、自动双向型，可满足客户在不同应用场合下的设计需求：　　固定方向型电平转换器对器件输入端的输入信号执行单向电平转换，然后提供到器件输出端。纳芯微固定方向型电平转换器产品包括：NCA8244、NCA8244L、NCA8541，均为单电源供电。　　方向控制型电平转换器配备一个或多个方向控制引脚，允许系统工程师灵活配置输入/输出方向，甚至实现单设备上的双向同时转换，提供更高的设计灵活性。纳芯微方向控制型电平转换器产品包括：NCA8T245、NCA8245、NCA8245L、NCA84245。　　自动双向型电平转换器可自动感知通信方向并采取相应动作。如果处理器GPIO需要信号双向传输，自动方向型电平转换器可以提供更加稳健的解决方案。自动双向型电平转换器不需要使用方向控制信号，每个通道都支持数据的独立传输或接收，消除了对处理器GPIO控制DIR输入的需求，从而简化了软件驱动程序的开发。纳芯微已有的自动双向型电平转换器现包括：NCA9306、NCAS0104、NCAB0104。　　纳芯微自动双向型电平转换器选型表

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纳芯微

发布时间：2025-07-02 09:26 阅读量：402 继续阅读>>

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供应链全国产，赋能高精度电流测量系统！纳芯微发布闭环磁通门信号调节芯片NSDRV401

　　近日，纳芯微正式发布NSDRV401高精度闭环磁通门信号调节芯片。该产品专为闭环磁通门电流传感器设计，集成精密补偿驱动、电流检测放大器及2.5V基准源，支持4.5V至5.5V单电源供电，工作温度范围支持-40℃至125℃，适应复杂工业环境，为光伏，逆变器、充电桩提供高可靠、高隔离的电流测量解决方案。　　随着新能源与智能制造领域的高速发展，电流测量在系统安全与能效控制中的作用愈加关键。与此同时，复杂应用场景对测量精度、集成度与稳定性的要求也在不断提升，传统传感器调节芯片难以兼顾高精度、快速响应与多重保护，成为系统设计的瓶颈。纳芯微NSDRV401融合先进闭环控制机制与多重诊断防护能力，为客户带来全新电流测量解决方案。　　高精度闭环控制，突破测量精度限制　　NSDRV401基于闭环磁通门技术，通过补偿电流与原边电流的动态平衡，显著提升系统测量精度。芯片内置高性能电流检测放大器(CSA)，输入失调电压低至±10μV(典型值)，全温区温漂仅±0.1μV/℃，典型增益误差控制在±0.02%，温漂低至0.5ppm/℃，满足全温域内的精密电流测量需求。　　在动态响应方面，NSDRV401具备2MHz的-3dB带宽和8.5V/μs的压摆率，能够精准捕捉快速电流变化，满足高速电机驱动、功率变换器等瞬态响应要求。同时，CSA通道的共模抑制比(CMRR)高达90dB，电源抑制比(PSRR)达102dB，即使在强干扰场景中也能保持测量精度，保障测量稳定。全温度模组实测结果：电流检测精度优于0.5%　　内置多重保护机制，保障系统可靠运行　　为提升系统可靠性，NSDRV401还集成多项故障检测功能。芯片内置退磁电路，有效消除剩磁影响;同时支持磁探头线圈开路/短路、补偿线圈开路检测，并通过ERROR引脚实时反馈异常状态，防止系统损坏。　　通过严苛认证，适配多场景应用　　在严苛环境适应性方面，NSDRV401表现同样出色。产品支持±4kV HBM、±1kV CDM的ESD防护，工作温度范围覆盖-40℃至125℃，可稳定运行于复杂工业环境。　　此外，NSDRV401采用带散热焊盘的QFN20封装，有效提升热传导效率，满足高功率密度系统的集成需求。

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纳芯微

发布时间：2025-06-27 11:28 阅读量：371 继续阅读>>

上海贝岭推出±30kV IEC E<span style='color:red'>SD</span>保护RS-485接口芯片BL3085(I4B)

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上海贝岭推出±30kV IEC ESD保护RS-485接口芯片BL3085(I4B)

　　一、引言　　在工业、智能电表等应用中，RS-485常常在电磁兼容性(EMC)极为严峻的环境中进行数据通信。复杂电磁环境中的静电放电和其它电磁干扰会造成较大的瞬态冲击，不仅可能造成通信信号失真或数据传输异常，更严重的可能还会损坏RS-485接口芯片，最终导致整个通信系统的失效。在这些恶劣的应用环境中，尽管TVS和TSS作为典型的电路保护器件，能够为RS-485芯片提供必要的瞬态冲击保护，但要想保证RS-485通信系统的可靠性，更需要RS-485芯片自身具有较强的抗EOS冲击能力。　　二、产品概述　　针对上述应用，上海贝岭推出了具有超强ESD保护能力的RS-485接口芯片BL3085(I4B)，该芯片总线端口ESD保护能力高达±30kV(IEC 61000-4-2，接触放电)，能够更好地承受工厂生产和现场应用中产生的EOS冲击。　　BL3085(I4B)采用限摆率设计，能够减小EMI以及由于终端匹配不当引起的反射，支持高达500kbps的通信速率。芯片接收器输入阻抗为1/8单位负载，允许多达256个收发器挂接在总线上，实现半双工通信。　　BL3085(I4B)具有多种保护功能，包括失效保护、过温保护等，这些功能共同构成了一个全面的保护体系，确保了芯片在各种异常情况下都能正常工作或安全关断。　　三、核心优势　　IEC 61000-4-2是国际电工委员会(IEC)制定的一个电磁兼容性(EMC)测试标准，主要用于评估电子设备在遭受静电放电(ESD)时的抗扰度性能。其中，接触放电(Contact Discharge)是一种重要的测试方法，通过模拟人体或物体直接接触设备表面时产生的静电放电现象，来评估设备的抗静电干扰能力。图1为IEC 61000-4-2 标准规定的 ESD 模拟发生器的理想电流波形。　　图1 IEC 61000-4-2 标准规定的理想电流波形　　RS-485芯片AB端口的ESD水平直接影响芯片的抗EOS冲击能力，目前市场上主流竞品AB端口ESD(接触放电)能力大多低于±15kV。(对比如图2所示)　　图2 ESD(接触放电)能力对比　　四、应用方案　　近年来，开关电源在智能电表中的使用越来越广泛，为了更好地通过EMC实验，工程师在多个回路之间都加了Y电容，导致系统隔离度降低，RS-485总线端口受到较大EOS冲击。同时，智能电表通信速率提速到115200bps后，由于原TVS结电容较大，迫使厂家使用结电容较小的TSS。数据表明TSS管的瞬态抑制能力要明显弱于原有TVS管，这就造成了保护器件未动作，而RS-485接口芯片实际已经受到了冲击。　　以上问题在表计实际生产交付过程中给厂家带来较大困扰。BL3085(I4B)所具备的出色的抗EOS冲击能力可以帮助生产企业更好的应对这些复杂问题，从理论设计上提高系统RS-485通信的可靠性。　　图3为RS-485接口芯片在智能电表方案中的应用示意图。MCU和RS-485采用隔离供电，通过光耦或者数字隔离器实现主回路和RS-485之间的隔离。RS-485产品外围采用TVS/TSS和热敏进行防护。　　图3 RS-485接口芯片的应用图　　五、订货信息

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上海贝岭

发布时间：2025-06-18 08:59 阅读量：361 继续阅读>>

15V超低电容高浪涌E<span style='color:red'>SD</span>元件——雷卯ULC1542CH完全替代E<span style='color:red'>SD</span>63091CN

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15V超低电容高浪涌ESD元件——雷卯ULC1542CH完全替代ESD63091CN

　　上海雷卯电子推出全新静电保护器件 ULC1542CH，这是一款小封装的(DFN1006))专为 15V信号线设计的静电保护方案。凭借14A的峰值脉冲电流(IPP)能力,ULC1542CH 具备优异的浪涌防护性能。0.6PF 低结电容，可以保障信号传输的完整性，能够有效抵御静电放电冲击，为高速数据传输线路提供可靠保护，　　ULC1542CH核心参数与 ESD63091CN 完全匹配，支持 pin-to-pin 无缝替代。无需修改电路设计即可直接替换，为工程师提供了更灵活、高效的选型方案。　　ESD63091CN与雷卯ULC1542CH参数表对比如下：　　判断ESD二极管是否可以替代建议关注这几点：　　1. VRWM 是否接近　　2. 封装是否一样　　3. 抗静电能力是否接近;　　4. VBR 是否接近;　　5. IPP 是否接近 ;　　6. CJ 是否接近。　　以上参数对比ULC1542CH完全可以替代ESD63091CN。　　应用　　1. 消费电子领域，无论是手机、平板的高速数据接口，还是智能穿戴设备的精密传感器线路。　　2. 工业控制场景下，面对复杂电磁环境中频繁出现的静电威胁，它能为 PLC 控制线路、工业以太网接口等提供可靠防护。　　3. 在汽车电子方面，从车载娱乐系统的数据线到车身电子控制单元的信号传输线，该器件都能助力设备稳定运行　　总之，该器件适用于消费电子、工业控制等多种场景，在保持高性能的同时兼具成本优势，为工程师提供了更具灵活性的选型方案。

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雷卯电子

发布时间：2025-06-06 11:08 阅读量：536 继续阅读>>

佰维特存工业级 TDP200 系列 PCIe S<span style='color:red'>SD</span> 全新上市

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佰维特存工业级 TDP200 系列 PCIe SSD 全新上市

　　佰维特存深刻理解工业场景对存储稳定、可靠、不间断运行的严苛要求，推出专为工业大数据传输打造的 TDP200 系列工业级 M.2 PCIe SSD。该产品采用工业级软硬件配置、固件算法专项优化，在 7×24 小时高频写入、强机械冲击等极限工况下，依然为【数据通信、智慧医疗、工业自动化、工业机器人、AIoT】等场景提供高效存储支持。　　【工业级软硬件配置，”抗造”又稳定】　　精选工业级电子元器件，优化电路设计，确保在 70℃ 高温、-20℃ 低温等作业场景下平稳运行，保障数据完整性。　　严选 3D TLC 高品质闪存，采用高性能主控，容量高达 2TB，满足海量密集数据的传输需求。　　【专项固件优化，确保耐久可靠】　　集成 4K LDPC、SRAM ECC、RAID 、异常掉电保护等多重可靠性技术，擦写次数高达 3000 P/E，适应 7x24 小时不间断作业，高压运行不“宕机”。　　高精度热传感器结合 S.M.A.R.T. 健康监测工具，实时监测产品温度变化，自行调节至最佳性能状态，保障高负载环境下的持续可靠运行。　　【严苛测试流程，完善的品质保障】　　通过 1000+ 项老化、高低温及可靠性测试，验证产品的强韧品质。　　严格遵循国际生产标准，通过 ORT 测试，持续对产品的性能、可靠性进行全面质量监控，确保产品在全生命周期内的高品质。　　通过全面的兼容性测试，无缝兼容全球主流平台和操作系统。　　从产品设计、硬件架构、器件选型、固件算法再到封测制造，佰维工业级 SSD 每一个细节都只为打造更稳定、更可靠、更持久的工业数据底座。

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佰维

发布时间：2025-05-30 10:51 阅读量：534 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor

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