电子元器件基础知识大全电子元器件采购基本知识-Ameya360电子元器件采购网

佰维存储TDS600大容量工业级S<span style='color:red'>SD</span>新品上市！面向AI智能分析与多路高清监控

行业新闻

佰维存储TDS600大容量工业级SSD新品上市！面向AI智能分析与多路高清监控

　　在智慧交通、智慧城市快速普及下，视频监控系统正朝着高清化、多路化和智能化方向加速演进，存储设备的性能、稳定性和可靠性已成为保障系统高效运行的关键因素。佰维存储正式推出全新一代工业级SSD产品——TDS600系列，系列产品以8TB超大容量、媲美企业级的稳态性能、全方位高可靠性设计和全国产化BOM为核心亮点，全面满足轨交、车载、电力、安防及边缘计算等关键领域的严苛需求。　　8TB原生大容量，稳御长时间并发数据洪流　　在4K/8K高清视频普及、AI智能分析广泛应用的趋势下，轨交NVR、车载DVR等设备的数据生成量呈指数级增长。传统小容量SSD已难以满足长时间、多路并发的录制需求。佰维TDS600系列应运而生，原生支持最高8TB大容量规格，从主控架构、固件设计到NAND颗粒选型均针对大容量场景深度优化，确保在高负载写入环境下依然具备出色的稳定性和耐久性，助力轨交监控向“大容量、高清晰、智能化”全面升级。　　媲美企业级稳态性能，支持AI监控分析　　32路并发写入稳定不掉帧　　TDS600系列采用全容量内置DRAM缓存架构，搭配企业级主控与自研固件算法，显著提升数据读写效率与响应速度。其最大顺序读取、写入速度分别达560MB/s、520MB/s，即使在多通道高清视频并发写入的同时，仍能保持流畅稳定的性能输出。在随机访问性能方面，稳态4K随机读、写IOPS高达97K、25K，能够快速响应AI视频分析、人脸识别、行为检测等边缘智能应用中的高频数据读取请求。　　在实际应用中，单盘可轻松承载32路1080P视频流同时写入(每路1.5MB/s)，全程无丢帧、无卡顿，完美适用于多通道DVR/NVR系统。同时，在边缘计算节点和工业服务器中，TDS600也能高效支撑AI推理结果回传、日志记录、数据库操作等复杂任务，展现强大的综合性能实力。　　高可靠性设计，工业级品质　　抗震动、长寿命　　监控系统具有其特有的数据写入模式：单台4K@30fps摄像头每日可产生约200GB的视频数据，一个8路摄像头监控系统的每年累计写入量可达584TB。这类“持续写入、偶尔读取”的应用特点，对存储设备的耐久性、稳定性和数据完整性保障提出了极高的要求。　　TDS600系列面向严苛工业环境打造，具备全方位的高可靠性设计。硬件层面支持RAM ECC、E2E端到端数据保护、4K LDPC纠错、内部RAID冗余机制及硬件PLP异常掉电保护，即使突发断电也能有效防止数据损坏;软件层面集成先进的GC垃圾回收、磨损均衡与后台巡检算法，全面提升数据完整性与使用寿命。产品通过多重工业级验证，工作温度范围宽达-20℃至+75℃，抗震抗干扰能力强，适用于车载、轨交、电力等复杂运行环境。平均无故障时间(MTBF)超过250万小时，充分满足工业级应用对长寿命、高可用性的严苛要求。　　全国产BOM设计，自主设计+研发+封测制造　　长久供应，稳定可靠　　TDS600系列全面实现全国产BOM设计：从主控芯片、3D TLC NAND闪存、DRAM颗粒到所有阻容器件，均采用国产方案，真正实现核心元器件自主可控。更值得一提的是，产品固件由佰维自主研发团队打造，生产制造全程在佰维自有封测工厂完成，形成“设计-研发-制造”一体化闭环。这不仅保障了产品的信息安全与长期供货能力，也确保了品质一致性与快速响应服务，为轨道交通、边缘计算等行业客户带来稳定、可信赖的国产存储选择。　　结语　　TDS600系列的发布，集中体现了佰维存储在大容量工业级SSD领域的综合技术实力：从全容量DRAM缓存带来的稳定写入表现，到PLP掉电保护、E2E数据校验、4K LDPC等多重机制构筑的高可靠性防线;从8TB大容量对多路高清视频的从容承载，到自研固件与全国产化设计对长期供货与合规需求的有力支撑——每一项设计都紧扣工业场景的真实痛点。　　这款产品的诞生，不仅为AI视频监控、边缘计算和工业服务器提供了高性能、高可信的存储选择，也进一步夯实了佰维在轨道交通等关键基础设施领域的服务基础。依托多年技术积累，我们已形成面向轨交全场景的可靠存储支持能力，持续助力行业实现安全、智能与自主可控的融合发展。

关键词：

佰维

发布时间：2025-10-24 10:13 阅读量：319 继续阅读>>

行业新闻

佰维存储Mini SSD荣登《TIME》“2025年度最佳发明”榜单，全球唯一入选存储产品

　　近日，《时代》周刊(《TIME》)发布了2025年“Best Inventions of the Year”(年度最佳发明)榜单，佰维Mini SSD凭借技术突破与前瞻性设计成功入选，成为全球唯一上榜的存储产品。　　《时代》周刊(TIME)作为美国三大时事周刊之一，在国际社会享有极高的声誉，其年度“最佳发明”榜单甄选出全球最具影响力、创新性和社会价值的产品，涵盖人工智能、消费电子、可持续发展等前沿领域。Mini SSD 开创性地融合超小体积与旗舰级SSD性能，被誉为“重新定义便携式存储边界，推动移动计算迈向新纪元”的关键创新。　　01.打破高性能与小体积的壁垒，　　AI端侧存储典范之作　　随着AI应用向终端侧迁移，本地大模型推理、高清视频与游戏应用等场景对存储带宽和响应速度提出更高要求，如何在极小空间内实现高性能、高可靠性的存储，成为行业关键挑战。传统嵌入式存储(如eMMC、UFS)和存储卡类(如micro SD卡)产品受限于接口与协议，性能难以满足AI计算需求;而标准M.2 SSD又因体积过大，无法适配轻薄化设备。　　佰维Mini SSD应运而生，以极致小巧身形承载强劲性能，在仅 15mm × 17mm × 1.4mm (比一枚欧元硬币还小一半)的尺寸中实现了高达 3,700MB/s、3,400MB/s的读取、写入速度，容量最高支持 2TB。产品不仅助力OEM厂商提升产品差异化竞争力、优化SKU管理，也为终端用户带来更灵活、更高速的扩容体验，目前已成功应用于知名品牌的掌机游戏设备、三合一AI PC中。　　《TIME》评价指出，佰维Mini SSD成功打破了性能与便携性之间的壁垒，是应对“设备日益轻薄、数据持续激增”这一行业挑战的典范之作，为AI终端生态的发展提供了关键支撑。　　02.存储解决方案+先进封装，　　构建系统级产品竞争力　　Mini SSD 的诞生源于佰维对AI端侧场景的深刻理解与存储技术的系统性创新。在“研发封测一体化2.0”战略驱动下，公司通过先进架构设计、固件算法优化与先进封装工艺等关键技术的协同突破，让Mini SSD真正做到了“小体积、高性能、高可靠”的系统级创新与平衡。　　先进LGA封装技术：采用Land Grid Array(平面栅格阵列)封装，将主控与NAND闪存高度集成于单层平面，显著提升空间利用率与散热效果;　　坚实可靠的使用体验：支持IP68级防尘防水能力，以及3米防跌落冲击，适用于复杂移动与户外环境;　　SIM卡式插槽设计：支持断电后插拔，无需特殊工具即可快速更换，极大提升设备维护与升级便利性;　　智能固件系统：集成动态SLC缓存、磨损均衡、TRIM指令与垃圾回收机制，确保长期使用下的稳定性能与寿命;　　广泛兼容性：模块化设计适配笔记本、平板、NAS、智能相册、手持游戏设备及各类边缘计算终端。　　03.从产品支撑到生态共建，　　助力客户价值跃升　　Mini SSD 不仅是单一产品的突破，更是存储技术与终端生态深度融合的典范，通过与合作伙伴在产品定义、联合调试到量产导入的全周期深度协同，Mini SSD以高扩展性、超小尺寸、低功耗与稳定性能，支撑壹号本三合一AI PC、GPD游戏掌机、某品牌智能相框等终端厂商的旗舰级产品，达成在轻薄设计与AI算力之间的平衡，助力客户实现产品差异化与用户体验升级。围绕“端侧AI”趋势，佰维已构建起以ePOP、BGA SSD为代表的轻薄化、高带宽、低功耗创新产品矩阵，系列产品已深度服务于国内外一线客户，预计2025年公司端侧AI相关业务同比增长将突破500%。　　秉持“存储无限，策解无疆”的产品服务理念，佰维存储正从单一存储产品供应商，迈向覆盖全场景的存储解决方案厂商，持续深耕智能终端、工业车规、边缘计算及数据中心等关键领域，致力于成为智能时代可信赖的AI基础设施赋能者。

关键词：

佰维存储

发布时间：2025-10-21 16:31 阅读量：383 继续阅读>>

纳芯微N<span style='color:red'>SD</span>2017从原理到布线：GaN栅极驱动Layout实战，解锁激光雷达性能跃迁

行业新闻

纳芯微NSD2017从原理到布线：GaN栅极驱动Layout实战，解锁激光雷达性能跃迁

　　摘要　　激光雷达(Lidar)是一种用于精确测距的激光探测技术。栅极驱动器与GaN器件在最大化激光器发射能力上起到重要作用，为激光雷达带来更高的分辨率。NSD2017是一款适用于激光雷达应用的驱动器，具有强驱动能力、支持极窄脉宽输出以及强抗干扰能力的特点。本文从激光雷达的应用特点出发，介绍NSD2017在应用中PCB设计的注意点。　　01 激光雷达技术概要　　汽车自动驾驶中的激光雷达常采用DToF(Direct Time-of-Flight)测距方式，即通过直接测量激光的飞行时间进行距离测量和地图成像。图一是DToF激光雷达系统的典型结构，信号处理单元通过记录激光发射器发出光脉冲的时刻，以及激光接收器收到光脉冲的时刻，根据时间间隔和光速就可以计算出目标距离。图1 DToF激光雷达系统典型结构　　为实现高分辨率和宽监测范围，需要极窄的激光脉冲、极高的激光脉冲功率以及极高频开关频率，对激光发射器中的功率器件提出了较高的要求。相较于传统的Si MOSFET，GaN器件的快速开关速度以及高脉冲电流能力，非常适合DToF的应用，而GaN器件则需要对应的栅极驱动器进行驱动。以图2典型应用电路为例，低侧驱动器NSD2017驱动GaN器件为激光器提供高峰值电流。其中，激光脉冲越短，电流斜率要求越高，对PCB寄生电感的要求越高。本文从优化驱动回路出发，给出了NSD2017的PCB Layout建议。图2 典型激光雷达驱动电路　　02 驱动回路设计要点　　为减小栅极驱动回路寄生电感对驱动性能的影响，首先需要分析驱动器NSD2017开通和关断GaN器件的回路。图3给出了栅极驱动回路的示意图。图3 栅极驱动回路示意图　　红色曲线为驱动开通回路，当NSD2017输入信号转为高电平时，去耦电容正端经驱动器内部PMOS、驱动电阻至GaN HEMT的栅极，再由GaN HEMT的源极经地平面回到去耦电容负端。蓝色曲线为驱动关断回路，当NSD2017输入信号转为低电平时，电流经GaN HEMT栅极、驱动电阻、驱动器内部NMOS，再经驱动地平面回到GaN HEMT源极。　　栅极回路电感的主要影响有以下几个方面：1)栅极回路电感直接影响开关性能，降低有效栅极驱动速率;2)栅极回路电感与GaN器件栅极电容形成谐振回路，将在GaN器件栅极产生过电压;3)谐振产生的驱动信号将导致器件误开关，这对低阈值电压的GaN器件影响尤为严重。　　为减低寄生电感和器件栅极电容谐振的影响，一般会在驱动器输出增加驱动电阻，NSD2017分裂式输出的特点便于根据驱动开通和关断的谐振表现，灵活调整电阻阻值RG1和RG2。虽然调整驱动电阻可以解决驱动开关过程中遇到的振铃或误开关问题，但减缓了驱动开关速度，从而影响流经GaN HEMT的电流斜率，因此解决开关振铃的最好方法还是减小寄生电感。以此角度，可以从减小栅极回路电感和减小共源电感两个方向出发。　　03 回路寄生电感设计要点　　以驱动开通回路为例，栅极回路的寄生自感可以认为由两部分组成：其一是由去耦电容至驱动器VDD引脚的寄生电感LVDD、驱动器封装电感LN、驱动输出电感LG1和LG、GaN栅极封装电感组成，寄生电感大小与旁路电容、栅极驱动器和GaN的相对位置以及PCB的走线长短粗细有关;其二是由GaN源极封装电感、GaN源极PCB电感LSRC以及地回路电感LGND组成，受GaN封装设计、地回路的处理以及过孔的放置等影响。　　为减小驱动回路电感，有两个方向：　　其一是减小驱动回路走线自感。建议使用短粗走线进行连接。由于面积相同的情况下，长走线的寄生电感大于细走线，长走线宽度增加一倍时，走线电感并不会减半。因此GaN器件与驱动器的相对位置摆放尤为重要。以下图为例，GaN器件栅极紧靠驱动器输出，驱动开通电流路径(蓝色)与返回电流路径(灰色)实现层间平行。　　图4 驱动器与GaN器件摆放　　与栅极关断回路相比，开通回路的寄生电感的减小，还需要考虑电流流过高频去耦电容带来的影响。一般建议在NSD2017靠近供电引脚VDD附近放置大、小容值的两个电容，大容值电容一般为1-2uF用于保持VDD稳定，小容值电容一般为100nF-500nF用于滤除高频噪声。小容值电容使用短粗连线靠近放置VDD引脚附近，如果允许的话，建议使用低自感瓷片电容，如馈通电容等。　　其二是合理利用磁通抵消原则减小寄生电感。比较简单的方式是，观察驱动开通电流路径和返回路径所围面积，面积越小，寄生电感越小。因此，电流返回路径选择开通电流路径紧邻的层，可以最大限度增加电感耦合实现最小化电感。　　04 共源电感设计要点　　栅极驱动电流路径和功率回路电流路径共用器件源极的寄生电感，这部分电感称为共源电感，一般由GaN 器件源极封装电感和源极PCB电感两部分组成。　　共源电感同样需要最小化，且在激光雷达应用中最小化共源电感的优先级高于最小化栅极回路电感。当器件开通和关断过程中，共源电感在开关时刻产生与栅极驱动电压相反的电压，将减缓器件的开关过程，增大开关损耗，影响GaN的电流斜率，从而影响光脉宽信号。　　为减小共源电感对驱动性能的影响，常利用开尔文连接方式将驱动回路和功率回路分开，以减小耦合。目前有商用GaN 器件中集成开尔文引脚，实现栅极电流回路与功率电流回路的解耦，消除了共源电感的影响。图5 器件集成开尔文引脚以消除共源电感影响　　而目前较多低压GaN 器件没有开尔文引脚，可以通过PCB处理将功率回路和驱动回路分开。常见的处理方式如图6所示，选择靠近器件栅极的源极引脚作为驱动回路，其他引脚作为功率回路。图6 利用封装分开驱动回路和功率回路　　为实现最小共源电感，功率地与驱动地之间单点连接，建议将微过孔尽量靠近驱动器和功率器件摆放，如图7所示。图7 建议的微过孔摆放方式　　图8给出NSD2017一种常见的Layout设计，GaN器件中靠近Gate的Source中放置微孔，实现驱动地与功率地的单点连接，同时选用驱动开通电流相近层作为电流返回层，实现回路面积最小。(示例Layout仅2层，用作说明)

关键词：

纳芯微

发布时间：2025-10-17 10:52 阅读量：316 继续阅读>>

芯存科技 <span style='color:red'>SD</span> NAND：小轻薄优，赋能 AI 眼镜

行业新闻

芯存科技 SD NAND：小轻薄优，赋能 AI 眼镜

　　在科技飞速发展的当下，AI 眼镜作为智能穿戴领域的新兴力量，正以惊人的速度闯入大众视野。近期，小米首款搭载自研 AI 大模型的智能眼镜震撼发布，其凭借 “轻量化设计 + 全场景智能交互” 的独特优势，瞬间成为行业焦点，吸引了无数目光。　　芯存科技-SD NAND产品介绍　　芯存科技凭借多年积累的产品技术底蕴、领先的封测制造工艺及规模化生产实力，不断为多元 AI 应用场景打造创新存储方案。这一方案尤其贴合 AI 眼镜等智能穿戴设备对轻薄设计的高标准需求。　　芯存科技自研推出小尺寸、大容量、超轻薄、高性价比SD NAND系列产品，最小尺寸仅8x6mm省空间、低功耗、易集成，超轻薄0.8mm便携带、适配强，整体尺寸仅为：8x6x0.8mm 为AI 眼镜的极致轻薄设计提供了核心空间支持，同时为设备续航能力的提升与佩戴舒适度的优化筑牢了硬件根基。部分产品-规格参数　　芯存科技—合封技术、突破与应用　　芯存结合自有的丰富的合封经验，此前在FTTR项目(对产品尺寸同样有小型化的需求)推出全球首款SMCP产品(SPI NAND+DDR合封)以及其他很多合封的相关经验，从而解决AI眼镜中产品对尺寸的高要求。　　芯存有投入自研的控制器技术，给客户带来高速低功耗的使用场景。　　合封技术优势　　1.高性能低功耗的控制器资源，解决客户待机时间的需求;　　2.存储芯片资源，为客户的产品形态提供更多的可能性;　　3.合封专利技术资源，解决小型化的需求;　　4.广泛的客户资源，已经在和品牌的客户进行导入;　　芯存科技-产品获主流客户认可　　在 AI 眼镜这一前沿智能终端领域，芯存科技凭借存储技术的积累与精准的产品适配能力，取得了显著的市场突破。　　近期全志科技发布了两款最新AI眼镜专用芯片—V821和V881，超低价、高性价比。芯存科技 SD NAND 产品已成功搭载于全志科技 V821 平台。这份认可不仅是对芯存科技技术实力的有力佐证，更彰显了其在智能穿戴存储领域的前瞻布局与市场竞争力，为 AI 眼镜的规模化应用与体验升级注入了关键动力。　　芯存科技-产业进阶路径　　全球半导体产业的格局处于重构与升级的关键阶段，芯存科技始终做到，一方面持续加大研发投入与国际先进封测设备投入，以此保障研发理念与创新能力始终保持前瞻与领先;另一方面，通过智能化生产线与数字化管理系统的高效配合，推动新质智造工艺、产能规模、产品研发创新及质量管理等实现突破性提升，同时以开放进取的姿态，主动投身 AI 时代浪潮，拓展更广阔的发展天地。

关键词：

芯存科技

发布时间：2025-08-26 11:36 阅读量：695 继续阅读>>

华为，将发布自研AI S<span style='color:red'>SD</span>！

行业新闻

华为，将发布自研AI SSD！

　　华为定于8月27日召开 “AI SSD，加速智能经济涌现” 新品发布会，剑指 AI 存储器赛道，计划以技术创新推出大容量 AI SSD，突破传统 HBM 的容量限制。　　当前 “Token” 智能经济崛起，AI 训练效率、推理体验及成本成核心竞争力。传统 HBM 受容量制约，难满足 AI 大模型等场景需求，华为此款新品将聚焦解决效率与成本痛点，升级 AI 业务存储体验，推动智能经济从 “概念” 落地、“单点突破” 迈向 “全面涌现”。

关键词：

华为

发布时间：2025-08-26 11:30 阅读量：901 继续阅读>>

如何通过硬件电路优化降低E<span style='color:red'>SD</span>干扰

行业新闻

如何通过硬件电路优化降低ESD干扰

　　在电子电路系统设计中，工程师处理ESD有时候总觉得没有头绪，主要原因是ESD测试难以量化，每次测试的结果也会存在差异，所以凭感觉处理起来很‘玄学’。简单说起来就是ESD对系统内部存在干扰，但处理起来常常就是一团乱麻，监测不到ESD泄放路径。单从电路增加ESD防护设计维度有时候是无法达到目的，所以PCB设计是解决ESD防护问题中非常重要的一环，但必要时还是要配合ESD器件共同达到抑制的目的。　　无论是普通电路系统还是高速电路系统，对于EMC的处理都很有必要，今天就分享几个PCB Layout几个原则，可以大大减小EMC出现问题的概率。PCB布局的ESD防护思路是：敏感的信号或者电路远离静电放电测试点，信号环路面积最小化噪声耦合，降低参考地平面电位差保持信号参考电平稳定。图1.PCB Layout示意图　　如图1所示，PCB Layout设计建议参考　　1. 单层PCB设计时，设置良好的接地平面和电源平面，信号线尽可能紧靠电源平面层或接地平面，保证信号回流时的通路以最短，信号环路最小的原则。　　2. 多层PCB层叠设计必须保证比较完整的GND平面，所有的 ESD泄放路径直接通过过孔连接到这个完整的GND平面，其他层尽可能多的铺 GND。　　3. 在PCB四周增加地保护环路，关键信号(RESET/Clock等)与板边距离不小于 5mm，同时必须与布线层的板边GND铜皮距离不小于 10mils。　　4. 在电源和接地之间设计高频旁路电容，要求等效串联电感值(ESL)和等效串联电阻(ESR)越小越好　　5. 对于部分ESD 整改难度较大的IO，可将IO GND独立出来，与电源GND用磁珠连接，以防止ESD能量进入GND。　　另外，在PCB布局时做好敏感器件的保护、隔离，一些敏感模块如射频、音频、存储器可以添加屏蔽罩。但屏蔽罩的整体成本太高，ESD保护器件具有更好的性价比，但如何选用合适的ESD器件才是关键，配合PCB的线路设计达到防护目的。图2.ESD泄放路径避免能量进入保护电路　　放电事件通常通过接口(如连接线)或人工端口(如USB、音频)迫使电流 IESD (图2)迅速进入系统。使用ESD二极管保护系统免受ESD影响，取决于ESD二极管能否将 IESD 分流到地，在选用ESD器件时需要注意如下参数：　　1.工作电压 (VRWM)　　VRWM工作电压是指建议器件工作电压范围，应用电路最高电压超过该值时会导致漏电流增大，从而损坏器件和影响系统运行。建议电路应用电压≤ ESD 器件的工作电压VRWM。　　2.结电容(Cj)　　ESD器件与信号并联使用，而ESD半导体设计时的寄生电容，对于高速信号应最大限度地减小结电容Cj以保持信号完整性。　　3. IEC 61000-4-2等级(Contact discharge/ Air discharge)　　IEC61000-4-2等级体现器件在接触放电和空气放电的稳健性。接触放电是指用静电枪向ESD器件放电时该器件可承受的最大电压。空气放电是指使用静电枪空气间隙向ESD器件放电时该器件可承受的最大电压。　　4.ESD器件通道数　　ESD器件有单通道和多通道不同封装类型。多通道是内部集成多个单通道器件，根据应用需求，多通道器件可实现更小尺寸方案并节省PCB空间，当然，单通道器件可提供更高的设计灵活性。　　5.单向与双向　　双向ESD器件可同时具有正负工作电压的电路中(±3.3V等)，因此，双向ESD器件可支持数据信号在正负电压之间切换的接口(如模拟信号/RS233等)。单向ESD只有工作在正电压范围，但具有更好的负钳位。　　6. 钳制电压(Vc)　　钳制电压表示瞬态脉冲下作用于ESD器件时2端的压降，钳制电压越低意味能更好的保护后级的电子元件。瞬态测试包含静电和浪涌，不同测试条件下钳制电压不同，选型前确认具体测试需求和后级极限损坏电压，保证器件选型的合理性　　综上，要想从PCB布局+ESD二极管实现最好的静电防护，很大程度上需要从整机系统上优化设计。因为设计人员无法控制 IESD，所以降低对地阻抗是将钳制电压最小化的主要方法。设计建议如下(图3)。图3.ESD二极管PCB优化建议

关键词：

电路

发布时间：2025-08-25 13:09 阅读量：378 继续阅读>>

常见芯片失效原因—EOS/E<span style='color:red'>SD</span>介绍

行业新闻

常见芯片失效原因—EOS/ESD介绍

　　在半导体制造领域，电气过应力(EOS)和静电放电(ESD)是导致芯片失效的两大主要因素，约占现场失效器件总数的50%。它们不仅直接造成器件损坏，还会引发长期性能衰退和可靠性问题，对生产效率与产品质量构成严重威胁。　　关于ESD　　ESD(Electrostatic Discharge) 即静电放电，指物体因接触摩擦积累电荷后，与导体接近或接触时发生的瞬间电子转移现象。放电电压可达数千伏，能直接击穿敏感的半导体结构。　　其产生方式主要包括：人体放电模型(HBM)——人体静电经芯片引脚放电;机器放电模型(MM)——自动化设备累积静电传导至芯片;元件充电模型(CDM)——带电芯片引脚接触接地体时内部电荷释放;电场感应模型(FIM)——外部电场变化引发芯片内部电荷重分布。　　ESD的危害呈现多重性：一是直接造成晶体管击穿、金属连线断裂等物理损坏;二是引发阈值电压漂移等参数退化，导致性能不稳定;三是形成微观损伤，降低器件长期可靠性;四是导致数据丢失或误操作，威胁系统安全。其隐蔽性和随机性进一步增加了防控难度。　　关于ESD的防护需采取综合措施：　　耗散：使用表面电阻为10⁵–10¹¹Ω的防静电台垫、地板等材料;　　泄放：通过接地导线、防静电手环/服装/鞋实现人员与设备接地;　　中和：在难以接地的区域采用离子风机中和电荷;　　屏蔽：利用法拉第笼原理对静电源或产品进行主动/被动屏蔽;　　增湿：提高环境湿度作为辅助手段;　　电路设计：在敏感元器件集成防静电电路，但需注意其防护能力存在上限。　　关于EOS　　EOS(Electrical Over Stress) 指芯片承受的电压或电流超过其耐受极限，通常由持续数微秒至数秒的过载引发。　　主要诱因包括：电源电压瞬变(如浪涌、纹波)、测试程序热切换导致的瞬态电流、雷电耦合、电磁干扰(EMI)、接地点反跳(接地不足引发高压)、测试设计缺陷(如上电时序错误)及其他设备脉冲干扰。　　EOS的失效特征以热损伤为主：过载电流在局部产生高热，导致金属连线大面积熔融、封装体碳化焦糊，甚至金/铜键合线烧毁。即使未造成物理破坏，也可能因热效应诱发材料特性衰退，表现为参数漂移或功能异常。更严重的是，EOS损伤会显著降低芯片的长期可靠性，增加后期故障率。　　EOS防护的核心是限制能量注入：　　阻容抑制：串联电阻限制进入芯片的能量;　　TVS二极管：并联瞬态电压抑制器疏导过压能量，建议搭配电阻使用以分担浪涌冲击;　　材料防护：采用静电屏蔽包装和抗静电材料;　　工作环境：使用防脉冲干扰的安全工作台，定期检查无静电材料污染;　　设计加固：优化芯片耐压结构及布局走线，减少电磁干扰影响。　　芯片级保护器　　为应对ESD/EOS威胁，需在电路中增设专用保护器件：　　ESD保护器：吸收并分散静电放电的高能量，防止瞬时高压脉冲损伤核心芯片，作用类似"防护罩"。　　EOS保护器：限制过电压幅值，通过疏导能量充当"安全阀"，避免持续过应力导致热积累。　　不同应用场景对保护器参数要求各异：　　汽车领域：需耐受-55℃~150℃极端温度、36V高电压及300A浪涌电流，符合AEC-Q101认证;　　工业与物联网：要求-40℃~85℃工作范围及±15kV ESD防护能力，通过JEDEC标准;　　消费电子：侧重低结电容(0.1pF~2000pF)和±8kV ESD防护，适应2.5V~30V电压环境。　　保护器通常置于信号线/电源线与核心IC之间，确保过电压在到达敏感元件前被拦截，显著提升系统鲁棒性。　　失效分析与防控策略　　区分ESD与EOS失效是诊断的关键：ESD因纳秒级高压放电，多表现为衬底击穿、多晶硅熔融等点状损伤;而EOS因持续热效应，常引发氧化层/金属层大面积熔融或封装碳化。但短脉冲EOS与ESD损伤形态相似，且ESD可能诱发后续EOS，此时需通过模拟测试复现失效：对芯片施加HBM/MM/CDM模型(ESD)或毫秒级过电应力(EOS)，对比实际失效特征以确定根源。　　产线改良需针对性施策：　　加强ESD防护：检查人员接地设备、工作台防静电材料有效性，控制环境湿度;　　抑制电气干扰：为电源增加过压保护及噪声滤波装置，避免热插拔操作;　　优化接地设计：杜绝接地点反跳(电流转换引发高压);　　规范操作流程：严格执行上电时序，隔离外部脉冲干扰源。

关键词：

芯片

发布时间：2025-08-20 14:02 阅读量：761 继续阅读>>

海康存储企业级S<span style='color:red'>SD</span> D300系列获OpenCloudOS兼容互认证

行业新闻

海康存储企业级SSD D300系列获OpenCloudOS兼容互认证

　　近日，杭州海康存储科技有限公司(HIKSEMI，以下简称海康存储)旗下D300系列企业级 SATA SSD完成了与OpenCloudOS、TencentOS Server的相互兼容性认证。测试结果表明，该系列产品性能优异，兼容性良好，具备出色的可靠性和耐久性，是云服务、大数据处理等应用场景的理想之选。　　　本次兼容性认证覆盖了多项关键测试，包括操作系统安装、BIOS识别、BMC认盘、分区和文件系统、带IO热插拔、系统Reboot、系统DC掉电、系统AC掉电、RAID功能及Fio性能测试等。　　海康存储D300系列采用企业级主控，搭载高速3D TLC NAND闪存颗粒，顺序读写速度达到538/509 MB/s，4K随机读写IOPS达到98/61K，读写时延低至92/19 us，适用于读取密集型及轻度混合型工作负载。在可靠性方面，D300系列集成了LDPC 纠错、端到端数据保护、异常掉电保护、异常情况下只读固件自动重加载等多重安全机制，保障数据资产安全;同时，配合细致调教的磨损均衡算法，有效降低性能波动，确保企业级应用所需的高一致性。D300系列还支持固件在线更新，以保障业务连续性。　　目前，海康存储D300系列已经完成了与多个CPU平台、服务器厂商的产品兼容性互认证，为电信、金融、网络安全等领域提供高性能、高可靠的应用体验。240GB~3840GB的多容量设计和多种形态规格，满足行业客户的多样化定制需求。　　自2017年启动首代数据中心级固态硬盘研发工作起，海康存储持续深化与产业链伙伴的合作，不断提升产品性能与应用环境适配能力，构建深度协同的产业生态。未来，海康存储将打造AI+金融、AI+电信、AI+互联网等领域的存储解决方案，成为企业数字化转型的优质之选。　　关于OpenCloudOS　　OpenCloudOS沉淀了多家厂商在软件和开源生态的优势，继承了腾讯在操作系统和内核层面超过10年的技术积累，在云原生、稳定性、性能及硬件支持等方面提供坚实支撑，全面支持各类硬件平台。截止目前，OpenCloudOS已支持X86_64、ARM64、RISC-V架构，并完善适配LoongArch、飞腾、兆芯、鲲鹏等平台，生态合作伙伴超过700家。

关键词：

海康存储

发布时间：2025-08-08 14:24 阅读量：708 继续阅读>>

佰维存储推出工业级BGA S<span style='color:red'>SD</span>：成为AIoT时代的“全能选手”

行业新闻

佰维存储推出工业级BGA SSD：成为AIoT时代的“全能选手”

　　顺应边缘AI对高性能计算、高集成、与微型化的趋势，佰维存储推出工业级BGA SSD，在如五角硬币大小(16 x 20 x 1.3 mm)的尺寸内，提供高达1TB的存储容量与PCIe 4.0 x4的高速传输。BGA封装形式使该产品在需要频繁移动或受到机械振动的设备中更加可靠，广泛适配边缘计算、AI智能盒子、智能工控、智能汽车、通信设备、工业平板、娱乐设备等领域。　　覆盖AIoT边缘智能全场景，更小、更强、更智能　　佰维工业级BGA SSD系列产品全面契合边缘智能时代对存储的复合型需求，不仅满足端侧AI计算对高算力、低延迟的严苛要求，同时兼顾工业级应用对长生命周期、多接口兼容性以及在极端温度、湿度等复杂环境下稳定运行的高标准，为多元化的智能应用场景提供坚实的数据存储底座。　　产品顺序读写速度最高可达7300MB/s、4600MB/s，容量覆盖256GB至1TB，灵活适配从轻量级嵌入式设备到高负载边缘计算节点的多样化需求。在环境适应性方面，产品提供工业标准级(-20°C ~ 70°C)、工业宽温级(-40°C ~ 85°C)以及超宽温级(-40°C ~ 105°C)三种宽温规格选择，守护常规工业环境、严苛户外设备、车载系统及高温密闭空间等环境下数据完整性与可靠性。　　先进自研架构固件，实现场景化精细调优　　佰维特存BGA SSD搭载自主研发的固件，针对BGA SSD的独特应用形态进行了深度优化，确保在空间受限和严苛散热需求等复杂环境下发挥最佳性能与可靠性。　　智能读写调度与GC优化：降低写入放大与冗余擦写，提升BGA SSD全场景性能与寿命，满足边缘/端侧设备在户外运行及无人值守环境下的长期高可靠性需求。　　快速启动算法与低延迟访问机制：支持工业平板、汽车自动驾驶及智能座舱瞬时开机;实现工业自动化产线高效调度与实时处理，保障控制系统稳定响应，满足高精度智能制造场景要求。　　数据可靠性：集成4K LDPC纠错引擎、端到端数据保护及RAM ECC，结合宽温支持与严苛测试，确保恶劣工业环境下数据安全与系统稳定。　　按需定制，广泛兼容：针对数据高保密性场景，提供特定加密算法、安全启动支持功能以及S.M.A.R.T.监控;支持与多类型操作系统的深度兼容性优化，提升整体系统性能。　　自主封装+测试+制造，造就严苛品控与敏捷交付　　佰维成熟掌握 BGA 封装设计和工艺技术，确保产品拥有良好的电气性能、信号完整性、热管理能力。依托佰维在测试设备硬件开发、测试算法研究以及自动化测试平台建设的全栈测试能力，对BGA SSD执行严格的工业级可靠性测试，如长时间高温老化、温度循环冲击及振动测试，有效保障产品的高稳定性和高良率。　　佰维实现了从研发设计、封装测试到生产制造的垂直整合，不仅建立了完善的品控体系，也大幅提升了生产效率与交付保障能力。依托公司在供应链资源上的深度整合与快速响应机制，佰维能够确保稳定的产能输出和高效的交付节奏，同时灵活支持客户的小批量定制化需求，快速适配特定应用场景，助力边缘智能与工业系统实现高效部署与持续创新。　　佰维特存总经理彭鹏：“设备微型化趋势日益明显，还要对性能提升和功耗形成良好的平衡，这对存储产品的综合集成能力以及厂商的技术深度都带来了更大的考验。佰维持续投入工业级存储的研发与创新，不仅具备芯片设计+固件算法+硬件设计的开发能力，更拥有先进封装技术与自主生产能力，从产品选型、封装设计到制造交付的全链路环节，我们都实现了严格的过程控制与品质管理，确保每一颗芯片都能精准匹配客户在边缘计算、AIoT等高性能场景下的复杂需求。”

关键词：

佰维存储

发布时间：2025-08-04 11:16 阅读量：896 继续阅读>>

应能微：车载无线终端T-BOX E<span style='color:red'>SD</span>&EOS解决方案

行业新闻

应能微：车载无线终端T-BOX ESD&EOS解决方案

关键词：

应能微

发布时间：2025-07-31 11:35 阅读量：446 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
备注

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址