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佰维海外媒体开放日圆满落幕，Mini S<span style='color:red'>SD</span>凭实力“圈粉”！

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佰维海外媒体开放日圆满落幕，Mini SSD凭实力“圈粉”！

　　近日，佰维存储“BIWIN Media Day/海外媒体开放日”圆满落幕。二十余位来自全球各地的知名游戏与科技KOL走进惠州先进封测制造基地，通过沉浸式体验Mini SSD与存储器封测产线，并围绕AI存储全栈布局展开深度对话，共同见证了佰维存储的硬核实力与前瞻布局。　　01.　　Mini SSD 领衔登场，　　体验 AI PC 存储全矩阵　　活动伊始，媒体嘉宾深入展区体验了佰维存储的核心产品矩阵。明星产品Mini SSD首创标准化卡槽插拔设计，尺寸仅15mm×17mm×1.4mm(约半枚硬币大小)，在极小体积下实现了PCIe 4.0×2高速接口、最高2TB容量及3700、3400MB/s的读写速度，解决了存储行业“性能、体积、扩展性不可兼得”的痛点。　　凭借创新设计、应用价值方面的综合实力，该产品一举斩获2025《TIME》“年度最佳发明”、2026年爱迪生铜奖、CES 2026 TWICE Picks Awards、MWC 2026 “Best-in-Show”、Embedded World “Best-in-Show”、Arab Overclockers“最佳产品奖”等多项国际大奖。　　在应用展示区，嘉宾们现场体验了搭载Mini SSD的壹号本、GPD等游戏掌机及AI PC设备，直观感受其在端侧AI与游戏场景下“小体积、强性能、可扩展”的硬核优势。　　此外，展区还集中展示了佰维三大消费级存储系列，涵盖SSD、DRAM、PSSD、存储卡等多种产品形态：专为高性能游戏打造的Black Opal黑曜系列，兼顾强悍性能与稳定高效运作;Amber浮光系列以卓越性能与轻量化设计，为影像创作者提供高效可靠的移动存储方案;Mainstream蓝鲸系列则在性能与成本间取得最优平衡，为高阶PC用户、内容创作者提供高性价比的稳定支持，三大系列全面覆盖日常记录、专业创作及工作娱乐等全场景需求。　　02　　对话全球媒体，　　传递中国存储力量　　在深度交流环节，佰维存储先进封测业务负责人刘昆奇向媒体嘉宾系统介绍了公司的战略布局、产品矩阵及最新发展成果。作为业内少数具备“研发封测一体化”全栈能力的存储厂商，佰维为AI新兴端侧、智能移动终端、智能汽车及企业级等市场提供高性能、高可靠、多样化的存储解决方案。公司拥有惠州存储器先进封测与东莞晶圆级先进封测两大制造基地，并且是全球唯一拥有晶圆级先进封测能力的存储厂商，目前已服务全球超500家客户，业务布局遍及60多个国家与地区，并在智能手表存储、AI眼镜存储等细分赛道稳居行业前列。　　佰维存储海外PR经理邓天淳向媒体详细介绍了公司的消费级业务布局：佰维精准把握了AI向端侧迁移的行业趋势，面向AI PC、电竞游戏、移动创作等多元化场景，持续打造高性能、高可靠的存储解决方案。凭借出色的用户体验，相关产品不仅实现了销量与口碑的双丰收，更屡获国内外权威专业评测机构的力荐，品牌美誉度在全球消费市场持续攀升。　　在互动环节中，媒体嘉宾围绕公司的产品布局、技术内核及Mini SSD的创新亮点展开了深入交流。不少媒体嘉宾表示，Mini SSD凭借创新设计与硬核产品力，精准解决了用户存储扩展的痛点，是一款具有前瞻性的革命性产品。同时，多位KOL赞叹，中国存储产业的技术实力与发展速度令人瞩目，展现出了强大的创新势能。　　03　　深入封测产线，　　见证硬核存储实力　　活动最后，媒体嘉宾深入封装测试产线与实验室，实地观摩了从晶圆研磨、贴装、焊线键合，到基板模封、切割测试的“芯片诞生记”，佰维在30μm～40μm 超薄 Die、16/32层叠Die等先进封装技术上的量产能力，给现场媒体留下了深刻印象，'Amazing’、‘Crazy’等赞叹声此起彼伏。　　在实验室参观环节，嘉宾们进一步了解了佰维存储严苛的质量管控体系。从电气性、功能性测试到兼容性、环境可靠度测试，每一款产品在量产前均需经过层层把关。精密、高效、智能的封测产线，直观展示了佰维在封测制造端的扎实功底，也让海外媒体对国产存储的品质实力有了更深刻的认知。　　04　　结语　　从产品体验、深度对话到封测产线参观，本次佰维全球媒体开放日不仅是一场前沿科技的巡礼，更是佰维存储向外界展示自身技术底蕴的窗口。面对全球媒体代表，佰维用Mini SSD的创新能力与“研发封测一体化”的技术底座，生动诠释了“中国存储”的硬核实力。未来，佰维存储将继续秉持“Infinite Storage, Unlimited Solutions”的产品服务理念，依托全栈技术能力与全球化视野，携手全球合作伙伴共赴AI时代，让创新的存储力量惠及更多用户。

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发布时间：2026-06-23 10:39 阅读量：182 继续阅读>>

ROHM | 支持高速接口E<span style='color:red'>SD</span>保护二极管 - RE<span style='color:red'>SD</span>xVx系列

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ROHM | 支持高速接口ESD保护二极管 - RESDxVx系列

　　RESDxVx系列是一款兼具超低电容与低动态电阻特性、专为高速通信设计的ESD保护二极管。　　无论是消费电子、车载还是工业设备，即使在Gbps级高速接口应用中，也能将对通信信号的影响控制得更低，同时实现出色的IC保护性能。　　本文将为各位工程师呈现该产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。另外，还可前往官网查看产品新闻。　　超低电容可有效抑制信号劣化，同时兼顾高速通信的信号质量和IC保护　　实现高速接口规格所需的超低电容(0.2pF级)　　低动态电阻(Rdyn)，高箝位保护性能，实现业界先进的保护性能　　不仅实现了低电容量，还降低了与其存在权衡关系的动态电阻Rdyn(0.3Ω以下)，从而实现了更出色的钳位性能。　　适用于车载设备、消费电子及工业设备等广泛的市场领域　　产品阵容中新增两种小型封装产品

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发布时间：2026-06-18 09:58 阅读量：316 继续阅读>>

永铭TQD19/TQW19/TQD15超薄钽电容｜Pin-to-Pin 替代日系，解决企业级S<span style='color:red'>SD</span>限高与PLP断电难题

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永铭TQD19/TQW19/TQD15超薄钽电容｜Pin-to-Pin 替代日系，解决企业级SSD限高与PLP断电难题

　　企业级固态硬盘 SSD　　作为专业的电容器原厂制造商，上海永铭电子始终致力于通过底层材料与工艺创新，解决电子制造业最前沿的工程难题。在全球AI算力与数据中心加速部署的浪潮下，企业级SSD向E1.S/E3.S及5mm超薄U.2形态演进，由此引发的“超薄封装”与“断电保护(PLP)”之间的矛盾，成为衡量存储硬件可靠性的关键标尺。　　基于对这一场景痛点的深度洞察，永铭从钽电容的芯体与封装工艺入手，正式推出专为企业级SSD打造的三款超薄聚合物钽电容系列(TQD19/TQW19/TQD15)。我们以自研的底面端子结构(ESL降低约50%)与高密度钽芯成型工艺为核心，在不牺牲电气性能的前提下，实现了对日系老牌料号的精准、长效替代。标准交期6-8周(急单可缩至4周)，BOM采购成本直降25%-30%。　　01　　品牌技术沉淀　　自研工艺，从底层解决两大矛盾　　传统钽电容在超薄SSD应用中面临的结构与性能矛盾，根源在于封装工艺与芯体密度。永铭的解决方案并非简单的尺寸压缩，而是两套核心工艺的系统性突破：　　1. 底面端子结构，攻克ESL难题　　传统电容的引线框架带来较高寄生电感(ESL)，在高频负载瞬态响应中成为瓶颈。永铭采用底部端子结构，将内部电流路径缩短50%以上，从而将ESL降低约50%。这意味着，即便我们的ESR(120mΩ)与日系竞品(100mΩ)存在账面差异，更低的ESL却带来了更低的回路总阻抗(实测低10%)，实现了PLP性能的实际反超。　　2. 高密度聚合物钽芯+薄型封装，突破限高桎梏　　通过优化钽粉成型与聚合物阴极聚合工艺，我们在1.9mm和1.5mm的极限厚度内，依然实现了35V/100µF(TQW19)及35V/47µF(TQD15)的高规格容量与耐压。这为E1.S SSD(限高2.05mm)和超薄U.2盘(限高1.6mm)提供了理想的储能底座。　　【图①：等效串联电阻(ESR)与频率的关系】　　该曲线展示了永铭聚合物钽电容ESR在全频段(0.1kHz~10kHz)的特性——随频率升高ESR快速下降并在100kHz附近进入最低平台区(约0.0826Ω)。永铭TQW19/TQD19系列在100kHz下ESR典型值120mΩ max，与曲线高频段数据高度吻合。这意味着在SSD实际工作频段(百kHz级)，永铭钽电容的等效电阻已降至最低水平，不会成为PLP充放电回路的瓶颈。　　02　　产品可靠性背书　　全流程严苛筛选，数据可追溯　　永铭将“零缺陷”视为企业级元件的生命线。所有出厂的超薄钽电容均执行以下可靠性保障流程：　　1. 100%浪涌测试　　每颗电容在出厂前均经过1.15倍额定电压、1000次循环的浪涌冲击测试，确保无早期失效。　　2. 超低漏电流管控　　以TQD19/TQW19为例，实测漏电流≤100µA，远优于规格书允差(164.5µA)，从源头杜绝SSD上电初始化失败的风险。　　【图②：漏电流(LC)与负载电压的关系】　　该曲线显示漏电流随施加电压升高而近似线性增长，在100%额定电压(35V)时LC典型值约2.89µA。永铭实际出厂品控执行更严标准——实测漏电流≤100µA，远优于曲线所反映的典型水平。该曲线一方面展示产品基础电气行为符合物理规律，另一方面衬托永铭筛选标准的严苛性(实测值不足曲线典型值的1/30)，直接支撑上电可靠性数据。　　【图③：漏电流(LC)与温度的关系】　　该曲线显示LC在85℃后加速上升，@105℃时约11.27µA，@125℃时约11.94µA。永铭产品通过100%浪涌测试与老化筛选，确保高温环境下漏电流仍处于可控范围，不会触发SSD过流保护或导致上电失败。该曲线展示永铭产品在AI服务器高温工况下的稳定性。　　3. 全固态宽温设计　　工作温度范围-55℃~+105℃，耐久性2000小时@105℃，确保在AI服务器7×24小时高温工况下的长期稳定运行。　　03　　客户案例　　日系电容应用失效痛点与永铭解决方案　　案例背景　　一家全球头部AI服务器及存储模组厂商，在其E1.S SSD及超薄U.2项目中原采用日系TQC/TQS系列钽电容。　　原用方案遭遇的三大痛点　　1. 批次质量波动　　部分批次电容漏电流超标，导致SSD上电初始化失败，整机返修率上升，增加售后维护成本。　　2. 供应产能收紧　　原厂产能向车规市场倾斜，数据中心级超薄钽电容供应收紧。TQS 1.4mm厚度规格供货持续性恶化，交期拉长至14-16周，直接打乱客户量产爬坡计划。　　3. 电气性能局限　　日系产品虽单体ESR偏低，但其ESL参数相对较高，在高频瞬态负载下整体回路表现受限。　　永铭针对性解决方案　　【图④：等效串联电阻(ESR)与温度的关系】　　该曲线显示永铭聚合物钽电容的ESR在全温度范围内(-55℃~125℃)波动极小(约0.055Ω~0.061Ω)。这意味着在AI服务器45℃~85℃的实际工作环境中，ESR不会因温升而恶化，确保PLP性能在全寿命周期内保持一致。　　04　　实测数据验证：PLP性能全面超越　　双方在同等条件下进行背对背测试：　　U.2超薄盘项目(TQD15 vs 日系TQS 47µF/35V)　　【图⑤：电容量与频率的关系】　　该曲线展示永铭聚合物钽电容在全频段(0.1kHz~100kHz)的容量保持能力——在100kHz高频下容量保持率仍高于84%。对于SSD应用，断电PLP发生在直流至低频段(容量基本无衰减)，而正常读写时的高频纹波抑制也无需担心容量过度下降。　　05　　客户落地四大核心价值　　选择永铭作为您的钽电容合作伙伴，您将获得：　　1.消除干涉风险：彻底消除因电容高度超标导致的干涉风险;在严格的PLP测试中(2000次异常断电，样本量≥100片)实现0%数据丢失，将实际应用中的断电数据丢失率降至工程极限水平。　　2.规避供应链风险：相比日系对标型号，电容器采购成本降低，直接降低整机成本;　　标准交期6-8周，且可协商4周的紧急交期，避免因进口物料短缺造成的产线停工损失。　　国产品牌，产品品质可以完全替代日系产品，物料供应有保证。　　3.杜绝早期失效：严格的100%浪涌筛选与漏电流实测管控(每颗电容漏电流远低于规格书上限)，显著降低因电容批次不良导致的上电初始化失败率，并有效改善早期返修率。　　4.增加收益：在典型企业级SSD PLP测试中(12V母线，45℃环境)，相比日系低耐压方案，永铭超薄钽电容PLP保持时间提升60%，为客户产品提供高可靠性的技术卖点。

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发布时间：2026-06-17 09:47 阅读量：278 继续阅读>>

芯动神州丨AD<span style='color:red'>SD</span>1278---多通道同步采集赋能阀门内漏诊断

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芯动神州丨ADSD1278---多通道同步采集赋能阀门内漏诊断

　　一、技术背景：阀门内漏声学检测的信号链需求　　在石油化工、核电、天然气输配等工业系统中，阀门是管道控制的核心元件。启闭频繁、高温高压、介质腐蚀等因素导致密封面磨损或变形后，阀门关闭时高压侧介质经微小缝隙窜入低压侧，形成内漏。与可见的外漏不同，内漏发生于阀体内部，传统的温度监测、压力波动分析等手段对微小内漏的灵敏度不足，往往在泄漏量达到生产安全阈值时才被察觉。　　声学检测法是当前工业现场最有效的阀门内漏非侵入诊断手段之一。其物理机制明确：内漏介质在压差驱动下穿过密封缝隙时形成高速微射流和局部湍流，激发覆盖20~100kHz频段的宽带超声信号，信号能量主要集中在30~70kHz范围内。声波沿管壁传播，通过安装在阀体或上下游管道外壁的接触式压电超声传感器(灵敏度>75dB、底噪<10μVRMS)拾取，经信号调理和模数转换后送入分析主机进行时频域特征提取，最终实现泄漏点定位和泄漏率定量评估。　　这套信号链对ADC提出了三项关键技术约束：　　宽频带覆盖与抗混叠：超声信号的有效频段可达100kHz，依据奈奎斯特定理，ADC数据速率需不低于200kSPS方可完整保留信号频谱。实际工程中，主能量集中在30~70kHz，144kSPS的数据速率可覆盖0~72kHz有效信号带宽，配合片上线性相位FIR滤波器(通带纹波<0.005dB)，可避免频谱泄漏和相位畸变对后续特征提取的影响。　　大动态范围与高灵敏度：阀门内漏的声压级跨度极大：高压大口径阀门的严重内漏可达110dBSPL以上，而早期微小泄漏可能低至25dBSPL以下，动态跨度超过85dB。ADC需要具备不低于100dB的信噪比才能同时保证强信号不削顶、弱信号不被量化噪声淹没。此外，传感器底噪在μV量级，要求ADC的等效输入噪声足够低，以匹配前端信号链的噪声基底。　　多通道严格同步：基于传感器阵列的泄漏源定位(如波束成形、互相关时差法)依赖各通道之间的精确相位关系。通道间采样时刻的纳秒级偏差会直接转化为声源定位的毫米级误差。多颗ADC之间必须共享统一的采样时钟和同步触发信号，确保所有通道在同一时刻锁存数据，杜绝通道间的采样时间偏移。　　二、方案选型：ADSD1278/1274的参数布局与技术适配性　　芯动神州ADSD1278(8通道)和ADSD1274(4通道)是基于Δ-Σ架构的24位同步采样模数转换器，工作模式可通过硬件引脚直接配置，无需寄存器编程，简化了采集板卡的设计复杂度。HTQFP-64封装(12mm×12mm)，与TIADS1278/ADS1274引脚完全兼容，可直接替换现有方案。　　下表列出了ADSD1278/1274中对阀门内漏声学检测最为关键的参数：　　以上参数的价值在于：ADSD1278/1274以单片8/4通道的密度，在一个TQFP-64封装内集成了阀门内漏检测信号链中最关键的模数转换环节——从传感器调理输出到数字信号处理器之间的核心桥梁——而无需在分辨率、采样率和通道数之间做任何妥协。　　三、核心能力深挖：同步架构与低串扰如何支撑泄漏源精确定位　　在阀门内漏声学检测中，泄漏源的空间定位能力直接决定了检修决策的有效性——知道"漏了"远不如知道"哪个阀门、哪个密封面在漏"有工程价值。基于多传感器阵列的定位算法(如波束成形、广义互相关时差法)对采集系统的同步性和通道独立性提出了超出常规数据采集的严苛要求，ADSD1278/1274在这两个维度上的表现值得深入分析。　　同步采样架构：从纳秒到角度的误差链　　阀门超声泄漏定位的典型做法是在阀体上下游管壁布置4~8个接触超声传感器，通过各传感器接收到泄漏信号的到达时间差(TDOA)反演声源位置。这一过程对采样同步性的敏感度可以通过一个简单计算来量化：　　超声波在碳钢管道中的纵波传播速度约为5,900m/s。假设传感器间距为0.3m，两个传感器之间由泄漏源位置差异引入的到达时差在0~51μs之间。如果多通道ADC之间的采样时刻存在1μs的偏移(即通道间同步误差为1μs)，则会引入约5.9mm的等效位置误差——这对于确定泄漏位于阀座还是阀瓣密封面(间距往往仅数毫米)而言是不可接受的。　　ADSD1278/1274的全差分Δ-Σ调制器由统一的片上主时钟驱动，8/4个通道的采样保持动作严格对齐同一时钟沿，通道间采样偏差由芯片内部走线延迟决定，量级在纳秒级别。当需要超出单芯片通道数的传感器规模时，菊花链级联架构允许将多颗ADSD1278串联在同一SPI总线上，所有芯片共享由主控提供的SYNC同步脉冲，确保级联芯片之间的采样同步精度与单芯片内部通道相当。这种架构使得16、32甚至64通道的大规模声学阵列的同步采集成为可能，而无需在FPGA端引入复杂的跨芯片时延校准逻辑。　　超低串扰：多测点频谱独立性的物理保证　　串扰(Crosstalk)定义为相邻通道之间的信号耦合量，通常以分贝表示。对于阀门内漏检测的多传感器系统，串扰是一个容易被忽视但影响深远的技术指标：当一个通道上采集到强泄漏信号(例如高压阀的超声幅值达到数十毫伏)，而相邻通道正在监测一个微弱泄漏点(超声幅值仅数十微伏)时，如果通道间串扰水平不够低，强通道的信号能量会"泄漏"到弱通道上，在弱通道的频谱中产生一个虚假的泄漏特征峰——这可能导致误报和漏报。　　ADSD1278/1274的实测通道间串扰为–118dB，这意味着强通道上1V的信号在相邻通道上的耦合量仅为约1.26μV——这个量级已经低于典型接触超声传感器在无泄漏工况下的本底噪声，因此在工程上可以认为串扰对采集数据的影响可以安全忽略。ADSD1278的串扰水平低于前端传感器的本底噪声，构成了一个"串扰透明"的采集链路。　　四、系统集成：阀门内漏声学检测的典型采集架构　　基于ADSD1278的阀门内漏声学检测系统遵循"传感器阵列→信号调理→多通道同步ADC→数字处理与传输→上位机分析"的五级信号链。以下结合工程实践给出两种典型配置：　　配置一：手持式单阀检测仪(4通道)　　以ADSD1274(4通道)为核心。在待测阀门上游和下游管壁各安装2只接触超声传感器，4路信号经仪表放大器(增益10~100倍可调)和抗混叠低通滤波(截止频率约70kHz)后送入ADSD1274。ADC工作于高速模式(144kSPS)，SPI数据送入低功耗MCU(如STM32H7系列)进行实时FFT和1/3倍频程分析，以工业LCD屏幕显示各测点的超声幅值频谱和泄漏等级评估结果。整机采用电池供电，ADSD1274的低速模式(52kSPS)下功耗约62mW，可大幅延长单次充电的现场作业时间。　　配置二：在线式多阀门监测网络(8~32通道)　　以多颗ADSD1278(8通道)通过菊花链级联构成。典型部署为每个关键阀门布置2个监测点(上游+下游)，单颗ADSD1278可覆盖4个阀门。4颗级联可构建32通道分布式采集网络，覆盖装置区内16个重点阀门。所有芯片由统一的SYNC脉冲同步触发，SPI菊花链数据经FPGA汇聚和帧同步后通过以太网(ModbusTCP或OPCUA)上传至DCS中控室。在线模式下芯片可持续运行于高分辨率模式(SNR109dB)，以最高动态范围捕获阀门状态的趋势变化，支撑基于超声幅值-泄漏率标定曲线的定量泄漏评估。　　两种配置共享相同的信号调理和ADC前端设计，仅在后端处理和通道规模上有所不同，这种模块化的架构设计得益于ADSD1278/1274的硬件模式配置引脚——通过改变MODE[1:0]引脚电平即可在高速(HS)、高分辨率(HR)、低功耗(LP)、低速(LS)四种工作模式间切换，无需修改固件或重新配置寄存器。　　五、关键工况适配：高温、防爆与在线长期运行　　工业阀门的工作环境对采集系统提出了超出实验室指标的工程要求，ADSD1278/1274的设计在这些约束下展现出了良好的适用性：　　高温环境：炼化装置中阀门表面温度可达150°C以上，传感器需选用耐高温型号并通过声波导管隔热。ADSD1278塑封版本工作温度范围-40°C~+85°C，可安装在隔热罩外的采集盒中;陶瓷封装版本可耐受更高温度，适合紧邻高温管道的紧凑型安装需求。　　长期漂移稳定性：在线监测系统通常要求12个月以上的免校准运行。ADSD1278的直流偏移温漂典型值为0.8μV/°C、增益温漂为1.3ppm/°C，远低于阀门泄漏率标定模型的有效分辨率，不会引入需要周期性人工校准的长期漂移误差。　　六、国产替代：Pin-to-Pin兼容下的供应连续性　　ADSD1278/1274与TIADS1278/ADS1274保持TQFP-64封装引脚完全兼容，协议一致，工作模式配置逻辑相同。对于已采用ADS1278方案的阀门内漏检测设备厂商，替换为ADSD1278无需修改PCB布局和嵌入式固件，可直接实现物料替代。　　在工业仪器装备领域，芯片的供应连续性比性能指标的微小差异更为关键——进口芯片面临的长交期(部分型号超过52周)、产地变更带来的合规风险、以及贸易政策的不确定性，给仪器厂商的生产排程和售后维护带来系统性风险。芯动神州的本地化晶圆制造与封装供应链，配合上海总部本土FAE团队，为阀门内漏检测设备提供了可预期的交付周期和快速响应的现场技术支持——当现场出现信号链适配问题时，团队可以迅速提供现场或远程诊断。　　七、结语　　管道阀门内漏声学检测是一项对ADC同步性、动态范围和通道一致性提出综合性要求的技术方向——它既需要音频频段的宽带覆盖，又要求工业级的长期稳定性和多通道架构的可扩展性。芯动神州ADSD1278/1274以24位精度、144kSPS带宽、8/4通道同步采集和–118dB通道间串扰的综合性能，为这一细分领域提供了一个技术指标匹配、供应链可靠、生态兼容成熟的国产采集核心方案。　　让每一次内漏都有迹可循，让每一颗阀门都值得信赖。

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发布时间：2026-06-03 09:18 阅读量：463 继续阅读>>

上海雷卯丨低空经济下无人机E<span style='color:red'>SD</span>/浪涌防护全链路方案解析

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上海雷卯丨低空经济下无人机ESD/浪涌防护全链路方案解析

　　低空经济崛起，无人机从消费级航拍快速渗透至工业巡检、物流配送、农林植保、安防侦察等场景，高可靠性、长续航、轻量化、强环境适应性成为核心设计指标。无人机EMC检测分两类：消费级主要做基础电磁兼容(GB/T 17626/FCC/EN)，侧重 ESD、浪涌、辐射发射等基础项;工业级/适航级(尤其出口、BVLOS、载人机型)则需满足DO‑160G 航空级环境与EMC标准，覆盖更严苛的高低温、振动、雷击、强 EMI抗扰，要求远高于普通消费级。无人机工作环境复杂，高空低温、潮湿多尘、振动冲击频发，且机身多为复合材料，易产生静电积累;动力系统大电流切换、外部雷电感应、接口插拔瞬态，会引发ESD 静电放电、EOS 电过应力、浪涌冲击，轻则导致信号紊乱、飞控失控、数据丢包，重则烧毁主控芯片、电源模块、通信接口，引发坠机事故。　　作为深耕 EMC 防护领域十六余年的领导品牌，上海雷卯电子(leiditech) 聚焦无人机全链路防护痛点，基于 IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-5(浪涌)、GB/T 17626.2、GB/T 17626.5 等国标与国际标准，打造低容值、低钳位、小型化、高可靠的 ESD 防护器件、TVS 瞬态抑制二极管等全品类解决方案，覆盖电源、信号、接口全场景，为无人机 “稳定飞行、安全作业、续航优化” 筑牢防护屏障。本文雷卯EMC小哥从原理、架构、方案、选型四维度，深度拆解无人机静电浪涌防护设计逻辑与落地路径。　　一、无人机静电浪涌防护核心原理　　01 无人机EMC测试项目　　02 核心干扰源与危害机理　　(1)ESD 静电放电　　无人机飞行中，机身与空气摩擦、复合材料间接触分离、人员维护插拔接口，会产生静电。静电放电瞬间产生纳秒级高压脉冲，通过传导或耦合侵入电路，击穿芯片栅极、干扰飞控信号时序，导致姿态失控、GPS 定位漂移。　　(2)浪涌冲击(EOS / 雷击感应)　　※电源浪涌：锂电池大电流充放电、电调 MOS管开关切换，产生几十至几百伏尖峰电压，冲击电源管理芯片、主控供电端;　　※雷击感应：高空作业时，雷电电磁感应通过机身线缆耦合，产生±1kV~±4kV浪涌(IEC 61000-4-5)，烧毁电源模块、通信射频芯片;　　※接口浪涌：USB/存储等接口热插拔，产生瞬态过压，损坏接口收发器。　　03 无人机全链路防护架构　　无人机电路分为动力电源域、飞控控制域、信号通信域、外设接口域四大核心区域，雷卯采用“电源浪涌抑制 + 信号 ESD 防护” 防护架构，实现全链路覆盖，防护框图如下：　　二、无人机电源与接口雷卯 EMC 防护方案　　1.电源系统防护方案(锂电池/电调/DC-DC)　　无人机电源分为2S/3S/4/6S锂电池输入(7.4V/11.1V/14.8V/22.2V)、电调供电、5V/3.3V DC-DC 输出三级，需兼顾浪涌吸收、过压钳位、低功耗。　　(1)锂电池输入端　　•干扰特征：上电浪涌、反接瞬态、雷击感应浪涌;　　•防护要求：吸收大能量浪涌、钳位电压≤40V、通流≥50A;　　•雷卯方案：推荐TVS + PPTC组合，前端pptc防过流，后端 TVS 精准钳位，防止电压尖峰进入电调;雷卯根据不同类型的电芯组合的满电充电电压适配不同的TVS型号,　　可满足 IEC 61000-4-2 等级 4 标准(接触 / 空气放电 ±30kV).　　(2)DC-DC 输出端(5V/3.3V)　　•干扰特征：开关噪声、ESD 静电耦合、负载切换浪涌;　　•防护要求：快速响应、钳位电压≤10V(5V系统);　　•雷卯方案：小封装大电流 ESD或 TVS，并联在输出端，泄放静电与小浪涌，不影响电源纹波与效率，适配长续航需求。防护等级可满足 IEC 61000-4-2 标准等级 4 要求(接触放电 8kV、空气放电 15kV)　　2.信号通信系统防护方案(GPS/WiFi/陀螺仪/总线)　　无人机信号链路包含高频射频信号(GPS 1.575GHz、WiFi 2.4G/5G)、低速控制信号(I2C/SPI)、差分信号(CAN/RS485)，核心痛点是ESD 干扰 + 信号完整性，寄生电容需足够小，避免高频信号衰减。　　(1)高频射频信号(GPS)　　雷卯该方案用于GPS接口，保护电源和射频信号的浪涌保护，本方案采用二级防护,可靠工作，保证信号高温完整性，满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电30kV，空气放电30kV。满足 IEC61000-4-5 8/20μs，5kA。　　(2)差分控制信号(CAN-FD/RS485)　　干扰特征：接触 ESD(±8kV)干扰;　　●防护要求：差分对称防护、钳位电压≤12V、寄生电容≤3pF;　　●雷卯方案采用多路集成器件保护，电容<5PF，可以保证信号完整性的同时，可滤除杂讯、通过静电测试。满足：IEC61000-4-2，等级4，接触放电30kV，空气放电30kV。　　3.外设接口系统防护方案(USB/HDMI/TF 卡)　　无人机外设接口直接暴露在外，插拔 ESD、线缆感应浪涌风险最高，是防护重点，需满足IEC 61000-4-2 ±15kV 空气放电、IEC 61000-4-5 ±2kV 浪涌双重标准。　　(1)USB 2.0/3.0 接口　　干扰特征：插拔 ESD、VBUS 浪涌、数据线上静电;　　•防护要求：数据线低容值(≤2pF)、VBUS 钳位≤6V、支持高速信号传输;　　•雷卯方案采用分立器件分别防护,SMDA05CCN防护VBUS电源路，ULC0502P3防护USB2.0 D+ D-差分信号，ULC3304P10LV超低结电容防护SSTX和SSRX高速差分对。保证信号完整性，配合雷卯共模电感可滤除共模干扰，满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电8kV，空气放电15kV。　　(2)HDMI / 视频输出接口　　干扰特征：高频 ESD、差分信号干扰;　　•防护要求：8 路差分 ESD、寄生电容≤1pF;　　•雷卯方案：HDMI2.0本方案采用多路集成器件防护, 可节约空间，可保证信号完整性，可滤除杂讯，满足IEC61000-4-2(等级4)，可达接触放电25kV，空气放电30kV 。　　(3)SD/TF卡SD模式静电保护方案　　雷卯电子推荐采用集成器件USRV05-4保护，电容小于1PF，可以保证信号完整性的同时，通过静电测试。满足IEC61000-4-2，ISO10605-2 等级4，接触放电8kV，空气放电15kV。　　三、无人机全链路防护雷卯　　核心型号选型表　　结合上述推荐的雷卯防护方案，针对无人机不同场景，精选以下核心型号，覆盖ESD、TVS，参数精准匹配 IEC/国标要求，兼顾性能、体积与成本：　　1. ESD防护器件(信号/接口专用)　　2. ESD/TVS 瞬态抑制二极管(电源专用)　　低空经济持续升温，无人机产业对安全可靠性的要求已从“可选配置” 升级为 “硬性标准”。上海雷卯电子(leiditech)深耕 EMC 防护十六余年，依托全品类防护器件、精准的参数匹配、成熟的防护方案，严格遵循 IEC 61000-4-2/4-5、GB/T 17626.2/5 等标准，为无人机提供从电源、信号到接口的全链路ESD/浪涌防护解决方案，目前已成熟应用于多个无人机行业领军企业。雷卯产品兼具超低容值、低钳位、小型化、高可靠优势，适配消费级到工业级全场景无人机需求，上海雷卯电子可提供免费样品、参考设计与技术支持，自设免费EMC实验室，可供客户免费摸底验证，助力无人机实现“稳定飞行、安全作业、续航优化”，赋能低空经济高质量发展。

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发布时间：2026-06-02 09:41 阅读量：439 继续阅读>>

永铭<span style='color:red'>SD</span>F系列方形超级电容为AI服务器PCS提供毫秒级削峰填谷的解决方案

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永铭SDF系列方形超级电容为AI服务器PCS提供毫秒级削峰填谷的解决方案

　　AI算力升级下PCS供电面临瞬态冲击新挑战　　随着AI大模型训练与推理需求爆发，AI服务器单GPU功耗已突破700W，集群负载侧毫秒级功率阶跃幅度可达数倍额定值，传统PCS(功率转换系统)供电架构依赖UPS/HVDC与主功率级按峰值冗余设计，导致系统体积、重量、热管理成本上升30%以上，无法适配高密度数据中心的部署要求。　　01 高di/dt负载下三大问题制约PCS可靠性与功率密度提升　　在AI服务器/数据中心PCS应用场景中，现有缓冲方案普遍存在三类短板：　　1. 母线稳定性不足：GPU毫秒级功率阶跃冲击下，缓冲单元ESR偏高导致电压下陷/过冲超标，可能引发GPU/CPU宕机，影响算力服务连续性;　　2. 系统冗余过度：为覆盖瞬态峰值，功率器件、母线电容、上游供电均需放大选型，推高整机BOM成本与热管理压力;　　3. 传统方案适配性差：铝电解/薄膜电容响应速度不足，圆柱形超容体积重量偏大，无法满足高密度模块化PCS的布局需求。　　从技术机理推导，缓冲单元的ESR、峰值电流能力、响应速度是决定瞬态支撑效果的核心参数;而缓冲器件距离负载过远引入的寄生参数，会进一步削弱能量吞吐效率。　　02 永铭解决方案：SDF方形超级电容构建本地毫秒级能量缓冲层　　针对上述痛点，永铭推荐采用SDF系列3.0V 330F 30×20×55方形超级电容，并联在PCS母线端作为本地瞬态缓冲单元，核心性能精准匹配场景需求：　　1. 超低ESR抑制电压波动：ESR<0.8mΩ，大幅降低高di/dt工况下的I×ESR压降与自身发热，母线电压波动幅度可缩小40%以上(典型工况下);　　2. 大电流毫秒级响应：支持最大360A充放电电流，响应速度达毫秒级，可在200ms~秒级时间窗内快速吞吐瞬态能量，完全覆盖GPU负载阶跃缓冲需求;　　3. 方形结构提升功率密度：采用扁平化封装，相比传统圆柱形超容方案，整机体积减少30%~40%，重量减轻20%~30%，适配高密度模块化PCS布局;　　4. 宽温长寿命降低维护成本：支持-40℃~70℃宽温运行，循环寿命达50万次，可适应数据中心7×24小时高频充放电场景，全生命周期可靠性更优。　　导入该方案后，瞬态峰值功率由本地超级电容直接承接，无需上游供电系统按峰值冗余设计，可有效降低UPS/整流模块、母线电容与PCS功率器件的工作应力，实现稳定性、功率密度与综合成本的三重优化。　　03 常见问题Q&A　　Q1：我们在做AI服务器PCS的动态负载测试，GPU负载阶跃一上来，母线电压就有明显下陷和过冲，怀疑是缓冲用超容的ESR偏高。请问有没有内阻足够低的超级电容方案可以推荐?最好能说明在高di/dt工况下对母线稳定性的改善效果。　　A1：推荐永铭SDF系列方形超级电容3.0V 330F型号，其ESR<0.8mΩ，可显著降低高di/dt工况下的I×ESR压降，有效抑制母线电压下陷/过冲，提升GPU供电稳定性。　　Q2：请教一下，做GPU服务器PCS瞬态缓冲时，如果需要在200ms到1秒内承受数百安培级的快速充放电，有没有支持大电流脉冲、响应又足够快的超级电容型号?我们更关心实际脉冲电流能力和波形测试结果。　　A2：永铭SDF系列3.0V 330F方形超级电容支持最大360A充放电电流，具备毫秒级响应速度，可覆盖200ms~秒级的瞬态缓冲需求，适配GPU负载阶跃的大电流脉冲场景。　　Q3：我们现在想把PCS里的圆柱形超级电容方案换掉，原因是空间太占、重量也偏大。有没有方形、更紧凑的超级电容方案，能在不牺牲瞬态缓冲能力的前提下，把整体体积和重量再降一些，方便做高密度模块化设计?　　A3：永铭SDF系列方形超级电容采用30×20×55的方形结构，相比传统圆柱形超容方案，整机体积可减少30%~40%，重量减轻20%~30%，同时保持大电流充放电、低ESR的性能优势，适配高密度PCS模块化设计需求。　　总结　　永铭SDF系列方形超级电容针对AI服务器/数据中心PCS的瞬态负载场景定向优化，兼具低ESR、大电流响应、高结构密度与高可靠性优势，可有效解决毫秒级负载波动带来的母线电压不稳定问题，帮助客户降低系统冗余设计成本，提升整机功率密度。　　若需适配不同功率等级的PCS设计，可联系永铭FAE团队获取定制化选型支持，也可直接索取SDF系列完整规格书或申请样品测试。

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发布时间：2026-05-25 09:42 阅读量：596 继续阅读>>

上海雷卯丨从“幽灵故障”到“坚如磐石”：低压比较器的E<span style='color:red'>SD</span>保护实战指南

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上海雷卯丨从“幽灵故障”到“坚如磐石”：低压比较器的ESD保护实战指南

　　上周，雷卯EMC小哥接到一位客户的紧急求助---一款工业传感器在产线测试时一切正常，但交付客户现场后，却频繁出现“幽灵故障”——设备偶尔无端重启，或采集到的电压信号发生异常跳变，导致整个系统误判。　　客户工程师们排查了整整一周，从软件逻辑到电源纹波，几乎翻了个底朝天，最终才将矛头指向了电路板上一个不起眼的低压比较器。　　雷卯EMC小哥深入分析后，问题根源浮出水面：在干燥的现场环境中，操作人员或设备外壳累积的静电，通过信号线或外壳缝隙，对比较器造成了“软损伤”。这种损伤不会让芯片当场报废，却会悄然改变其输入失调电压，或使其在临界状态时产生误翻转，最终表现为间歇性的系统故障。这正是静电放电(ESD)最令人棘手之处——它如同一位看不见的刺客，专挑你最意想不到的时刻发动攻击。　　一、为什么比较器如此“怕”静电?　　要理解比较器为何需要特别的ESD保护，我们不妨先简要回顾一下它的工作原理。比较器，核心功能是判断两个输入电压的大小，电压比较器通常由两个输入端和一个输出端组成：同相输入端(+)和反相输入端(-)，输出端Vout用于输出高低电平信号。当V+电压高于V-时，输出跳变为高电平;反之则输出低电平。它就像一个精密的“电压裁判”，是模数转换、过压/欠压检测、信号整形等电路的核心元件。　　经典通用的电压比较器型号有：单路LM311，双路LM393，四路LM339。　　低功耗有：单路TLV3011，TS881 适合电池供电设备;　　高速型号：单路TLV3501，MAX9010;　　精密型号：单路 AD790。　　然而，正是这种“精密”特性，使其对静电格外敏感。现代低压比较器多采用深亚微米CMOS工艺，其内部的栅氧化层薄如蝉翼，击穿电压可能低至数十伏。而一次普通的人体静电放电，电压轻松即可突破数千伏甚至上万伏。更关键的是，比较器通常工作在开环状态，增益极高。ESD脉冲一旦耦合到输入端，哪怕只是一个极窄的尖峰，也可能被放大并导致输出状态瞬间反转，造成系统误动作。更严重的是，如果ESD能量直接击穿了输入级的栅氧化层，就会造成永久性损坏，让比较器彻底“罢工”。　　二、ESD保护方案：雷卯EMC小哥为比较器穿上“防弹衣”　　那么，如何为脆弱的低压比较器构建一道坚固的防线呢?一个行之有效的方案是采用TVS(瞬态电压抑制)二极管。　　TVS二极管是ESD防护的“尖兵”。它像一个智能的电压开关，在正常工作电压下呈现极高的阻抗，对电路毫无影响。一旦检测到ESD高压脉冲，它能在皮秒至纳秒级的时间内迅速导通，将瞬态大电流旁路到地，并将电压钳制在一个安全的低电平上。对于比较器的输入/输出引脚，我们推荐选用低结电容(Cj < 10pF) 的TVS管，例如ESDA05CPLV(Cj =3.5pF)，低电容特性可以确保高速信号(如来自传感器的快速变化信号)在传输过程中不失真，从而不影响比较器的判断精度。当然也不能一概而论，要具体情况具体分析。　　三、比较器用ESD 结电容选择推荐　　比较器的工作速度(信号频率)决定了你能容忍的最大结电容。　　比较器不像USB 3.0或HDMI那样动辄Gbps的速率，但它的应用场景跨度很大——从工频信号检测(50Hz/60Hz)到高频脉冲捕捉(MHz级别)。因此，不能一概而论。　　1、低速/直流信号比较器(如：过压欠压检测、温度比较、电池电量监测)　　信号特点：信号变化缓慢，频率极低(< 1kHz)，甚至只是直流电平。　　结电容建议：< 100pF 即可。　　理由：由于信号变化慢，结电容带来的充放电时间常数对信号几乎没有影响。此时可以优先选择钳位电压更低、通流能力更强的普通TVS管，保护效果反而更好。不必为追求极低电容而牺牲钳位性能或增加成本。　　2. 中速信号比较器(如：PWM信号整形、中频方波检测、1MHz以内的传感器脉冲)　　信号特点：信号频率在几十kHz到几MHz之间，上升沿/下降沿时间在百纳秒级。　　结电容建议：<10pF。　　理由：这个速率下，普通TVS管(几十pF)的结电容已经开始对信号边沿产生可见的延迟和畸变，可能导致比较器翻转点偏移。建议选用专用低电容ESD保护二极管，例如上海雷卯ESDA05CPLV(Cj≈3.5pF)或者ULC0311NH(Cj≈1.2pF)。这个档位的器件性价比很高，是大多数比较器应用的“甜点区”。　　3.高速比较器(如：高速ADC驱动、射频检波、高速脉冲计数 > 10MHz)　　信号特点：信号频率达到数十MHz甚至更高，上升沿在几纳秒以内。　　结电容建议：< 1pF，最好 < 0.5pF　　理由：此时信号完整性是第一要务。任何超过1pF的电容都会显著增加插入损耗、引起信号反射，甚至导致比较器无法正确响应高速脉冲。必须选用超低电容ESD，例如 ULC0542CLV (Cj≈03pF)，ULC3311CDN (Cj0≈45pF)　　总结一下：　　最终建议：对于大多数通用的低压比较器应用(比如文章里提到的工业传感器场景)，选择结电容在1pF~5pF之间的低电容ESD二极管是最稳妥的。它既能提供足够的ESD防护，又不会对大多数中低速信号造成明显影响，而且成本可控。　　关于比较器用3.3V 和5V ESD 推荐常用型号如下：　　四、这套方案的优势何在?　　这套以TVS管为核心的防护方案优势非常明显：　　1、响应极快，防护精准：TVS管的响应速度可达皮秒级，能够有效钳制上升沿极陡的ESD主脉冲，将电压牢牢限制在安全范围内，从根本上杜绝了因高压尖峰导致的栅氧化层击穿或输出误翻转。　　2、保护与性能兼得：通过选用低结电容的TVS管，可以在不牺牲信号完整性的前提下，获得极高的防护等级。这对于需要处理微弱或高速信号的比较器应用(如高精度传感器接口)至关重要。　　3、设计简洁，成本可控：该方案所需的元器件为通用、成熟的型号，成本低廉，采购方便。工程师可以根据具体的比较器型号和工作电压，灵活选择TVS管的钳位电压，实现最优的性价比。　　总之，ESD防护绝非可有可无的“锦上添花”，而是确保电子产品长期可靠运行的“基石”。对于低压比较器这类敏感器件，采用低电容TVS二极管进行精准防护，是告别“幽灵故障”，让产品从实验室从容走向严苛真实世界的明智之选。　　五、应用于哪些行业　　低压比较器在便携、电池供电和空间受限的设备中用得最多，主要覆盖以下几类产品：　　1、手机、手环、蓝牙耳机等便携设备;　　2、电池电量监测和电源管理;　　3、传感器信号处理(如温控、光控);　　4、汽车电子和工业控制;　　5、医疗仪器(如血糖仪)。

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发布时间：2026-05-20 10:57 阅读量：565 继续阅读>>

永铭牛角型双电层超级电容<span style='color:red'>SD</span>N系列：为AI服务器S<span style='color:red'>SD</span>提供可靠PLP掉电保护

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永铭牛角型双电层超级电容SDN系列：为AI服务器SSD提供可靠PLP掉电保护

　　前言　　在AI服务器和数据中心中，企业级SSD/存储盘承载着大量高速写入任务。正常工作时，SSD会把用户数据、FTL映射表和关键元数据先暂存在DRAM缓存中，以换取更高的写性能。但一旦整机突发掉电，如果PLP(Power Loss Protection，掉电保护)后备储能单元不能在毫秒级时间内接管供电，缓存中的数据就可能来不及写入NAND，导致数据丢失、盘异常甚至不可用。AI高IOPS(每秒输入输出操作次数)场景下，写入密度更高，掉电瞬间待落盘的数据量更大，风险被进一步放大。　　面对这一问题，永铭SDN系列牛角型双电层超级电容的PLP模组方案，帮助企业级SSD和存储盘在突发掉电时守住“最后一口气”，安全完成数据落盘。　　01为什么普通PLP方案往往不够用　　很多工程师在实际测试中发现，传统方案存在几个典型痛点。小容量电容掉电保持时间太短，无法覆盖完整的写入窗口;电池型后备单元虽然能储存更多能量，但寿命短、需要定期维护，在服务器高温环境下可靠性下降明显;还有一些电容方案响应慢或内阻偏高，掉电瞬间电压快速跌落，控制器还没来得及写完数据就已经失去工作条件。　　从技术根源看，SSD掉电保护的关键不是“持久供电”，而是要在输入电源消失后，PLP单元以毫秒级速度接管，并在控制器最低工作电压以上维持足够的有效能量窗口。能否成功写完，取决于可释放有效能量(E = 1/2 × C × (Vstart² - Vend²))、放电回路ESR压降、输出电流能力以及控制器回写耗时之间的匹配。AI高IOPS场景下写入电流更集中，对储能器件的响应速度和放电倍率要求更高。　　02永铭的解决方案：围绕“把数据写完”设计　　永铭超级电容PLP方案的思路很直接——不追求长时间供电，而是精准解决“掉电后能否安全写完”这一核心问题。方案具备几个关键优势：毫秒级响应，掉电瞬间无缝接管，无需唤醒或升压;高倍率放电能力，能支撑控制器在写入窗口内的大电流需求;长循环寿命且免维护，适合频繁掉电保护或长期运行;模组化设计，直接适配12V平台。　　具体到产品规格，永铭推荐使用牛角型双电层超级电容SDN系列单体，规格为180F/2.7V/25×50mm，单体ESR低至8mΩ。系统配置上，采用5只单体串联组成13.5V模组，再将4个这样的模组并联(5S4P)，单机合计20只单体。这样配置后，模组额定电压约13.5V，在实际12V系统中可正常工作且留有余量;并联后总有效容量提升为单组串联模组的4倍，放电能力大幅增强，保持电压更加平稳。　　在实际应用中，导入该方案后，SSD在突发掉电时可以获得更平稳的保持电压和更长的有效写入窗口，缓存数据、FTL映射与关键元数据完成落盘的概率显著提高。对于AI高IOPS场景，也能更从容地覆盖高密度写入的最后动作。该方案可替代传统小容量储能、电池型后备单元，以及那些仅能短暂支撑却难以覆盖完整写入窗口的PLP设计路径。　　03工程师常问的Q&A　　Q1：我们在做企业级SSD的PLP验证，需求不是长时间续航，而是掉电后要立刻接管，让缓存和FTL映射来得及写完。有没有响应足够快、适合SSD掉电保护的超级电容方案可以推荐?　　A1：有。推荐永铭超级电容PLP方案。该方案的核心特点是毫秒级响应+ 掉电瞬间接管。当外部电源消失时，永铭超级电容可以在极短时间内无缝接管，不需要等待任何唤醒或升压过程，直接为SSD控制器提供能量。配合高倍率放电能力，能够支撑控制器在保持电压未跌落到最低工作阈值之前，完成DRAM缓存数据、FTL映射表及关键元数据的最后写入。具体配置上，采用180F / 2.7V单体，5只串联组成13.5V模组，可以匹配企业级SSD常见的12V电源架构。该方案不是追求长续航，而是精准解决“掉电后能否安全写完”这一核心问题。　　Q2：我们现在做AI服务器里的高IOPS SSD，掉电时需要在很短时间内把关键数据写完。有没有可以通过多模组并联来提高有效容量和放电能力的PLP超级电容方案?　　A2：有。永铭方案支持多模组并联来扩展有效容量和放电能力。　　针对AI高IOPS场景，单位时间写入密度更高，掉电瞬间待落盘的数据量更大。我们推荐的配置是：5只2.7V/180F单体串联成一个13.5V模组，再将4个这样的模组并联(5S4P)，单机共使用20只单体。　　这样做的好处是：总有效容量提升为单组串联模组的4倍，掉电后能提供更长的写入窗口;总放电能力(最大电流)大幅增强，可以应对高IOPS写入时控制器短时大电流需求;保持电压更平稳，多模组并联降低等效内阻，减少瞬态压降，确保控制器在整个写入过程中电压始终在正常工作范围之内。　　该方案已经在企业级SSD及AI服务器存储盘中验证，能够显著提高掉电后数据落盘的成功率。　　Q3：我们比较担心PLP方案后期寿命和维护问题，尤其是服务器长期运行、还要频繁做掉电测试。有没有比传统电池型后备单元更耐用、循环寿命更好的超级电容PLP方案?　　A3：有。永铭超级电容PLP方案相比传统电池型后备单元，在长循环寿命和免维护方面具有明显优势。　　循环寿命：超级电容可支持数十万次甚至百万次的充放电循环，而电池(如锂离子或镍氢)通常在几百到几千次循环后就会出现明显容量衰减。对于需要频繁做掉电保护测试或实际运行中可能多次遭遇突发掉电的场景，超级电容几乎不需要更换。　　免维护：电池方案需要定期检测、校准或更换，尤其在服务器高温环境下老化更快。永铭超级电容采用无化学反应储能机理，高温稳定性更好，生命周期内基本免维护，降低了长期运维成本。　　一致性与可靠性：我们的模组化设计(5S4P)使用同一批次单体，经过严格配对，保证串联电压均衡和并联电流均流，整体系统可靠性更高。　　总结　　永铭牛角型双电层超级电容之所以适合AI服务器SSD的PLP场景，是因为它抓住了掉电保护的本质：毫秒级响应加上高倍率放电能力，让控制器在掉电后获得更平稳的保持电压和更长的有效写入窗口，从而完整写入缓存、FTL映射表和关键元数据。方案采用180F/2.7V单体，5S4P模组配置，满足AI高IOPS场景下数据一致性与安全下电的严苛约束，同时实现免维护的长期可靠性。　　把掉电后的“最后一口气”留给关键数据，让SSD更稳地完成缓存、FTL和元数据落盘——这就是永铭PLP方案的核心价值。

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发布时间：2026-05-08 09:34 阅读量：580 继续阅读>>

美光业界领先的245TB 6600 ION数据中心S<span style='color:red'>SD</span>现已出货——凭借超越机械硬盘的突破性能效，重新定义机架级存储密度

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美光业界领先的245TB 6600 ION数据中心SSD现已出货——凭借超越机械硬盘的突破性能效，重新定义机架级存储密度

　　2026 年 5 月 6 日，爱达荷州博伊西市 — 美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码：MU)近日宣布，正式出货 245TB 容量的美光 6600 ION SSD。作为业界容量领先的商用 SSD，该产品标志着数据中心机架级存储密度实现重大飞跃。美光 245TB 6600 ION SSD 专为支持人工智能(AI)、云计算、企业级及超大规模工作负载而设计，可满足下一代 AI 数据湖、云端规模文件与对象存储等场景需求。与基于 HDD 的部署方案相比，美光 245TB 6600 ION E3.L 实现同等原始存储容量所需的机架数量可减少 82%。1 该产品搭载了美光 G9 QLC NAND 技术，领先同类型数据中心 SSD 所用的 QLC 至少一代，重新定义了大容量数据中心存储。2 客户现可在更紧凑的空间内存储和处理更多数据，在不牺牲大规模数据密集型工作负载所需性能的同时，降低功耗与散热需求。　　美光高级副总裁暨核心数据中心事业部总经理 Jeremy Werner 表示：“AI 工作负载正在推动共享数据的大规模增长，促使数据中心存储持续从 HDD 向 SSD 加速迁移。凭借单盘 245TB 的容量，美光 6600 ION SSD 让固态存储成为现代数据中心的理想选择。这一突破性的容量，可帮助数据中心运营商优化机架级总体拥有成本，特别是在电力供应成为制约 AI 基础设施扩展的当下。”　　国际数据公司(IDC)固态硬盘和支持技术研究副总裁 Jeff Janukowicz 表示：“AI 数据集的快速增长，正推动存储的经济效益从单盘转向机架级效率。运营商需要在严格的功耗与散热约束下，提升单机架的可用容量。美光 245TB SSD 具备充足存储密度，可在不扩充数据中心占地规模的基础上，支撑 AI 数据管道规模化部署。稳定可预测的性能、出色的能效与更高的容量，是构建高性价比 AI 基础设施的关键。”　　四分之一 PB 级规模　　重塑数据中心存储成本结构　　美光 245TB 6600 ION SSD 提供 U.2、E3.L 两种外形规格，适配超大容量存储部署场景。产品更小的物理空间占用量与更大的单盘容量，不仅简化了运营与数据中心管理，也减少了故障点并降低了维护需求。　　功耗表现同样实现大幅优化。美光 245TB 6600 ION SSD 峰值功耗为 30 瓦，仅为同等容量 HDD 部署方案的一半。3 此外，这些能效优势有助于减少能耗、散热需求与碳排放，从而支持数据中心的可持续发展举措。在环境与成本压力日益加剧的背景下，可持续发展已成为全球运营商的首要任务。　　戴尔科技集团 ISG 产品管理部门高级副总裁 Travis Vigil 表示：“AI 工作负载正不断逼近数据中心的容量上限，但当单机架存储容量实现大幅提升后，情况会大为改善：功耗更低、空间占用更少、运营成本更低。这正是搭载 245TB 硬盘的戴尔 AI 存储系统所能实现的价值。对于部署 AI 业务及大型数据中心环境的客户而言，这将显著降低其总体拥有成本。”　　为可持续扩展树立性能与效率新标杆　　美光 6600 ION SSD 专为超大容量部署场景设计，相较于采用 HDD 的数据中心，在大规模应用中具备更出色的 AI 工作负载性能与能效表现。美光实验室测试结果表明，相较基于 HDD 搭建的系统，美光 6600 ION SSD 在能效、吞吐量与延迟方面均实现明显优化：　　AI 工作负载：美光 245TB 6600 ION 能效提升高达 84 倍，AI 预处理速度提升 8.6 倍，数据摄入吞吐量提升 3.4 倍，延迟至多降至原来的 1/29。4　　对象存储工作负载：美光 245TB 6600 ION 每瓦吞吐量提升高达 435 倍，首字节响应速度提升 96 倍，总吞吐量提升 58 倍。5　　在 1EB 的规模部署中，HDD 所需的能耗为美光 245TB 6600 ION SSD 的 1.9 倍。6 规模化部署带来的显著能效优势，可转化为可量化的可持续发展效益，具体包括：　　每年二氧化碳减排量，相当于逾9,000 棵成年树木一年的吸收量7　　每年二氧化碳减排438 公吨(MT)8　　每年节约能耗 921 兆瓦时(MWh)6　　每年暖通空调(HVAC)制冷能耗节约超 31.4 亿英热单位(Btu)9　　供货情况　　2026 年 5 月 18 日至 21 日，美光 245TB 6600 ION SSD 将亮相戴尔科技全球峰会(DTW)，于美光 226 号展台(#226)展出。现场可参观搭载美光6600 ION SSD、针对数据湖存储场景深度优化的 40 槽位戴尔 PowerEdge 服务器。　　1 机架空间节省比例计算方式如下：均按理论最大值计算，单 36U 机架配置 720 块 245.76TB SSD，总容量可达 176.9PB;单 36U 机架配置 720 块 44TB HDD，总容量仅 31.7PB。二者相比，HDD 所需的机架空间是 SSD 的 5.6 倍。　　2 SSD 与 NAND 的比较基于截至 2026 年 3 月按收入排名前五的 OEM 数据中心 SSD 厂商的公开数据，数据来源于 Forward Insights 分析报告《第一季度 SSD 供应商状况》 (SSD Supplier Status Q1/26)。　　3 美光 6600 ION 245TB SSD 峰值功耗为 30 瓦，单块 44TB HDD 峰值功耗为 10 瓦。44TB HDD 功耗参数暂未公布，本次对比基于 36TB/32TB HDD 峰值功耗测算。数据来源：exos-ds2046.1-2512-en_us.pdf　　4 在 AI 数据抽取、转换与加载(ETL)场景下，美光 245TB 6600 ION SSD 的吞吐量表现始终优于数据中心 HDD 阵列，同时拥有更低延迟、更出色的能效与可扩展并发能力。美光工程实验室采用单块 245TB 6600 ION SSD，与同一硬盘厂商16 块 16TB 数据中心 HDD 组成的阵列开展对比测试。　　5 MinIO 对象存储工作负载测试基于美光实验室测试，采用 Warp S3 基准测试工具，数据对象大小为 4MB。测试方案：单块美光 6600 ION 245TB SSD，对比同一硬盘厂商 16 块 16TB 数据中心 HDD 组成的 RAID-0/JBOD 阵列。　　6 美光 6600 ION 245TB SSD 峰值功耗为 30 瓦，单块 44TB HDD 峰值功耗为 10 瓦。搭建 1EB 存储容量，分别需配置 4,069 块 SSD 和 22,727 块 HDD。能耗节省额度，按两类存储设备均以满功耗持续运行一年的差值核算。目前暂无 44TB HDD 公开功耗参数，因此本次功耗参考 32TB/36TB HDD 峰值功耗，并假定 44TB HDD 功耗不低于 32TB/36TB HDD。数据来源：exos-ds2046.1-2512-en_us.pdf　　7 单株树木每年可吸收二氧化碳 231 千克。树木固碳数据来源：The Power of One Tree – The Very Air We Breathe | Home　　8 假设存储容量为 1EB，所有 HDD 和 SSD 均以 100% 额定功率、每周 7 天、每天 24 小时不间断运行。HDD 总功耗：1,990,973 千瓦时(每块 HDD 10 瓦);245TB 6600 ION SSD 总功耗：1,069,596 千瓦时(每块 SSD 30 瓦)，二者能耗差值达 921,377 千瓦时。测算假设：全部电力均来源于碳/化石能源。二氧化碳减排数据来源：Emissions – Global Energy & CO2 Status Report – Analysis – IEA　　9 暖通空调(HVAC)制冷能耗节约测算依据：1 瓦 = 3.412 英热单位 / 小时。

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发布时间：2026-05-06 14:23 阅读量：586 继续阅读>>

萨瑞新品｜7V系列 SEU 系列高速 E<span style='color:red'>SD</span> 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

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萨瑞新品｜7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管：10Gbps + 高速接口专用，双向 + 单向双款齐发

　　随着 USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、MIPI、车载 SerDes、车载以太网等高速接口全面普及，10Gbps + 传输对信号完整性与 ESD 防护提出双重严苛要求。　　江西萨瑞微电子推出SEU0721P1(双向)+ SEU0731P1(单向) 两款 DFN1006-2L 超小型 ESD 保护二极管，专为高速信号链路打造，超低电容、高钳位、强防护，覆盖单端 / 差分全场景高速 I/F 保护需求。　　01　　核心优势：突破权衡，高速与保护兼得　　SEU0721P1|双向 ESD 二极管　　类型：双向　　结电容：典型 0.25pF，Max 0.3pF(0.2pF 级)　　ESD 防护：IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)　　峰值脉冲电流：4A(8/20μs)　　封装：DFN1006-2L 无引脚小型化　　SEU0731P1|单向 ESD 二极管　　类型：单向　　结电容：典型 0.4pF，Max 0.5pF　　ESD 防护：IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)　　峰值脉冲电流：4A(8/20μs)　　封装：DFN1006-2L 无引脚小型化　　02　　核心亮点　　SEU0721P1：≤0.3pF，极致抑制信号劣化，完美适配 USB4、PCIe、MIPI 等高灵敏度差分接口。　　SEU0731P1：≤0.5pF，兼顾高速与成本，适合单端高速 I/O 与通用高速接口。　　03　　低钳位 + 低漏电流，保护更可靠　　双向款：4A 下钳位电压典型16.5V　　单向款：4A 下钳位电压典型11V，更低钳位、更稳保护　　漏电流低至0.1μA/1μA，系统功耗更优　　04　　高等级 ESD，满足车规 / 消费 / 工业　　两款均达到：　　IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)　　宽温工作：-55℃ ~ +125℃　　RoHS、UL 94V-0、无铅绿色塑封料　　05　　DFN1006-2L 微型封装，高密度布局　　超小体积、低寄生电感　　贴近连接器摆放，不占用空间　　适合手机、笔电、车载、相机等轻薄化设计　　06　　典型应用原理图　　双向保护电路(SEU0721P1)　　适用于：USB4/USB3.x、PCIe、LVDS、MIPI、车载 SerDes 等差分高速信号　　单向保护电路(SEU0731P1)　　适用于：单端高速 I/O、HDMI、音频、传感器、通用高速信号　　07　　关键参数对比表　　08　　应用领域　　完美覆盖10Gbps + 高速接口：　　USB4 / USB3.x / Thunderbolt 4　　HDMI / DisplayPort / PCIe　　MIPI D-PHY / C-PHY / LVDS　　车载 SerDes、车载以太网(10/100/1000Mbps)　　手机、笔电、平板、相机、便携仪器、车载设备、工业终端

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发布时间：2026-05-06 10:11 阅读量：698 继续阅读>>

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