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如何避免<span style='color:red'>二极管</span>过载

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如何避免二极管过载

　　如何避免二极管过载?　　二极管作为电路中的基础元件，其过载可能导致性能下降甚至烧毁。以下从选型、安装、保护设计及散热四方面提供实用解决方案：　　1.精准选型匹配需求　　根据电路特性选择二极管类型：高频电路优先选用肖特基二极管(低反向恢复时间);高压场景采用快恢复二极管;大电流环境需考虑功率二极管。　　核对关键参数：正向电流(IF)需预留20%以上余量，反向耐压(VRRM)应高于电路最大电压的1.5倍，避免长期运行在极限值。　　2.规范安装降低风险　　焊接控制：手工焊接时温度≤260℃，时间<3秒，避免高温导致PN结损伤;自动贴片机需设置预热坡度，防止热冲击。　　引脚处理：高频电路中引线长度应<5mm，必要时采用镀金引脚或绞合线降低电感效应;反向安装二极管可能导致极性错误，需严格按丝印标识操作。　　3.多级保护限制过流过压　　电流限制：串联电阻需按公式R=(Vsupply-Vd)/If计算(Vd为二极管正向压降)，例如12V转5V电路中，若If=1A，需串联7Ω电阻;对敏感电路可并联自恢复保险丝(PPTC)实现过流自保护。　　电压箝位：并联双向TVS二极管时，其击穿电压应略高于电路工作电压峰值(如12V系统选15V TVS)，可抑制ESD或雷电感应脉冲。　　4.热管理与布局优化　　散热设计：功率二极管必须加装散热片，材料推荐铝合金(导热系数200W/m·K)，接触面涂抹导热硅脂(热阻<0.1℃·cm²/W);　　PCB布局：高功率二极管周围保留≥2mm禁布区，避免与发热元件(如MOS管)相邻;多二极管并联时采用镜像布局，保证电流均流。　　5.电路级预防措施　　参数监控：在关键电路中串联采样电阻，通过运放构建过流检测电路，触发后切断电源或启动限流模式;　　冗余设计：对不可修复场景(如航空航天)，可采用N+1二极管并联备份，单管失效时负载自动分配至健康管。　　示例场景：在开关电源设计中，选用600V/10A快恢复二极管，串联1Ω水泥电阻限流，并联1.5KE200CA型TVS管，配合L型散热片(尺寸50×30×10mm)，实测在满载40℃环境下连续工作1000小时，壳温稳定在65℃以下，未出现性能衰减。　　通过系统化的选型、安装规范及保护设计，可有效延长二极管使用寿命，提升电路可靠性。

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二极管

发布时间：2025-06-09 14:21 阅读量：158 继续阅读>>

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硅二极管和锗二极管的区别是什么

　　二极管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电力、通信、计算机等各个领域。硅二极管和锗二极管作为最早被发明和广泛应用的两种二极管类型，它们在材料特性、工作性能、温度稳定性等方面存在显著差异。本文将探讨硅二极管和锗二极管之间的区别。　　1. 硅二极管与锗二极管的材料特性　　1.1 硅二极管：　　硅(Silicon) 是一种常见的半导体材料，具有较高的热稳定性和机械强度，适用于高温环境。硅二极管的导电性较好，具有较高的击穿电压和较短的载流子寿命。　　1.2 锗二极管：　　锗(Germanium) 是另一种常见的半导体材料，比硅具有较低的禁带宽度，因此其导电性也较好。然而，锗材料相对脆弱，导致其应用范围受到一定限制。　　2. 工作特性比较　　2.1 导电性：　　硅二极管：由于硅的禁带宽度较大，硅二极管的导电性较差，需要较高的电压才能使其导通。　　锗二极管：锗的禁带宽度较小，因此锗二极管具有较好的导电性，只需较低电压即可导通。　　2.2 温度稳定性：　　硅二极管：硅材料具有较好的热稳定性，在高温环境下仍能保持较好的性能。　　锗二极管：锗材料对温度变化较为敏感，温度升高会影响其性能表现。　　3. 应用场景对比　　3.1 硅二极管：　　由于硅二极管具有较高的击穿电压和热稳定性，常用于功率放大器、整流器等高功率应用场合。　　3.2 锗二极管：　　锗二极管由于其导电性能优良，常用于射频放大器、检波器等低功率高频电路中。

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硅二极管

发布时间：2025-06-06 11:29 阅读量：180 继续阅读>>

森国科推出第五代Thinned MPS® 碳化硅<span style='color:red'>二极管</span>KS10065(650V/10A)

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森国科推出第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS10065(650V/10A)

　　深圳市森国科科技股份有限公司发布了第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS10065(650V/10A), 该系列产品提供多达八种封装，充分满足客户在OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个应用场景的需求。　　森国科KS10065系列产品拥有超低的VF值，可降低正向导通损耗;少子器件零反向恢复，在反向恢复过程中极大的减少了反向恢复损耗，同时又减少了EMI干扰，可大大提升整机效率，整体损耗的减少也带来更小的温升;卓越的IFSM值，在抗雷击/浪涌等产品可靠性上有极其出色的表现;灵活多样的封装形式，助力客户在不同场景中的高效应用。　　KS10065(650V/10A) 碳化硅二极管, 主要应用于5种PFC电路和IGBT续流二极管，以下是典型应用电路：　　无桥PFC: D1,D2，使用SiC二极管和SiC MOS替代了传统的整流二极管，可明显提高效率。　　单向PFC: D5，电路简单，成本低，初级无电解电容。　　交错并联PFC: D5, D6，可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。　　维也纳(VIENNA)PFC ：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。　　IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。　　森国科深耕宽禁带半导体领域多年，目前已与国内外TOP级工艺厂商(X-FAB\积塔等)达成友好合作，秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。　　名词释义　　TMPS：是Thinned Merged PIN Schotty Diode 的缩写，中文翻译为：减薄的混合型PN结势垒肖特基二极管，森国科将该系列产品注册商标为：Thinned MPS®　　PFC：英文全称为“PowerFactorCorrecTIon”，意思是“功率因数校正”，功率因数指的是有效功率与总耗电量(视在功率)之间的关系，也就是有效功率除以总耗电量(视在功率)的比值。基本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因数值越大，代表其电力利用率越高。　　维也纳整流桥：Vienna 整流桥是脉冲宽度调变的整流器，可以接收三相交流电源，也是功率因数修正电路，是Johann W. Kolar在1990年发明。

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森国科

发布时间：2025-05-12 14:27 阅读量：265 继续阅读>>

二极管系列产品" alt="森国科推出广泛用于"光、风、储、充、荷"的1200V碳化硅二极管系列产品">

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森国科推出广泛用于"光、风、储、充、荷"的1200V碳化硅二极管系列产品

　　深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS®1200V碳化硅二级管，涵盖了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等数十款型号，相比Si器件，碳化硅肖特基二极管具有导通电阻低，开关损耗小的特点，完美满足中高压系统的需求，成为了光伏逆变器、风能逆变器、储能双向逆变器、充电桩模块、大功率工业电源、车载充电机等领域客户的不二选择，碳化硅功率器件的使用对于能源领域朝着轻量化、节能低碳化的转型升级也具有重要的意义。　　碳化硅作为第三代宽禁带半导体的代表性材料之一，与传统Si基材料相比，其电子饱和漂移速率是硅的2倍，更加适合在高频电路中使用;热导率相当于Si的3倍，因而散热效果更佳，可靠性更高;SiC材料的临界击穿场强能力高达硅的10倍之多，可使器件更加耐高压;禁带宽度上来说，SiC材料是Si材料的3倍，使其具备了低漏电的优异性能。　　此外，经过多轮测试与验证，森国科1200V碳化硅二级管拥有强大的抗浪涌冲击能力、抗雪崩能力，强健性和鲁棒性。较高的热性能降低了对冷却系统的需求，同时由于反向恢复时间短，可降低电磁干扰的问题。在"风、光、储、充、荷"等领域常用的电路可参考：　　交错并联PFC: D5, D6：可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。　　维也纳(VIENNA)PFC：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。　　IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。　　森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自新能源汽车、充电桩、光伏逆变器、OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。

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发布时间：2025-05-07 09:09 阅读量：283 继续阅读>>

江西萨瑞微：高效节能新选择！SST2045DPSL 肖特基<span style='color:red'>二极管</span>助力电子设备性能升级

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江西萨瑞微：高效节能新选择！SST2045DPSL 肖特基二极管助力电子设备性能升级

　　SST2045DPSL 是江西萨瑞微电子推出的一款高性能硅肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD)的简称。专为追求高效率、低损耗的电子设备设计。　　SST2045DPSL 在众多电子产品中扮演着关键角色，它的性能优劣直接影响到相关设备的整体运行效果。　　01肖特基二极管的原理　　肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等),A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。　　02肖特基二极管的特点　　当金属与N型半导体结合时，形成MS结。这个结被称为肖特基势垒。肖特基势垒的行为会有所不同，具体取决于二极管是处于无偏置、正向偏置还是反向偏置状态。　　由于肖特基二极管基势垒高度低于PN结势垒高度，故肖特基二极管正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低。由于肖特基二极管是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复等问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管反向恢复时间。由于肖特基二极管的反向恢复电荷少，故肖特基二极管开关速度极快，开关损耗也极小，特别适合于高频应用。　　03肖特基二极管的优势　　① 超低正向电压　　0.43V(10A时)，大幅降低导通损耗，提升系统能效。　　②快速开关性能　　反向恢复时间仅57ns，适用于高频应用场景。　　③ 卓越温度稳定性　　工作温度范围-55℃至+150℃，适应严苛环境。　　④ 高可靠性设计　　PDFN5×6-8L封装，散热优异(热阻低至5℃/W)。　　⑤环保兼容性　　符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺。　　04肖特基二极管的应用　　① 高频逆变器　　优势：快速开关特性可显著降低高频电路中的开关损耗，提升逆变器效率。　　典型应用：太阳能逆变器、UPS电源、电机驱动系统。　　② 低压电源系统　　优势：超低正向电压(0.48V@20A)减少能量损耗，延长电池续航。　　典型应用：便携设备电源管理、车载电子系统、DC-DC转换模块。　　③ 自由轮续流与极性保护　　优势：高浪涌电流耐受能力(峰值290A)，保护电路免受反向电压冲击。　　典型应用：继电器保护、电机控制电路、电源反接保护。　　05技术亮点解析　　散热性能卓越　　采用PDFN5×6-8L封装，底部集成散热片，结合低至5℃/W的结壳热阻(RθJC)，确保高功率场景下的稳定运行。　　高可靠性认证　　UL 94V-0防火等级，环保型模塑材料，通过J-STD-020湿度敏感三级标准，适合工业级应用。　　焊接工艺友好　　支持无铅回流焊工艺，峰值温度耐受达260℃，满足现代电子制造的严苛要求。　　为什么选择SST2045DPSL?　　节能降耗　　低正向电压和低漏电流设计，显著降低系统功耗。　　长寿命保障　　高耐压(45V)与抗浪涌能力，减少故障率，延长设备寿命。　　紧凑设计　　5×6mm小型封装，节省PCB空间，适合高密度集成场景。　　06 结论　　SST2045DPSL 凭借其高效、稳定、紧凑的设计，已成为低压高频应用的理想选择。无论是提升能效，还是增强系统可靠性，这款二极管都能为您的产品赋能升级!

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江西萨瑞微

发布时间：2025-04-24 15:36 阅读量：357 继续阅读>>

高温环境下的MDD肖特基<span style='color:red'>二极管</span>设计如何避免热失效

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高温环境下的MDD肖特基二极管设计如何避免热失效

　　在高温环境下，肖特基二极管(Schottky Diode)以其低正向压降和快速开关特性被广泛应用于电源管理、电机驱动及新能源系统中。然而，由于其PN结被金属-半导体接触结构取代，其温度特性与普通PN结二极管存在显著不同，特别是在高温下，肖特基管的反向漏电流急剧上升，成为热失效的主要隐患。因此，设计人员在高温环境下使用肖特基二极管时，必须充分考虑其热稳定性与散热策略。　　首先，识别失效风险是设计的前提。肖特基二极管的反向漏电流随着温度上升呈指数增长，这不仅加剧功率损耗，还可能引发热失控现象。当结温过高，二极管可能出现反向击穿或短路失效，影响整个电源系统稳定性。　　其次，合理选型与降额设计至关重要。在器件选型阶段，应考虑实际工作温度下的derating(降额)条件。例如，若器件额定反向电压为60V，在高温应用中建议选择100V或更高耐压等级，以提升安全裕度。此外，选择具有低漏电流、高结温耐受能力(如175℃以上)的工业级或汽车级肖特基产品，也能显著降低热失效风险。　　热管理设计是控制结温的关键手段。在PCB布局中，应尽量扩大铜箔面积，加强热传导路径，配合导热硅脂、散热片或热垫片等散热辅助材料。对于功率密集型应用，还可采用DFN、TO-220、DPAK等高散热效率封装，甚至考虑采用多颗器件并联分流，从结构上降低单管热负载。　　最后，建议在系统设计中增加热反馈保护机制，如温度感知芯片或热敏电阻，当温度异常上升时自动限流或关断，以避免连续热应力带来的器件损伤。　　总之，高温环境下的肖特基二极管应用必须在器件选型、热设计与系统保护上多管齐下。通过精准评估漏电特性、合理降额、优化散热与加入温控保护，才能充分发挥肖特基二极管在高效率整流中的优势，同时保障系统长期稳定运行。

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发布时间：2025-04-17 17:24 阅读量：325 继续阅读>>

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佑风微：SiC Schottky Diode碳化硅肖特基二极管应用及产品选型

　　广东佑风微电子有限公司推出多款650V 1200V 1700V SiC Schottky Diode碳化硅肖特基二极管。产品广泛应用于光伏逆变器，开关模式电源，电池充电器，电动驱动，不间断电源等产品上。

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发布时间：2025-03-27 16:46 阅读量：365 继续阅读>>

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YFW佑风微推出全系列SOD-123FL、SMA、SMB封装CRD恒流二极管

　　YFW佑风微推出全系列SOD-123FL、SMA、SMB封装CRD恒流二极管　　YFW佑风微恒流二极管CRD015A(B/D)-CRD080A(B/D) SMA/SMB/SOD-123FL产品选型　　CRD是一个二极管，它为电子设备提供恒定电流电路，即使电源电压波动或负载发生阻抗波动。CRD用于电流稳定和限流,恒流二极管具有恒定电流，保护电路，不受电压波动影响，还简单易用、温度稳定性好，而且易于修改电流容量，小尺寸、低功耗等。　　以下是CRD恒流二极管的应用电路

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佑风微

发布时间：2025-03-24 14:39 阅读量：480 继续阅读>>

德普微电子：DP951X/XT/XB集成续流<span style='color:red'>二极管</span>，轻松降本升级

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德普微电子：DP951X/XT/XB集成续流二极管，轻松降本升级

　　随着LED照明市场竞争的白热化，大家对产品性价比的追求日渐强烈，LED驱动电路集成续流二极管是大势所趋。为此，德普整合自身优质资源及雄厚研发实力，在常规DP950X/XT/XB的系列基础上推出了Pin to Pin并集成续流二极管的DP951X/XT/XB系列，方便客户降本升级，且有140℃ OTP，120℃ OTP，OVP可调功能可选。　　DP951X/XT/XB系列是工作于电感电流临界导通模式(CRM，Critical Conduction Mode)的高精度低PF非隔离降型LED恒流驱动芯片，适用于85Vac~265Vac全电压输入应用。全系列芯片内置500V高压功率MOS管，600V续流二极管。且无需VCC电容及启动电阻，外围电路简单，系统成本低。同时实现了各种保护功能，包括LED短路保护和过温自动调节等，以确保系统稳定性。　　主要特点　　●芯片内置500V高压功率MOS管，600V续流二极管　　●支持高频开关应用，可使用贴片电感　　●输出电流精度：±5%　　●内部保护功能：　　输出过压保护 (OVP)可选　　逐周期电流限制(OCP)　　前沿消隐(LEB)　　LED开路和短路保护　　120℃，140℃过热保护(OTP)可选　　●SOP7封装　　目标应用　　●LED球泡灯，日光灯，筒灯等　　●LED开关调色和感应灯等　　●其他LED驱动应用　　典型原理图　　产品特色　　1、集成续流二极管，采用SOP7三基岛封装，布局合理，散热性能优异;　　2、可Pin to Pin替换DP950X/XT/XB系列;　　3、OVP引脚具有EN使能功能，可满足开关调色及感应灯应用;　　4、可兼容高频应用，配合贴片电感，实现全贴片应用;　　产品选型表　　值得一提的是，德普通过特有的技术，使芯片损耗进一步降低，在全压输入应用时实现了高低压输入功率差异更小，温度一致性更好，且在高环温下，也具有更好的带载能力。总之，DP951X/XT/XB系列是具备可靠性的高性价比产品。

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德普微电子

发布时间：2025-03-05 11:32 阅读量：420 继续阅读>>

荣湃推出理想<span style='color:red'>二极管</span>控制器Pai8150x系列

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荣湃推出理想二极管控制器Pai8150x系列

　　荣湃半导体发布全新Pai8150x系列理想二极管控制器，该系列控制器凭借卓越的性能和创新设计，在降低系统功耗、提升效率方面表现优异。Pai8150x系列结合外部NMOS器件，不仅能够显著降低传统PN结二极管或肖特基二极管的正向压降和功率损耗，还能提供出色电池反向保护和反向电流阻断功能，对电池管理应用提供了强有力的支持。　　电池反向保护和反向电流阻断　　汽车供电系统设计时，低压电池包直供的模块或者子系统的输入侧，需要器件提供电池反向保护、多数还需要提供反向电流阻断功能。反向保护与反向电流阻断是两个概念，常见以PMOS实现防反(图1)，其无法阻止电流从输出侧回流到输入侧。在冗余安全供电(ORing)应用中，反向电流阻断是必备功能。　　实现防反与反向电流阻断的简单方法是电源输入端串接肖特基二极管。图2展示以二极管实现冗余供电。当VIN1异常跌落，VIN2会接管供电，D1导通，D2截至，反之亦然，电源切换过程中，无VIN1与VIN2之间的电流路径。常用的工业系统、电信服务器、存储和基础设施设备均需实现冗余供电。在小功率场景中，二极管简单成本低，但随功率增大，二极管压降会导致严重的功率损失。　　荣湃理想二极管Pai8150x系列　　荣湃新推出的理想二极管控制器，Pai8150x系列，其控制外部NMOS模拟二极管行为，正向导通时，打开NMOS沟道，降低正向导通压降，同时检测输入输出电压，当存在反向电流时，关闭NMOS沟道，实现反向电流截止和电池反向保护功能，其成品面积小，能够有效节省空间。Pai8150x系列引脚配置如图3。引脚功能描述如表1。　　Pai8150C典型应用框图如图4, EN为使能引脚, SW用于电池电压监控, 当EN=High, SW=ANODE, 当EN=Low, SW浮空, 降低采样功耗。Pai8150x内部集成电荷泵, 当VBAT>VOUT+50mV, GATE拉高, 驱动外部NMOS全导通。当VOUT-11mV>VBAT, GATE OFF, NMOS关断。以上两种状态以外, GATE处于闭环调节状态(Regulation Conduction Mode), 在不同负载条件下,环路目标为VBAT-VOUT=20mV。工作状态参考图5。Regulation状态作用在于, 即使微弱反向电流, 环路也会使GATE电压降低, 最终实现反向电流截止。　　Pai8150x系列的关键参数，均达到国际领先水平。　　Pai8150x关键参数　　理想二极管控制器Pai8150x系列产品可广泛应用于汽车电子和工业控制等领域。在汽车电子方面，该系列控制器可用于ADAS域控以及Camera，Cockpit，USB，TCU等模块，在工业控制领域，该系列产品同样适用于医疗成像，基站等多种场景。

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荣湃

发布时间：2025-03-03 15:03 阅读量：581 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

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