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4mm×4mm小尺寸，0.1mΩ超低阻抗，纳芯微发布集成式<span style='color:red'>电流</span>传感器NSM2040系列

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4mm×4mm小尺寸，0.1mΩ超低阻抗，纳芯微发布集成式电流传感器NSM2040系列

　　纳芯微正式发布全新的NSM2040系列微小封装、超低阻抗集成式电流传感器。该系列无需外部隔离元件，以轻量化设计、强通流能力和完全集成的 AC/DC 电流检测方案，为汽车和工业系统提供可靠、精准且更易集成的电流检测能力。　　在汽车电气化与工业设备高性能化不断提升的背景下，传统分立式电流检测方案在空间、成本与性能方面面临限制。NSM2040 系列凭借 4mm×4mm 微小封装、0.1mΩ 原边阻抗及高达 100A 的持续通流能力，并提供 100Vrms 功能绝缘，显著降低占板面积，缓解发热问题，为大电流检测场景带来更加紧凑、高效的解决方案。　　该系列满足AEC-Q100 Grade 0标准，可在-40℃至150℃宽温范围稳定运行，适用于12V/48V电机驱动、域控制器、刹车系统、EPS、低压配电单元、DC-DC低压侧等汽车应用，以及工业电源、低压储能、机器人、两轮车等多元场景。　　高精度，抗干扰　　NSM2040系列采用差分霍尔检测技术，可有效抑制共模磁场干扰，确保在电源等紧凑产品内部复杂电磁环境中依然保持稳定输出。依托片上温度补偿算法与下线校准工艺，产品无需用户二次编程，即可在全温范围内实现：< ±2.5% 灵敏度误差，<±5mV 零点误差。在抗干扰性能与温度适应性上满足汽车与工业对精度的严苛要求。　　高带宽，快速响应　　NSM2040 系列具备320 kHz (–3 dB )带宽和1.5 μs的响应时间，能满足高速控制与快速过流保护需求。在电流变化快速的应用中，有助于提升系统响应速度与稳定性，同时简化 BOM 设计。　　选型灵活，覆盖更广应用　　NSM2040系列提供3.3V或5V 供电版本，10~200A电流量程，AC / DC 电流检测，可配置的过流保护输出(75%–200% × IPR)。客户可根据不同系统需求，灵活在安全性与性能之间进行优化。

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纳芯微

发布时间：2025-11-24 10:35 阅读量：371 继续阅读>>

ARK方舟微：方案更简、价格更优，采用 DMD4523E 耗尽型MOSFET抑制浪涌<span style='color:red'>电流</span>

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ARK方舟微：方案更简、价格更优，采用 DMD4523E 耗尽型MOSFET抑制浪涌电流

　　在单极可控硅调光LED驱动电路中，由于没有bulk电容的储能，当调光器启动时或可控硅前沿调光切相时，会产生大量浪涌电流，如图1。　　浪涌电流或尖脉冲电流是有害的，可能会使调光失败甚至损坏调光器。抑制浪涌电流有以下几种方法。　　采用功率电阻　　如图2，采用功率电阻R1来抑制浪涌电流是最简单的方式。功率电阻抑制了浪涌电流，但同时对反激电路输入电流也造成了限制。并且功率电阻(通常10Ω)的功率损耗较高，导致电路效率降低。即便功率电阻为100Ω，峰值电流仍然超过2.0A。　　采用有源阻尼电路　　抑制浪涌电流另一种方法是采用有源阻尼电路，如图3。采用有源阻尼电路在大幅度地降低尖峰电流的同时，还可以大幅减少功率损耗。　　当调光器启动时，MOSFET Q4还处于关断状态，电流从电阻R1流过，因此能够有效地控制浪涌电流。当尖峰电流过后，Q4导通，电流从Q4通过，由于Q4具有非常低的导通电阻，因此电路的损耗非常低。这种方式的优点是不仅有效地抑制了浪涌电流，同时也具有很低的功率损耗。不足点是电路较为复杂并且成本高。　　采用耗尽型MOSFET　　一个更简单且成本更低廉的抑制浪涌电流的方法是使用耗尽型MOSFET Q4，如图4。Q4与电阻R1串联。当调光器启动时，产生浪涌电流，由于流经电阻R1的电流增大，这使Q4的栅极到源极的电压VGS变大，Q4的导电沟道变窄从而起到抑制浪涌电流的作用。浪涌电流过后，Q4的VGS变小使导电沟道变宽。由于Q4具有较低的VGS(OFF)值以及非常小的RDS(ON)，同时串联电阻R1的电阻也非常小，因此电路功率损耗非常小。　　由于电流值ID由耗尽型MOSFET Q4和串联电阻R1共同决定。当选定了耗尽型MOSFET的型号后，串联电阻R1的大小就非常重要，式(1)给出了计算串联电阻方法：　　式中，R为串联电阻R1的电阻值;VGS(OFF)为耗尽型MOSFET的阈值电压;ID为流过耗尽型MOSFET漏-源极的电流;IDSS为当栅极电压为0V时耗尽型MOSFET漏-源极的饱和电流。　　ARK(方舟微)提供的低阈值电压的耗尽型功率MOSFET DMD4523E，为高效抑制浪涌电流提供了解决之道。DMD4523E耗尽型MOSFET，产品击穿电压BVDSX超过450V，导通电阻RDS(ON)最大值仅2Ω，阈值电压VGS(OFF)为-4V～-1.7V，是抑制浪涌电流应用的首选产品。

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ARK

发布时间：2025-11-17 14:19 阅读量：316 继续阅读>>

川土微电子CA-IS23101WH磁隔离<span style='color:red'>电流</span>传感器

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川土微电子CA-IS23101WH磁隔离电流传感器

　　在电机控制、新能源系统的复杂电磁环境中，传统电流检测面临共模干扰与隔离安全的双重挑战。川土微电子CA-IS23101WH高精度隔离电流传感器，以差分霍尔传感技术实现共模磁场抑制，5000V电气隔离保障系统安全，为工业提供高可靠、高精度电流检测解决方案。　　01产品概述　　CA-IS23101WH电流传感器是一款面向工业应用的高性价比隔离电流检测解决方案。该器件集成精密低失调线性霍尔传感器电路，通过在晶圆表面嵌入铜导电路径实现电流-磁场-电压转换：当被测电流流经铜导电路径时产生感应磁场，由集成霍尔IC捕获并转换为比例电压输出。其差分式电流检测机制可有效抑制共模磁场干扰，显著提升强磁场噪声环境下的检测精度。　　CA-IS23101WH专为100A电流检测及空间受限型应用设计，采用10引脚宽体SOW10封装，额定工作温度范围为-40°C至+125°C。　　02特性　　差分霍尔传感，抑制共模磁场，磁滞近乎为零　　优异的噪声性能与带宽表现，适用于快速控制环路或高速电流监测应用：400 kHz 带宽，1.2 μs 响应时间　　提供两种版本，分别支持 3.3V 和 5V 应用　　支持比例输出模式和固定输出模式。固定输出模式便于客户对基准电压 (Vref) 和输出电压 (Vout) 进行 ADC 差分采样，以降低外部共模干扰　　支持双向和单向输出模式　　支持自检功能及多种诊断功能：过压保护 (OVP)、过温保护 (OTP)、过流检测 (OCD)、断线检测等　　高精度　　灵敏度误差：在 -40°C 至 +125°C 范围内，典型值 ±2.5%　　非线性度：最大值 ±1%　　对称性：最大值 ±1%　　可调快速过流故障输出，典型响应时间 1 μs　　封装：SOW10　　03 应用领域　　光伏发电：太阳能逆变器母线电流检测　　工业电力：工业电源设备、UPS系统　　电机控制：电机驱动器相电流监测　　04 典型应用

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川土微

发布时间：2025-11-17 14:37 阅读量：384 继续阅读>>

三极管NPN和PNP 的<span style='color:red'>电流</span>方向、大小关系、电压偏置

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三极管NPN和PNP 的电流方向、大小关系、电压偏置

　　三极管，也称为双极型晶体管(BJT)，是电子电路中重要的半导体器件，广泛用于放大、开关及信号调理等场合。　　三极管结构　　三极管由三层不同掺杂的半导体材料组成，中间为基极(Base)，两端分别是发射极(Emitter)和集电极(Collector)。根据中间层掺杂类型不同，分为：　　NPN型：发射极为N型，基极为P型，集电极为N型材料　　PNP型：发射极为P型，基极为N型，集电极为P型材料　　这两类结构决定了载流子的类型和流动方向，进而影响电流流向和偏置要求。　　电流方向解析　　电流流向：　　NPN三极管：电流方向为基极流向发射极(驱动电流从基极流入)，集电极流向发射极。　　PNP三极管：电流方向为发射极流向基极(驱动电流从基极流出)，发射极流向集电极。　　记忆口诀：“NPN 出箭头，电流出射极;PNP 进箭头，电流进射极。”　　电流大小关系：公式相同，方向相反　　无论 NPN 还是 PNP，三个电流瞬时值满足基尔霍夫电流定律(KCL)：　　I_E = I_C + I_B　　放大系数定义相同：　　β = I_C / I_B (直流 h_FE)　　α = I_C / I_E = β / (β + 1)　　数值范围：　　小信号管 β = 50…300;功率管或大电流区 β = 10…100。　　同一型号管子，β 随温度、I_C 变化，但 NPN 与 PNP 在相同工艺、相同面积下 β 值基本对称。　　方向差异：　　NPN：I_B、I_C 均流入器件，I_E 流出;　　PNP：I_B、I_C 均流出器件，I_E 流入。　　因此在电路图上，PNP 的电流箭头全部反向，但绝对值关系不变。　　电压偏置：极性相反，绝对值要求一致　　BJT 工作在放大区的根本条件是：发射结正偏、集电结反偏。二者偏置极性完全相反。　　电源接法：　　NPN：集电极接正电源，负载在“上方”，发射极接地或负端。　　PNP：发射极接正电源，负载在“下方”，集电极接地或负端。　　因此 PNP 常被称为“高边开关”，NPN 为“低边开关”。　　应用中的注意事项　　电流放大作用：三极管以基极小电流控制集电极大电流，但基极电流不能过大，以免损坏器件。　　压降和功耗：发射结正向压降约0.7V，会导致一定功耗，设计时需考虑散热。　　工作状态：三极管常见工作区分为截止区、放大区和饱和区，正确偏置确保其处于所需状态。

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三极管

发布时间：2025-10-29 16:16 阅读量：400 继续阅读>>

胜美达新品：车载用大<span style='color:red'>电流</span>高温功率电感器CDB50D33A/T150

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胜美达新品：车载用大电流高温功率电感器CDB50D33A/T150

　　胜美达Sumida开发了一款新型大电流高温电感器CDB50D33A/T150。该电感器采用磁屏蔽表面贴装结构，由低损耗金属磁芯制成，具有高饱和度、低直流电阻(DCR)、高频低损耗和软饱和特性。　　产品L×W×H: 5.45×5.8×3.4mm Max.　　主要特点　　01 磁屏蔽型贴片式　　02 符合汽车可靠性AEC-Q200试验　　03 大电流，低直流电阻(DCR)、高频低损耗和软饱和特性。　　04 使用温度范围: -40℃~+150℃(包含线圈温度上升)　　主要应用　　● 高级驾驶辅助系统(ADAS)　　● 智能汽车的移动数据中心　　● 电压调节模块(VRM),如服务器和台式机用　　● 中央处理单元(CPU)　　● 图形处理单元(GPU)　　● 专用集成电路(ASIC)　　● 其他高功率密度应用　　电气特性规格　　※1 电感测试条件：100kHz　　※2 饱和电流：当电感值比初始值降低30%时的直流电流值。　　※3 温升电流：线圈温度上升△T=40℃时的直流电流值。(Ta=25℃)

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胜美达

发布时间：2025-10-28 11:44 阅读量：381 继续阅读>>

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大<span style='color:red'>电流</span>充电痛点

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手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

　　产品概述　　随着手机快充技术的飞速迭代，“充电5分钟，通话两小时”早已不是新鲜事——各大厂商为追求更快充电速度，纷纷加码高压大电流方案，这也给充电电路的核心元器件提出了更高要求。而力芯微最新推出的EM14DN30Z 30V共源级双N MOS，正是为解决手机快充痛点而来，堪称智能手机快充的“理想搭档”。　　为什么现在的手机快充，离不开这款双N MOS?如今的手机充电场景早已不单一：既要支持有线快充，又要兼容无线充电，还得兼顾充电口的安全防护与低功耗。过去依赖OVP(过压保护)电路的方案，逐渐跟不上“高压大电流+双充电路径”的需求——而EM14DN30Z的出现，恰好补上了这一缺口。　　它专为手机快充设计，采用背靠背共源级双N MOS结构，能完美实现有线充电与无线充电的路径隔离，避免不同充电模式切换时的电路冲突;同时配合Switched Capacitor Direct Charger(开关电容直充技术)的GATE驱动与过压检测，直接替代传统OVP电路，既简化了设计，又提升了防护可靠性。　　EM14DN30Z产品介绍　　产品特性　　· 漏源电压：30V;　　· 最大通流：14A;　　· 超低导通内阻(RON)：R_DSON(D1,D2) = 7.2mΩ @ VGS = 10V　　· 背靠背双向阻断功能;　　· 小型化封装CSP22L (2.0mm*2.0mm, ball pitch=0.4mm)图1. EM14DN30Z封装信息　　EM14DN30Z三大核心亮点　　一款优秀的快充元器件，既要“能扛压”，又要“低损耗”，还得“不占地”——EM14DN30Z在这三点上做到了全面突破：　　亮点1　　强性能：30V耐压+14A大电流，扛住高压大电流冲击作为快充电路的“核心关卡”，EM14DN30Z的漏源电压高达30V，能轻松应对主流手机快充的高压需求;同时支持最大14A通流，即便是65W、120W级别的大电流快充，也能稳定承载，避免因电流过载导致的发热或性能衰减。　　亮点2　　低损耗：超低导通内阻，充电更快、更省电　　导通内阻(RON)是影响充电效率的关键指标——内阻越小，电能损耗越少，充电时的发热也越低。EM14DN30Z在这一指标上表现惊艳：　　- 当VGS=10V时，RD1D2(on)仅7.2mΩ;　　- 即便在VGS=4.5V的低电压驱动下，RD1D2(on)也仅9.5mΩ。　　超低内阻不仅能减少充电过程中的能量损耗，让充电速度再提一档，还能降低元器件发热，间接提升手机充电时的安全性与续航表现。　　亮点3　　小尺寸：2.0mm×2.0mm封装，给手机内部“省空间”如今的智能手机追求轻薄化，内部元器件的封装尺寸至关重要。EM14DN30Z采用CSP22L小型化封装，尺寸仅为2.0mm×2.0mm，球间距0.4mm——相比传统封装，能大幅节省PCB板空间，为手机厂商设计更轻薄的机身、更大容量的电池留出更多余地。　　EM14DN30Z典型应用　　硬核防护+广泛适配，覆盖主流快充场景。除了核心性能出众，EM14DN30Z的安全防护与场景适配能力也不容小觑：　　浪涌防护升级　　配合力芯微30V TVS(型号ES30P4N3LX)使用时，可实现±300V 8/20μs的浪涌防护，轻松应对充电过程中可能出现的电压波动，为手机充电口和内部电路筑起“安全屏障”;图2. EM14DN30配合TVS和驱动器的浪涌测试线路图(过压点配置7.2V)图3. EM14DN30配合TVS和驱动器300V 8/20us浪涌测试波形　　场景全面覆盖　　无论是单Type-C有线快充方案，还是Type-C有线+无线充的双输入方案，EM14DN30Z都能完美适配，满足不同手机机型的设计需求。图4. 单Type C 有线充典型应用图图5. Type C 有线充与无线充双输入应用　　从“能充电”到“快充电、安全充电、高效充电”，手机快充技术的每一步升级，都离不开核心元器件的突破。力芯微EM14DN30Z以“高压耐压大电流承载、超低内阻、小型化封装”为三大亮点，为智能手机快充提供了更优越的解决方案——如果你是手机行业从业者，或是对快充技术感兴趣的科技爱好者，这款MOS管绝对值得关注!

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力芯微

发布时间：2025-10-27 15:28 阅读量：486 继续阅读>>

太阳诱电：从现有产品中提高额定纹波<span style='color:red'>电流</span>并实现低高度的导电性高分子混合铝电解电容器「HVX（-J）」、「HTX（-J）」系列商品化

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太阳诱电：从现有产品中提高额定纹波电流并实现低高度的导电性高分子混合铝电解电容器「HVX（-J）」、「HTX（-J）」系列商品化

　　太阳诱电株式会社更新了与车载用无源部件的认证用可靠性试验标准「AEC-Q200」对应的以往的「HVX」、「HTX」系列，并新推出了导电性高分子混合铝电解电容器(以下称“混合电容器”)「HVX(-J)」、「HTX(-J)」系列。　　这些产品用于汽车动力转向等控制系统和ADAS等安全系统等中使用的电源回路的噪声对策和平滑用途。　　混合电容器随着ADAS的高级化而导致电源的大电流化，额定纹波电流的提高正在进行，同时为了兼顾设计自由度的提高，要求采用低长等各种尺寸变化。　　因此，本公司现有产品「RAHTX331M1TFH0002X」(额定纹波・135°C，2,000mArms)的基础上额定纹波电流提高70%的「RAHTX331M1TFH0002JX」(同3,400mArms)开始，36款产品商品化，尺寸也从φ8x10mm到φ12.5x13.5mm的5种。　　这些产品从2025年9月起在本公司子公司ELNA株式会社的白河工厂(福岛县西白河郡)及青森工厂(青森县黑石市)开始批量生产。本公司样品价格为每个150日元。　　混合电容器是指在电解质中采用导电性高分子和电解液的电容器。由此，具有导电性高分子的特征即低ESR和铝电解电容器的特征即阳极氧化皮膜的自我修复功能，可以兼顾高特性和可靠性。　　近年来的汽车，随着以ADAS为代表的电子化和EV等电动化的推进，电源电路的数量增加，这些电源电路噪声对策和平滑用途搭载了混合电容器。此外，随着ADAS等高性能化，电源电路的功率大化，所搭载的混合电容器也要求提高额定纹波电流，同时，为了整合不断增加的电源电路和提高设计自由度，要求提供各种尺寸变化。　　因此，太阳诱电通过优化混合电容器中使用的导电性高分子的浸渍技术，从本公司现有产品「HVX」、「HTX」系列大幅改善额定纹波电流，将φ12.5x13.5mm的低高大形状的「HVX(-J)」、「HTX(-J)」系列商品化。　　今后，我们将专注于与市场需求相匹配的产品开发，推进混合动力电容器产品线的扩充。　　■用途　　汽车动力转向等控制系统和ADAS等安全系统等中使用的电源电路的噪声对策和平滑用途。　　■规格

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太阳诱电

发布时间：2025-10-24 16:48 阅读量：454 继续阅读>>

纳芯微：从隔离<span style='color:red'>电流</span>采样ADC NSI1306 实战看如何解决 Shunt 电阻引发的伺服<span style='color:red'>电流</span>采样误差

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纳芯微：从隔离电流采样ADC NSI1306 实战看如何解决 Shunt 电阻引发的伺服电流采样误差

　　在伺服驱动器的相电流采样中，速度波动是影响控制精度的关键问题，其根源往往与 Shunt 电阻的热电偶效应相关。本文以纳芯微 NSI1306 隔离 ΣΔADC 的应用为例，首先剖析 Shunt 电阻误差如何引发速度波动，再深入解析金属热电偶效应的形成机理;随后对比几字型与贴片封装等不同 Shunt 电阻的表现差异，以及探讨采样电路对热电偶效应的放大或抑制作用;最后提出减小该效应的实用设计建议，为提升相电流采样精度提供参考。　　01 Shunt 电阻误差的影响　　速度波动是伺服驱动器性能的重要指标，它反映的是转矩波动，而转矩波动会导致控制精度下降。　　伺服驱动器通过角度编码器读取速度和角度，并通过相电流检测读取电流，采样信息的准确性决定了控制的效果。以下分析侧重电流采样。图1. NSI1306 电路示意　　相线电流采样可以真实反映电机的电流，而低边采样存在窗口期，需要重构相电流，容易引入误差。NSI1306 作为隔离 ΣΔADC，输出码流，适用于相线电流采样;同时 MCU 可根据控制需求灵活配置抽取率，在精度与响应速度之间取得平衡。　　相电流采样的误差主要来自 Shunt 电阻和 NSI1306，下文将重点讨论 Shunt 电阻带来的误差。　　通过电阻的规格书，电阻的精度和温漂属于增益误差;此外，还存在由热电偶效应引起的偏置(offset)误差。增益误差主要影响的是转矩控制精度，电流的 offset 误差会引入一个电周期一次的速度波动。　　在零电流时会校准一次相电流的 offset，运行过程中会计算每一相电流的 offset(一个周期的值相加)并且补偿掉，如果是采样数据不准，引入了 offset，那么经过软件的补偿，反而会导致真正的相电流 offset，破坏电流波形的对称性，引入谐波分量，改变磁场分布，从而导致电机转矩输出不均匀，进而产生转矩波动，导致速度波动。相电流偏移的软件补偿是一个电周期补偿一次，所以速度波动也是一个电周期一次。　　02 金属的热电偶效应　　在实际场景中，伺服驱动工作一段时间后速度波动变大，FFT 分析显示为一个电周期一次的速度波动，这是相电流的 offset 偏移造成的。　　对 PCB 加热，速度波动加剧，以此推测该 offset 和温度强相关。经测试，更换 2512 贴片封装 Shunt 电阻后恢复正常，排查出是几字型 Shunt 电阻的问题。　　加热对比测试，几字型 Shunt 电阻和贴片封装 Shunt 电阻的偏差都很小，并且电阻温漂改变的是增益，并不是 offset 。　　加上焊锡后，如图2，再加热测试，几字型 Shunt 电阻的偏差变得很大。交换电桥的正负极，偏差呈现相反方向的变化，贴片封装 Shunt 电阻偏差还是很小。图2. 几字型 Shunt 加上焊锡　　根据实验结果，温度升高后，并不是电阻自身的阻值发生了较大的变化，而是存在比较大的热电偶效应。　　热电偶效应如图3所示，不同的金属的自由电子的密度不同，在 AB 两金属的接触处，会发生自由电子的扩散现象。电子将从密度大的金属(A)移向密度小的金属(B)，使 A 带正电， B 带负电，直至 AB 之前形成足够大的电场阻止电子扩散，达到动态平衡。图3. 热电偶效应　　从公式可以看出，热电偶效应产生的电压源大小和温度有关，和金属的材质有关。　　在电路中，Shunt 电阻的热电偶等效示意如图4，对于几字型 Shunt 电阻和贴片封装 Shunt 电阻， V3、V4的位置是一样的，V1、V2位置略有不同，但很近。因此可以认为温度都是相等的。对热电偶效应有影响的只有金属材质，两者对比如表 1 所示。　　图4. Shunt电阻的热电偶等效示意表1. 几字型 Shunt 电阻和贴片封装 Shunt 电阻　　03 电路对热电偶效应的影响　　如图4，热电偶效应是两端对称的， NSI306 是差分采样，理论上可以抵消热电偶产生的信号源，但实测可以看到明显的热电偶效应。　　分析采样电路，如图5所示，可以看到 RSENSE (检测电阻)的两端共模阻抗并不相同，接 INP 这一端的共模阻抗是大于 INN 端共模阻抗的，当上管导通的时候 INP 端的热电偶通过电感连接到 BUS+，上管关断的时候悬空;当上管导通的时候 INN 端的热电偶直接连接到 BUS+，下管导通的时候直接接到 BUS-。NSI1306 的 INN 端看到的热电偶电压明显小于 INP 端看到的热电偶电压。图5. 分析采样电路　　结论与建议　　Shunt 电阻作为电流采样中的关键器件，其封装结构和焊接方式直接影响系统的偏移误差表现。　　本文通过实测与理论分析，指出热电偶效应是高温下造成速度波动的重要干扰源，尤其在几字型封装中更为显著。差分采样虽然理论上可抵消热电偶电压，但在实际电路中由于共模阻抗不一致，仍会引入系统性偏移。因此，在高精度电流采样场景中，推荐优先选用热结构对称性更好、焊接界面更少的贴片封装Shunt电阻，以降低温漂与热电势干扰，提升系统稳定性与控制精度。　　NSI1306 作为一款基于纳芯微电容隔离技术的高性能 Σ-Δ 调制器，其差分输入特性与该场景高度适配，能精准对接贴片封装 Shunt 电阻的电流检测需求，通过二阶Σ-Δ调制与同步输出，结合数字滤波可实现高分辨率与信噪比，还具备故障安全功能，进一步保障高精度采样系统的稳定运行。

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纳芯微

发布时间：2025-10-13 09:27 阅读量：521 继续阅读>>

森国科推出G1297A大<span style='color:red'>电流</span>DC Fan电机驱动芯片，性能全面升级

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森国科推出G1297A大电流DC Fan电机驱动芯片，性能全面升级

　　产品升级公告　　森国科今日宣布推出G1297A单相无刷散热电机驱动芯片，作为G1287A系列的全新升级产品，G1297A将驱动相电流限流从600mA提升至1200mA，工作温度范围保持-40℃至+125℃，满足严苛环境需求。为散热风扇和电机驱动应用带来更强大的性能表现，以下是典型应用电路和系统框图。　　典型应用电路　　系统框图　　性能升级亮点　　驱动能力显著提升　　G1297A在保持G1287A优秀特性的基础上，将H桥驱动相电流限值从600mA提升至1200mA，增幅达100%。这一升级使得新产品能够驱动更大功率的散热风扇电机，满足高性能计算设备日益增长的散热需求。　　保持高效低耗特性　　尽管驱动能力大幅提升，G1297A依然保持了系列产品的高效特性：　　H桥导通电阻：12V/400mA条件下仅1.2Ω(G1287A为2Ω)　　静态工作电流：典型值3.2mA，与G1287A持平　　工作电压范围：3V-18V宽电压设计　　保护功能全面增强　　G1297A继承了G1287A的所有保护功能并进行了优化：　　过流保护(OCP)：内置电流限制提升至1.2A(G1287A为0.6A)　　锁定保护：驱动时间0.84秒，关断时间3.2秒　　过温保护(TSD)：165℃触发，140℃恢复，25℃滞回　　技术规格对比　　应用场景扩展　　得益于驱动能力的提升，G1297A可应用于更广泛的场景：　　高性能计算设备：满足CPU/GPU高功率散热风扇需求　　服务器散热系统：驱动更大尺寸、更高转速的散热风扇　　工业电机控制：适用于需要更大驱动电流的工业设备　　家电升级：为高端家电提供更强大的电机驱动方案　　客户价值　　无缝升级：与G1287A引脚兼容，客户可轻松实现产品升级　　性能跃升：在不增加系统复杂度的前提下获得更高驱动能力　　成本优化：单芯片解决方案，减少外围元件需求　　可靠性保障：多重保护机制确保系统长期稳定运行　　供货信息　　G1297A现已开始量产供货，提供两种封装选择：　　G1297A-S：SOP8弯角封装，3000只/盘　　G1297A-S1：SOP8直角封装，3000只/盘

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森国科

发布时间：2025-09-11 16:52 阅读量：592 继续阅读>>

顾邦半导体：小<span style='color:red'>电流</span>大智慧！GBI1A00 高压精控快响应

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顾邦半导体：小电流大智慧！GBI1A00 高压精控快响应

　　顾邦半导体 100V 同步降压转换器 GBI1A00，支持 0.5A 持续电流输出，具有低输出纹波和高效率等特点，适用于 48V、60V 和 72V 高压输入轨，广泛应用于电表、电机驱动、通信设备及隔离输出等场景。　　1. 产品概述　　GBI1A00支持6V到100V宽电压输入范围，集成540mΩ上管/230mΩ下管MOSFET 和内部VCC LDO用以内部驱动供电，无需使用外部续流二极管和外部VCC引脚电容，实现了小型化和低成本的高压应用方案;　　GBI1A00采用COT(Contant On Time)控制模式，具有优化的负载动态响应;支持100k-500kHz可配置开关频率范围，提供多样的应用需求。轻载下采用PFWM模式，实现全负载范围内低纹波输出，并且可以实现隔离输出。　　GBI1A00带外部PG 引脚，可以实现输出电压good指示功能。默认输入启动电压为5.15V，迟滞电压为200 mV，可通过连接EN引脚的两个外部电阻器调整输入电压欠压锁定阈值，以满足更精确的UVLO系统要求。　　此外，GBI1A00集成了逐周期过流保护、热停机保护、输出短路以及输入电压欠压保护等保护功能，进一步保障器件使用可靠性。　　2. 产品特性　　• COT控制模式　　• 1.2V ± 1.5% 参考电压(全温)　　• 540mΩ上管/230mΩ下管 MOSFET导通电阻　　• 支持0.5A连续输出电流　　• 轻载的工作模式为FPWM模式　　• 100kHz-500kHz开关频率　　• PG引脚实现 power good 指示功能　　• 精确的使能引脚电压　　• 使能引脚实现输入电压UVLO可控功能　　• 工作结温-40°C ~ 125°C　　• e-SOP8封装　　3. 系统框架图

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顾邦半导体

发布时间：2025-09-09 14:00 阅读量：471 继续阅读>>

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STM32F429IGT6	STMicroelectronics
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