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芯力特：高集成Mini高速CAN FD系统基础<span style='color:red'>芯片</span>SIT1169Q---基础篇

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芯力特：高集成Mini高速CAN FD系统基础芯片SIT1169Q---基础篇

　　在汽车电子与工业自动化领域，CAN总线作为核心通信协议，对其配套芯片的集成度、可靠性与性能提出了严苛要求。芯力特推出的SIT1169Q作为一款 Mini高速CAN FD系统基础芯片(System Basis Chip, SBC)，通过高度集成高速CAN FD收发器与电源管理功能，为CAN-based系统提供了兼具稳定性与能效的解决方案。　　芯片核心定位与合规标准　　SIT1169Q的核心价值在于“高度集成”与“多场景适配”，它将高速CAN FD transceiver与电源管理模块整合于紧凑封装中，专为汽车及工业恶劣环境设计。该芯片完全符合ISO11898-2:2016与SAE J2284标准，是保障CAN FD总线通信合规性与兼容性的关键基础。其“Mini”特性不仅体现在DFN20封装的紧凑尺寸(支持增强AOI检测能力)，更在于通过功能集成减少外围元器件数量，简化PCB布局。　　关键技术特性：通信、电源与功耗的三重突破　　高速CAN FD通信能力　　SIT1169Q支持CAN FD通信速率高达5Mbps，可满足汽车实时控制、工业设备高频数据传输场景对带宽的要求。同时，芯片支持CAN部分网络(Partial Networking, PN)功能与CAN FD容错模式，速率覆盖50kbps、100kbps、125kbps、250kbps、500kbps及1Mbps共6种速率，能根据系统需求灵活配置唤醒触发条件，避免无效唤醒导致的功耗浪费。　　高精准多通道电源管理　　电源管理是SIT1169Q的核心优势之一，芯片集成2路电源输出，覆盖微控制器、CAN总线及外设供电需求，输出精度高保护机制全面可靠。　　V1(LDO1)：为5V/3.3V微控制器供电，输出电压精度±2%，电流不小于250mA;支持外置PNP扩展做散热辅助，提高SBC在高温或大功率负载下的工作能力。　　VEXT(LDO2)为外部传感器供电，不仅具备±2%输出精度与不小于100mA电流，更支持-18V~40V的耐压保护，极大的增强了抗外部高压冲击能力，并支持离板供电。　　VBAT引脚支持上电与掉电检测，当电池电压低于掉电检测阈值时自动切换至Off模式，高于上电检测阈值时启动引导流程，保障系统电源切换的安全性。　　超低功耗与灵活唤醒机制　　针对汽车和工业的待机与低功耗场景，SIT1169Q设计了完善的低功耗方案：　　睡眠/待机模式：睡眠模式下VBAT供电电流极低，且支持CAN总线远程唤醒与本地WAKE引脚唤醒;待机模式作为一级节能模式，虽保持V1稳压源与SPI接口激活，但仍能通过自主总线偏置功能(总线无活动时偏置至GND，有活动时偏置至2.5V)降低功耗。　　唤醒逻辑：系统通过检测CAN总线的唤醒帧以及WAKE引脚的电平跳变，均可实现系统唤醒，唤醒后会从低功耗的睡眠模式切换至Reset模式，再根据寄存器配置进入Normal或Standby模式，确保唤醒响应的及时性与准确性。　　SIT1169Q通过 “高速通信+高集成电源+低功耗+全防护” 的组合设计，成为汽车与工业CAN系统的理想选择。其严格遵循ISO11898-2:2016标准的通信性能、灵活的电源配置、完善的低功耗与故障容错机制，不仅简化了系统设计，更提升了整体可靠性。SIT1169Q为CAN-based系统的小型化、高能效与高稳定性提供了可靠解决方案。

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发布时间：2025-11-03 16:32 阅读量：197 继续阅读>>

润石科技芯品｜12位16通道，1MSPS AD转换<span style='color:red'>芯片</span>RS1467

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润石科技芯品｜12位16通道，1MSPS AD转换芯片RS1467

　　江苏润石科技RS1467是一款12位、16通道的模数转换芯片，基于SAR架构设计，单端输入，最高支持1MSPS的转换速率。　　RS1467为非同步采样，内部采用高速选择开关选通输入通道，并可软件配置模拟电压信号输入范围0V到VREF或者0V到2 x VREF，工作电压支持2.7V至5.25V，提供串行通信接口，在工业现场数据采集、各种仪器仪表测量设备\分析设备上有着广泛的应用。　　RS1467是在ADS7953的参数基础上，基于现有工艺条件、尽可能实现相当的的参数指标，并对部分参数做了优化，以使其能满足更多的应用场景。　　其主要参数特性如下：　　Ø 12位/无丢码　　Ø 转换速率最高1MSPS　　Ø 零延迟　　Ø INL：±0.5LSB(Typ)　　Ø DNL：±0.3LSB(Typ)　　Ø 通道串扰度-100dB　　Ø 可软件配置模拟信号输入范围0V~VREF或0V~2VREF　　Ø 自动或者软件配置选择输入通道　　Ø 每通道有两个可配置预警电压级别　　Ø 集成4个可独立配置的GPIO　　Ø 单电源2.7V~5.25V工作电压，逻辑接口支持1.7V~5.25V　　Ø 低功耗：　　2.4mA at 3.3V/1MSPS　　3.4mA at 5.0V/1MSPS　　扩展级工业温度范围：-40°C ~ 125°C。　　随着RS1467系列ADC的推出，润石科技SAR架构的ADC已量产7颗，涵盖了12bit、14bit和16bit，进一步丰富了ADC产品线，从而为用户提供更为全面方便的选择：　　注：RS1430A设计为无流水线延迟，时序完全兼容友商产品;RS1430B设计为有流水线延迟，软件时序稍有不同。RS1467封装和管脚定义　　RS1467提供TSSOP38封装，管脚定义和功能完全兼容ADS7953，欢迎各界工程师朋友索样品鉴评测。

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发布时间：2025-10-31 13:38 阅读量：254 继续阅读>>

电源管理<span style='color:red'>芯片</span>常见术语

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电源管理芯片常见术语

　　电源管理芯片20个常见术语及其解释：　　1、PMIC (Power Management Integrated Circuit)：电源管理集成电路，一种集成多个电源管理功能的芯片，通常用于为各种电子设备提供稳定的电源。　　2、LDO (Low Dropout Regulator)：低压差线性稳压器，一种能够在输入电压和输出电压之间具有较小压差的线性稳压器，适用于低功耗应用。　　3、Buck Converter：降压转换器，将较高的输入电压转换为较低的输出电压，效率较高，常用于移动设备和嵌入式系统。　　4、Boost Converter：升压转换器，将较低的输入电压转换为较高的输出电压，通常用于需要提高电压的应用，如LED驱动。　　5、Buck-Boost Converter：降升压转换器，能够在输入电压高于或低于输出电压时提供稳定的输出，广泛应用于不稳定电源的场景。　　6、DC-DC Converter：直流-直流转换器，将一个直流电压转换为另一个直流电压，常见的类型包括降压(Buck)、升压(Boost)和降升压(Buck-Boost)转换器。　　7、AC-DC Converter：交流-直流转换器，用于将交流电源(如家用电源)转换为直流电源，广泛应用于电源适配器和电池充电器中。　　8、Power Sequencing：电源顺序，指的是在多个电源电压轨中，确保各个电压轨按正确的顺序上电和断电，以保证系统正常启动和关闭。　　9、Overcurrent Protection (OCP)：过流保护，当电流超过芯片或电路设计的最大安全值时，保护电路将断开或限制电流，以防止损坏。　　10、Overvoltage Protection (OVP)：过压保护，当输入电压超过设定的安全阈值时，保护电路将切断电源或限制电压，以避免设备损坏。　　11、Undervoltage Lockout (UVLO)：欠压锁定，当电源电压低于某一设定值时，系统会自动停止工作，以防止不稳定的电源条件影响设备的正常工作。　　12、Thermal Shutdown：热关断，当芯片或电路的温度超过安全阈值时，芯片会自动关闭或限制输出，以避免因过热导致的损坏。　　13、Efficiency：效率，电源转换器将输入功率转换为输出功率的效率。高效率意味着更少的能量浪费，通常表现为较低的发热。　　14、Ripple：纹波，指电源输出中的高频波动，通常由开关电源(如DC-DC转换器)引起，过高的纹波可能影响系统性能。　　15、Quiescent Current (Iq)：静态电流，在没有负载的情况下，电源管理芯片消耗的电流。低静态电流对于延长电池寿命非常重要。　　16、Soft Start：软启动，通过逐渐增加输出电压或电流，避免系统在开机时产生大的冲击电流，减少对系统的损害。　　17、Load Regulation：负载调节，指电源输出电压在负载变化时的稳定性。良好的负载调节意味着电压在负载变化时波动较小。　　18、Line Regulation：输入调节，指电源输出电压在输入电压变化时的稳定性。优良的输入调节意味着电压波动较小。　　19Power Good (PG)：电源正常指示，表示电源电压在预设的正常范围内，常用于MCU等系统的电源健康监测。　　20、Battery Charger IC：电池充电管理芯片，专门用于充电电池，管理充电过程中的电压、电流调节、充电状态监控等功能。　　这些术语涵盖了电源管理芯片的工作原理、功能及保护机制，掌握这些概念对于FAE工程师在提供技术支持和解决客户问题时至关重要。

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电源管理芯片

发布时间：2025-10-30 15:06 阅读量：242 继续阅读>>

<span style='color:red'>芯片</span>Layout中的Guard Ring是什么？

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芯片Layout中的Guard Ring是什么？

　　在芯片设计中，Guard Ring(保护环) 是一种环绕在敏感电路或器件(如模拟电路、高精度器件、存储器单元、I/O驱动器等)周围的版图结构，形成关键的“隔离带”。它的核心使命是提高电路的可靠性、性能和抗干扰能力，是复杂芯片(尤其是混合信号芯片、高可靠性芯片)成功量产的关键因素之一。　　Guard Ring的物理构成　　Guard Ring并非单一结构，而是由多个精心设计的物理组件协同构成：　　1衬底接触环　　采用高掺杂的P+区域(P型衬底)或N+区域(N型衬底/深N阱)。其核心作用是提供到半导体衬底的低阻连接。它能有效收集衬底中不需要的少数载流子，防止其干扰被保护电路，稳定衬底电位，减少衬底噪声耦合，并为潜在寄生电流提供泄放路径。　　2阱接触环标题　　采用高掺杂的N+区域(N阱)或P+区域(P阱)。它提供到阱的低阻连接点，稳定阱电位并收集阱中产生的少数载流子。在双阱工艺中，N阱接触环本身就能阻挡衬底中的少数载流子(空穴)进入N阱。　　3隔离结构　　通常指浅沟槽隔离或深沟槽隔离。它在物理上分隔保护环内外的区域，阻止表面漏电流路径，增加载流子从外部扩散进入保护区域的难度，是防止闩锁效应的关键物理屏障。　　4连接线　　通过通孔和金属层将衬底接触环和阱接触环连接到指定电位(VSS或VDD)。确保这些连接具有极低的电阻至关重要。　　Guard Ring的核心作用　　Guard Ring通过其物理结构实现多重关键保护功能：　　1防止闩锁效应　　这是Guard Ring最核心的作用。闩锁效应由芯片内部寄生的PNPN结构意外触发引发，可导致大电流、功能失效甚至芯片烧毁。Guard Ring通过提供低阻的阱和衬底接触，有效收集触发闩锁的寄生载流子，在其达到触发浓度前将其泄放。同时，隔离结构增加了载流子横向流动的阻力。它对包含NMOS和PMOS相邻放置的电路(如CMOS反相器、I/O驱动器)的保护尤为关键。　　2抑制衬底噪声耦合　　芯片上不同模块(尤其是数字模块与敏感的模拟/射频模块)工作时产生的噪声会通过公共硅衬底传播。连接到干净VSS的衬底接触环作为一个低阻抗的“汇”，能吸收和分流试图进入保护区域的衬底噪声电流，为被保护电路提供局部的“安静地”，显著降低噪声干扰。　　3阻挡少数载流子注入　　芯片某些区域(如开关状态的NMOS源/漏、反向偏置的PN结)可能向衬底注入少数载流子(电子或空穴)。这些载流子扩散到敏感区域(高阻节点、存储节点、精密基准源)会引发漏电流、电压偏移或数据错误。Guard Ring(尤其是反向偏置的阱接触环，如N阱环接VDD阻挡空穴)能收集这些扩散载流子，阻止其到达敏感区域。　　4提高器件隔离度与可靠性　　在需要高隔离度的应用(如RF电路、混合信号电路)中，Guard Ring有助于减少相邻器件间通过衬底的串扰。通过综合防止闩锁、减少噪声干扰和漏电流，Guard Ring显著提升了被保护电路的长期工作可靠性和稳定性。　　设计与实现考量　　Guard Ring的设计需结合具体工艺和电路需求：　　必要性：为MOS器件提供衬底/阱电位(Bulk端)的Guard Ring是必不可少的。用于隔离噪声或防止Latch-up的Guard Ring则需评估实际需求(是否存在噪声源或对噪声敏感)。　　结构选择：根据保护对象(PMOS/NMOS/DNW器件)选择对应的NWring、PSUBring或DNWring结构。其版图实现需严格遵循特定工艺的设计规则(Design Rule)，例如有源区(AA/OD)与注入层(SP/PP/SN/NP)的包围关系、接触孔(CT/CONT)的尺寸和间距、金属层(M1)的连接等。　　增强防护：有时会采用双层Guard Ring结构，以进一步降低阱/衬底的寄生电阻压降，增强隔离效果，更有效地降低Latch-up风险。　　面积权衡：添加Guard Ring必然增加芯片面积。设计时必须在防护效果和成本(面积)之间进行仔细权衡。　　Guard Ring是芯片版图设计中基础而关键的防护结构。其本质是通过在敏感电路周围精确构建阱接触环、衬底接触环和隔离结构，并将它们连接到合适的电源/地网络，共同形成一个高效的载流子收集阱和噪声隔离带。它从根本上防止了致命的闩锁效应，有效抑制了衬底噪声耦合，并阻挡了有害的少数载流子注入，从而极大提升了芯片的鲁棒性、性能和可靠性。

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发布时间：2025-10-30 14:49 阅读量：248 继续阅读>>

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纳芯微电子：ZCU电机驱动芯片怎么选？

　　在电机驱动系统加速迈向高效率、高集成与高可靠性的趋势下，纳芯微面向车身域控、热管理等关键应用，推出覆盖直流有刷/步进/无刷电机，以及继电器、电磁阀、螺线管等多类负载的产品组合，提供从小电流到大电流、从集成驱动到外置MOS智能预驱、从单通道到多通道的全方位解决方案。　　半桥集驱：NSD8308/12　　主要用于驱动空调风门和后视镜调节，以及一些车内指示灯控制。以12通道的半桥驱动芯片为例，一个ZCU最多需要使用9颗。　　半桥预驱：NSD3602/4/8　　主要用于座椅、车门、车窗及尾门的控制，这类应用的电机电流基本都在10A以上，并且对PWM频率也有要求，多路栅极驱动加MOS管的方案配置更加灵活。以8路预驱芯片为例，一个ZCU最多需要使用7颗。　　H桥驱动：NSD731x　　主要用于车锁以及高端车型无边框后视镜的控制，这类应用的电机持续电流在1.5-4A左右。一个ZCU使用的H桥驱动在1-3颗。　　步进电机驱动：NSD8381/9　　一般用于控制ZCU热管理系统中的电子膨胀阀及车灯调光电机。

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发布时间：2025-10-24 15:25 阅读量：313 继续阅读>>

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纳芯微推出集成隔离电源的隔离采样芯片NSI36xx系列：“集成电源+灵活输出+内置保护”，重新定义隔离采样电路

　　纳芯微宣布推出新一代集成隔离电源的隔离采样芯片NSI36xx系列，该系列是纳芯微NSI13xx系列的全面升级，包括隔离电流放大器NSI360x系列、隔离电压放大器NSI361x系列、内部集成比较器和单端比例输出的NSI36C00R/NSI36C1xR系列。　　NSI36xx系列可广泛用于工业电机驱动、光伏逆变器、服务器电源、新能源汽车主驱、车载充电机等高压系统的电流、电压采样，通过集成隔离电源、灵活的输出配置和内置保护功能，帮助工程师在系统设计中支持更高的功率密度，并简化外围电路。　集成隔离电源：简化系统架构，无需高压侧供电电路　　在一些浮地采样的场景下，使用上一代产品NSI13xx系列的客户需要额外设计隔离电源给高压侧供电，而NSI36xx全系列产品均集成了隔离DC-DC电源，这一设计为客户带来了显著的实用价值：　　✔ 简化供电设计：传统的隔离采样方案需要为高压侧和低压侧分别供电，而NSI36xx系列只需在低压侧提供单一电源即可正常工作，省去了复杂的高压侧供电电路。这不仅减少了电源设计复杂度，还显著缩短了开发周期。　　✔ 节约系统成本：通过集成隔离电源，客户无需再外置独立的隔离电源模块，有效降低了整体BOM成本约10%~20%。同时，节省PCB面积约30%~50%，可使产品实现更小型化的设计，在空间受限的应用中具有明显优势。集成隔离电源的NSI36xx系列在高压侧的供电电路设计　　未集成隔离电源的NSI13xx系列在高压侧的供电电路设计　　单端比例输出：灵活适配系统，优化信号链设计　　NSI36xx系列电压采样和电流采样均提供单端比例输出版本NSI36C1xR，NSI36C00R(尾缀R即代表单端比例输出)，为客户系统设计提供了更大的灵活性：　　✔ 增强系统兼容性：不同的输出配置使客户能够根据具体应用需求选择最合适的产品型号，无论是需要差分输出的长距离传输应用，还是需要单端比例输出的简化设计，都能在NSI36xx系列中找到理想解决方案。　　✔ 简化信号链设计：比例输出架构能够直接与后端ADC匹配，减少了信号调理电路的需求，使系统设计更加简洁。客户无需再为复杂的信号调理电路花费设计资源，且可以利用到ADC满量程输入提高系统采样精度。NSI36C00R比例型单端输出直连ADC　　集成比较器保护：增强系统安全，降低诊断复杂度　　NSI36C1xR，NSI36C00R同时集成内部比较器为终端应用提供了额外的保护功能：　　✔ 实时故障检测：集成比较器可在客户系统中快速地实现过流、过压保护，能够在百纳秒时间内检测到异常状况并触发保护机制，大幅提升系统的安全性和可靠性。芯片内置过压过流电路，并且外部阈值可调，更加灵活，方便客户做逐周期过流保护或快速过压保护控制。　　✔ 简化系统诊断：通过集成的自诊断功能和比较器输出，客户可以轻松实现系统健康状况的实时监测，无需额外设计诊断电路，大大降低了系统复杂度和开发难度。　　封装和选型　　NSI36xx系列提供SOW16封装，全系将支持工规和车规版本。该系列首发型号：工规版本的NSI3600D，NSI3611D，NSI3612D现已量产，支持最高5000Vrms绝缘电压，工作温度范围为-40℃~125℃。支持单端比例输出、集成比较器的后续器件和对应的车规版本将陆续量产。　　丰富的“隔离+”产品，满足多元系统应用需求　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微正以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。

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发布时间：2025-10-22 09:53 阅读量：297 继续阅读>>

200亿！士兰微拟投在厦门建设12英寸<span style='color:red'>芯片</span>生产线

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200亿！士兰微拟投在厦门建设12英寸芯片生产线

　　10月18日，厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府、杭州士兰微电子股份有限公司在厦门签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》，计划投资200亿元在厦门市海沧区投资建设一条对标国际领先水平、以IDM模式运营、拥有完全自主知识产权的12英寸高端模拟集成电路芯片生产线。10月19日晚间，士兰微正式发布公告，详细介绍了该项投资合作。　　士兰集华为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体。士兰集华成立于2025年6月，目前尚未产生营业收入。　　项目规划总投资200亿元　　公告显示，为加快完善士兰微在半导体产业链的布局，公司与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府于10月18日在厦门市签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》。同时，为落实前述《战略合作协议》，公司、公司全资子公司厦门士兰微与厦门半导体、新翼科技于同日签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　依据上述协议，士兰集华作为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体，建设一条12英寸集成电路芯片制造生产线，产品定位为高端模拟集成电路芯片。该项目规划总投资200亿元，规划产能4.5万片/月，分两期实施。　　一期项目投资100亿元(其中：资本金60.1亿元、占60.1%，银行贷款39.9亿元、占39.9%)建设主体厂房、配套库房、110KV变电站、动力站、废水站、大宗气站等公用辅助设施以及部分工艺设备购置，建成后形成月产能2万片;二期项目规划投资100亿元，建成后新增月产能2.5万片，达产后两期将合计实现月产能4.5万片(年产54万片)。　　士兰集华一期项目资本金为60.1亿元，本次拟新增的注册资本为51亿元，由士兰微及厦门士兰微与厦门半导体、新翼科技以货币方式共同认缴，其中：公司和厦门士兰微合计认缴15亿元，厦门半导体认缴15亿元，新翼科技认缴21亿元。本次出资无溢价。本次增资完成后，士兰集华的注册资本将由0.1亿元增加至51.1亿元。一期项目资本金中剩余的9亿元由后续共同引进的相关其他投资方认缴出资。　　二期项目规划投资100亿元，在一期项目的基础上实施(暂定其中60.1亿元为资本金投资，其余39.9亿元为银行贷款)，具体方案需各方在完成相关审批流程后，另行签署投资协议等相关文件。　　士兰集华目前注册资本为1000万元，全部由士兰微以货币方式出资。士兰集华目前处于项目前期筹备阶段，尚未产生营业收入。　　上半年业绩同比扭亏　　士兰微2025年半年报显示，公司专注于硅半导体、化合物半导体产品的设计与制造，向客户提供高质量的硅基集成电路、分立器件和化合物半导体器件产品。　　2025年上半年，公司实现营业收入63.36亿元，同比增长20.14%;实现净利润2.65亿元，同比扭亏为盈。　　对于下半年市场情况，士兰微在最新披露的投资者关系记录表中表示，下半年特别是第四季度是汽车市场的旺季，也是白电市场的旺季，公司会处在产销紧平衡的状态。其他消费、工业板块预估维持上半年状态。

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发布时间：2025-10-21 15:10 阅读量：397 继续阅读>>

传美光科技将退出中国数据中心服务器<span style='color:red'>芯片</span>业务！

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传美光科技将退出中国数据中心服务器芯片业务！

　　当地时间10月17日，路透社援引两名知情人士消息报道称，美国存储芯片巨头美光科技计划退出其在中国的数据中心服务器芯片业务。　　知情人士称，美光计划停止向中国数据中心供应服务器芯片，但将继续向两家在中国境外拥有重要数据中心业务的中国客户供货。知情人士还称，美光在上一财年来自中国大陆的收入约为34亿美元，占其全球总收入的12%。未来，美光仍将继续向中国市场的汽车和智能手机领域客户销售芯片。　　据了解，2023年用于计算的数据中心在中国的投资额激增九倍，达到247亿元人民币。而这一空白为中国本土存储行业企业带来了利好，在这期间，以长江存储、长鑫存储为代表的企业抓住机会积极扩张。　　据美光科技此前公布的财务数据，在截至8月28日的2025财年第四季度，美光科技营收113.2亿美元，同比增长46%，上年同期为1.18美元。2025财年全年，美光科技营收达到373.78亿美元。其中，用于AI数据处理的HBM是美光利润最高的产品之一。包括为数据中心客户提供HBM在内，美光专注为超大规模云计算客户服务的云存储业务(CMBU)营收45.43亿美元，同比增长213.5%。　　另一方面，知情人士还提到，美光在中国的数据中心团队雇员超过300人。但目前尚不清楚此次业务调整将影响到多少岗位。　　值得注意的是，《南华早报》在不久之前的8月份曾爆料称，美光科技启动了在华新一轮裁员，主要涉及移动NAND产品有关部门。此前，因移动NAND产品长期处于市场疲软状态，财务表现持续不佳，美光已宣布在全球范围内停止移动 NAND产品的开发。随后，该公司针对其中国大陆业务部门进行了裁员，涉及研发、测试及支持等岗位。一名不愿具名的员工当时透露称，该次裁员涉及了超过300个职位。　　此外，美光并非首家调整在华业务的跨国科技公司。今年以来，已有IBM、微软、亚马逊等多家知名科技公司对其在华业务进行了调整。

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发布时间：2025-10-21 15:08 阅读量：349 继续阅读>>

上海贝岭高压电机驱动系统关键技术及<span style='color:red'>芯片</span>应用选型

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上海贝岭高压电机驱动系统关键技术及芯片应用选型

　　上海贝岭自2018年战略布局工控和储能市场以来，持续深耕光伏储能、伺服变频、工业电源、BMS、电动工具、电动车等核心领域，致力于为客户提供高性价比的半导体产品与系统解决方案。　　公司产品涵盖电源管理、信号链产品和功率器件3大产品领域，依托功率器件、电源管理、接口芯片、隔离器、存储器、马达驱动、数据转换及标准信号八大产品线，全面构建模拟和数模混合产品解决方案平台。在高压电机驱动领域，公司产品覆盖率可达80%以上。　　主功率链产品介绍　　在高压电机驱动主功率链中，上海贝岭可提供650V全系列IGBT以及栅极驱动产品配套：　　① 650V10A~75A系列IGBT产品　　基于贝岭G2 Trench FS IGBT工艺平台，对标市场主流的H4代产品工艺，采用3um pitch的微沟槽工艺，正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例，背面采用优化的H FS工艺，获得良好Vcesat-Eoff折衷，以及优秀的短路能力;终端采用优化的“FLR+场板技术”，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。　　该系列提供3个版本产品：　　低频版：先进的正面结构设计，可以实现Vge≤15V，tsc=5us的短路能力，以及足够低的Vcesat，推荐应用频率2~25kHz，目前已在高压伺服、工业缝纫机、跑步机等市场批量应用　　低频版plus：通过正面结构设计的进一步优化，实现Vge≤16.5V，tsc=5us的短路能力，以及Vcesat typ=1.55V，对变频器等电机驱动应用提供更匹配的应用支持　　高频版：通过良好的Vcesat-Eoff折衷特性，可以支持客户最高60kHz的应用频率需求　　650V 10A~75A系列IGBT产品图片(封装形式)　　② 650V80A~200A系列IGBT产品　　基于贝岭G3 Trench FS IGBT工艺平台，对标市场主流的H5代和H7代产品工艺，采用更加先进的1.6um pitch微沟槽工艺，正面结构通过“Gate沟槽+E短接沟槽+dummy 沟槽”3种沟槽的设计比例优化，背面采用优化的H FS工艺，获得足够低的Vceast和良好的开关损耗，满足电机驱动应用所需的短路能力;终端采用优化的“VLD技术”，在提高芯片有效面积占比的同时，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。　　该系列提供3个版本产品：　　低频版：Vcesat_typ=1.5V，可以实现Vge≤15V，tsc=3us的短路能力，推荐应用频率2~25kHz　　高频版：Vcesat_typ=1.5V，推荐应用频率：20~30kHz，推荐应用领域：光伏储能，工业焊机　　特高频版：Vcesat_typ=1.6V，推荐应用频率：30~50kHz，推荐应用领域：充电桩，工业电源，工业焊机　　为满足不同客户需求，该系列产品还可以提供低频版plus的定制化需求(实现Vge≤16.5V，tsc=5us的短路能力，Vcesat typ=1.5V)。　　650V80A~200A系列IGBT产品图片(封装形式)　　③ 栅极驱动产品-SA3626A/BL2601A　　SA2636A 是一款最高耐压650V的全桥驱动器，用于驱动三相系统中的MOSFET或IGBT。其低侧兼容3.3V逻辑控制，提供300mA/600mA的拉灌电流能力。芯片集成欠压锁定及可调电阻过流检测功能，故障时立即关断所有开关并输出错误信号，内置290ns死区时间以提升系统安全性。　　BL2601A是一款高压半桥栅极驱动芯片，专为驱动双NMOS或IGBT设计，工作电压可达600V。芯片内置VCC/VBS欠压保护(UVLO)，输入兼容3.3-15V逻辑，上下管延时匹配典型50ns，提供+0.3A/-0.6A的驱动能力，采用SOP8封装。　　高压电机驱动系统全链路芯片　　一站式选型指南　　在高压电机驱动系统中，除了核心的主功率变换链，高效的电源管理和精确的信号处理同样是确保系统稳定、可靠运行的关键环节。上海贝岭凭借全面的模拟芯片产品线，可为此提供完整的配套解决方案：其电源管理芯片(如PWM控制器、DC-DC转换器、LDO及稳压器)为系统中的控制电路、传感器和接口提供稳定、洁净的各级供电;而信号链芯片(包括隔离接口、运算放大器、EEPROM等)则负责实现关键的信号隔离、调理、通信与数据存储功能。二者与主功率链协同工作，共同构筑高性能、高集成度的电机驱动平台。

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上海贝岭

发布时间：2025-10-20 16:27 阅读量：330 继续阅读>>

力芯微LED驱动<span style='color:red'>芯片</span>ET6142｜点亮米家三区洗衣机Pro的智能交互新体验

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力芯微LED驱动芯片ET6142｜点亮米家三区洗衣机Pro的智能交互新体验

　　产品概述　　在智能家电飞速发展的今天，一款优秀的显示驱动芯片往往是人机交互的核心所在。力芯微电子以显示驱动芯片领域15余年的技术沉淀，赢得了市场与众多知名品牌的广泛认可。在近日备受关注的小米新品发布会上，全新米家三区洗衣机 Pro 以其创新的三区健康洗护功能成为焦点，其轩晶镜面触控面板更暗藏玄机——搭载力芯微 ET6142 恒流显示驱动芯片，配合彩色 UI 界面，让智能操控既流畅又清晰。　　ET6142是一款专为LED矩阵显示系统设计的恒流驱动控制芯片，旨在满足家电及便携设备对高集成度、多像素点精细控制的显示需求。其核心设计背景源于市场对中小型点阵屏在亮度均匀性、功耗控制及空间利用率上的严苛要求，通过集成化方案替代传统分立驱动电路，显著简化系统设计复杂度。　　该芯片具备12路独立恒流驱动通道，每路输出电流最高达50mA，可稳定驱动最大6×12 LED点阵。产品亮点在于支持整体输出电流32级可调，单点256级PWM可调，赋予显示内容细腻的灰度表现力。其采用标准I²C通信接口，支持连续读写功能，配合内置RC振荡器(默认1MHz±10%)及自动消隐电路，在确保高刷新率的同时降低显示残影。芯片提供SOP24(7.5mm ×15.34mm)SSOP24(3.9mm ×8.65mm)QFN24(4mm × 4mm)三种封装，适配不同空间约束场景。　　ET6142主要面向白色家电控制面板(如冰箱、洗衣机状态屏)、小家电交互界面(咖啡机、空气净化器)及智能设备显示单元(便携音响、玩具LED矩阵)。其低功耗特性(关断电流仅2μA左右)与-40℃至+85℃的宽温工作范围，特别契合电池供电设备及严苛环境的应用需求，为紧凑型电子设备提供高效可靠的显示驱动解决方案。　　产品特性　　12路恒流驱动，输出电流最大50mA支持1～6扫应用　　最大应用点阵6×12每点支持256级辉度调节　　I²C通讯接口　　内置RC振荡(默认值1MHz±10%)刷新频率高　　内置上电复位电路,内置自动消隐电路　　管脚定义

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力芯微

发布时间：2025-10-16 16:35 阅读量：321 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor

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